技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種磁記錄介質(zhì)用基底，包括：襯底，其由鋁合金制成；以及膜，其由NiP基合金制成并設(shè)置在所述襯底上，其中，所述襯底的鋁合金含有0.2質(zhì)量％～6質(zhì)量％范圍內(nèi)的Mg、3質(zhì)量％～17質(zhì)量％范圍內(nèi)的Si、0.05質(zhì)量％～2質(zhì)量％范圍內(nèi)的Zn、及0.001質(zhì)量％～1質(zhì)量％范圍內(nèi)的Sr，所述襯底的合金結(jié)構(gòu)中的Si顆粒的平均粒徑為2μm以下，所述膜具有10μm以上厚度，所述襯底具有53mm以上的外徑、0.9mm以下的厚度、及79GPa以上的楊氏模量。

技術(shù)研發(fā)人員：幸松孝治;村瀨功;杉本公德;小林智也
受保護的技術(shù)使用者：昭和電工株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.14
技術(shù)公布日：2017.08.04