專(zhuān)利名稱(chēng)：近場(chǎng)光發(fā)生元件、近場(chǎng)光頭及信息記錄再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用將光束聚光的近場(chǎng)光在磁記錄介質(zhì)上記錄再現(xiàn)各種信息的近場(chǎng)光發(fā)生元件、近場(chǎng)光頭及信息記錄再現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
近幾年來(lái)，伴隨著計(jì)算機(jī)設(shè)備中的硬盤(pán)等的容量増加，単一記錄面內(nèi)信息的記錄密度不斷増加。例如為了增大磁盤(pán)的単位面積的記錄容量，需要提高面記錄密度?？墒?，隨著記錄密度的提高，在記錄介質(zhì)上每比特所占的記錄面積變小。該比特尺寸變小后，I比特的信息具有的能量就接近室溫的熱能，產(chǎn)生了記錄的信息由于熱起伏等而反轉(zhuǎn)或消失等熱減磁的問(wèn)題。
在通常使用的面內(nèi)記錄方式中，是使磁化的方向朝著記錄介質(zhì)的面內(nèi)方向地記錄磁的方式。但在該方式中，容易發(fā)生上述熱減磁引起的記錄信息的消失等。因此，為了消除這種不良現(xiàn)象，近幾年來(lái)采用在垂直于記錄介質(zhì)的方向垂直記錄磁化信號(hào)的垂直記錄方式。該方式是用靠近單磁極的原理在記錄介質(zhì)上記錄磁信息的方式。采用該方式后，記錄磁場(chǎng)朝著幾乎垂直于記錄膜的方向。由于N極和S極難以在記錄膜面內(nèi)形成回路，所以用垂直的磁場(chǎng)記錄的信息容易保持能量的穩(wěn)定。因此，與面內(nèi)記錄方式相比，該垂直記錄方式耐熱減磁的能力增強(qiáng)。可是對(duì)近幾年來(lái)的記錄介質(zhì)有希望進(jìn)行更大量而且高密度信息的記錄再現(xiàn)等的需求，要求進(jìn)ー步高密度化。因此，為了將相鄰的磁區(qū)彼此的影響及熱起伏控制到最小限度，作為記錄介質(zhì)開(kāi)始采用頑磁力強(qiáng)的記錄介質(zhì)。因此，即使是上述垂直記錄方式，也難以在記錄介質(zhì)上記錄信息。因此，為了消除上述不良現(xiàn)象，提供了利用將光聚光的點(diǎn)光或近場(chǎng)光局部性地加熱磁區(qū)，使頑磁力暫時(shí)性地降低，在其間進(jìn)行往記錄介質(zhì)的寫(xiě)入的混合磁記錄方式的記錄再現(xiàn)頭。在這種記錄再現(xiàn)頭中，利用近場(chǎng)光的記錄再現(xiàn)頭(近場(chǎng)光頭)主要具備滑塊、在滑塊上配置的具有主磁極及輔助磁極的記錄元件、由照射的激光產(chǎn)生近場(chǎng)光的近場(chǎng)光發(fā)生元件、朝著近場(chǎng)光發(fā)生元件照射激光的激光光源、將由激光光源發(fā)出的激光引導(dǎo)到近場(chǎng)光發(fā)生元件為止的光波導(dǎo)(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。近場(chǎng)光發(fā)生元件具有光束傳播元件和金屬膜，該光束傳播元件具有使激光邊反射邊傳播的芯層、以及緊貼芯層并密封芯層的包層，該金屬膜配置在芯層及包層之間，由激光產(chǎn)生近場(chǎng)光。芯層頸縮成形(絞り成形)，即與從一端側(cè)(光入射側(cè))朝著另一端側(cè)(光出射側(cè))的激光傳播方向正交的截面積逐漸減少，以使激光邊聚光邊向另一端側(cè)傳播。而且，在芯層的另一端側(cè)的側(cè)面配置上述金屬膜。利用這樣構(gòu)成的記錄再現(xiàn)頭時(shí),在產(chǎn)生近場(chǎng)光的同時(shí)施加記錄磁場(chǎng),從而在記錄介質(zhì)上記錄各種信息。就是說(shuō)，由激光光源出射的激光經(jīng)過(guò)光波導(dǎo)入射光束傳播元件內(nèi)。而且，入射光束傳播元件的激光，在芯層內(nèi)傳播并到達(dá)金屬膜。于是，在金屬膜中，由于內(nèi)部的自由電子在激光的作用下一祥地振動(dòng)，所以等離子體激元被激勵(lì)，使芯層的另一端側(cè)在定域化狀態(tài)下產(chǎn)生近場(chǎng)光。其結(jié)果，磁記錄介質(zhì)的磁記錄層被近場(chǎng)光局部性地加熱，頑磁力暫時(shí)性地降低。另外，在照射上述激光的同時(shí)，還向記錄元件供給驅(qū)動(dòng)電流，從而向靠近主磁極的前端的磁記錄介質(zhì)的磁記錄層局部性地施加記錄磁場(chǎng)。其結(jié)果，能夠在頑磁力暫時(shí)性地降低的磁記錄層中記錄各種信息。就是說(shuō)，能夠利用近場(chǎng)光和磁場(chǎng)的合作，向磁記錄介質(zhì)進(jìn)行I己求。專(zhuān)利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2008-152897號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
可是，為了實(shí)現(xiàn)記錄介質(zhì)的進(jìn)ー步高密度化，需要縮小近場(chǎng)光的光點(diǎn)尺寸、更加局部性地加熱磁記錄介質(zhì)的磁記錄層、抑制上述熱起伏現(xiàn)象等的影響。為了縮小近場(chǎng)光的光點(diǎn)尺寸，人們想到了縮小金屬膜的寬度(從激光的傳播方向看，是和芯層的界面的寬度)?？墒?，因?yàn)榻饘倌?及芯層)是非常細(xì)微的圖案(各自的尺寸為數(shù)十nm左右)，所 以在進(jìn)行各自對(duì)位的基礎(chǔ)上謀求進(jìn)ー步細(xì)微化存在著極限。于是，本發(fā)明考慮上述情況而構(gòu)思，其目的在于提供能夠縮小近場(chǎng)光的光點(diǎn)尺寸的近場(chǎng)光發(fā)生元件、近場(chǎng)光頭及信息記錄再現(xiàn)裝置。為了解決上述課題，本發(fā)明提供下述方案。本發(fā)明涉及的近場(chǎng)光發(fā)生元件，將導(dǎo)入一端側(cè)的光束朝著另一端側(cè)聚光并傳播的同時(shí)，在生成近場(chǎng)光后向外部發(fā)射，其特征在于，具有第I芯層，使所述光束朝著所述另ー端側(cè)傳播；和近場(chǎng)光發(fā)生部，沿著所述第I芯層中的從所述一端側(cè)朝著所述另一端側(cè)的所述光束的傳播方向配置、由所述光束產(chǎn)生所述近場(chǎng)光，所述近場(chǎng)光發(fā)生部具有基部，配置在沿著所述傳播方向的所述第I芯層的ー側(cè)面上；和延伸部，與所述第I芯層相比，從所述基部朝著沿所述傳播方向的所述另一端側(cè)延伸，所述延伸部的所述另一端側(cè)，具有向外部露出的同時(shí)還朝著與所述第I芯層的所述ー側(cè)面的面方向交叉的方向突出的頂部，位于所述第I芯層中的所述另一端側(cè)的端面，與所述ー側(cè)面構(gòu)成的角度成為銳角地傾斜。依據(jù)該結(jié)構(gòu),在第I芯層內(nèi)傳播的光束入射近場(chǎng)光發(fā)生部，從而在近場(chǎng)光發(fā)生部激勵(lì)表面等離子體激元。被激勵(lì)的表面等離子體激元在近場(chǎng)光發(fā)生部上朝另一端側(cè)傳播。而且，在近場(chǎng)光發(fā)生部上傳播的表面等離子體激元傳播到延伸部后，在頂部中成為光強(qiáng)度很強(qiáng)的近場(chǎng)光泄漏到外部。這樣，在延伸部形成頂部后，就能夠產(chǎn)生從光束的傳播方向看，具有比和第I芯層的界面的寬度狹小的光點(diǎn)尺寸的近場(chǎng)光。進(jìn)而，由于位于第I芯層中的另一端側(cè)的端面，與一側(cè)面構(gòu)成的角度成為銳角地傾斜，所以入射端面的光束的導(dǎo)入方向被朝著近場(chǎng)光發(fā)生元件地反射。這樣，例如與在和第I芯層的ー側(cè)面正交的平坦面等形成位于第I芯層的另一端側(cè)的端面時(shí)相比，能夠抑制光束從位于第I芯層的另一端側(cè)的端面泄漏到外部。就是說(shuō)，因?yàn)樵诘贗芯層內(nèi)傳播的光束有效地入射近場(chǎng)光發(fā)生部，所以能夠確保入射近場(chǎng)光發(fā)生部的光量，提高近場(chǎng)光的產(chǎn)生效率。本發(fā)明的特征在于具備對(duì)于所述第I芯層而言，從所述近場(chǎng)光發(fā)生部的相反側(cè)覆蓋所述第I芯層的第2芯層；從所述傳播方向看，在所述第2芯層和所述基部的界面的延伸方向上，所述第2芯層的外側(cè)端部與所述基部的外側(cè)端部相比，位于外側(cè)。
依據(jù)該結(jié)構(gòu)，第2芯層中的外側(cè)端部與基部的外側(cè)端部相比位于外側(cè)，從而使包含第I芯層及第2芯層的整個(gè)芯層的一側(cè)面的寬度比近場(chǎng)光發(fā)生部的寬度大地形成。因此，能夠抑制在第I芯層及第2芯層內(nèi)傳播的光束的傳播效率的下降,還能夠縮小近場(chǎng)光的光點(diǎn)尺寸。這樣，能夠在確保光量的基礎(chǔ)上縮小近場(chǎng)光的光點(diǎn)尺寸。另外，本發(fā)明的特征在于所述第2芯層的折射率小于所述第I芯層。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，因?yàn)槟軌蚴乖诘贗芯層及第2芯層內(nèi)傳播的光束逐漸朝著中心(第I芯層)聚光，所以能夠提高光束的傳播效率。另外，本發(fā)明的特征在于在所述第I芯層的所述ー側(cè)面和所述近場(chǎng)光發(fā)生部之間，設(shè)有折射率小于所述第I芯層的第3芯層。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)依次配置第I芯層、折射率小于第I芯層的第3芯層及近場(chǎng)光發(fā)生部的所謂奧托配置。這樣，在利用奧托配置的近場(chǎng)光發(fā)生元件中，由于折射率小于第 I芯層的第3芯層在第I芯層和近場(chǎng)光發(fā)生部之間作為緩沖部發(fā)揮作用，所以能夠不會(huì)對(duì)在第I芯層中傳播的光束的波數(shù)產(chǎn)生較大的影響而在近場(chǎng)光發(fā)生部激勵(lì)表面等離子體激元。另外，本發(fā)明的特征在于對(duì)于所述第I芯層而言，在所述近場(chǎng)光發(fā)生部的相反側(cè)形成遮光膜。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，對(duì)于第I芯層而言在近場(chǎng)光發(fā)生部的相反側(cè)形成遮光膜，從而抑制入射第I芯層的光束泄漏到外部，用遮光膜和第I芯層的界面邊反射邊傳播。這樣，能夠有效地使光束入射近場(chǎng)光發(fā)生部，提高近場(chǎng)光的產(chǎn)生效率。另外，本發(fā)明的特征在于所述頂部從所述傳播方向看，朝著所述第I芯層側(cè)突出。依據(jù)該結(jié)構(gòu),在第I芯層中傳播的光束入射近場(chǎng)光發(fā)生部后，就在近場(chǎng)光發(fā)生部中的第I芯層側(cè)的表面激勵(lì)表面等離子體激元。這樣，被激勵(lì)的表面等離子體激元在近場(chǎng)光發(fā)生部上傳播，從而能夠在頂部中產(chǎn)生光強(qiáng)度較強(qiáng)的近場(chǎng)光。另外，本發(fā)明的特征在干具備包層，對(duì)于所述近場(chǎng)光發(fā)生部而言，該包層從所述第I芯層的相反側(cè)覆蓋所述近場(chǎng)光發(fā)生部，并且折射率小于所述第I芯層；所述頂部從所述傳播方向看，朝著所述包層側(cè)突出。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)依次配置第I芯層、近場(chǎng)光發(fā)生部及折射率小于第I芯層的包層的所謂克雷奇曼(Kretschmann)配置。在這樣利用克雷奇曼配置的近場(chǎng)光發(fā)生元件中，在第I芯層中傳播的光束入射近場(chǎng)光發(fā)生部后，就在近場(chǎng)光發(fā)生部中的包層側(cè)的表面激勵(lì)表面等離子體激元。這樣，被激勵(lì)的表面等離子體激元能夠在近場(chǎng)光發(fā)生部上傳播，從而在頂部中產(chǎn)生光強(qiáng)度較強(qiáng)的近場(chǎng)光。另外，本發(fā)明涉及的近場(chǎng)光頭，在加熱朝固定方向旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)的同時(shí)還給予所述磁記錄介質(zhì)記錄磁場(chǎng)，從而產(chǎn)生磁化反轉(zhuǎn)，記錄信息，其特征在干，具備與所述磁記錄介質(zhì)的表面相對(duì)配置的滑塊；配置在所述滑塊的前端側(cè)具有產(chǎn)生所述記錄磁場(chǎng)的主磁極及輔助磁極的記錄元件；在將所述他端側(cè)朝著所述磁記錄介質(zhì)側(cè)的狀態(tài)下與所述記錄元件鄰接后固定的上述本發(fā)明的近場(chǎng)光發(fā)生元件；以及固定于所述滑塊并將所述光束從所述一端側(cè)導(dǎo)入所述第I芯層內(nèi)的光束導(dǎo)入單元。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，因?yàn)榫邆渖鲜霰景l(fā)明的近場(chǎng)光發(fā)生元件，所以能夠抑制上述熱起伏現(xiàn)象等的影響，進(jìn)行穩(wěn)定的記錄。這樣，能夠提高近場(chǎng)光頭本身的寫(xiě)入的可靠性，實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)化。另外，本發(fā)明的特征在干所述主磁極在由具有遮光性的材料構(gòu)成，并且對(duì)于所述第I芯層而言配置在所述近場(chǎng)光發(fā)生部的相反側(cè)。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，由具有遮光性的材料構(gòu)成主磁極，從而不必另外設(shè)置遮光膜，能夠抑制入射第I芯層的光束泄漏到包層側(cè)。因此，能夠降低制造成本，提高制造效率。進(jìn)而，因?yàn)槭菇鼒?chǎng)光發(fā)生元件和主磁極盡可能地接近，所以能夠在使近場(chǎng)光發(fā)生部產(chǎn)生的近場(chǎng)光和主磁極產(chǎn)生的磁場(chǎng)盡可能地接近的狀態(tài)下產(chǎn)生。這樣，能夠順利而高精度地向磁記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄。另外，本發(fā)明涉及的信息記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，具備上述本發(fā)明的近場(chǎng)光頭；橫梁，能夠朝著平行于所述磁記錄介質(zhì)的表面的方向移動(dòng)，該橫梁平行于所述磁記錄介質(zhì)的表面而且在互相正交的雙軸周?chē)孕D(zhuǎn)自如的狀態(tài)在前端側(cè)支撐所述近場(chǎng)光頭；光源，使所述光束入射所述光束導(dǎo)入單元；促動(dòng)器，支撐所述橫梁的基端側(cè)，并且使所述橫梁朝著平行于所述磁記錄介質(zhì)的表面的方向移動(dòng)；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部，使所述磁記錄介質(zhì)朝著所述固定方向旋轉(zhuǎn)；以及控制部，控制所述記錄元件及所述光源的動(dòng)作?！ひ罁?jù)該結(jié)構(gòu)，因?yàn)榫邆渖鲜霰景l(fā)明的近場(chǎng)光頭，所以能夠提高寫(xiě)入的可靠性，實(shí)現(xiàn)聞品質(zhì)化。依據(jù)本發(fā)明涉及的近場(chǎng)光發(fā)生元件，能夠縮小近場(chǎng)光的光點(diǎn)尺寸。依據(jù)本發(fā)明涉及的近場(chǎng)光頭及信息記錄再現(xiàn)裝置，能夠抑制上述熱起伏現(xiàn)象等的影響，進(jìn)行穩(wěn)定的記錄。這樣，能夠提高寫(xiě)入的可靠性，能夠適應(yīng)高密度記錄化的要求，實(shí)現(xiàn)聞品質(zhì)化。


圖I是本發(fā)明的實(shí)施方式中的信息記錄再現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖2是在將記錄再現(xiàn)頭朝上的狀態(tài)下從記錄再現(xiàn)頭側(cè)觀察吊架的立體圖。圖3是在將記錄再現(xiàn)頭朝上的狀態(tài)下觀察萬(wàn)向架的平面圖。圖4是沿著圖3中的A-A線的剖面圖。圖5是記錄再現(xiàn)頭的放大剖面圖。圖6是放大記錄再現(xiàn)頭的流出端側(cè)的側(cè)面的剖面圖。圖7是芯層及金屬膜的立體圖·圖8是芯層及金屬膜的剖面圖。圖9是圖7的E部放大圖。圖10是圖6的主要部位放大圖。圖11是圖10的F向視圖。圖12是利用信息記錄再現(xiàn)裝置記錄再現(xiàn)信息之際的說(shuō)明圖，是相當(dāng)于圖6的圖。圖13是利用信息記錄再現(xiàn)裝置記錄再現(xiàn)信息之際的說(shuō)明圖，是相當(dāng)于圖11的圖。圖14是用于講述近場(chǎng)光發(fā)生元件的制造方法的エ序圖，是芯層母材的平面圖。圖15是用于講述近場(chǎng)光發(fā)生元件的制造方法的エ序圖，是沿著圖14(a)的G-G線的剖面圖。圖16是用于講述近場(chǎng)光發(fā)生元件的制造方法的エ序圖，(a)是沿著圖14(c)的H-H線的剖面圖，(b)是沿著圖14(c)的I-I線的剖面圖。圖17是用于講述近場(chǎng)光發(fā)生元件的制造方法的エ序圖，是相當(dāng)于圖14(c)的I-I線的剖面圖。圖18是表示實(shí)施方式的其它結(jié)構(gòu)的圖，是相當(dāng)于圖7的E部的放大圖。圖19是放大第2實(shí)施方式中的記錄再現(xiàn)頭的前側(cè)的剖面圖。圖20(a)是沿著圖19中的Ml-Ml線的剖面圖，(b)是沿著圖19中的M2-M2線的剖面圖。圖21 (a)是將表示第2實(shí)施方式的變形例的記錄再現(xiàn)頭的前側(cè)放大的剖面圖，(b)是沿著(a)的N-N線的剖面圖。
圖22是將表示第2實(shí)施方式的變形例的記錄再現(xiàn)頭的前側(cè)放大的剖面圖。圖23是放大第3實(shí)施方式中的記錄再現(xiàn)頭的流出端側(cè)的側(cè)面的剖面圖。圖24是放大記錄再現(xiàn)頭的前側(cè)的剖面圖。圖25是圖24的Pl向視圖。圖26是將表示第3實(shí)施方式的變形例的記錄再現(xiàn)頭的前側(cè)放大的剖面圖。圖27是圖26的P2向視圖。圖28是放大第4實(shí)施方式中的記錄再現(xiàn)頭的流出端側(cè)的側(cè)面的剖面圖。圖29是圖28的J向視圖。圖30是放大記錄再現(xiàn)頭的前側(cè)的剖面圖。圖31是表示金屬膜的其它結(jié)構(gòu)的平面圖。圖32是沿著圖31的K-K線的剖面圖。圖33是從記錄再現(xiàn)頭側(cè)觀察本實(shí)施方式的其它結(jié)構(gòu)涉及的吊架的立體圖。
具體實(shí)施例方式下面，根據(jù)附圖，講述本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，本實(shí)施方式的信息記錄再現(xiàn)裝置1，是對(duì)于具有垂直記錄層d2的盤(pán)(磁記錄介質(zhì))D，采用使近場(chǎng)光R和記錄磁場(chǎng)合作的混合磁記錄方式，在盤(pán)D中進(jìn)行記錄再現(xiàn)的裝置(參照?qǐng)D2)。(第I實(shí)施方式)(信息記錄再現(xiàn)裝置)圖I是信息記錄再現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)圖。本實(shí)施方式的信息記錄再現(xiàn)裝置1，如圖I所示，具備滑架11，被滑架11的前端側(cè)支撐的頭萬(wàn)向架組件(HGA) 12，使頭萬(wàn)向架組件12朝著平行于盤(pán)面Dl (盤(pán)D的表面)的XY方向掃描移動(dòng)的促動(dòng)器5,使盤(pán)D朝著規(guī)定的方向旋轉(zhuǎn)的主軸電動(dòng)機(jī)6,將按照信息調(diào)制的電流供給頭萬(wàn)向架組件12的記錄再現(xiàn)頭(近場(chǎng)光頭)2的控制部8，將這些各構(gòu)成部件收入內(nèi)部的外殼9。外殼9由鋁等金屬材料構(gòu)成，在俯視圖上為四角形狀地形成，并且在內(nèi)側(cè)形成收納各構(gòu)成部件的凹部9a。另外，在該外殼9中還可以裝拆地固定著堵塞凹部9a的開(kāi)ロ的未圖示的蓋子。在凹部9a的大致中心，安裝著主軸電動(dòng)機(jī)6，將中心孔嵌入主軸電動(dòng)機(jī)6后，盤(pán)D就被裝拆自如地固定。此外，在本實(shí)施方式中，以3張盤(pán)D被主軸電動(dòng)機(jī)6固定的情況為例進(jìn)行講述，但是盤(pán)D的數(shù)量并不局限于3張。在凹部9a的拐角部，安裝著促動(dòng)器5?；?1經(jīng)由樞軸10后被安裝在該促動(dòng)器5上。滑架11通過(guò)切削加工等方式一體形成沿著盤(pán)面Dl從基端部朝著前端部延伸設(shè)置的臂部14和經(jīng)由基端部懸臂狀支撐臂部14的基部15?；?5是長(zhǎng)方體狀地形成的部件，被可以在樞軸10的周?chē)D(zhuǎn)地支撐。就是說(shuō)，基部15經(jīng)由樞軸10與促動(dòng)器5連接，該樞軸10成為滑架11的旋轉(zhuǎn)中心。臂部14是在基部15中的與安裝促動(dòng)器5的側(cè)面15a相反側(cè)的側(cè)面(拐角部的相反側(cè)的側(cè)面)15b中，與基部15的上表面的面方向(XY方向)平行地延伸的平板狀的部件，沿著基部15的高度方向(Z方向)延伸出3條。具體地說(shuō)，臂部14被隨著從基端部朝著前端部逐漸變細(xì)的錐形狀地形成，在各臂部14之間插入盤(pán)D。就是說(shuō)，臂部14和盤(pán)D被互相 錯(cuò)開(kāi)地配置，在促動(dòng)器5的驅(qū)動(dòng)下，臂部14可以向平行于盤(pán)D的表面的方向(XY方向)移動(dòng)。此外，在盤(pán)D停止旋轉(zhuǎn)時(shí)，滑架11及頭萬(wàn)向架組件12就在促動(dòng)器5的驅(qū)動(dòng)下從盤(pán)D上退避。(頭萬(wàn)向架組件)頭萬(wàn)向架組件12是支撐具有后文講述的近場(chǎng)光發(fā)生元件(光束傳播元件26)的近場(chǎng)光頭的記錄再現(xiàn)頭2的部件。圖2是在將記錄再現(xiàn)頭朝上的狀態(tài)下從記錄再現(xiàn)頭側(cè)觀察吊架的立體圖。圖3是在將記錄再現(xiàn)頭朝上的狀態(tài)下觀察萬(wàn)向架的平面圖。圖4是沿著圖3中的A-A線的剖面圖，圖5是記錄再現(xiàn)頭的放大剖面圖。如圖2 5所示，本實(shí)施方式的頭萬(wàn)向架組件12具有使上述記錄再現(xiàn)頭2從盤(pán)D上浮起的功能，具備記錄再現(xiàn)頭2、用金屬性材料薄板狀地形成可以向平行于盤(pán)面Dl的XY方向移動(dòng)的吊架3、萬(wàn)向架単元16，該萬(wàn)向架単元16平行于盤(pán)面Dl而且能夠以在互相正交的雙軸(X軸、Y軸)的周?chē)D(zhuǎn)自如的狀態(tài)即將雙軸作為中心彎曲地將記錄再現(xiàn)頭2固定在吊架3的下表面。(吊架)如圖2 4所示，上述吊架3由在俯視圖上近似四邊形地形成的底座板51和經(jīng)由鉸鏈板52與底座板51的前端側(cè)連接的在平面圖上近似三角形的加載梁53構(gòu)成。底座板51由不銹鋼等厚度較薄的金屬材料構(gòu)成,在基端側(cè)形成朝著厚度方向貫通的開(kāi)ロ 51a。而且，經(jīng)由該開(kāi)ロ 51a將底座板51固定在臂部14的前端。在底座板51的下表面，配置著由不銹鋼等金屬材料構(gòu)成的片狀的鉸鏈板52。該鉸鏈板52是在遍及底座板51的整個(gè)下表面地形成的平板狀的板材，其前端部分作為沿著底座板51的長(zhǎng)度方向(X方向)從底座板51的前端開(kāi)始延伸的延伸部52a形成。該延伸部52a從鉸鏈板52的寬度方向(Y方向)兩端部延伸出兩條，其前端部分與加載梁53連接。加載梁53和底座板51同樣由不銹鋼等厚度較薄的金屬材料構(gòu)成，其基端以在和底座板51的前端之間具有間隙的狀態(tài)與鉸鏈板52連接。這樣，吊架3就將底座板51和加載梁53之間朝中心彎曲，容易朝著垂直于盤(pán)面Dl的Z方向撓曲。另外，還在吊架3上設(shè)置撓曲件54。該撓曲件54是由不銹鋼等金屬材料形成的片狀的部件，采用片狀地形成后可以朝著厚度方向撓曲變形的結(jié)構(gòu)。另外，該撓曲件54被加載梁53的前端側(cè)固定，由外形在俯視圖上近似五邊形地形成的萬(wàn)向架17和支撐體18構(gòu)成，支撐體18的寬度比萬(wàn)向架17狹窄地形成，從萬(wàn)向架17的基端沿著吊架3上延伸。萬(wàn)向架17從中間附近到前端朝著盤(pán)面Dl在厚度方向上稍微翹曲地形成。而且，不使具有該翹曲的前端側(cè)與加載梁53接觸地從基端側(cè)到大致中間附近地被加載梁53固定。另外，在該浮起的狀態(tài)的萬(wàn)向架17的前端側(cè)，形成周?chē)回喑伞哎场毙蔚那啸聿?9，在被該切ロ部59包圍的部分形成被連接部17a懸臂狀地支撐的凸緣部17b。就是說(shuō)，該凸緣部17b利用連接部17a從萬(wàn)向架17的前端側(cè)朝著基端側(cè)突出地形成，其周?chē)邆淝啸聿?9。這樣，凸緣部17b就容易向萬(wàn)向架17的厚度方向撓曲，只用該凸緣部17b就能夠進(jìn)行角度調(diào)整，使其和吊架3下表面平行。而且，上述記錄再現(xiàn)頭2被放置固定在該凸緣部17b上。就是說(shuō)，記錄再現(xiàn)頭2經(jīng)由凸緣部17b，成為被加載梁53懸吊的狀態(tài)。另外，如圖3、4所示，在加載梁53的前端形成突起部19，該突起部19朝著凸緣部17b及記錄再現(xiàn)頭2的大致中心突出。該突起部19的前端成為帶圓弧的狀態(tài)。而且，突起部19在記錄再現(xiàn)頭2受到來(lái)自盤(pán)D的風(fēng)壓的作用下而向加載梁53側(cè)浮起吋，成為與凸緣部17b的表面(上表面)點(diǎn)接觸。就是說(shuō)，突起部19在經(jīng)由萬(wàn)向架17的凸緣部17b支撐記錄再現(xiàn)頭2的同時(shí)，還朝著盤(pán)面Dl (朝著Z方向)給予記錄再現(xiàn)頭2載荷。此外，這些突起部19和具有凸緣部17b的萬(wàn)向架17，構(gòu)成萬(wàn)向架単元16。(記錄再現(xiàn)頭)圖6是放大記錄再現(xiàn)頭的流出端側(cè)的側(cè)面的剖面圖。記錄再現(xiàn)頭2在被配置在盤(pán)D和吊架3之間的狀態(tài)下，隔著萬(wàn)向架17被吊架3的下表面支撐。具體地說(shuō)，如圖5、6所示，記錄再現(xiàn)頭2是利用由激光L生成的近場(chǎng)光R向旋轉(zhuǎn)的盤(pán)D記錄再現(xiàn)各種信息的頭。記錄再現(xiàn)頭2具備在只從盤(pán)面Dl上浮起規(guī)定距離H的狀態(tài)下與盤(pán)D相對(duì)配置的滑塊20、向盤(pán)D記錄信息的記錄元件21、再現(xiàn)被盤(pán)D記錄的信息的再現(xiàn)元件22、在ー邊聚光一邊傳播激光L的同時(shí)還在生成近場(chǎng)光R(參照?qǐng)D12)后向外部發(fā)出的近場(chǎng)光發(fā)生兀件26、朝著近場(chǎng)光發(fā)生兀件26出射激光L的激光光源29?；瑝K20由石英玻璃等光透過(guò)性材料及AlTiC (復(fù)合陶瓷)等的陶瓷等長(zhǎng)方體狀地形成。該滑塊20具有與盤(pán)D相対的相對(duì)面20a，經(jīng)由后文講述的激光座43被上述凸緣部17b支撐。另外，在相對(duì)面20a中形成凸條部20b，該凸條部20b由于旋轉(zhuǎn)的盤(pán)D產(chǎn)生的氣流的粘性而產(chǎn)生浮起的壓力。該凸條部20b沿著長(zhǎng)度方向(X方向)延伸地形成，如同軌道狀地并排的那樣空開(kāi)間隔地左右(Y方向)形成兩個(gè)。但是，凸條部20b并不局限于這種情況，只要能夠調(diào)整使滑塊20離開(kāi)盤(pán)D的正壓和將滑塊20吸引到盤(pán)D上的負(fù)壓，從而以最佳的狀態(tài)使滑塊20浮起地設(shè)置，無(wú)論用哪種凹凸形狀都行。此外，將該凸條部20b的表面稱(chēng)作ABS (空氣軸承表面AIR BEARING SURFACE) 20c。而且,滑塊20利用這兩個(gè)凸條部20b接收從盤(pán)面Dl上浮起的力。另ー方面，吊架3向垂直于盤(pán)面Dl的Z方向撓曲地吸收滑塊20的浮起力。就是說(shuō)，滑塊20在浮起之際接收被吊架3向盤(pán)面Dl側(cè)按壓的力。這樣，由于這兩種カ的平衡，滑塊20就如上所述地成為以只從盤(pán)面Dl上離開(kāi)規(guī)定距離H的狀態(tài)地浮起。而且，滑塊20因?yàn)樵谌f(wàn)向架単元16的作用下在X軸周?chē)癥軸周?chē)D(zhuǎn)，所以始終以姿勢(shì)穩(wěn)定的狀態(tài)浮起。此外，伴隨著 盤(pán)D的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的氣流，從滑塊20的流入端側(cè)(吊架3的X方向基端側(cè))流入后，沿著ABS20c流動(dòng)，從滑塊20的流出端側(cè)(吊架3的X方向前端側(cè))排出。以下，將滑塊20的流入端側(cè)(前沿側(cè))即圖5中的X方向右側(cè)定為“后方”，將滑塊20的流出端側(cè)(后沿側(cè))即圖5中的X方向左側(cè)定為“前方”。另外，將對(duì)于記錄再現(xiàn)頭2而言盤(pán)面Dl側(cè)即圖5中的Z方向下側(cè)定為“下方”，將其相反側(cè)即圖5中的Z方向上側(cè)定為“上方”。記錄元件21是從與圖5所示的盤(pán)面Dl相對(duì)的相對(duì)面21a產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)、使該記錄磁場(chǎng)作用于盤(pán)D后記錄信息的元件，如圖6所示，被滑塊20的前方的端部保持。在該記錄元件21中，具備被滑塊20的前方的端面(前端面)固定的輔助磁極31、配置在輔助磁極31的前方經(jīng)由磁回路32與輔助磁極31連接的主磁極33、將磁回路32作為中心在磁回路32的周?chē)菪隣畹乩p繞的線圈34。就是說(shuō)，從滑塊20的前端面朝著前方，按照輔助磁極31、磁回路32、線圈34及主磁極33的順序排列配置。兩磁極31、33及磁回路32由磁通密度高的高飽和磁通密度(Bs)材料(例如CoNiFe合金、CoFe合金等)形成。另外，為了防止短路,線圈34被在相鄰的線圈線之間、在和磁回路32之間、在兩磁極31、33之間空開(kāi)間隙地配置，在該狀態(tài)下被絕緣體35模制。由控制部8(參照?qǐng)DI)將按照信息調(diào)制的電流供給線圈34。就是說(shuō)，磁回路32及線圈34作為整體構(gòu)成電磁鐵。另外，上述主磁極33、輔助磁極31及絕緣體35的與盤(pán)面Dl相対的各相對(duì)面33a、31a、35a(Z方向端面)，分別與滑塊20的ABS20c成為同一個(gè)面地形成。在上述結(jié)構(gòu)的記錄元件21中，向線圈34供給電流后，就產(chǎn)生磁力線從主磁極33的相對(duì)面33a出來(lái)進(jìn)入輔助磁極31的相對(duì)面31a的記錄磁場(chǎng)。如圖6所示,近場(chǎng)光發(fā)生元件26是從與盤(pán)面Dl相対的相對(duì)面26a發(fā)生近場(chǎng)光R的元件，被配置在記錄元件21的前方(在圖6所示的主磁極33的與輔助磁極31相反的ー側(cè))。該近場(chǎng)光發(fā)生元件26，具備使前端朝著盤(pán)面Dl而上下延伸設(shè)置的芯層(第I芯層)23、與芯層23的下端部中的主磁極33側(cè)的側(cè)面(側(cè)面23g)緊貼地配置的金屬膜(近場(chǎng)光發(fā)生部)71、覆蓋芯層23的下端部的遮光膜27、緊貼芯層23的側(cè)面密封芯層23的包層24。圖7是芯層及金屬膜的立體圖，圖8是芯層及金屬膜的剖面圖，(a)是沿著圖7的B-B線，(b)是沿著圖7的C-C線，(c)是沿著圖6的D-D線的剖面圖。如圖7、8所示，芯層23是將從上端側(cè)(一端側(cè))入射的激光L朝著下端側(cè)(另ー端側(cè))ー邊聚光一邊傳播的光束傳播部件。該芯層23被從上端側(cè)朝著下端側(cè)逐漸頸縮成形，能夠在內(nèi)部ー邊逐漸聚光一邊傳播激光し具體地說(shuō)，芯層23從上側(cè)起具有光束聚光部23a和近場(chǎng)光發(fā)生部23b。光束聚光部23a是與從上端側(cè)朝著下端側(cè)的Z方向正交的截面積(XY方向的截面積)逐漸減少地頸縮成形的部分，將導(dǎo)入的激光L ー邊聚光一邊朝著下方傳播。就是說(shuō)，能夠?qū)?dǎo)入光束聚光部23a的激光L的光點(diǎn)尺寸逐漸收斂成為很小的尺寸。具體地說(shuō)，光束聚光部23a由在上端側(cè)中從Z方向看的截面形狀(入射側(cè)端面)為梯形地形成的梯形部41 (參照?qǐng)D8 (c))和與梯形部41的下端部一體性地連續(xù)設(shè)置的從Z方向看的截面形狀為三角形地形成的三角形部42 (參照?qǐng)D8(b))構(gòu)成。如圖7、圖8(c)所示，梯形部41將左右方向作為長(zhǎng)度方向(Y方向)、將前后方向(X方向)作為寬度方向地扁平形狀地形成。具體地說(shuō)，梯形部41由后側(cè)的側(cè)面23g、從側(cè)面23g的左右兩端緣(Y方向兩端)朝著再現(xiàn)元件22逐漸變細(xì)地延伸的一對(duì)側(cè)面23k、在與側(cè)面23g平行地延伸的同時(shí)還與一對(duì)側(cè)面23k彼此連接的側(cè)面23j構(gòu)成。梯形部41的兩底面(后側(cè)的側(cè)面23g及前側(cè)的側(cè)面23 j)的長(zhǎng)度(Y方向中的寬度)朝著下端側(cè)逐漸減少地形成。另外，梯形部41的上端面41a (芯層23的上端面)和滑塊20的上表面成為ー個(gè)面地形成,朝著外部露出。如圖7、圖8(b)所示，三角形部42的底面及ー對(duì)斜面由上述側(cè)面23g及側(cè)面23k構(gòu)成。三角形部42的底面(側(cè)面23g)的長(zhǎng)度及斜面(側(cè)面23k)的長(zhǎng)度朝著下端側(cè)逐漸減少地形成。、圖9是圖7的E部放大圖。另外，圖10是圖6的主要部位放大圖，圖11是圖10的F向視圖。如圖7 圖11所示，近場(chǎng)光發(fā)生部23b是光束聚光部23a中的從三角形部42的下端部朝著下方進(jìn)ー步頸縮成形的部分。近場(chǎng)光發(fā)生部23b從Z方向看的截面形狀成為三角形地形成，其中，底面由上述側(cè)面23g構(gòu)成，ー對(duì)斜面由側(cè)面23d構(gòu)成。具體地說(shuō)，側(cè)面23g朝著下方逐漸變小的三角形狀地形成，緊貼主磁極33的前端部分33b。側(cè)面23d是成為芯層23的下端面的部分，以傾斜于激光L的光軸(Z方向)的狀態(tài)延伸。具體地說(shuō)，各側(cè)面23d從位于上述側(cè)面23g的Y方向的兩端的整個(gè)端緣(下端緣)朝著再現(xiàn)元件22 (朝著前方)延伸地設(shè)置。另外，各側(cè)面23d和側(cè)面23g構(gòu)成的角度分別成為銳角的傾斜，入射側(cè)面23d的激光L的導(dǎo)入方向被朝著金屬膜71地反射。所以，近場(chǎng)光發(fā)生部23b就朝著下方及前方成為尖形的狀態(tài)。而且，近場(chǎng)光發(fā)生部23b的下端與滑塊20的ABS20c相比位于上方，被包層24覆蓋，不向外部露出。這樣，在芯層23中，梯形部41的上端面41a構(gòu)成從激光光源29出射的激光L的入射端，近場(chǎng)光發(fā)生部23b的下端部構(gòu)成激光L的出射端。如圖6、7所示，包層24用折射率比芯層23低的材料形成，是緊貼側(cè)面23d、23g、23j、23k密封芯層23的模制部件。另外，包層24在使芯層23的上端面41a向外部露出的同時(shí)，還將芯層23的下端密封在內(nèi)部。具體地說(shuō)，包層24具備在芯層23和記錄元件21 (主磁極33)之間從后側(cè)覆蓋芯層23地形成的第I包層24a和在芯層23和再現(xiàn)元件22之間從前側(cè)覆蓋芯層23地形成的第2包層24b。這樣，因?yàn)榈贗包層24a及第2包層24b緊貼芯層23的側(cè)面23d、23g、23j、23k，所以芯層23和包層24之間不會(huì)產(chǎn)生間隙。此外，作為包層24及芯層23使用的材料的組合的ー個(gè)例子，例如可以列舉用石英(SiO2)形成芯層23、用摻雜氟的石英形成包層24的組合。在這種情況下，因?yàn)榧す釲的波長(zhǎng)為400nm時(shí)，芯層23的折射率成為I. 47，包層24的折射率小于I. 47，所以是理想的組合。另外，還可以列舉用摻雜鍺的石英形成芯層23、用石英(SiO2)形成包層24的組合。在這種情況下，因?yàn)榧す釲的波長(zhǎng)為400nm時(shí)，芯層23的折射率大于I. 47，包層24的折射率成為I. 47，所以也是理想的組合。特別是因?yàn)樾緦?3和包層24的折射率差越大，將激光L關(guān)在芯層23內(nèi)的力量就越大，所以在芯層23中使用氧化鉭(Ta2O5 :波長(zhǎng)為550nm時(shí)折射率為2. 16)在包層24中使用石英或氧化鋁(Al2O3)等，加大兩者的折射率差更加理想。另外，利用紅外區(qū)域的激光L時(shí)，用對(duì)于紅外光而言是透明的材料的硅(Si :折射率大約為4)形成芯層23也很有效。如圖7 11所示，在芯層23和第I包層24a之間，形成金屬膜71。金屬膜71是由在芯層23內(nèi)傳播的激光L產(chǎn)生近場(chǎng)光R、使近場(chǎng)光R在近場(chǎng)光發(fā)生元件26的下端側(cè)和盤(pán)D之間定域化的部件，例如由金(Au)及白金(Pt)等構(gòu)成。另外，金屬膜71中的后側(cè)的側(cè)面71a(參照?qǐng)D10)與從第I包層24a中露出的主磁極33的前端部分33b相接。因此，金屬膜71具有配置在芯層23中的近場(chǎng)光發(fā)生部23b的側(cè)面23g上的基部72，和從基部72朝著下方延伸的延伸部73?；?2從X方向看是三角形的部件，連續(xù)設(shè)置著Y方向中的寬度比芯層23寬地形成的第I基部74，和從第I基部74的中央部經(jīng)由階差部78朝著前方(芯層23側(cè))直立設(shè)置的第2基部75。 如圖7、9所示，在Z方向中，第I基部74的上端側(cè)位于近場(chǎng)光發(fā)生部23b和光束聚光部23a的交界部分，并且其下端側(cè)位于和芯層23的下端相同的位置。另外，第I基部74隨著朝著前方Y(jié)方向中的寬度逐漸變小地形成。具體地說(shuō)，第I基部74中的Y方向兩側(cè)的側(cè)面74a(參照?qǐng)D9)在和芯層23的側(cè)面23d平行的傾斜面上形成。就是說(shuō)，第I基部74中的Y方向兩端部的角度(側(cè)面71a和側(cè)面74a構(gòu)成的角度)，和近場(chǎng)光發(fā)生部23b中的Y方向兩端部的角度(側(cè)面23g和側(cè)面23d構(gòu)成的角度)同樣地形成。階差部78是沿著XY方向的平坦面，在其Y方向的內(nèi)側(cè)形成第2基部75。第2基部75的Z方向中的長(zhǎng)度和第I基部74同樣地形成，Y方向中的寬度比第I基部74小地形成，XY方向中的外形和近場(chǎng)光發(fā)生部23b的側(cè)面23g同樣地形成。另外，第2基部75隨著朝著前方Y(jié)方向中的寬度逐漸變小地形成。具體地說(shuō)，第2基部75中的Y方向兩側(cè)的側(cè)面75a(參照?qǐng)D9)在和芯層23的側(cè)面23d同一面上配置的傾斜面上形成。就是說(shuō)，第2基部75中的Y方向兩端部的角度(側(cè)面71a和側(cè)面75a構(gòu)成的角度)，和近場(chǎng)光發(fā)生部23b中的Y方向兩端部的角度(側(cè)面23g和側(cè)面23d構(gòu)成的角度)同樣地形成。如圖7 11所示，延伸部73的X方向中的厚度和第I基部74同樣地形成，從第I基部74的下端部(第I基部74的頂部)朝著下方延伸的X方向看是長(zhǎng)方形狀的部件，其下端部在近場(chǎng)光發(fā)生元件26的相對(duì)面26a中向外部露出。就是說(shuō)，延伸部73在Z方向中 上端部被配置在和近場(chǎng)光發(fā)生部23b的下端相同位置、下端部和滑塊20的ABS20C成為同ー個(gè)面地形成。另外，延伸部73的Y方向中的寬度比主磁極33的前端部分33b窄地形成。在延伸部73的Y方向的中央部，形成朝著前方(芯層23側(cè))直立設(shè)置的突起部76。突起部76從Z方向看為朝著前方逐漸變尖的三角形地形成，其頂部77的位置在X方向中被配置在和上述芯層23的后側(cè)的側(cè)面23g相同位置。另外，突起部76在Z方向中遍及延伸部73的整個(gè)區(qū)域地形成。具體地說(shuō)，突起部76的上端部與第2基部75的下端部連續(xù)設(shè)置，并且下端部和滑塊20的ABS20C成為同一個(gè)面地形成，向外部露出。這樣，上述頂部77就從第2基部75的下端部沿著Z方向棱線狀地延伸。另外，頂部77的棱線從X方向看和近場(chǎng)光發(fā)生部23b的棱線(側(cè)面23d彼此構(gòu)成的棱線)在同一直線上配置。遮光膜27是在遮斷從外部入射近場(chǎng)光發(fā)生部23b的光的同時(shí)，還防止在芯層23內(nèi)傳播的激光L從芯層23中泄漏的部件，由鋁(Al)等高反射率材料構(gòu)成。該遮光膜27覆蓋近場(chǎng)光發(fā)生部23b的側(cè)面23d地形成。就是說(shuō)，近場(chǎng)光發(fā)生部23b的側(cè)面23g被上述金屬膜71覆蓋，側(cè)面23d被遮光膜27覆蓋。也就是說(shuō)，上述金屬膜71從X方向看基部72被遮光膜27覆蓋，延伸部73延伸到遮光膜27的下端部的下方。此外，也可以從X方向看覆蓋金屬膜71的整個(gè)區(qū)域地形成遮光膜27。如圖5、6所示，再現(xiàn)元件22是電阻按照從盤(pán)D的垂直記錄層d2(參照?qǐng)D5)漏出的磁場(chǎng)的大小變換的磁阻效應(yīng)膜，將近場(chǎng)光發(fā)生元件26夾在其間地在和記錄元件21相反側(cè)的包層24(第2包層24b)的前端面形成。經(jīng)由后文講述的電線56，由控制部8向該再現(xiàn)元件22供給偏置電流。這樣，控制部8能夠?qū)谋P(pán)D漏出的磁場(chǎng)的變化作為電壓的變化檢測(cè)，能夠根據(jù)該電壓的變化進(jìn)行信號(hào)的再現(xiàn)。如圖5、6所示，在上述記錄再現(xiàn)頭2的滑塊20上搭載著激光光源29。激光光 源29具有固定在滑塊20的上表面的激光座43、和固定在激光座43的前端面43a的半導(dǎo)體激光芯片44。激光座43例如是由和滑塊20相同的材料構(gòu)成的、XY方向中的外形和滑塊20 —樣地形成的板狀的部件，上表面?zhèn)缺蝗f(wàn)向架17的后文講述的凸緣部17b固定。就是說(shuō)，滑塊20以在和凸緣部17b之間夾住激光座43的狀態(tài)被凸緣部17b固定。此外，在未圖示的激光座43中還固定后文講述的電線56 (參照?qǐng)D5)，與在激光座43的前端面43a上形成的未圖示的電極凸緣電連接。半導(dǎo)體激光芯片44被安裝在激光座43的前端面43a形成的未圖示的電極凸緣上。這時(shí)，以將激光L的出射側(cè)端面44a朝著下方的狀態(tài)而且與芯層23的梯形部41的上端面41a相對(duì)地配置半導(dǎo)體激光芯片44。此外，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光芯片44，出射光點(diǎn)形狀為將X方向作為短軸方向、Y方向作為長(zhǎng)軸方向的橢圓形狀的激光L。另外，雖然在半導(dǎo)體激光芯片44的出射側(cè)端面44a和梯形部41的上端面41a之間具有間隔k，但是也可以在該間隔k內(nèi)具有折射率和芯層23相同的油等。此外，使上述梯形部41的上端面41a的形狀與半導(dǎo)體激光芯片44出射后入射上端面41a時(shí)的激光L的光點(diǎn)形狀吻合地形成。此外，本實(shí)施方式的盤(pán)D，使用如圖5所示的那種至少用如下兩層構(gòu)成的垂直2層膜盤(pán)D :在垂直于盤(pán)面Dl的方向具有容易磁化軸的垂直記錄層d2，和由高透磁率材料構(gòu)成的軟磁性層d3。作為這種盤(pán)D，例如使用在基板dl上依次形成軟磁性層d3、中間層d4、垂直記錄層d2、保護(hù)層d5和潤(rùn)滑層d6的盤(pán)。作為基板dl，例如是鋁基板、玻璃基板等。軟磁性層d3是高透磁率層。中間層d4是垂直記錄層d2的結(jié)晶控制層。垂直記錄層d2成為垂直各向異性磁性層，例如使用CoCrPt類(lèi)合金。保護(hù)層d5用于保護(hù)垂直記錄層d2，例如使用DLC(金剛石類(lèi)碳)膜。潤(rùn)滑層d6例如使用氟類(lèi)的液體潤(rùn)滑材料。如圖I所示，在滑架11的基部15中的側(cè)面15c上，配置終端基板55。該終端基板55成為將設(shè)置在外殼9上的控制部8和記錄再現(xiàn)頭2電連接之際的中繼點(diǎn)，在其表面形成各種控制電路(未圖示)?？刂撇?和終端基板55被具有可撓性的帶狀電纜4電氣性連接，終端基板55和記錄再現(xiàn)頭2則被電線56連接。該電線56與在各滑架11上設(shè)置的記錄再現(xiàn)頭2對(duì)應(yīng)地設(shè)置了三組，控制部8經(jīng)由帶狀電纜4輸出的信號(hào)按照信息調(diào)制的電流經(jīng)由電線56供給記錄再現(xiàn)頭2。電線56從終端基板55的表面通過(guò)臂部14的側(cè)面迂回到臂部14上。具體地說(shuō)，如圖2 4所示，電線56在臂部14及吊架3中被配置在撓曲件54的支撐體18上，以將支撐體18夾在其間的狀態(tài)迂回到吊架3的前端為止。而且，電線56在吊架3的前端(萬(wàn)向架17的中間位置)被分岔成為向再現(xiàn)元件22及記錄元件21供給電流的第I電線57和向激光光源29供給電流的第2電線58。具體地說(shuō)，第I電線57在電線56的前端側(cè)的分岔點(diǎn)中，朝著萬(wàn)向架17的外周部分彎曲，從萬(wàn)向架17的外周部分(切口部59的外側(cè))迂回。而且，從切口部59的外側(cè)迂 回的第I電線57在連接部17a上通過(guò)后與記錄再現(xiàn)頭2的前端面?zhèn)冗B接。就是說(shuō)，第I電線57從記錄再現(xiàn)頭2的外部分別直接與在滑塊20的前端面?zhèn)仍O(shè)置的再現(xiàn)元件22及記錄元件21連接。另一方面，第2電線58從上述分岔點(diǎn)沿著萬(wàn)向架17的長(zhǎng)度方向(X方向)延伸，跨過(guò)萬(wàn)向架17的切口部59，從記錄再現(xiàn)頭2的后端面?zhèn)戎苯优c激光座43連接。第2電線58還與在激光座43的前端面43a上形成的電極凸緣連接，經(jīng)由該電極凸緣向半導(dǎo)體激光芯片44供給電流。另外，第2電線58在分岔點(diǎn)中從萬(wàn)向架17的下表面離開(kāi)，隨著從分岔點(diǎn)去往記錄再現(xiàn)頭2的前端面?zhèn)?，以稍微浮起的狀態(tài)延伸，以便在凸緣部17b和萬(wàn)向架17之間連接。就是說(shuō)，在萬(wàn)向架17的下面中，第2電線58以近似直線性地(曲率半徑近似無(wú)限大地)延伸的狀態(tài)，從記錄再現(xiàn)頭2的寬度方向(Y方向)的中央部向記錄再現(xiàn)頭2的后側(cè)迂回。(信息記錄再現(xiàn)方法)以下講述依據(jù)這樣構(gòu)成的信息記錄再現(xiàn)裝置1，往盤(pán)D中記錄再現(xiàn)各種信息時(shí)的情況。首先如圖I所示，驅(qū)動(dòng)主軸電動(dòng)機(jī)6，使盤(pán)D朝著一定方向旋轉(zhuǎn)。接著，使促動(dòng)器5動(dòng)作，經(jīng)由滑架11使吊架3朝著XY方向掃描。這樣，能夠使記錄再現(xiàn)頭2位于盤(pán)D上的所需位置。這時(shí)，記錄再現(xiàn)頭2在滑塊20的相對(duì)面20a上形成的兩個(gè)凸條部20b的作用下接收浮起的力，同時(shí)還被吊架3等用規(guī)定的力向盤(pán)D側(cè)按壓。由于這兩種力的平衡，如圖2所示，記錄再現(xiàn)頭2浮起到從盤(pán)D上離開(kāi)規(guī)定距離H的位置。另外，記錄再現(xiàn)頭2即使接受起因于盤(pán)D的起伏而產(chǎn)生的分壓，也能夠利用吊架3吸收Z(yǔ)方向的位移，同時(shí)還能夠利用萬(wàn)向架17在XY軸周?chē)灰疲阅軌蛭掌鹨蛴谄鸱姆謮?。因此，能夠使記錄再現(xiàn)頭2以穩(wěn)定的狀態(tài)浮起。圖12、13是利用信息記錄再現(xiàn)裝置進(jìn)行記錄再現(xiàn)信息之際的說(shuō)明圖，圖12是相當(dāng)于圖6的圖，圖13是相當(dāng)于圖11的圖。在這里，記錄信息時(shí)，如圖12、13所示，控制部8在使激光光源29動(dòng)作，出射激光L的同時(shí)，還將按照信息調(diào)制的電流供給線圈34，使記錄元件21動(dòng)作。首先，從激光光源29出射激光L，使該激光L從芯層23的上端面41a入射芯層23的光束聚光部23a內(nèi)。在光束聚光部23a中傳播的激光L,朝著位于盤(pán)D側(cè)的下端側(cè),在芯層23和包層24之間一邊反復(fù)全反射一邊傳播。特別是因?yàn)榘鼘?4緊貼芯層23的側(cè)面23k、23d,所以光不會(huì)向芯層23的外部泄漏。這樣，能夠使導(dǎo)入的激光L 一點(diǎn)也不浪費(fèi)地一邊逐漸變細(xì)一邊向下端側(cè)傳播，入射近場(chǎng)光發(fā)生部23b。
這時(shí)，芯層23在與Z方向正交的截面積逐漸減小地頸縮成形。因此，激光L隨著在光束聚光部23a內(nèi)的傳播而逐漸收斂，光點(diǎn)尺寸變小。光點(diǎn)尺寸變小的激光L，接著入射近場(chǎng)光發(fā)生部23b。該近場(chǎng)光發(fā)生部23b朝著下端側(cè)進(jìn)一步頸縮成形，成為光的波長(zhǎng)以下的尺寸。這時(shí)，近場(chǎng)光發(fā)生部23b的兩個(gè)側(cè)面23d被遮光膜27遮光。因此，入射近場(chǎng)光發(fā)生部23b的激光L不會(huì)泄漏到第2包層24b側(cè)，在遮光膜27和近場(chǎng)光發(fā)生部23b的界面一邊反射一邊傳播。在這里，在本實(shí)施方式中，由于芯層23的近場(chǎng)光發(fā)生部23b中的下端面(側(cè)面23d)與側(cè)面23g構(gòu)成的角度成為銳角地傾斜，所以入射側(cè)面23d的激光L的導(dǎo)入方向被朝著金屬膜71地反射。這樣，與例如在沿著與芯層23的延伸方向正交的XY方向的平坦面上形成芯層23的下端面時(shí)相比，能夠抑制激光L從芯層23的下端面泄漏到外部。就是說(shuō)，因?yàn)橛行У貙⒃谛緦?3內(nèi)傳播的激光L入射金屬膜71，所以能夠確保入射金屬膜71的光量，提高近場(chǎng)光R的發(fā)生效率。
而且，在近場(chǎng)光發(fā)生部23b內(nèi)傳播到下端側(cè)為止的激光L入射金屬膜71。于是，在金屬膜71中激勵(lì)等離子體激元。激勵(lì)的等離子體激元朝著下方在金屬膜71上傳播。在金屬膜71上傳播的等離子體激元傳播到延伸部73為止后，就在突起部76的頂部77中成為光強(qiáng)度很強(qiáng)的近場(chǎng)光R。而且，用頂部77產(chǎn)生的近場(chǎng)光R在頂部77中朝著下方傳播后，就在下端(近場(chǎng)光發(fā)生元件26的相對(duì)面26a)向外部泄漏。就是說(shuō)，能夠使近場(chǎng)光R在近場(chǎng)光發(fā)生元件26的下端側(cè)和盤(pán)D之間定域化。于是，盤(pán)D被該近場(chǎng)光R局部性地加熱，頑磁力暫時(shí)性地下降。另一方面，線圈34被控制部8供給電流后，就根據(jù)電磁鐵的原理，在磁回路32內(nèi)產(chǎn)生磁場(chǎng)(電流磁場(chǎng))，所以在主磁極33和輔助磁極31之間能夠產(chǎn)生垂直于盤(pán)D方向的記錄磁場(chǎng)。于是，主磁極33側(cè)產(chǎn)生的磁通筆直地穿過(guò)盤(pán)D的垂直記錄層d2，到達(dá)軟磁性層d3。這樣，能夠在垂直于盤(pán)面Dl的狀態(tài)下記錄垂直記錄層d2的磁化。另外，到達(dá)軟磁性層d3的磁通，經(jīng)由軟磁性層d3，返回輔助磁極31。這時(shí)，返回輔助磁極31時(shí)不影響磁化的方向。這是因?yàn)榕c盤(pán)面Dl相對(duì)的輔助磁極31的面積大于主磁極33，所以不會(huì)產(chǎn)生磁通密度變大使磁化反轉(zhuǎn)的那種程度的力。就是說(shuō)，只能夠在主磁極33側(cè)進(jìn)行記錄。其結(jié)果,能夠采用使近場(chǎng)光R和用兩磁極31、33產(chǎn)生的記錄磁場(chǎng)合作的混合磁記錄方式記錄信息。而且，因?yàn)橛么怪庇涗浄绞接涗?，所以不容易受到熱起伏現(xiàn)象等的影響，能夠進(jìn)行穩(wěn)定的記錄。因此能夠提高寫(xiě)入的可靠性。另外，在再現(xiàn)盤(pán)D記錄的信息的情況下，盤(pán)D的頑磁力暫時(shí)下降時(shí)，再現(xiàn)元件22受到從盤(pán)D的垂直記錄層d2中漏出的磁場(chǎng)的作用，電阻按照其大小變化。這樣，再現(xiàn)元件22的電壓就變化。于是，控制部8能夠?qū)⒈P(pán)D漏出的磁場(chǎng)的變化作為電壓的變化檢測(cè)。而且，控制部8還能夠根據(jù)該電壓的變化進(jìn)行信號(hào)的再現(xiàn)，從而再現(xiàn)盤(pán)D記錄的信息。(記錄再現(xiàn)頭的制造方法)接著，講述具有上述近場(chǎng)光發(fā)生元件26的記錄再現(xiàn)頭2的制造方法。圖14是用于講述近場(chǎng)光發(fā)生元件的制造方法的工序圖，是芯層母材的平面圖。另外，圖15是沿著圖14(a)的G-G線的剖面圖。此外，在以下的講述中，主要具體講述記錄再現(xiàn)頭2的制造工序中的近場(chǎng)光發(fā)生元件的制造工序。在本實(shí)施方式中，準(zhǔn)備多個(gè)滑塊20沿著X方向及Y方向連接而成的基板120 (例如AlTiC (復(fù)合陶瓷)等)，在該基板120中的記錄再現(xiàn)頭2的各形成區(qū)域分別依次形成記錄元件21、近場(chǎng)光發(fā)生元件26及再現(xiàn)元件22后，在每個(gè)記錄再現(xiàn)頭2的形成區(qū)域進(jìn)行切害I]，制造記錄再現(xiàn)頭2。首先如圖15(a)所示，在基板120上形成記錄元件21 (參照?qǐng)D6)，用絕緣體35模制。然后將近場(chǎng)光發(fā)生元件26的母材在絕緣體35上成膜(第I包層形成工序及芯層形成工序)。具體地說(shuō)，例如按照第I包層母材124a、金屬膜母材171 (例如20nm左右)、芯層母材123(數(shù)iim左右)的順序在基板120 (絕緣體35)上成膜。此外，各母材124a、171、123成膜后，用CMP (Chemical Mechanical Polishing)等研磨各自的表面，作為平坦面。另外，最好在第I包層母材124a上的整個(gè)面上形成金屬膜母材171后，預(yù)先構(gòu)圖， 以只在規(guī)定的區(qū)域留存。這時(shí)，在本實(shí)施方式中，在Z方向中至少除去母材123中的相當(dāng)于光束聚光部23a(參照?qǐng)D6)的區(qū)域的金屬膜母材171地構(gòu)圖。這時(shí)，在相當(dāng)于近場(chǎng)光發(fā)生部23b的區(qū)域中，金屬膜母材171被夾在芯層母材123和第I包層母材124a之間，在除此以外的區(qū)域(例如相當(dāng)于光束聚光部23a的區(qū)域)芯層母材123和第I包層母材124a緊貼在一起。這樣，至少在相當(dāng)于光束聚光部23a的區(qū)域，芯層母材123、與金屬膜母材171相比和芯層母材123的貼緊性高的第I包層母材124a就緊貼在一起。這樣，能夠抑制制造過(guò)程中的膜剝落。此外，只在上述金屬膜71的形成區(qū)域留存地構(gòu)圖金屬膜母材171則更好。接著如圖15(b)所示，使用光刻技術(shù)在芯層母材123上形成應(yīng)該除去芯層母材123的區(qū)域開(kāi)口的掩模圖案(未圖示)，經(jīng)由該掩模圖案進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)(第I構(gòu)圖工序)。這樣，掩模圖案開(kāi)口的區(qū)域的芯層母材123就被垂直(沿著X方向)地蝕刻，從Z方向看形成矩形的芯層母材123。另外，如圖14(a)、圖15(b)所示，從Z方向看，芯層母材123由從上端側(cè)朝著下端側(cè)逐漸變小的梯形地形成的第I母材123a、從第I母材123a的下端側(cè)朝著下方進(jìn)一步逐漸變小的第2母材123b、從第2母材123b的下端側(cè)朝著下方以一定的寬度延伸的第3母材123c構(gòu)成。此外，在第I構(gòu)圖工序中，最好不完全除去掩模圖案開(kāi)口的區(qū)域的芯層母材123地稍微留存一點(diǎn)(參照?qǐng)D15(b)中留存部160)。再接著，如圖14(b)、圖15(c)所示，在氬(Ar)等的等離子體中濺射蝕刻芯層母材123及金屬膜母材171 (第2構(gòu)圖工序)。在第2構(gòu)圖工序中，濺射蝕刻上述截面矩形的芯層母材123后，芯層母材123的各角部就被選擇性地蝕刻，形成斜面。在該狀態(tài)下，進(jìn)一步地繼續(xù)蝕刻，斜面就一邊保持與底面(相當(dāng)于圖7中的側(cè)面23g)的一定的角度一邊被蝕刻。此外，第I母材123a中，上側(cè)成為光束聚光部23a的梯形部41，下側(cè)成為光束聚光部23a的三角形部42。另外，第2母材123b成為近場(chǎng)光發(fā)生部23b。這時(shí)，第3母材123c的Y方向的兩側(cè)的角部被除去，從Z方向看成為三角形的留存。而且，在第2構(gòu)圖工序中繼續(xù)蝕刻后，芯層母材123就一邊保持相似形一邊縮小寬度(Y方向中的寬度)及高度(X方向中的高度)，縮小的芯層母材123外形。于是，露出被芯層母材123覆蓋的金屬膜母材171。圖16是用于講述近場(chǎng)光發(fā)生元件的制造方法的工序圖，(a)是沿著圖14(c)的H-H線的剖面圖，(b)是沿著圖14(c)的I-I線的剖面圖。如圖14(c)、圖16所示，從露出金屬膜母材171的狀態(tài)進(jìn)一步繼續(xù)濺射蝕刻后，在芯層母材123保持相似形地被蝕刻的同時(shí)，金屬膜母材171的角部也被蝕刻。在這里，由于上述芯層母材123 (芯層23)使用的材料(例如石英)和金屬膜母材171(金屬膜71)使用的材料(例如金)是不同種類(lèi)的材料，所以在濺射蝕刻時(shí)的蝕刻速度中產(chǎn)生差異。在本實(shí)施方式中，因?yàn)樾緦幽覆?23使用的材料的蝕刻速度比金屬膜母材171使用的材料的蝕刻速度大，所以與金屬膜母材171相比，芯層母材123被積極地蝕刻。因此，如圖14 (C)、圖16(a)所示，芯層母材123和金屬膜母材171在X方向中重疊的區(qū)域中，在第2母材123b的區(qū)域，在第2母材123b的外周緣(Y方向的兩側(cè))露出金屬膜母材171。這樣，在第2母材123b的區(qū)域形成Y方向中的寬度比第2母材123b寬的基部72。然后，進(jìn)一步繼續(xù)濺射蝕刻，使基部72從第2母材123b露出的部分(外周緣的角部)起逐漸地被蝕刻，所以如圖9所示，具有與近場(chǎng)光發(fā)生部23b的側(cè)面23d平行的側(cè)面74a的第I基部74和具有與側(cè)面23d為同一面上的側(cè)面75a的第2基部75，經(jīng)由階差部78地形成。另一方面，如圖14 (C)、圖16(b)所示，在第3母材123c (參照?qǐng)D14(b))的區(qū)域，從 第3母材123c的外周緣露出金屬膜母材171。然后，進(jìn)一步繼續(xù)濺射蝕刻，使金屬膜母材171從第3母材123c露出的部分(外周緣的角部)起朝著內(nèi)側(cè)逐漸地被蝕刻。而且，最終完全除去第3母材123c，從而只留下被第3母材123c覆蓋的金屬膜母材171。這樣，在第3母材123c的區(qū)域形成以和第3母材123c相同的寬度延伸的延伸部73。這時(shí)，因?yàn)閺牡?母材123c露出的金屬膜母材171被從外周緣的角部起朝著內(nèi)側(cè)逐漸地被蝕刻，所以延伸部73中直到最后為止被第3母材123c覆蓋的部分，作為具有頂部77的突起部76留存下來(lái)。這樣，就在第I包層母材124a(第I包層24a)上匯總形成金屬膜71及芯層23。圖17是相當(dāng)于圖14(c)的I-I線的剖面圖。接著如圖17 (a)所示，覆蓋芯層23 (芯層母材123)地形成遮光膜27 (遮光膜形成工序)。具體地說(shuō)，在相當(dāng)于芯層23的側(cè)面23d中的近場(chǎng)光發(fā)生部23b的區(qū)域構(gòu)圖，以便留存遮光膜27。然后如圖17 (b)所示，覆蓋芯層23及遮光膜27地形成第2包層24b (第2包層形成工序)。再然后用CMP等研磨第2包層24b的表面，使其成為平坦面。并且在第2包層24b上形成再現(xiàn)元件22。這樣，就在基板120上形成記錄元件21、近場(chǎng)光發(fā)生元件26及再現(xiàn)元件22。接著，沿著Y方向切割基板120，形成多個(gè)滑塊20沿著一個(gè)方向(Y方向)相連的狀態(tài)的條(未圖示)。然后，研磨切割的條的側(cè)面(切斷面)(研磨工序)。這樣，近場(chǎng)光發(fā)生部23b中的Z方向的兩端面就和基板120 —起成為平坦面。然后，沿著Z方向切斷條，以便成為各滑塊20的大小(滑塊工序)。最后，將激光光源29搭載到滑塊20的上表面。具體地說(shuō)，在使激光L的出射側(cè)端面朝下的狀態(tài)下，而且與芯層23的梯形部41的上端面41a相對(duì)地配置半導(dǎo)體激光芯片44。至此，具有上述近場(chǎng)光發(fā)生元件26的記錄再現(xiàn)頭2即告完成。這樣，在本實(shí)施方式中，采用形成從金屬膜71的基部72朝著比芯層23更靠下方地延伸的延伸部73、在該延伸部73中形成具有頂部77的突起部76的結(jié)構(gòu)。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，在延伸部73形成突起部76，從而使用金屬膜71的基部72激勵(lì)的等離子體激元在金屬膜71上傳播，在突起部76的頂部77中成為光強(qiáng)度很強(qiáng)的近場(chǎng)光R。因此，能夠產(chǎn)生從Z方向看比和芯層23的界面的寬度狹窄的近場(chǎng)光R。
而且，本發(fā)明的信息記錄再現(xiàn)裝置I (記錄再現(xiàn)頭2)，因?yàn)榫邆渖鲜鼋鼒?chǎng)光發(fā)生元件26，所以能夠正確而且高密度地進(jìn)行信息的記錄再現(xiàn)，能夠?qū)崿F(xiàn)高品質(zhì)化。另外，覆蓋芯層23的側(cè)面23d地形成遮光膜27后，入射芯層23的激光L就不會(huì)泄漏到包層24側(cè)，用遮光膜27和芯層23的界面一邊反射一邊傳播。這樣，能夠高效率地使激光入射金屬膜71，能夠提高近場(chǎng)光R的產(chǎn)生效率。而且，在本實(shí)施方式中，采用在對(duì)芯層23和金屬膜71進(jìn)行匯總構(gòu)圖之際，利用起因于芯層23和金屬膜71的構(gòu)成材料的差異的蝕刻速度之差形成突起部76的結(jié)構(gòu)。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，只要管理蝕刻時(shí)間就能夠?qū)⒔饘倌?1形成為細(xì)微的圖案，所以在形成芯層23和金屬膜71的細(xì)微的圖案時(shí)不需要使用昂貴的裝置。從而能夠在抑制制造成本的增加的基礎(chǔ)上，縮小近場(chǎng)光R的光點(diǎn)尺寸。
另外，對(duì)芯層23和金屬膜71進(jìn)行匯總構(gòu)圖后，與分別用不同的工序?qū)π緦?3和金屬膜71進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)不同，能夠?qū)饘倌?1和芯層23進(jìn)行高精度地定位。這樣，因?yàn)槟軌蚴箓鞑サ叫緦?3的下端側(cè)為止的激光L不泄漏地入射金屬膜71的基部72，所以能夠提高近場(chǎng)光R的產(chǎn)生效率。進(jìn)而，在延伸到比芯層23更靠下方的延伸部73上形成突起部76后，能夠與芯層23的形狀及和芯層23的位置精度無(wú)關(guān)地只按照所需的形狀形成延伸部73 (突起部76)，所以制造容易，還能夠提高設(shè)計(jì)的自由度。此外，以上講述了上述實(shí)施方式的金屬膜71在延伸部73上形成具有頂部77的突起部76的情況。但并不局限于此，也可以象圖18所示的金屬膜71那樣，從Z方向看延伸部173本身朝著前方逐漸變細(xì)、具有頂部177的三角形地形成。該延伸部173，在上述第I實(shí)施方式中的第2構(gòu)圖工序中，能夠繼續(xù)進(jìn)行濺射蝕刻，直到完全除去延伸部73的角部為止。(第2實(shí)施方式)接著，講述本發(fā)明的第2實(shí)施方式。圖19是將第2實(shí)施方式中的記錄再現(xiàn)頭的前側(cè)放大的剖面圖，圖20(a)是沿著圖19中的Ml-Ml線的剖面圖，(b)是沿著圖19中的M2-M2線的剖面圖。此外，在以下的講述中，對(duì)于和上述第I實(shí)施方式相同的構(gòu)成要素，賦予相同的符號(hào)，不再贅述。在本實(shí)施方式中，在將芯層23的下端側(cè)作為2層結(jié)構(gòu)的這一點(diǎn)上，和上述第I實(shí)施方式不同。如圖19、20所示，本實(shí)施方式的記錄再現(xiàn)頭202(近場(chǎng)光發(fā)生元件26)中的芯層223的下端側(cè)，由從Z方向看為三角形狀的第I芯層223a和從金屬膜71的相反側(cè)覆蓋第I芯層223a的第2芯層223b構(gòu)成。這時(shí)，第I芯層223a由和上述第I實(shí)施方式的芯層23同樣的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，上端側(cè)和滑塊20的上表面成為一個(gè)面地形成，向外部露出。另一方面，第I芯層223a (近場(chǎng)光發(fā)生部23b)的下端側(cè)與滑塊20的ABS20c相比更位于下方，被包層24覆蓋，不向外部露出。第2芯層223b從前方及沿著Y方向的兩側(cè)覆蓋第I芯層223a及金屬膜71地形成。因此從Z方向看第2芯層223b中的Y方向的外側(cè)端部與第I基部74的外側(cè)端部相比更位于外側(cè)。就是說(shuō)，本實(shí)施方式的整個(gè)芯層223的Y方向中的寬度比第I基部74的寬度寬地形成。另外，第2芯層223b在Z方向中覆蓋第I芯層223a的下端側(cè)地形成。和第I芯層223a —起,構(gòu)成光束聚光部23a的下端側(cè)及近場(chǎng)光發(fā)生部23b。進(jìn)而,第2芯層223b與第I芯層223a的下端側(cè)相比朝著下方延伸。具體地說(shuō)，第2芯層223b從遮光膜27和金屬膜71之間覆蓋金屬膜71的延伸部73地延伸，和滑塊20的ABS20c成為同一個(gè)面地形成后向外部露出。此外，第2芯層223b的形成區(qū)域不局限于上述范圍，既可以覆蓋整個(gè)第I芯層223a地形成，也可以在和第I芯層223a的下端位置相同的位置形成其下端位置。另外，在上述第2構(gòu)圖工序(參照?qǐng)D16)和遮光膜形成工序(參照?qǐng)D17)的期間，可以構(gòu)圖形成芯層母材，以便覆蓋第I芯層223a及金屬膜71。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠覆蓋第I芯層223a地形成第2芯層223b，使整個(gè)芯層223(第I芯層223a及第2芯層223b)的Y方向中的寬度比金屬膜71的Y方向中的寬度寬地形成。因此，能夠抑制在芯層23內(nèi)傳播的激光L的傳播效率的下降，能夠?qū)崿F(xiàn)近場(chǎng)光R的光點(diǎn)尺寸的縮小化。這樣，因?yàn)槟軌蛟诖_保光量的基礎(chǔ)上，縮小近場(chǎng)光R的光點(diǎn)尺寸，所以能夠更加局部性地加熱盤(pán)D。
此外，既可以用相同的材料形成第I芯層223a及第2芯層223b，也可以用不同種類(lèi)的材料形成。作為不同種類(lèi)的材料的組合，首選從包層24起到第2芯層223b、第I芯層223a折射率逐漸增大的那種(按照包層24、第2芯層223b、第I芯層223a的順序折射率增大的那種)組合。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，因?yàn)槟軌蚴褂玫?芯層223b和包層24的界面全反射的激光L逐漸朝著中心(第I芯層223a)聚光，所以能夠提高激光L的傳播效率。(變形例)圖21 (a)是將表示第2實(shí)施方式的變形例的記錄再現(xiàn)頭的前側(cè)放大的剖面圖，(b)是沿著(a)的N-N線的剖面圖。在上述實(shí)施方式中，講述了設(shè)置覆蓋第I芯層223a的前側(cè)的第2芯層223b的結(jié)構(gòu)。也可以采用在此基礎(chǔ)上，在第I芯層223a和金屬膜71之間設(shè)置第3芯層223c的結(jié)構(gòu)。具體地說(shuō)，第3芯層223c由折射率小于第I芯層223a的材料構(gòu)成，設(shè)置在第I芯層223a中近場(chǎng)光發(fā)生部23b的側(cè)面23g和金屬膜71的基部72之間。另外，第3芯層223c的外形從Z方向看和近場(chǎng)光發(fā)生部23b同樣地形成。這樣，第I芯層223a及第3芯層223c的下端面(例如上述側(cè)面23d)就配置在一個(gè)面上，覆蓋這些下端面地設(shè)置上述第2芯層223b。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)沿著Y方向依次配置第I芯層223a、折射率小于第I芯層223a的第3芯層223c及金屬膜71的所謂奧托配置。這樣，在利用奧托配置的近場(chǎng)光發(fā)生元件26中，由于折射率小于第I芯層223a的第3芯層223c在第I芯層223a和金屬膜71之間作為緩沖部發(fā)揮作用，所以能夠不給予在第I芯層223a中傳播的激光L的波數(shù)較大的影響地在金屬膜71中激勵(lì)表面等離子體激元。此外，第3芯層223c的形成區(qū)域不局限于上述范圍。另外，還可以如圖22所示，不設(shè)置第2芯層223b，只設(shè)置第3芯層223c。(第3實(shí)施方式)再接著，講述本發(fā)明的第3實(shí)施方式。圖23是將第3實(shí)施方式中的記錄再現(xiàn)頭的流出端側(cè)的側(cè)面放大的剖面圖，圖24是將記錄再現(xiàn)頭的前側(cè)放大的剖面圖。另外，圖25是圖24的Pl向視圖。如圖23 25所示，本實(shí)施方式的記錄再現(xiàn)頭302在滑塊20的前端面上沿著X方向依次配置近場(chǎng)光發(fā)生元件26、記錄元件21及再現(xiàn)元件22。
對(duì)于第I實(shí)施方式的芯層23而言，使前后方向相反地設(shè)置近場(chǎng)光發(fā)生元件26。具體地說(shuō)，芯層23從位于前方的側(cè)面23g的左右兩端(Y方向兩端)朝著后方(滑塊20)逐漸變小，該芯層23的前側(cè)被第I包層24a覆蓋，后側(cè)被第2包層24b覆蓋。而且，在芯層23中的近場(chǎng)光發(fā)生部23b的側(cè)面23g上，朝著下方延伸地形成金屬膜71。另外，記錄元件21由和上述第I實(shí)施方式同樣的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，在金屬膜71的前端面上配置主磁極33的前端部分33b。而且，在記錄元件21的輔助磁極31上形成再現(xiàn)元件22。另外，在本實(shí)施方式中，在滑塊20的上表面設(shè)置光波導(dǎo)310，由未圖示的激光光源出射的激光L經(jīng)由光波導(dǎo)310入射近場(chǎng)光發(fā)生兀件26 (芯層23)。此外在本實(shí)施方式中，激光光源例如被安裝在上述終端基板55上，利用光波導(dǎo)310在終端基板55和近場(chǎng)光發(fā)生元件26之間進(jìn)行激光L的傳播。光波導(dǎo)310具有用全反射條件引導(dǎo)激光光源出射的激光L的芯層311，和由折射 率小于芯層311的折射率的材料構(gòu)成的緊貼芯層311地密封芯層311的包層312。光波導(dǎo)310的前端面為被傾斜地剪切的反射鏡面313，使傳播到反射鏡面313為止的激光L的方向大致改變90度地反射。這樣，用反射鏡面313反射的激光L就被導(dǎo)入芯層311內(nèi)。此外，反射鏡面313可以采用通過(guò)蒸鍍法等至少在包含芯層311的區(qū)域形成由鋁等構(gòu)成的反射板的結(jié)構(gòu)。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，在滑塊20的前端面上，使金屬膜71和主磁極33緊貼在一起后，沿著盤(pán)D的旋轉(zhuǎn)方向配置近場(chǎng)光發(fā)生元件26、記錄元件21及再現(xiàn)元件22。這時(shí)，因?yàn)楸P(pán)D在先被近場(chǎng)光發(fā)生元件26產(chǎn)生的近場(chǎng)光R加熱后，在頑磁力確實(shí)下降的狀態(tài)下，通過(guò)記錄元件21的下方，所以能夠順利且高精度地在盤(pán)D中進(jìn)行記錄。(變形例)圖26是放大表示第3實(shí)施方式的變形例的記錄再現(xiàn)頭的前側(cè)的剖面圖，圖27是圖26的P2向視圖。在上述實(shí)施方式中，講述了金屬膜71的突起部76朝著芯層23側(cè)突出的結(jié)構(gòu)。但并不局限于此，也可以如圖26、27所示，采用向和芯層23的相反側(cè)、即向主磁極33側(cè)突出的結(jié)構(gòu)。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)沿著X方向依次配置芯層23 (近場(chǎng)光發(fā)生部23b)、金屬膜71及折射率小于芯層23的第I包層24a的所謂克雷奇曼配置。在這樣利用克雷奇曼配置的近場(chǎng)光發(fā)生兀件26中，在芯層23中傳播的激光L入射金屬膜71后,就在金屬膜71中的第I包層24a側(cè)的表面激勵(lì)表面等離子體激元。被激勵(lì)的表面等離子體激元在金屬膜71上朝著下方傳播，從而在突起部76的頂部77中產(chǎn)生光強(qiáng)度很強(qiáng)的近場(chǎng)光R。這樣，因?yàn)槟軌蚴菇鼒?chǎng)光發(fā)生元件26產(chǎn)生的近場(chǎng)光R以更加靠近主磁極33的狀態(tài)產(chǎn)生，所以能夠順利且高精度地在盤(pán)D中進(jìn)行記錄。(第4實(shí)施方式)接著，講述本發(fā)明的第4實(shí)施方式。圖28是放大第4實(shí)施方式中的記錄再現(xiàn)頭的流出端側(cè)的側(cè)面的剖面圖，圖29是圖28的J向視圖。另外，圖30是將記錄再現(xiàn)頭的前側(cè)放大的剖面圖。此外，在以下的講述中，對(duì)于和上述實(shí)施方式相同的構(gòu)成要素，賦予相同的符號(hào)，不再贅述。如圖28 30所示，本實(shí)施方式的記錄再現(xiàn)頭402，在記錄元件21中的線圈34和主磁極33之間配置近場(chǎng)光發(fā)生元件26。本實(shí)施方式中的記錄元件21，具備在第I包層24a內(nèi)模制的輔助磁極31及線圈34、在第2包層24b內(nèi)模制的主磁極33、在輔助磁極31及主磁極33之間配置的軛鐵435。輔助磁極31被配置在再現(xiàn)元件22上的同時(shí)，還與沿著X方向延伸的軛鐵435的一端側(cè)連接。線圈34將軛鐵435作為中心在軛鐵435的周?chē)菪隣畹匦纬?。另外，在軛鐵435中還形成在Z方向上貫通的貫通孔435a，配置芯層223以便貫通該貫通孔435a內(nèi)。而且，主磁極33與軛鐵435的下端(將芯層223夾在其間，輔助磁極31的相反側(cè))連接。主磁極33的前端部分33b被覆蓋芯層223的下端面(例如第I芯層23的側(cè)面23b)地配置。就是說(shuō)，本實(shí)施方式的主磁極33的前端部分33b還同時(shí)發(fā)揮和上述遮光膜27(參照?qǐng)D7)同樣的作用。如上所述地在盤(pán)D旋轉(zhuǎn)時(shí)，記錄再現(xiàn)頭2利用凸條部20b接收浮起的力后，就浮起到從盤(pán)D上離開(kāi)規(guī)定距離H的位置(參照?qǐng)D5)。浮起時(shí)的滑塊20對(duì)于盤(pán)面Dl而言是并非水平地稍微傾斜。具體地說(shuō)，以滑塊20的流出端側(cè)最靠近盤(pán)D的狀態(tài)，使盤(pán)面Dl和滑塊20的ABS20c構(gòu)成的角度保持微小角度地傾斜。
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因此，依據(jù)本實(shí)施方式，因?yàn)槟軌蛟诨瑝K20中的最前端側(cè)配置近場(chǎng)光發(fā)生元件26和主磁極33，所以能夠在使主磁極33生成的磁場(chǎng)最靠近盤(pán)D的狀態(tài)下產(chǎn)生近場(chǎng)光發(fā)生元件26生成的近場(chǎng)光R。這樣，能夠順利且高精度地在盤(pán)D中進(jìn)行記錄。進(jìn)而，如上所述用具有遮光性的材料構(gòu)成主磁極33后，不需要另外設(shè)置遮光膜，能夠抑制入射芯層223的激光L泄漏到包層24側(cè)。所以能夠降低制造成本，提高制造效率。此外，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不局限于上述各實(shí)施方式，包含在不超出本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，對(duì)上述實(shí)施方式添加的各種變更。就是說(shuō)，在上述實(shí)施方式中列舉的結(jié)構(gòu)等只不過(guò)是個(gè)例子而已，可以適當(dāng)變更。例如在上述實(shí)施方式中，以使記錄再現(xiàn)頭浮起的空氣浮起型的信息記錄再現(xiàn)裝置為例進(jìn)行了講述，但并不局限于這種情況，只要與盤(pán)面相對(duì)配置，盤(pán)和記錄再現(xiàn)頭不接觸也行。就是說(shuō)，本發(fā)明的記錄再現(xiàn)頭也可以是接觸滑塊型的記錄再現(xiàn)頭。這時(shí)也能夠獲得同樣的作用效果。另外，還可以適當(dāng)組合各實(shí)施方式。另外，在上述實(shí)施方式中，講述了以在給予盤(pán)D垂直記錄磁場(chǎng)的垂直磁記錄方式中采用本發(fā)明的記錄再現(xiàn)頭2的情況，但并不局限于此，也可以在給予盤(pán)D水平記錄磁場(chǎng)的面內(nèi)記錄方式中采用。另外，在上述第I構(gòu)圖工序中，講述了形成芯層23的留存部160的方法。但也可以不留下留存部160，完全除去芯層23的形成區(qū)域以外的芯層23。另外，在上述實(shí)施方式中，由第I芯層223a及第2芯層223b的2層構(gòu)成芯層23，但并不局限于此，也可以用3層以上構(gòu)成。另外，在上述實(shí)施方式中，遍及金屬膜71中的延伸部73的Z方向整個(gè)區(qū)域地形成具有頂部77的突起部76，但并不局限于此，只要頂部77向外部露出即可，可以對(duì)Z方向中的突起部76的形成區(qū)域進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)變更。另外，可以如圖31、32所示的金屬膜571那樣，在延伸部73的下端部沿著Y方向形成寬度比延伸部73寬的寬寬度部573，在該寬寬度部573的下端部形成具有頂部577的突起部576。另外，上述實(shí)施方式中的近場(chǎng)光發(fā)生元件26(參照?qǐng)D6等)，在Z方向中，只與芯層23中的近場(chǎng)光發(fā)生部23b重疊地形成金屬膜71。但是金屬膜71的形成范圍并不局限于此，只要至少使頂部77向外部露出就行。例如可以在遍及芯層23的Z方向整個(gè)區(qū)域(光束聚光部23a及近場(chǎng)光發(fā)生部23b)地形成金屬膜71。但是如果在與光束聚光部23a重疊的區(qū)域也形成金屬膜71，那么在光束聚光部23a上傳播的激光L就會(huì)被金屬膜71吸收，造成損失，有可能使激光L的傳播效率下降。對(duì)此，象上述實(shí)施方式那樣，只在相當(dāng)于近場(chǎng)光發(fā)生部23b的區(qū)域形成金屬膜71后，就能夠用全反射條件在芯層23和包層24之間傳播激光L，直到近場(chǎng)光發(fā)生部23b為止。因此，能夠?qū)⒏嗟募す釲引導(dǎo)到近場(chǎng)光發(fā)生部23b為止，提高激光L的傳播效率。另外，在上述實(shí)施方式中，講述了如圖2、3所示，將電線56分岔成為向再現(xiàn)元件22及記錄元件21供給電流的2條第I電線57和向激光光源29供給電流的第2電線58的結(jié) 構(gòu)。但并不局限于此，例如也可以如圖33所示，不設(shè)置第2電線58地將向激光光源29供給電流的電線設(shè)置成為第I電線57。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，因?yàn)椴恍枰O(shè)置在凸緣部17b和萬(wàn)向架17之間連接的第2電線58，所以能夠提高凸緣部17b對(duì)于萬(wàn)向架17而言的撓曲變形的自由度。符號(hào)說(shuō)明I...信息記錄再現(xiàn)裝置2...記錄再現(xiàn)頭(近場(chǎng)光頭)3…橫梁5…促動(dòng)器6...主軸電動(dòng)機(jī)(旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部)8...控制部20...滑塊21...記錄元件23、223...芯層23d. .側(cè)面(位于第I芯層中的他端側(cè)的端面)23g. .側(cè)面(一側(cè)面)24. 包層24a...第I包層24b...第2包層26...近場(chǎng)光發(fā)生兀件27...遮光膜29...激光光源(光源)31.輔助磁極 33.主磁極 71、571...金屬膜(近場(chǎng)光發(fā)生部)72…基部 73、173、573.延伸部 77、177、577.頂部 223a. .第 I 芯層 223b. 第2芯層223c. 第3芯層D. 盤(pán)(磁記錄介質(zhì))
權(quán)利要求
1.一種近場(chǎng)光發(fā)生元件，將導(dǎo)入一端側(cè)的光束朝著另一端側(cè)聚光并傳播的同時(shí)，在生成近場(chǎng)光后向外部發(fā)射，其特征在于，具有 第I芯層，使所述光束朝著所述另一端側(cè)傳播；和 近場(chǎng)光發(fā)生部，沿著所述第I芯層中的從所述一端側(cè)朝著所述另一端側(cè)的所述光束的傳播方向配置、由所述光束產(chǎn)生所述近場(chǎng)光， 所述近場(chǎng)光發(fā)生部具有 基部，配置在沿著所述傳播方向的所述第I芯層的ー側(cè)面上；和延伸部，與所述第I芯層相比，從所述基部朝著沿所述傳播方向的所述另一端側(cè)延伸，所述延伸部的所述另一端側(cè)，具有向外部露出的同時(shí)還朝著與所述第I芯層的所述ー側(cè)面的面方向交叉的方向突出的頂部， 位于所述第I芯層中的所述另一端側(cè)的端面，與所述ー側(cè)面構(gòu)成的角度成為銳角地傾斜。
2.如權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光發(fā)生元件，其特征在于 具備對(duì)于所述第I芯層而言，從所述近場(chǎng)光發(fā)生部的相反側(cè)覆蓋所述第I芯層的第2芯層； 從所述傳播方向看，在所述第2芯層和所述基部的界面的延伸方向上，所述第2芯層的外側(cè)端部與所述基部的外側(cè)端部相比，位于外側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的近場(chǎng)光發(fā)生元件，其特征在于所述第2芯層的折射率小于所述第I芯層。
4.如權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光發(fā)生元件，其特征在于在所述第I芯層的所述ー側(cè)面和所述近場(chǎng)光發(fā)生部之間，設(shè)有折射率小于所述第I芯層的第3芯層。
5.如權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光發(fā)生元件，其特征在于對(duì)于所述第I芯層而言，在所述近場(chǎng)光發(fā)生部的相反側(cè)形成遮光膜。
6.如權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光發(fā)生元件，其特征在于所述頂部從所述傳播方向看，朝著所述第I芯層側(cè)突出。
7.如權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光發(fā)生元件，其特征在于 具備包層，對(duì)于所述近場(chǎng)光發(fā)生部而言，該包層從所述第I芯層的相反側(cè)覆蓋所述近場(chǎng)光發(fā)生部，并且折射率小于所述第I芯層； 所述頂部從所述傳播方向看，朝著所述包層側(cè)突出。
8.—種近場(chǎng)光頭，在加熱朝固定方向旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)的同時(shí)還給予所述磁記錄介質(zhì)記錄磁場(chǎng)，從而產(chǎn)生磁化反轉(zhuǎn)，記錄信息，其特征在干，具備 與所述磁記錄介質(zhì)的表面相對(duì)配置的滑塊； 配置在所述滑塊的前端側(cè)具有產(chǎn)生所述記錄磁場(chǎng)的主磁極及輔助磁極的記錄元件； 在將所述他端側(cè)朝著所述磁記錄介質(zhì)側(cè)的狀態(tài)下與所述記錄元件鄰接后固定的權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光發(fā)生元件；以及 固定于所述滑塊并將所述光束從所述一端側(cè)導(dǎo)入所述第I芯層內(nèi)的光束導(dǎo)入單元。
9.如權(quán)利要求8所述的近場(chǎng)光頭，其特征在于所述主磁極由具有遮光性的材料構(gòu)成，并且對(duì)于所述第I芯層而言配置在所述近場(chǎng)光發(fā)生部的相反側(cè)。
10.ー種信息記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求8所述的近場(chǎng)光頭； 橫梁，能夠朝著平行于所述磁記錄介質(zhì)的表面的方向移動(dòng)，該橫梁平行于所述磁記錄介質(zhì)的表面而且在互相正交的雙軸周?chē)孕D(zhuǎn)自如的狀態(tài)在前端側(cè)支撐所述近場(chǎng)光頭；光源，使所述光束入射所述光束導(dǎo)入單元； 促動(dòng)器，支撐所述橫梁的基端側(cè)，并且使所述橫梁朝著平行于所述磁記錄介質(zhì)的表面的方向移動(dòng)； 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部，使所述磁記錄介質(zhì)朝著所述固定方向旋轉(zhuǎn)；以及 控制部，控制所述記錄元件及所述光源的動(dòng)作。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠縮小近場(chǎng)光的光點(diǎn)尺寸的近場(chǎng)光發(fā)生元件、近場(chǎng)光頭及信息記錄再現(xiàn)裝置。其特征在于具有在芯層(23)及包層之間配置、沿著和芯層(23)的界面?zhèn)鞑ゼす狻⒂杉す猱a(chǎn)生近場(chǎng)光的金屬膜(71)，該金屬膜(71)具有在沿著從一端側(cè)朝著另一端側(cè)的激光的傳播方向的芯層(23)的一側(cè)面上配置的基部(72)，和從基部(72)的另一端側(cè)延伸到比芯層(23)靠傳播方向的另一端側(cè)的延伸部(73)，延伸部(73)的另一端側(cè)向外部露出，并且還形成從傳播方向看朝著芯層(23)側(cè)突出的頂部(77)。
文檔編號(hào)G11B5/31GK102682785SQ201210074958
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者千葉德男, 大海學(xué), 平田雅一 申請(qǐng)人:精工電子有限公司