專利名稱：一種穩(wěn)壓存儲電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種穩(wěn)壓存儲電路。
背景技術(shù)：
EEPROM(ElectricalIy Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲器)是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。以往存儲時直接用EEPROM芯片，使其直接通入供電電壓，因此當供電電壓不穩(wěn)或者過大時，可能會使得EEPROM芯片不能正常工作，甚至損壞。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷而提供一種穩(wěn)壓存儲電路，具有存儲功能，利用穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓作用，使得供給EEPROM芯片的電壓穩(wěn)定，并用保護電阻來防止因電壓過大而造成EEPROM芯片的損壞。實現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是—種穩(wěn)壓存儲電路,包括穩(wěn)壓二極管、電阻和EEPROM芯片,其中穩(wěn)壓二極管的正極接電源，穩(wěn)壓二極管的負極通過所述電阻接所述EEPROM芯片，EEPROM芯片接地。本實用新型的有益效果是本實用新型具有存儲功能，利用穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓作用，使得供給EEPROM芯片的電壓穩(wěn)定，并用保護電阻來防止因電壓過大而造成EEPROM芯片的損壞。同時，本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，易于實現(xiàn)。

圖I是本實用新型的一種穩(wěn)壓存儲電路的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明。請參閱圖1，本實用新型的穩(wěn)壓存儲電路，包括穩(wěn)壓二極管I、電阻2和EEPROM芯片3，其中穩(wěn)壓二極管I的正極接電源，穩(wěn)壓二極管I的負極通過電阻2接EEPROM芯片3，EEPROM芯片3接地。穩(wěn)壓二極管I使得供給EEPROM芯片3的電壓穩(wěn)定，電阻2用來防止因電壓過大而造成EEPROM芯片3的損壞。本實施例中，穩(wěn)壓二極管I選用的型號為IN5817，EEPR0M芯片3選用的型號為AT25640。、[0012]以上實施例僅供說明本實用新型之用，而非對本實用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變換或變型，因此所有等同的技術(shù)方案也應(yīng)該屬于本實用新型的范疇，應(yīng)由各權(quán)利要求所限定。
權(quán)利要求1. 一種穩(wěn)壓存儲電路，其特征在于，包括穩(wěn)壓二極管、電阻和EEPROM芯片，其中穩(wěn)壓二極管的正極接電源，穩(wěn)壓二極管的負極通過所述電阻接所述EEPROM芯片，EEPROM芯片接地。
專利摘要本實用新型公開了一種穩(wěn)壓存儲電路，包括穩(wěn)壓二極管、電阻和EEPROM芯片，其中穩(wěn)壓二極管的正極接電源，穩(wěn)壓二極管的負極通過所述電阻接所述EEPROM芯片，EEPROM芯片接地。本實用新型具有存儲功能，利用穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓作用，使得供給EEPROM芯片的電壓穩(wěn)定，并用保護電阻來防止因電壓過大而造成EEPROM芯片的損壞。
文檔編號G11C16/06GK202534366SQ20122012754
公開日2012年11月14日 申請日期2012年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月30日
發(fā)明者姚建歆, 張弛, 張鵬, 徐劍, 章健, 胡水蓮, 解蕾, 計杰, 金琪 申請人:上海市電力公司