1.一種八晶體管靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的布局圖案，包含：
第一擴(kuò)散區(qū)、第二擴(kuò)散區(qū)以及第三擴(kuò)散區(qū)，位于一基底上，其中該第三擴(kuò)散區(qū)與該第一擴(kuò)散區(qū)之間存在有一極限間距區(qū)，且該極限間距區(qū)直接接觸該第一擴(kuò)散區(qū)與該第三擴(kuò)散區(qū)；以及
第一增設(shè)擴(kuò)散區(qū)、第二增設(shè)擴(kuò)散區(qū)與第三增設(shè)擴(kuò)散區(qū)，分別沿著該第一擴(kuò)散區(qū)、該第二擴(kuò)散區(qū)與該第三擴(kuò)散區(qū)的外圍排列，并分別直接接觸該第一擴(kuò)散區(qū)、該第二擴(kuò)散區(qū)與該第三擴(kuò)散區(qū)，其中該增設(shè)擴(kuò)散區(qū)不位于該極限間距區(qū)的范圍內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該八晶體管靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含多個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，每一個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元包含：
第一上拉晶體管以及第二上拉晶體管；
第一下拉晶體管以及第二下拉晶體管；
第一上存取晶體管以及第二上存取晶體管；以及
第一下存取晶體管以及第二下存取晶體管。
3.如權(quán)利要求2所述的布局圖案，其中該第一擴(kuò)散區(qū)對應(yīng)至該第一下存取晶體管，該第二擴(kuò)散區(qū)對應(yīng)至該第二下存取晶體管，而該第三擴(kuò)散區(qū)則對應(yīng)該第二下拉晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該極限間距區(qū)的長度小于或等于54納米。
5.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該第一增設(shè)擴(kuò)散區(qū)、該第二增設(shè)擴(kuò)散區(qū)與該第三增設(shè)擴(kuò)散區(qū)的寬度介于5～10納米。
6.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，還包含至少兩柵極結(jié)構(gòu)，其中該第一擴(kuò)散區(qū)、該第二擴(kuò)散區(qū)與該第三擴(kuò)散區(qū)位于該兩柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。
7.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該布局圖案由一光掩模形成，該光掩模上的圖案包含:
第一圖案、第二圖案、第三圖案，分別對應(yīng)到該第一擴(kuò)散區(qū)、該第二擴(kuò)散區(qū)以及該第三擴(kuò)散區(qū)；以及
多個(gè)增設(shè)圖案，分別對應(yīng)該第一增設(shè)擴(kuò)散區(qū)、該第二增設(shè)擴(kuò)散區(qū)與該第三增設(shè)擴(kuò)散區(qū)。
8.如權(quán)利要求7所述的布局圖案，其中該第一增設(shè)圖案與該第一圖案之間具有至少一L型夾角，該第三增設(shè)圖案與該第三圖案之間具有至少一L型夾角。
9.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該第二擴(kuò)散區(qū)與該第三擴(kuò)散區(qū)之間有一錯(cuò)位。
10.一種八晶體管靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(8T-SRAM)的布局圖案的形成方法，包含：
形成一第一擴(kuò)散區(qū)、一第二擴(kuò)散區(qū)以及一第三擴(kuò)散區(qū)于一基底上，其中該第三擴(kuò)散區(qū)與該第一擴(kuò)散區(qū)之間存在有一極限間距區(qū)，且該極限間距區(qū)直接接觸該第一擴(kuò)散區(qū)與該第三擴(kuò)散區(qū)；以及
形成一第一增設(shè)擴(kuò)散區(qū)、一第二增設(shè)擴(kuò)散區(qū)與一第三增設(shè)擴(kuò)散區(qū)，分別沿著該第一擴(kuò)散區(qū)、該第二擴(kuò)散區(qū)與該第三擴(kuò)散區(qū)的外圍排列，并分別直接接觸該第一擴(kuò)散區(qū)、該第二擴(kuò)散區(qū)與該第三擴(kuò)散區(qū)，其中該增設(shè)擴(kuò)散區(qū)不位于該極限間距區(qū)的范圍內(nèi)。
11.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其中該八晶體管靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含多個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元，每一個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元包含：
第一上拉晶體管以及第二上拉晶體管；
第一下拉晶體管以及第二下拉晶體管；
第一上存取晶體管以及一第二上存取晶體管；以及
第一下存取晶體管以及第二下存取晶體管。
12.如權(quán)利要求11所述的形成方法，其中該第一擴(kuò)散區(qū)對應(yīng)至該第一下存取晶體管，該第二擴(kuò)散區(qū)對應(yīng)至該第二下存取晶體管，而該第三擴(kuò)散區(qū)則對應(yīng)該第二下拉晶體管。
13.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其中該極限間距區(qū)的長度小于或等于54納米。
14.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其中該第一增設(shè)擴(kuò)散區(qū)、該第二增設(shè)擴(kuò)散區(qū)與該第三增設(shè)擴(kuò)散區(qū)的寬度介于5～10納米。
15.如權(quán)利要求10所述的形成方法，還包含形成至少兩柵極結(jié)構(gòu)，其中該第一擴(kuò)散區(qū)、該第二擴(kuò)散區(qū)與該第三擴(kuò)散區(qū)位于該兩柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。
16.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其中該布局圖案由一光掩模形成， 該光掩模上的圖案包含:
第一圖案、第二圖案、第三圖案，分別對應(yīng)到該第一擴(kuò)散區(qū)、該第二擴(kuò)散區(qū)以及該第三擴(kuò)散區(qū)；以及
多個(gè)增設(shè)圖案，分別對應(yīng)該第一增設(shè)擴(kuò)散區(qū)、該第二增設(shè)擴(kuò)散區(qū)與該第三增設(shè)擴(kuò)散區(qū)。
17.如權(quán)利要求16所述的形成方法，其中該第一增設(shè)圖案與該第一圖案之間具有至少一L型夾角，該第三增設(shè)圖案與該第三圖案之間具有至少一L型夾角。
18.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其中該第二擴(kuò)散區(qū)與該第三擴(kuò)散區(qū)之間有一錯(cuò)位。
19.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其中該第一擴(kuò)散區(qū)、該第二擴(kuò)散區(qū)、該第三擴(kuò)散區(qū)與該增設(shè)擴(kuò)散區(qū)同時(shí)形成。