【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明關(guān)于存儲(chǔ)領(lǐng)域，特別有關(guān)于一種存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)控制器以及存儲(chǔ)器系統(tǒng)

背景技術(shù)：

一般而言，存儲(chǔ)器系統(tǒng)包含存儲(chǔ)器控制器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)。存儲(chǔ)器控制器與dram連接。存儲(chǔ)器控制器可將數(shù)據(jù)寫入dram或從dram讀出數(shù)據(jù)。例如，雙數(shù)據(jù)率dram(也簡(jiǎn)稱為ddrdram)是普通dram的一種。

圖1示意性地圖示現(xiàn)有的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的架構(gòu)。存儲(chǔ)器系統(tǒng)100包含存儲(chǔ)器控制器120和ddrdram110。此外，存儲(chǔ)器控制器120的多個(gè)引腳與ddrdram110的對(duì)應(yīng)引腳連接以便發(fā)送多個(gè)控制信號(hào)。ddrdram110是低功率第三代ddrdram(也簡(jiǎn)稱為lpddr3dram)或低功率第四生成ddrdram(也簡(jiǎn)稱為lpddr4dram)。

如圖1所示，控制信號(hào)包含時(shí)鐘使能信號(hào)cke、時(shí)鐘信號(hào)clk、命令信號(hào)cmd和芯片選擇信號(hào)cs。命令信號(hào)cmd至少包含七個(gè)命令地址信號(hào)ca0～ca6。即，7個(gè)引腳被采用于發(fā)送命令信號(hào)cmd。

lpddr3dram的規(guī)格將描述如下。為了控制lpddr3dram以進(jìn)入自刷新狀態(tài)，存儲(chǔ)器控制器120必須生成進(jìn)入自刷新命令sre。為了控制lpddr3dram以離開自刷新狀態(tài)，存儲(chǔ)器控制器120必須生成現(xiàn)有的自刷新命令srx。此外，當(dāng)lpddr3dram進(jìn)入/離開自刷新狀態(tài)時(shí)，lpddr3dram必須進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)。時(shí)鐘使能信號(hào)cke被采用以控制lpddr3dram以進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)。

圖2a示意性地圖示用于控制lpddr3dram的進(jìn)入自刷新命令sre和現(xiàn)有的自刷新命令srx的內(nèi)容。響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，進(jìn)入自刷新命令sre指示芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)(h)，命令信號(hào)cmd的命令地址信號(hào)ca0～ca5均位于低電平狀態(tài)(l)以及命令地址信號(hào)ca6位于高電平狀態(tài)(h)。響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，現(xiàn)有的自刷新命令srx指示芯片選擇信號(hào)cs位于高電平狀態(tài)(h)且不關(guān)心命令地址信號(hào)ca0～ca6的電平狀態(tài)(x)。

此外，另一類型的命令信號(hào)cmd包含有效的命令valid或不操作命令nop。例如，有效的命令valid是讀命令或?qū)懨睢?/p>

圖2b是圖示控制lpddr3dram進(jìn)入/離開自刷新狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

在時(shí)間點(diǎn)t1響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)時(shí)鐘使能信號(hào)cke處于低電平狀態(tài)且芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器120生成進(jìn)入自刷新命令sre。即，在時(shí)間點(diǎn)t1，lpddr3dram同時(shí)進(jìn)入自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。

在時(shí)間點(diǎn)ta響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)時(shí)鐘使能信號(hào)cke處于高電平狀態(tài)且芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器120生成現(xiàn)有的自刷新命令srx。即，在時(shí)間點(diǎn)ta，lpddr3dram同時(shí)離開自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。

如上所述，在t1和ta之間的時(shí)間間隔中，lpddr3dram的自刷新狀態(tài)也是lpddr3dram的休眠狀態(tài)。此外，在休眠狀態(tài)，存儲(chǔ)器控制器120可選擇性地改變時(shí)鐘信號(hào)clk的頻率或指示時(shí)鐘信號(hào)clk。

相較于lpddr3dram，lpddr4dram在自刷新狀態(tài)期間進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)。即，lpddr4dram不需要同時(shí)進(jìn)入/離開自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。例如，在進(jìn)入自刷新狀態(tài)后，lpddr4dram進(jìn)入休眠狀態(tài)。此外，在離開休眠狀態(tài)后，lpddr4dram離開自刷新狀態(tài)。

lpddr4dram的規(guī)格將描述如下。為了控制lpddr4dram進(jìn)入自刷新狀態(tài)，存儲(chǔ)器控制器120必須生成兩個(gè)連續(xù)的進(jìn)入自刷新命令sre1和sre2。為了控制lpddr4dram離開自刷新狀態(tài)，存儲(chǔ)器控制器120必須生成兩個(gè)連續(xù)的現(xiàn)有的自刷新命令srx1和srx2。此外，時(shí)鐘使能信號(hào)cke被采用以控制lpddr3dram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)。

圖3a示意性地圖示控制lpddr4dram的進(jìn)入自刷新命令sre和現(xiàn)有的自刷新命令srx的內(nèi)容。響應(yīng)于始終信號(hào)clk的第一上升緣，第一進(jìn)入自刷新命令sre1指示芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)(h)，命令信號(hào)cmd的命令地址信號(hào)ca0～ca2處于低電平狀態(tài)(l)，命令地址信號(hào)ca3～ca4處于高電平狀態(tài)(h)且命令地址信號(hào)ca5處于有效的電平狀態(tài)(v)。響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的第二上升緣，第二進(jìn)入自刷新命令sre2指示芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)(l)且命令信號(hào)cmd的命令地址信號(hào)ca0～ca5均處于有效的電平狀態(tài)(v)。有效的電平狀態(tài)(v)處于低電平狀態(tài)(l)或高電平狀態(tài)(h)。

響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的第一上升緣，第一現(xiàn)有的自刷新命令srx1指示芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)(h)，命令信號(hào)cmd的命令地址信號(hào)ca0、ca1和ca3處于低電平狀態(tài)(l)，命令地址信號(hào)ca2和ca4處于高電平狀態(tài)(h)，以及命令地址信號(hào)ca5處于有效的電平狀態(tài)(v)。響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的第二上升緣，第二現(xiàn)有的自刷新命令srx2指示芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)(l)以及命令信號(hào)cmd的命令地址信號(hào)ca0～ca5均處于有效的電平狀態(tài)(v)。

類似地，另一類型的命令信號(hào)cmd包含有效的命令valid或不操作命令nop。

圖3b是控制lpddr4dram進(jìn)入/離開自刷新狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

在時(shí)間點(diǎn)t0響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)時(shí)鐘使能信號(hào)cke處于高電平狀態(tài)且芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器120生成第一進(jìn)入自刷新命令sre1。然后，在時(shí)間點(diǎn)t1響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，存儲(chǔ)器控制器120生成第二進(jìn)入自刷新命令sre2當(dāng)時(shí)鐘使能信號(hào)cke處于高電平狀態(tài)且芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)。即，在時(shí)間點(diǎn)t1，lpddr4dram進(jìn)入自刷新狀態(tài)。

在時(shí)間點(diǎn)t3響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，來自存儲(chǔ)器控制器120的時(shí)鐘使能信號(hào)cke處于低電平狀態(tài)。即，在時(shí)間點(diǎn)t3，lpddr4dram進(jìn)入休眠狀態(tài)。類似地，在休眠狀態(tài)，存儲(chǔ)器控制器120可選擇性地改變時(shí)鐘信號(hào)clk的頻率或指示時(shí)鐘信號(hào)clk。

在時(shí)間點(diǎn)ta響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，來自存儲(chǔ)器控制器120的時(shí)鐘使能信號(hào)cke處于高電平狀態(tài)。即，在時(shí)間點(diǎn)ta，lpddr4dram離開休眠狀態(tài)。

在時(shí)間點(diǎn)tb響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)時(shí)鐘使能信號(hào)cke處于高電平狀態(tài)以及芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器120生成第一現(xiàn)有的自刷新命令srx1。然后，在時(shí)間點(diǎn)tc響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)時(shí)鐘使能信號(hào)cke處于高電平狀態(tài)以及芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器120生成第二現(xiàn)有的自刷新命令srx2。即，在時(shí)間點(diǎn)tc，lpddr4dram離開自刷新狀態(tài)。

如上所述，lpddr4dram在t1和tc之間的時(shí)間間隔中處于刷新狀態(tài)，以及l(fā)pddr4dram在t3和ta之間的時(shí)間間隔中處于休眠狀態(tài)。

根據(jù)另一現(xiàn)有的方法，時(shí)鐘使能信號(hào)cke在時(shí)間點(diǎn)t1處于低電平狀態(tài)以及在時(shí)間點(diǎn)tc處于高電平狀態(tài)。因此，lpddr4dram同時(shí)處于自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。

然而，一種新的ddrdram可以引入市場(chǎng)。新的ddrdram具有新的dram接口而沒有時(shí)鐘使能信號(hào)cke引腳以發(fā)送時(shí)鐘使能信號(hào)cke。換句話說，新的ddrdram不根據(jù)時(shí)鐘使能信號(hào)cke進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提出一種存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)控制器以及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

本發(fā)明提供一種與存儲(chǔ)器連接的存儲(chǔ)器控制器，存儲(chǔ)器控制器包含時(shí)鐘信號(hào)引腳，與存儲(chǔ)器連接，用于發(fā)送時(shí)鐘信號(hào)到存儲(chǔ)器；以及多個(gè)命令引腳，與存儲(chǔ)器連接，用于發(fā)送命令信號(hào)到存儲(chǔ)器，其中命令信號(hào)包含進(jìn)入自刷新命令和進(jìn)入休眠命令，其中當(dāng)執(zhí)行進(jìn)入自刷新命令時(shí)，存儲(chǔ)器進(jìn)入自刷新狀態(tài)，以及當(dāng)執(zhí)行進(jìn)入休眠命令時(shí)，存儲(chǔ)器進(jìn)入休眠狀態(tài)。

本發(fā)明還提供一種與存儲(chǔ)器連接的存儲(chǔ)器控制器，所述存儲(chǔ)器控制器包含時(shí)鐘信號(hào)引腳，與存儲(chǔ)器連接，用于發(fā)送時(shí)鐘信號(hào)到存儲(chǔ)器；以及多個(gè)命令引腳，與存儲(chǔ)器連接，用于發(fā)送命令信號(hào)到存儲(chǔ)器，其中命令信號(hào)包含進(jìn)入自刷新命令，其中當(dāng)執(zhí)行進(jìn)入自刷新命令時(shí)，存儲(chǔ)器進(jìn)入自刷新狀態(tài)以及存儲(chǔ)器根據(jù)休眠進(jìn)入位的設(shè)置選擇性地進(jìn)入休眠狀態(tài)。

本發(fā)明還提供一種與存儲(chǔ)器控制器連接的存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器包含時(shí)鐘信號(hào)引腳，與存儲(chǔ)器控制器連接，用于從存儲(chǔ)器控制器接收時(shí)鐘信號(hào)；以及多個(gè)命令引腳，與存儲(chǔ)器控制器連接，用于從存儲(chǔ)器控制器接收命令信號(hào)，其中命令信號(hào)包含進(jìn)入自刷新命令和進(jìn)入休眠命令，其中當(dāng)執(zhí)行進(jìn)入自刷新命令時(shí)，存儲(chǔ)器進(jìn)入自刷新狀態(tài)，以及當(dāng)執(zhí)行進(jìn)入休眠命令時(shí)，存儲(chǔ)器進(jìn)入休眠狀態(tài)。

本發(fā)明還提供一種與存儲(chǔ)器控制器連接的存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器包含時(shí)鐘信號(hào)引腳，與存儲(chǔ)器控制器連接，用于從存儲(chǔ)器控制器接收時(shí)鐘信號(hào)；以及多個(gè)命令引腳，與存儲(chǔ)器控制器連接，用于從存儲(chǔ)器控制器接收命令信號(hào)，其中命令信號(hào)包含進(jìn)入自刷新命令，其中當(dāng)執(zhí)行進(jìn)入自刷新命令時(shí)，存儲(chǔ)器進(jìn)入自刷新狀態(tài)以及存儲(chǔ)器根據(jù)休眠進(jìn)入位的設(shè)置選擇性地進(jìn)入休眠狀態(tài)。

本發(fā)明還提供一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包含存儲(chǔ)器控制器，包含時(shí)鐘信號(hào)引腳和多個(gè)命令引腳；以及存儲(chǔ)器，與時(shí)鐘信號(hào)引腳和多個(gè)命令引腳連接，其中時(shí)鐘信號(hào)通過時(shí)鐘引腳從存儲(chǔ)器控制器發(fā)送到存儲(chǔ)器，以及命令信號(hào)通過多個(gè)命令引腳從存儲(chǔ)器控制器發(fā)送到存儲(chǔ)器，其中命令信號(hào)包含進(jìn)入自刷新命令和進(jìn)入休眠命令，其中當(dāng)執(zhí)行進(jìn)入自刷新命令時(shí)，存儲(chǔ)器進(jìn)入自刷新狀態(tài)，以及當(dāng)執(zhí)行進(jìn)入休眠命令時(shí)，存儲(chǔ)器進(jìn)入休眠狀態(tài)。

一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包含存儲(chǔ)器控制器，包含時(shí)鐘信號(hào)引腳和多個(gè)命令引腳；以及存儲(chǔ)器，與時(shí)鐘信號(hào)引腳和多個(gè)命令引腳連接，其中時(shí)鐘信號(hào)通過時(shí)鐘引腳從存儲(chǔ)器控制器發(fā)送到存儲(chǔ)器，以及命令信號(hào)通過多個(gè)命令引腳從存儲(chǔ)器控制器發(fā)送到存儲(chǔ)器，其中命令信號(hào)包含進(jìn)入自刷新命令，其中當(dāng)執(zhí)行進(jìn)入自刷新命令時(shí)，存儲(chǔ)器進(jìn)入自刷新狀態(tài)以及存儲(chǔ)器根據(jù)休眠進(jìn)入位的設(shè)置選擇性地進(jìn)入休眠狀態(tài)。

本發(fā)明通過以上手段，存儲(chǔ)器能夠不根據(jù)時(shí)鐘使能信號(hào)cke進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)。

【附圖說明】

圖1示意性地圖示現(xiàn)有的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的架構(gòu)。

圖2a示意性地圖示用于控制lpddr3dram的進(jìn)入自刷新命令sre和現(xiàn)有的自刷新命令srx的內(nèi)容。

圖2b是圖示控制lpddr3dram進(jìn)入/離開自刷新狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

圖3a示意性地圖示控制lpddr4dram的進(jìn)入自刷新命令sre和現(xiàn)有的自刷新命令srx的內(nèi)容。

圖3b是控制lpddr4dram進(jìn)入/離開自刷新狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

圖4根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例示意性地圖示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的架構(gòu)。

圖5a示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的控制ddrdram的進(jìn)入自刷新命令sre和現(xiàn)有的自刷新命令srx的內(nèi)容。

圖5b是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

圖6a是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

圖6b是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

圖7a示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的控制ddrdram的進(jìn)入自刷新命令sre和現(xiàn)有的自刷新命令srx的內(nèi)容。

圖7b是圖示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

圖7c是圖示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

圖8a是圖示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

圖8b是圖示根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

圖8c是圖示根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

【具體實(shí)施方式】

新穎的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有新的ddrdram接口而沒有時(shí)鐘使能信號(hào)cke引腳。換句話說，新的ddrdram不根據(jù)時(shí)鐘使能信號(hào)cke進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)。本發(fā)明提供的存儲(chǔ)器，可以在自刷新期間進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)而不使用cke引腳。本發(fā)明還提供存儲(chǔ)器控制器和于存儲(chǔ)器關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

圖4根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例示意性地圖示存儲(chǔ)器系統(tǒng)的架構(gòu)。如圖4所示，存儲(chǔ)器系統(tǒng)400包含存儲(chǔ)器控制器420和ddrdram410。此外，存儲(chǔ)器控制器420的多個(gè)引腳以及ddrdram410的對(duì)應(yīng)引腳彼此連接以發(fā)送多個(gè)控制信號(hào)。在一實(shí)施例中，ddrdram410是沒有時(shí)鐘使能信號(hào)cke的新的ddrdram。此外，ddrdram410還包括模式寄存器412。

如圖4所示，控制信號(hào)包含時(shí)鐘信號(hào)clk、命令信號(hào)cmd和芯片選擇信號(hào)cs。命令信號(hào)cmd至少包含七個(gè)命令地址信號(hào)ca0～ca6。即，至少7個(gè)引腳被采用以發(fā)送命令信號(hào)cmd。

為了控制ddrdram410進(jìn)入自刷新狀態(tài)，存儲(chǔ)器控制器420生成兩個(gè)連續(xù)的進(jìn)入自刷新命令sre1和sre2。為了控制ddrdram410以離開自刷新狀態(tài)，存儲(chǔ)器控制器420生成兩個(gè)連續(xù)的現(xiàn)有的自刷新命令srx1和srx2。要注意，在保留本發(fā)明的教導(dǎo)時(shí)可以進(jìn)行許多修改和替換。例如，在另一實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器420生成進(jìn)入自刷新命令和現(xiàn)有的自刷新命令以控制ddrdram410進(jìn)入/離開自刷新狀態(tài)。

圖5a示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的控制ddrdram的進(jìn)入自刷新命令sre和現(xiàn)有的自刷新命令srx的內(nèi)容。響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的第一上升緣，第一進(jìn)入自刷新命令sre1指示芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)(h)，命令信號(hào)cmd的命令地址信號(hào)ca0～ca3處于低電平狀態(tài)(l)以及命令地址信號(hào)ca4～ca6處于高電平狀態(tài)(h)。響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的第二上升緣，第二進(jìn)入自刷新命令sre2指示芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)(l)以及命令信號(hào)cmd的命令地址信號(hào)ca0～ca6均處于有效的電平狀態(tài)(v)。有效的電平狀態(tài)(v)是低電平狀態(tài)(l)或高電平狀態(tài)(h)。

響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的第一上升緣，第一現(xiàn)有的自刷新命令srx1指示芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)(h)，命令信號(hào)cmd的命令地址信號(hào)ca0～ca3以及ca6處于低電平狀態(tài)(l)以及命令地址信號(hào)ca4～ca5處于高電平狀態(tài)(h)。響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的第二上升緣，第二現(xiàn)有的自刷新命令srx2指示芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)(l)以及命令信號(hào)cmd的命令地址信號(hào)ca0～ca6均處于有效的電平狀態(tài)(v)。

類似地，另一類型的命令信號(hào)cmd包含有效的命令valid或不操作命令nop。

圖5b是圖示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。

在時(shí)間點(diǎn)t0響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第一進(jìn)入自刷新命令sre1。然后，在時(shí)間點(diǎn)t1響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第二進(jìn)入自刷新命令sre2。即，在時(shí)間點(diǎn)t1，ddrdram410進(jìn)入自刷新狀態(tài)。

在時(shí)間點(diǎn)ta響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第一現(xiàn)有的自刷新命令srx1。然后，在時(shí)間點(diǎn)tb響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第二現(xiàn)有的自刷新命令srx2。即，在時(shí)間點(diǎn)tb，ddrdram410離開自刷新狀態(tài)。

如上所述，在t1和tb之間的時(shí)間間隔中ddrdram410處于自刷新狀態(tài)。在此上下文中，當(dāng)ddrdram410處于自刷新狀態(tài)時(shí)時(shí)間間隔稱為自刷新周期。

ddrdram410沒有引腳用于發(fā)送時(shí)鐘使能信號(hào)cke。本發(fā)明提供各種方法用于控制ddrdram410進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)。這些方法將描述如下。

圖6a和6b是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。命令信號(hào)cmd還包含進(jìn)入休眠命令pde和離開休眠命令pdx。存儲(chǔ)器控制器420在自刷新周期根據(jù)進(jìn)入休眠命令pde和離開休眠命令pdx控制ddrdram410進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)。此外，控制ddrdram的進(jìn)入自刷新命令sre和現(xiàn)有的自刷新命令srx的內(nèi)容和圖5a的相同，且不贅述于本文。

請(qǐng)參考圖6a。在時(shí)間點(diǎn)t0響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第一進(jìn)入自刷新命令sre1。然后，在時(shí)間點(diǎn)t1響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第二進(jìn)入自刷新命令sre2。即，在時(shí)間點(diǎn)t1，ddrdram410進(jìn)入自刷新狀態(tài)。

此外，在時(shí)間點(diǎn)t3響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，存儲(chǔ)器控制器420生成進(jìn)入休眠命令pde。即，在時(shí)間點(diǎn)t3，ddrdram410進(jìn)入休眠狀態(tài)。此外，在休眠狀態(tài)中，存儲(chǔ)器控制器420可選擇性地改變時(shí)鐘信號(hào)clk的頻率或指示時(shí)鐘信號(hào)clk。

請(qǐng)參考圖6b。在時(shí)間點(diǎn)ta響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，存儲(chǔ)器控制器420生成現(xiàn)有的休眠命令pdx。即，在時(shí)間點(diǎn)ta，ddrdram410離開休眠狀態(tài)。因此，在t3和ta之間的時(shí)間間隔中，ddrdram410處于休眠狀態(tài)。

此外，在時(shí)間點(diǎn)tc響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第一現(xiàn)有的自刷新命令srx1。然后，在時(shí)間點(diǎn)td響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第二現(xiàn)有的自刷新命令srx2。即，在時(shí)間點(diǎn)td，ddrdram410離開自刷新狀態(tài)。因此，ddrdram410在t1和td之間的時(shí)間間隔中處于自刷新狀態(tài)。此外，當(dāng)ddrdram410處于自刷新狀態(tài)時(shí)，時(shí)間間隔稱為自刷新周期。

圖7a示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的控制ddrdram的進(jìn)入自刷新命令sre和現(xiàn)有的自刷新命令srx的內(nèi)容。圖7b和7c是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。相較于圖5a，本實(shí)施例的命令信號(hào)cmd的進(jìn)入自刷新命令sre和現(xiàn)有的自刷新命令srx的內(nèi)容是有區(qū)別的。

如圖7a所示，第二進(jìn)入自刷新命令sre2的命令地址信號(hào)ca6被修改為休眠進(jìn)入位pd_e。在休眠進(jìn)入位pd_e被設(shè)置為高電平狀態(tài)的情形中，當(dāng)?shù)诙M(jìn)入自刷新命令sre2執(zhí)行時(shí)，ddrdram410同時(shí)進(jìn)入自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。在休眠進(jìn)入位pd_e設(shè)置為低電平狀態(tài)的情形中，當(dāng)?shù)诙M(jìn)入自刷新命令sre2執(zhí)行時(shí)，ddrdram410進(jìn)入自刷新狀態(tài)，但不進(jìn)入休眠狀態(tài)。

此外，第二現(xiàn)有的自刷新命令srx2的命令地址信號(hào)ca6修改為休眠離開位pd_x。在休眠離開位pd_x設(shè)置為高電平狀態(tài)的情形中，當(dāng)?shù)诙F(xiàn)有的自刷新命令srx2執(zhí)行時(shí)，ddrdram410同時(shí)離開自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。在休眠離開位pd_x設(shè)置為低電平狀態(tài)時(shí)，當(dāng)?shù)诙F(xiàn)有的自刷新命令srx2執(zhí)行時(shí)，ddrdram410離開自刷新狀態(tài)但不離開休眠狀態(tài)。

請(qǐng)參考圖7b。在時(shí)間點(diǎn)t0響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第一進(jìn)入自刷新命令sre1。然后，在時(shí)間點(diǎn)t1響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第二進(jìn)入自刷新命令sre2。由于休眠進(jìn)入位pd_e設(shè)置為高電平狀態(tài)，ddrdram410同時(shí)在時(shí)間點(diǎn)t1進(jìn)入自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。

請(qǐng)參考圖7c。在時(shí)間點(diǎn)ta響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第一現(xiàn)有的自刷新命令srx1。然后，在時(shí)間點(diǎn)tb響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第二現(xiàn)有的自刷新命令srx2。由于休眠離開位pd_x設(shè)置為高電平狀態(tài)，ddrdram410在時(shí)間點(diǎn)tb同時(shí)離開自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。

如上所述，ddrdram410在t1和tb之間的時(shí)間間隔中處于自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。

在本實(shí)施例中，ddrdram410根據(jù)進(jìn)入自刷新命令sre執(zhí)行期間的休眠進(jìn)入位pd_e確定是否執(zhí)行休眠進(jìn)入操作。此外，ddrdram410根據(jù)現(xiàn)有的自刷新命令srx的執(zhí)行期間的休眠離開位pd_x確定是否執(zhí)行休眠離開操作。此情況下，沒有必要執(zhí)行進(jìn)入休眠命令pde和離開休眠命令pdx。

在本實(shí)施例中，休眠進(jìn)入位pd_e和休眠離開位pd_x定義于命令地址信號(hào)ca6。在一些其它實(shí)施例中，休眠進(jìn)入位pd_e和休眠離開位pd_x定義于另一命令地址信號(hào)。

在以上實(shí)施例中，休眠進(jìn)入位pd_e和休眠離開位pd_x定義于命令信號(hào)cmd的進(jìn)入自刷新命令sre和現(xiàn)有的自刷新命令srx。在一些其它實(shí)施例中，休眠進(jìn)入位pd_e和休眠離開位pd_x定義于ddrdram410的模式寄存器412。

例如，在休眠進(jìn)入位pd_e和休眠離開位pd_x定義于ddrdram410的模式寄存器412的情形中，休眠進(jìn)入位pd_e和休眠離開位pd_x可以由存儲(chǔ)器控制器420設(shè)置。

當(dāng)執(zhí)行第二進(jìn)入自刷新命令sre2時(shí)，ddrdram410檢查模式寄存器412中的休眠進(jìn)入位pd_e。如果休眠進(jìn)入位pd_e處于高電平狀態(tài)，則ddrdram410同時(shí)進(jìn)入自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。然而，如果休眠離開位pd_x處于低電平狀態(tài)，則ddrdram410離開自刷新狀態(tài)但不離開休眠狀態(tài)。

類似地，當(dāng)執(zhí)行第二現(xiàn)有的自刷新命令srx2時(shí)，ddrdram410檢查模式寄存器412中的休眠離開位pd_x。如果休眠離開位pd_x處于高電平狀態(tài)，ddrdram410同時(shí)離開自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。然而，如果休眠離開位pd_x處于低電平狀態(tài)，則ddrdram410離開自刷新狀態(tài)但不離開休眠狀態(tài)。

在休眠進(jìn)入位pd_e和休眠離開位pd_x定義于ddrdram410中的模式寄存器412的情形中，控制ddrdram410進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的時(shí)間波形類似于圖7b和7c中的波形。

控制ddrdram410進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的以上方法可以彼此結(jié)合。因此，ddrdram410可在自刷新周期以各種方式進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)。一些示例將描述如下。

圖8a是圖示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。在時(shí)間點(diǎn)t0響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第一進(jìn)入自刷新命令sre1。然后，在時(shí)間點(diǎn)t1響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第二進(jìn)入自刷新命令sre2。由于休眠進(jìn)入位pd_e設(shè)置為高電平狀態(tài)，ddrdram410在時(shí)間點(diǎn)t1同時(shí)進(jìn)入自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。

在時(shí)間點(diǎn)ta響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，存儲(chǔ)器控制器420生成離開休眠命令pdx。即，在時(shí)間點(diǎn)ta，ddrdram410離開休眠狀態(tài)。因此，在t1和ta之間的時(shí)間間隔中，ddrdram410處于休眠狀態(tài)。

在時(shí)間點(diǎn)tc響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第一現(xiàn)有的自刷新命令srx1。然后，在時(shí)間點(diǎn)td響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第二現(xiàn)有的自刷新命令srx2。由于休眠離開位pd_x設(shè)置為低電平狀態(tài)，ddrdram410在時(shí)間點(diǎn)td離開自刷新狀態(tài)。因此，ddrdram410在t1和td之間的時(shí)間間隔中處于自刷新狀態(tài)。

圖8b是圖示根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。在時(shí)間點(diǎn)t0響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第一進(jìn)入自刷新命令sre1。然后，在時(shí)間點(diǎn)t1響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第二進(jìn)入自刷新命令sre2。由于休眠進(jìn)入位pd_e設(shè)置為低電平狀態(tài)，ddrdram410在時(shí)間點(diǎn)t1進(jìn)入自刷新狀態(tài)。

此外，在時(shí)間點(diǎn)t3響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，存儲(chǔ)器控制器420生成進(jìn)入休眠命令pde。即，在時(shí)間點(diǎn)t3，ddrdram410進(jìn)入休眠狀態(tài)。

在時(shí)間點(diǎn)ta響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第一現(xiàn)有的自刷新命令srx1。然后，在時(shí)間點(diǎn)tb響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第二現(xiàn)有的自刷新命令srx2。由于休眠離開位pd_x設(shè)置為高電平狀態(tài)，ddrdram410在時(shí)間點(diǎn)tb同時(shí)離開自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。因此，ddrdram410在t1和tb之間的時(shí)間間隔中處于自刷新狀態(tài)以及ddrdram410在t3和tb之間的時(shí)間間隔中處于休眠狀態(tài)。

圖8c是圖示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的控制ddrdram進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)的相關(guān)信號(hào)的示意時(shí)間波形圖。在本實(shí)施例中，自刷新離開位sr_x定義于命令信號(hào)cmd的離開休眠命令pdx。備選地，自刷新離開位sr_x定義于ddrdram410的模式寄存器412。當(dāng)執(zhí)行離開休眠命令pdx時(shí)，ddrdram410檢查自刷新離開位sr_x。如果自刷新離開位sr_x處于高電平狀態(tài)，則ddrdram410同時(shí)進(jìn)入自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。然而，如果自刷新離開位sr_x處于低電平狀態(tài)，則ddrdram410離開休眠狀態(tài)但不離開自刷新狀態(tài)。

請(qǐng)參考圖8c。在時(shí)間點(diǎn)t0響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于高電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第一進(jìn)入自刷新命令sre1。然后，在時(shí)間點(diǎn)t1響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，當(dāng)芯片選擇信號(hào)cs處于低電平狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器控制器420生成第二進(jìn)入自刷新命令sre2。即，ddrdram410在時(shí)間點(diǎn)t1進(jìn)入自刷新狀態(tài)。

此外，在時(shí)間點(diǎn)t3響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，存儲(chǔ)器控制器420生成進(jìn)入休眠命令pde。即，在時(shí)間點(diǎn)t3，ddrdram410進(jìn)入休眠狀態(tài)。

在時(shí)間點(diǎn)響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk的上升緣，存儲(chǔ)器控制器420生成離開休眠命令pdx。由于自刷新離開位sr_x處于高電平狀態(tài)，ddrdram410同時(shí)進(jìn)入自刷新狀態(tài)和休眠狀態(tài)。因此，ddrdram410在t3和ta之間的時(shí)間間隔處于休眠狀態(tài)，以及ddrdram410在t1和ta之間的時(shí)間間隔處于自刷新狀態(tài)。

從以上描述，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器，能夠不使用cke引腳在自刷新周期進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)引腳。本發(fā)明還提供一種與存儲(chǔ)器相關(guān)的存儲(chǔ)器控制器和存儲(chǔ)器系統(tǒng)。存儲(chǔ)器控制器用于控制ddrdram。因此，ddrdram可在自刷新周期進(jìn)入/離開休眠狀態(tài)。

盡管本發(fā)明已經(jīng)在認(rèn)為是最實(shí)際和優(yōu)選實(shí)施例方面進(jìn)行描述，要理解，本發(fā)明不需要限于所公開的實(shí)施例。相反，其旨在覆蓋包含于所附權(quán)利要求的精神和范圍的各種修改和類似布置，所附的權(quán)利要求與最廣解釋一致以覆蓋所有這樣的修改和類似結(jié)構(gòu)。