两个人的电影免费视频_国产精品久久久久久久久成人_97视频在线观看播放_久久这里只有精品777_亚洲熟女少妇二三区_4438x8成人网亚洲av_内谢国产内射夫妻免费视频_人妻精品久久久久中国字幕

帶電路的懸掛基板及其制造方法

文檔序號:6775848閱讀:107來源:國知局
專利名稱:帶電路的懸掛基板及其制造方法
技術領域
本發(fā)明涉及帶電路的懸掛基板及其制造方法,具體涉及裝載于采用光輔助法的 硬盤驅(qū)動器等的帶電路的懸掛基板及其制造方法。
背景技術
近年來,作為對硬盤等的磁記錄方式已知有光輔助法(光輔助磁記錄方式),該 光輔助法在記錄信息時,通過光照射加熱硬盤,在使其矯頑力減小的狀態(tài)下利用磁 頭進行記錄,從而可以用小記錄磁場高密度地記錄信息。
例如,提出了以下技術方案即,在采用光輔助法的光輔助磁記錄裝置中,通 過在磁頭滑塊的側(cè)面形成磁再生元件和磁記錄元件(磁頭)、和光波導及光源,從而
設置磁記錄再生元件,使該磁頭滑塊懸掛支承(例如參照日本專利特開2000-195002 號公報)。

發(fā)明內(nèi)容
然而,由于磁頭滑塊為了應對小型化的要求,而形成得較小,并且還設置有磁 頭,所以在空間上難以設置除此之外的零部件。因此,若將用于光輔助法的光波導 和光源與磁頭一起設置于磁頭滑塊,則導致在布局上受限制、制造起來麻煩、制造 成本增大的問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種帶電路的懸掛基板及其制造方法,使得既可以采用 光輔助法,又可以確保設計上的自由,還能提高制造效率,并且可以謀求降低制造 成本。
本發(fā)明的帶電路的懸掛基板包括金屬支承基板;形成于所述金屬支承基板上 的基底絕緣層;形成于所述基底絕緣層上的導體布圖;形成于所述基底絕緣層上以 覆蓋所述導體布圖的覆蓋絕緣層;以及光波導,所述光波導在所述金屬支承基板上 與所述基底絕緣層、所述導體布圖及所述覆蓋絕緣層分開另外設置。
另外,在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中,較好的是所述光波導的上表面低于所
4述覆蓋絕緣層的上表面。
另外,在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中,較好的是所述光波導包括下包層; 形成于所述下包層上的、折射率高于所述下包層的芯層;以及形成于所述下包層上 以覆蓋所述芯層的、折射率低于所述芯層的上包層,所述下包層直接層疊在所述金 屬支承基板的上表面。
另外,在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中,較好的是所述光波導包括下包層; 形成于所述下包層上的、折射率高于所述下包層的芯層;以及形成于所述下包層上
以覆蓋所述芯層的、折射率低于所述芯層的上包層,所述下包層通過粘合劑層層疊 到所述金屬支承基板的上表面。
另外,在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中,較好的是還具有發(fā)光元件,該發(fā)光元 件與所述光波導光學連接。
另外,在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中,較好的是還具有用于裝載磁頭滑塊的 裝載部,所述光波導沿所述導體布圖延伸的方向配置,所述發(fā)光元件配置于所述金 屬支承基板的長邊方向的一側(cè),所述裝載部配置于所述金屬支承基板的長邊方向的
在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中,由于用于光輔助法的光波導在金屬支承基板 上與基底絕緣層、導體布圖和覆蓋絕緣層分開另外設置,所以與磁頭滑塊相比,能 有更充足的空間形成該光波導。因此,可以確保設計上的自由,能夠提高制造效率, 并且可以謀求降低制造成本。
另外,由于光波導在金屬支承基板上與基底絕緣層、導體布圖和覆蓋絕緣層分 開另外設置,所以可以謀求實現(xiàn)帶電路的懸掛基板的薄型化。因此,在將該帶電路
的懸掛基板安裝到電子塊(E-block)時,可以有效地防止與電子塊的接觸,可以有效 地防止光波導的損壞或斷路。
本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的制造方法包括以下工序準備金屬支承基板并形 成基底絕緣層、導體布圖和覆蓋絕緣層的工序,所述基底絕緣層形成于所述金屬支 承基板上,所述導體布圖形成于所述基底絕緣層上,所述覆蓋絕緣層形成于所述基 底絕緣層上以覆蓋所述導體布圖;以及在所述金屬支承基板上與所述基底絕緣層、 所述導體布圖和所述覆蓋絕緣層分開另外設置光波導的工序。
根據(jù)本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的制造方法,與磁頭滑塊相比,可以將用于光 輔助法的光波導有更充足的空間形成于金屬支承基板上。因此,可以確保設計上的 自由。

圖1是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一實施方式的平面圖。 圖2是表示沿圖1所示的帶電路的懸掛基板的光波導的剖視圖。 圖3是沿圖1所示的帶電路的懸掛基板的布線部的寬度方向的剖視圖,表示光 波導直接層疊到金屬支承基板的上表面的方式的剖視圖。
圖4是表示圖3所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的剖視圖,左圖是沿圖3
對應的布線部的寬度方向的剖視圖,右圖是沿端子形成部的長邊方向的放大剖視 圖,
(a) 表示準備金屬支承基板的工序;
(b) 表示在金屬支承基板上依次層疊基底絕緣層、導體布圖和覆蓋絕緣層的工
序;
(c) 表示在金屬支承基板上形成光波導的工序;
(d) 表示在端子形成部的金屬支承基板上形成開口部的工序;
(e) 表示切割光波導的工序。
圖5是裝載了磁頭滑塊、磁頭和圖1所示的帶電路的懸掛基板的硬盤驅(qū)動器采 用光輔助法對硬盤進行信息記錄的狀態(tài)的說明圖。
圖6是沿圖1所示的帶電路的懸掛基板的布線部的寬度方向的剖視圖,表示光 波導通過粘合劑層層疊到金屬支承基板的上表面的方式的剖視圖。
圖7是表示圖6所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的剖視圖,
(a) 表示準備金屬支承基板的工序;
(b) 表示在金屬支承基板上依次層疊基底絕緣層、導體布圖和覆蓋絕緣層的工
序;
(c) 表示準備光波導、在下包層的下表面層疊粘合劑層的工序;
(d) 表示將下包層通過粘合劑層粘合到金屬支承基板的上表面的工序。
圖8是沿圖1所示的帶電路的懸掛基板的布線部的寬度方向的剖視圖,表示光 波導設置于第一基底絕緣層及第一覆蓋絕緣層、與第二基底絕緣層及第二覆蓋層之 間的方式。
圖9是沿圖l所示的帶電路的懸掛基板的布線部的寬度方向的剖視圖,表示基 底絕緣層和覆蓋絕緣層分別作為連續(xù)的一個基底絕緣層和覆蓋絕緣層形成的方式 的剖視圖。
具體實施例方式
圖1是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一個實施方式的平面圖,圖2是沿圖 1所示的帶電路的懸掛基板中的光波導的剖視圖,圖3是沿與圖1所示的帶電路的 懸掛基板的布線部的長邊方向正交的方向(以下稱為寬度方向)的剖視圖,表示光波 導直接層疊到金屬支承基板的上表面的方式的剖視圖。另外,圖1和圖2中,為了 明確表示導體布圖13和光波導19的相對配置,省略基底絕緣層12及覆蓋絕緣層 14。
圖1中,該帶電路的懸掛基板1安裝硬盤驅(qū)動器的磁頭(未圖示),用于連接外
部電路基板(例如讀寫基板等)2和磁頭的導體布圖13與金屬支承基板11形成為一 體,該金屬支承基板11用于支承該磁頭,并克服磁頭和磁盤26(參照圖5)相對運 動時的空氣流,與磁盤26之間保持微小的間隔。
該帶電路的懸掛基板1形成為沿長邊方向延伸的平帶形狀,具備配置于長邊方 向的一側(cè)(以下稱為后側(cè))的布線部3、和配置于布線部3的長邊方向的另一側(cè)(以下 稱為前側(cè))的萬向支架部4,并形成一體。
布線部3形成為沿長邊方向延伸的俯視近似矩形的形狀。
萬向支架部4自布線部3的前端起連續(xù)地形成,形成為相對于布線部3向?qū)挾?方向的兩個外側(cè)擴出的俯視近似矩形的形狀。另外,在萬向支架部4上形成有俯視 為向前側(cè)開口的近似U字狀的切口部5。萬向支架部4具備在寬度方向上被切口部 5夾住的舌部6、和配置于切口部5的寬度方向的兩個外側(cè)及舌部6的前端側(cè)的外 伸支架部8,并形成一體。
舌部6形成為俯視近似矩形的形狀,具備裝載部9。
裝載部9是用于裝載磁頭滑塊27(參照圖5)的區(qū)域(圖1的虛線區(qū)域),在俯視 圖中,配置于幾乎遍及整個舌部6,形成為俯視近似矩形的形狀。另外,裝載部9 包括端子形成部10和底座40。
端子形成部10是形成后述的磁頭側(cè)連接端子部17的、成為沿寬度方向延伸的 俯視近似矩形形狀的區(qū)域,配置于裝載部9的前端側(cè)。在端子形成部10中還形成 有開口部7。
開口部7形成為俯視近似矩形的形狀,以在厚度方向上貫通金屬支承基板11, 形成于端子形成部10的寬度方向的中間。另外,在俯視圖中,開口部7以跨過裝 載部9的前端邊緣(端子形成部10的后端邊緣)的形式、在端子形成部10的前端部和外伸支架部8的寬度方向中間的后端部形成。
底座40是為了支承磁頭滑塊27(參照圖5)而設置的,配置于端子形成部10的 后側(cè),具體而言是在裝載部9的遍及長邊方向中間(途中)和后端部配置。底座40 形成為沿寬度方向延伸的俯視近似矩形的形狀。
另外,底座40具備底座基底絕緣層41和形成于底座基底絕緣層41上的底座 導體層42。
底座基底絕緣層41在裝載部9的金屬支承基板11的表面、對應于底座40的 外形形狀而形成。
底座導體層42在底座基底絕緣層41的表面、形成為俯視稍小于底座基底絕緣 層41的相似形狀。
導體布圖13具備外部側(cè)連接端子部16、磁頭側(cè)連接端子部17、以及用于連接 外部側(cè)連接端子部16和磁頭側(cè)連接端子部17的信號布線15,并連續(xù)地形成一體。
各信號布線15沿帶電路的懸掛基板1的長邊方向設置多根(4根),在寬度方向 上相互隔幵間隔并排配置。
多根信號布線15由第一布線15a、第二布線15b、第三布線15c和第四布線 15d形成,這些第一布線15a、第二布線15b、第三布線15c和第四布線15d自寬 度方向的一側(cè)起向?qū)挾确较虻牧硪粋?cè)依次配置。
更具體地說,第一布線15a、第二布線15b、第三布線15c和第四布線15d在 布線部3相互并排延伸地形成。在萬向支架部4中,第一布線15a和第二布線15b(第 一對布線15e)沿寬度方向一側(cè)的外伸支架部8配置,第三布線15c和第四布線 15d(第二對布線15f)沿寬度方向另一側(cè)的外伸支架部8配置。第一布線15a、第二 布線15b、第三布線15c和第四布線15d(第一對布線15e和第二對布線15f)配置為 使得在到了前端側(cè)的外伸支架部8之后,向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)延伸,并再向后側(cè)折返, 到達磁頭側(cè)連接端子部17的前端部。
另外,在布線部3中,第一對布線15e和第二對布線15f相互隔開間隔,分別 配置于布線部3的寬度方向的兩個端部。
此外,第一布線15a和第二布線15b(第一對布線15e)在布線部3中與后述的 發(fā)光元件20隔開間隔配置在寬度方向內(nèi)側(cè),使得在寬度方向內(nèi)側(cè)繞過發(fā)光元件20。
外部側(cè)連接端子部16配置于布線部3的后端部,設置多個(4個),以分別連接 各布線15的后端部。另外,該外部側(cè)連接端子部16在寬度方向上隔開間隔配置。 外部側(cè)連接端子部16還與連接于外部側(cè)連接端子部16的第一布線15a、第二布線15b、第三布線15C和第四布線15d對應,自寬度方向的一側(cè)起向?qū)挾确较虻牧硪?側(cè)依次配置第一外部側(cè)連接端子部16a、第二外部側(cè)連接端子部16b、第三外部側(cè) 連接端子部16c和第四外部側(cè)連接端子部16d。該外部側(cè)連接端子部16連接虛線 所示的外部電路基板2的未圖示的端子部。
磁頭側(cè)連接端子部17配置于萬向支架部4,更具體而言是配置于舌部6的端 子形成部10。磁頭側(cè)連接端子部17設置多個(4個),以分別連接各信號布線15的 前端部。
更具體地說,磁頭側(cè)連接端子部17沿端子形成部10的后端邊緣(裝載部9的 前端邊緣)在寬度方向上相互隔開間隔配置。磁頭側(cè)連接端子部17由對應于與其連 接的第一布線15a、第二布線15b、第三布線15c和第四布線15d的第一磁頭側(cè)連 接端子部17a、第二磁頭側(cè)連接端子部17b、第三磁頭側(cè)連接端子部17c和第四磁 頭側(cè)連接端子部17d形成。另外,第二磁頭側(cè)連接端子部17b、第一磁頭側(cè)連接端 子部17a、第四磁頭側(cè)連接端子部17d和第三磁頭側(cè)連接端子部17c自寬度方向的 一側(cè)起向?qū)挾确较蛄硪粋?cè)依次配置。該磁頭側(cè)連接端子部17連接未圖示的磁頭的 端子部。
然后,如圖3所示,該帶電路的懸掛基板1包括金屬支承基板ll;形成于 金屬支承基板11上的基底絕緣層12;形成于基底絕緣層12上的導體布圖13;及 形成于基底絕緣層12上以覆蓋導體布圖13的覆蓋絕緣層14。
如圖1和圖3所示,金屬支承基板11對應于帶電路的懸掛基板1的外形形狀 而形成。
基底絕緣層12形成為在金屬支承基板11的上表面,使得金屬支承基板11的 周端邊緣露出,并且使其與布線部3和萬向支架部4中的導體布圖13形成的位置對應。
更具體而言,基底絕緣層12形成為長邊方向稍短于金屬支承基板11的平帶形 狀。另外,基底絕緣層12由在寬度方向上相互隔開間隔相對配置的兩個基底絕緣 層形成。
詳細地說,基底絕緣層12具有對應于第一對布線15e形成位置而設置的第一 基底絕緣層12a、和對應于第二對布線15f形成位置而設置的第二基底絕緣層12b。 第一基底絕緣層12a在布線部3和外伸支架部8中,形成于寬度方向的一個端部, 第二基底絕緣層12b與第一基底絕緣層12a隔開間隔配置在寬度方向另一側(cè),形成 于布線部3的寬度方向的另一個端部。而且,基底絕緣層12(第一基底絕緣層12a)配置為確保在金屬支承基板11上 形成后述光波導19的區(qū)域。
此外,基底絕緣層12形成為與后述供給布線30和供給端子部31的形成位置 對應。
導體布圖13配置于布線部3和萬向支架部4,配置為使得在厚度方向上投影 時包含于基底絕緣層12中。S口,第一對布線15e包含于第一基底絕緣層12a中, 第二對布線15f包含于第二基底絕緣層12b中。另外,導體布圖13形成作為在基 底絕緣層12的上表面、具備外部側(cè)連接端子部16及磁頭側(cè)連接端子部17和信號 布線15并連續(xù)地形成一體的布線電路布圖。
覆蓋絕緣層14配置于布線部3和萬向支架部4,配置在基底絕緣層12的上表 面,使得與信號布線15形成的位置對應。另外,覆蓋絕緣層14形成為使得外部側(cè) 連接端子部16和磁頭側(cè)連接端子部17露出,并覆蓋信號布線15。另外,覆蓋絕 緣層14具有與第一對布線15e和第二對布線15f對應的兩個覆蓋絕緣層。
具體而言,覆蓋絕緣層14具有形成于第一基底絕緣層12a上以覆蓋第一對布 線15e的第一覆蓋絕緣層14a、和形成于第二基底絕緣層12b上以覆蓋第二對布線 15f的第二覆蓋絕緣層14b。另外,覆蓋絕緣層14(第一覆蓋絕緣層14a和第二覆蓋 絕緣層14b)的周端邊緣(分別)形成為與基底絕緣層12(第一基底絕緣層12a和第二 基底絕緣層12b)的周端邊緣在俯視圖中大致相同的位置。
詳細地說,布線部3和寬度方向一側(cè)(除去前端部)的外伸支架部8的覆蓋絕緣 層14(第一覆蓋絕緣層14a)的寬度方向的一個側(cè)面在俯視圖中,與第一布線15a在寬 度方向一側(cè)、即第二布線15b相對于第一布線15a的相反側(cè)隔開間隔形成。另外, 前端部的外伸支架部8的覆蓋絕緣層14(第一覆蓋絕緣層14a或第二覆蓋絕緣層14b) 的前端面在俯視圖中,與第一布線15a在第二布線15b相對于第一布線15a的相反 側(cè)(后側(cè)、或與第四布線15d在第三布線15c相對于第四布線15d的相反側(cè))隔開間 隔形成。而且,寬度方向途中(寬度方向一個端部與寬度方向中間之間的部分,但 除去前端部)的外伸支架部8的覆蓋絕緣層14(第一覆蓋絕緣層14a)的寬度方向的另 一個側(cè)面(內(nèi)側(cè)面)在俯視圖中,與第一布線15a在第二布線15b相對于第一布線15a 的相反側(cè)(內(nèi)側(cè))隔開間隔形成。
艮P,覆蓋絕緣層14(第一覆蓋絕緣層14a)的一個側(cè)面(與第一布線15a在寬度方 向上相對配置的第一覆蓋絕緣層14a的一個側(cè)面)與第一布線15a隔開間隔相對配 置。
10另外,布線部3和寬度方向另一側(cè)(除去前端部)的外伸支架部8的覆蓋絕緣層 14(第二覆蓋絕緣層14b)的寬度方向的另一個側(cè)面在俯視圖中,與第四布線15d在 寬度方向另一側(cè)、即第三布線15c相對于第四布線15d的相反側(cè)隔開間隔形成。而 且,寬度方向途中(寬度方向另一個端部與寬度方向中間之間的部分,但除去前端 部)的外伸支架部8的覆蓋絕緣層14(第二覆蓋絕緣層14b)的寬度方向的一個側(cè)面 (內(nèi)側(cè)面)在俯視圖中,與第四布線15d在第三布線15c相對于第四布線15d的相反 側(cè)(內(nèi)側(cè))隔開間隔形成。
艮口,覆蓋絕緣層14(第二覆蓋絕緣層14b)的另一個側(cè)面(與第四布線15d在寬度 方向上相對配置的第二覆蓋絕緣層14b的另一個側(cè)面)與第四布線15d隔開間隔相 對配置。
而且,如圖1所示,該帶電路的懸掛基板1具備用于光輔助法的光輔助部18。 光輔助部18在金屬支承基板11上與上述基底絕緣層12、導體布圖13和覆蓋
絕緣層14分開另外獨立地設置。光輔助部18包括光波導(第一波導)19和發(fā)光元件20。
如圖1和圖3所示,光波導19配置于布線部3和萬向支架部4,在金屬支承 基板11的上表面與基底絕緣層12、導體布圖13和覆蓋絕緣層14分開另外獨立地 設置。即,光波導19沿導體布圖13延伸的方向延伸,與基底絕緣層12及覆蓋絕 緣層14隔開間隔配置。
另外,光波導19形成為與第一布線15a并行延伸。詳細地說,光波導19在第 一基底絕緣層12a和第一覆蓋絕緣層14a的一側(cè)、即第二基底絕緣層12b和第二覆 蓋絕緣層14b相對于第一基底絕緣層12a和第一覆蓋絕緣層14a的相反側(cè),隔開間 隔配置。
更具體地說,光波導19在布線部3及寬度方向一側(cè)的外伸支架部8中,與基 底絕緣層12(第一基底絕緣層12a)及覆蓋絕緣層14(第一覆蓋絕緣層14a)的寬度方 向的一個側(cè)面(與第一布線15a的寬度方向一側(cè)相對配置的第一基底絕緣層12a和 第一覆蓋絕緣層14a的寬度方向的一個側(cè)面)在寬度方向一側(cè)隔開間隔配置。另外, 光波導19在前端部的外伸支架部8中,與基底絕緣層12(第一基底絕緣層12a)及 覆蓋絕緣層14(第一覆蓋絕緣層14a)的前端面在前側(cè)隔開間隔配置。
而且,光波導19在寬度方向途中的外伸支架部8中,與基底絕緣層12(第一 基底絕緣層12a)及覆蓋絕緣層14(第一覆蓋絕緣層14a)的寬度方向的另一個側(cè)面 (內(nèi)側(cè)面)在寬度方向另一側(cè)(內(nèi)偵i」)隔開間隔配置。
11艮口,光波導19配置為與第一布線15a(和第一基底絕緣層12a及第一覆蓋絕緣 層14a的一個側(cè)面)并行延伸,在前端側(cè)的外伸支架部8向后側(cè)折返后,沿萬向支 架部4的寬度方向中間延伸,并到達開口部7。
而且,光波導19與發(fā)光元件20及后述的第二光波導34(參照圖5)光學連接。 更具體地說,光波導19的后端與發(fā)光元件20連接,同時其前端面對開口部7,并 且在安裝磁頭滑塊27時,與磁頭滑塊27的第二光波導34光學連接。
發(fā)光元件20是用于使光入射到光波導19的光源,例如是將電能轉(zhuǎn)換為光能、 并發(fā)射出高能光的光源。該發(fā)光元件20配置于金屬支承基板11的后端側(cè),更具體 地說是位于布線部3的后端側(cè),與外部側(cè)連接端子部16在前側(cè)隔開間隔配置,與 信號布線15(第一布線15a)在寬度方向一側(cè)隔開間隔配置。該發(fā)光元件20形成于 金屬支承基板ll上。
另外,該發(fā)光元件20與用于提供電能給發(fā)光元件20的供給布線30連接,該 供給布線30與用于連接外部電路基板2的未圖示的端子部的供給端子部31連接。 此外,供給布線30在發(fā)光元件20的后端側(cè)沿信號布線15(第一布線15a)延伸,供 給端子部31與外部側(cè)連接端子部16(第一外部側(cè)連接端子部16a)在寬度方向一側(cè) 隔開間隔配置。供給布線30和供給端子部31都形成于基底絕緣層12上,供給布 線30被覆蓋絕緣層14覆蓋,供給端子部31從覆蓋絕緣層14露出。
該光輔助部18的發(fā)光元件20中,將從外部電路基板2通過供給端子部31及 供給布線30提供的電能轉(zhuǎn)換為光能,將該光出射到光波導19。出射光通過光波導 19,在下文所述的端面21反射,入射到磁頭滑塊27的第二光波導34(參照圖5)。
另外,如圖5所示,光波導19的前端部的端面21形成為例如與光波導19的 長邊方向以預定角度(傾斜角)a交叉。從而,由于光波導19形成為其端面21具有 傾斜角a的鏡面,所以入射到光波導19的光利用端面21以預定角度進行光路變換, 光路變換后的光向第二光波導34的入口(后述)照射。這種傾斜角a無特別限定, 例如為35 55° ,較好的是40 50。,更具體的是45。。
而且,如圖3所示,在該帶電路的懸掛基板l中,光波導19直接設置于金屬 支承基板ll的上表面。
這種光波導19包括下包層22;形成于下包層22上的芯層;以及形成于下
包層22上、以覆蓋芯層23的上包層24。
此外,如圖1和圖5所示,光波導19的面對開口部7的部分(包括端面21的 部分)從金屬支承基板ll的開口部7露出。如圖3所示,下包層22直接層疊在金屬支承基板11的上表面。
上包層24形成為其寬度方向兩個外側(cè)端部邊緣與下包層22的寬度方向兩個外 側(cè)端部邊緣在俯視圖中為同一位置。
圖4是表示圖3所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的剖視圖,左圖是沿圖3 對應的布線部的寬度方向的剖視圖,右圖是沿端子形成部的長邊方向的放大剖視 圖,
接著,參照圖4,對該帶電路的懸掛基板l的制造方法進行說明。
首先,在該方法中,如圖4(a)所示,準備金屬支承基板ll。
金屬支承基板11由不銹鋼、42號合金、鋁、銅一鈹、磷青銅等金屬材料形成。
金屬支承基板11的厚度例如為15 30微米,較好的是20 25微米。
接下來,在本方法中,如圖4(b)所示,在金屬支承基板11上依次層疊基底絕
緣層12、導體布圖13和覆蓋絕緣層14。
為了依次層疊基底絕緣層12、導體布圖13和覆蓋絕緣層14,首先在金屬支承
基板11的上表面形成基底絕緣層12?;捉^緣層12與底座基底絕緣層41(參照圖
l)同時形成。
基底絕緣層12和底座基底絕緣層41由例如聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、 丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙 二醇酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂等絕緣材料形成。較好的是由聚酰亞胺樹脂 形成。
為了形成基底絕緣層12及底座基底絕緣層41,例如在金屬支承基板11的上 表面,涂覆具有感光性的上述絕緣材料的清漆,干燥后,通過光掩膜進行曝光、顯 影,然后根據(jù)需要使其固化。
通過這樣形成的基底絕緣層12及底座基底絕緣層41的厚度例如為2 40微 米,較好的是3 20微米。
然后,按照上述布圖形成導體布圖13。導體布圖13與底座導體層42(參照圖 l)同時形成。
作為形成導體布圖13及底座導體層42的導體材料,使用例如銅、鎳、金、焊 錫或者這些材料的合金等導體材料。
為了形成導體布圖13及底座導體層42,采用例如加成法(additivemethod)、減 成法(subtractive method)等公知的布圖形成法。較好的是采用加成法。
通過這樣形成的導體布圖13及底座導體層42的厚度例如為2 35微米,較好的是3 20微米。另外,各信號布線15的寬度例如為10 200微米,較好的是20 100微米,各信號布線15間的間隔例如為10 1000微米,較好的是20 100微米。 另外,各外部側(cè)連接端子部16及各磁頭側(cè)連接端子部17的寬度例如為20 1000 微米,較好的是30 800微米,各外部側(cè)連接端子部16間的間隔及各磁頭側(cè)連接 端子部17間的間隔例如為20 1000微米,較好的是30 800微米。
為了按照上述布圖形成覆蓋絕緣層14,例如在包含導體布圖13和基底絕緣層 12的金屬支承基板11的上表面,涂覆具有感光性的上述絕緣材料的清漆,干燥后, 通過光掩膜進行曝光、顯影,然后根據(jù)需要使其固化。
通過這樣形成的覆蓋絕緣層14的厚度例如為2 30微米,較好的是3 20微米。
從而,可以在金屬支承基板11上依次層疊基底絕緣層12、導體布圖13和覆 蓋絕緣層14。
此外,基底絕緣層12、導體布圖13和覆蓋絕緣層14的厚度T2、即自金屬支 承基板11的上表面起到覆蓋絕緣層14為止的厚度T2例如為7 100微米,較好 的是10 50微米。
同時,還可以形成具有底座基底絕緣層41及底座導體層42的底座40。此外, 利用上述同樣方法,在形成上述導體布圖13的同時,同時形成供給布線30和供給 端子部31。
接下來,在本方法中,如圖4(c)所示,在金屬支承基板11上與基底絕緣層12、 導體布圖13和覆蓋絕緣層14分開另外設置光波導19。
艮口,在本方法中,將光波導19與基底絕緣層12、導體布圖13和覆蓋絕緣層 14分開另外獨立,在從基底絕緣層12及覆蓋絕緣層14露出的金屬支承基板11的 上表面,直接形成光波導19。
具體而言,在金屬支承基板11上依次層疊下包層22、芯層23和上包層24, 從而形成光波導19。
為了依次層疊下包層22、芯層23和上包層24,首先在金屬支承基板ll的上 表面形成下包層22。
作為形成下包層22的材料,使用例如聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、有機硅樹 脂、環(huán)氧樹脂(脂環(huán)式環(huán)氧樹脂等)、丙烯酸樹脂、或芴衍生物樹脂、以及芴衍生物 樹脂與脂環(huán)式環(huán)氧樹脂的混合樹脂、這些樹脂與脂環(huán)式醚化合物(例如氧雜環(huán)丁垸 化合物等)的混合樹脂。這些樹脂較好的是與感光劑混合,作為感光性樹脂使用。較好的是使用感光性芴衍生物樹脂(作為原料是感光性芴類環(huán)氧樹脂)和脂環(huán)式環(huán) 氧樹脂的混合樹脂。另外,作為感光劑,使用例如公知的錫"鹽等,更具體的是使用 4,4-雙[二(p羥基乙氧基)苯基硫鎩、]苯硫醚一雙一六氟銻酸鹽等。
為了按照上述布圖形成下包層22,例如用公知的稀釋劑調(diào)制上述樹脂的清漆 (樹脂溶液),在金屬支承基板11的上表面涂覆該清漆后,進行干燥,根據(jù)需要使 其固化。另外,在使用感光性樹脂的情況下,在清漆涂覆及干燥后,通過光掩膜進 行曝光,利用公知的有機溶劑等使未曝光的部分溶解,從而顯影,然后根據(jù)需要使 其固化。
通過這樣形成的下包層22的折射率例如為1.45 1.55。另外,下包層22的厚 度例如為1 35微米,較好的是2 15微米,寬度例如為20 200微米,較好的是 30 100微米。
接下來,在下包層22的上表面形成芯層23。
作為形成芯層23的材料,使用折射率高于下包層22的樹脂材料的樹脂材料。 作為這種樹脂材料,使用例如與上述相同的樹脂,較好的是使用感光性芴衍生物樹 脂(作為原料是感光性芴類環(huán)氧樹脂)和氧雜環(huán)丁烷化合物的混合樹脂。
為了按照上述布圖形成芯層23,例如用公知的稀釋劑調(diào)制上述樹脂的清漆(樹 脂溶液),在包含下包層22的金屬支承基板11的上表面涂覆該清漆后,進行干燥, 根據(jù)需要使其固化。另外,在使用感光性樹脂的情況下,在清漆涂覆及干燥后,通 過光掩膜進行曝光,利用公知的有機溶劑等使未曝光的部分溶解,從而顯影,然后 根據(jù)需要使其固化。
通過這樣形成的芯層23的折射率設定為高于下包層22的折射率,例如為 1.55 1.65。另夕卜,芯層23的厚度例如為1 20微米,較好的是2 15微米,寬度 例如為1 30微米,較好的是2 20微米。
接下來,在下包層22的上表面形成上包層24,以覆蓋芯層23。 作為形成上包層24的材料,使用與上述下包層22相同的樹脂材料。 為了按照上述布圖形成上包層24,例如用公知的稀釋劑調(diào)制上述樹脂的清漆 (樹脂溶液),在包含芯層23及下包層22的金屬支承基板11的上表面涂覆該清漆 后,進行干燥,根據(jù)需要使其固化。另外,在使用感光性樹脂的情況下,在清漆涂 覆及干燥后,通過光掩膜進行曝光,利用公知的有機溶劑等使未曝光的部分溶解, 從而顯影,然后根據(jù)需要使其固化。
通過這樣形成的上包層24的折射率設定為低于芯層23的折射率,例如設定為與下包層22的折射率相同。另外,上包層24的自芯層23的上表面起的厚度例如 為1 25微米,較好的是2 15微米,寬度例如為20 200微米,較好的是30 100微米。
這樣,通過在金屬支承基板11上依次層疊下包層22、芯層23和上包層24, 可以將具備它們的光波導19與基底絕緣層12、導體布圖13及覆蓋絕緣層14分開 另外設置。
另外,光波導19的厚度Tl例如比上述基底絕緣層12、導體布圖13及覆蓋絕 緣層14的厚度之和(具體而言是自金屬支承基板11的上表面起到覆蓋絕緣層14的 上表面為止的厚度)要薄。
艮口,光波導19的上表面低于覆蓋絕緣層14的上表面。
詳細地說,自金屬支承基板11的上表面起到光波導19(上包層24)的上表面為 止的厚度Tl、比自金屬支承基板11的上表面起到覆蓋絕緣層14的上表面為止的 厚度T2要薄。
具體而言,光波導19的厚度T1例如為3 80微米,較好的是6 40微米。 另外,帶電路的懸掛基板1中的光波導19形成區(qū)域的厚度(金屬支承基板11 和光波導19的厚度之和)例如為80微米以下,較好的是50微米以下,通常為18
微米以上。
然后,在本方法中,如圖4(d)所示,在端子形成部10的金屬支承基板11上形 成開口部7。
為了形成開口部7,通過例如鉆頭等打孔、例如通過干法刻蝕、濕法刻蝕等刻 蝕等形成。較好的是通過刻蝕形成。
該開口部7形成為與光波導19的前端部在厚度方向上重疊,更具體地說,是 在寬度方向上,使得光波導19的前端部配置于開口部7的中間,在長邊方向上, 使得光波導19的前端部配置于開口部7的前側(cè)一半的位置。
通過這樣形成的開口部7的寬度例如為50 500微米,較好的是100 200微 米,長度(長邊方向長度)例如為50 500微米,較好的是100 200微米。
接下來,在本方法中,如圖4(e)所示,從開口部7—側(cè)開始,通過激光加工, 切割光波導19的前端部,使得光波導19的前端部的端面21與長邊方向交叉。
對于激光加工,如圖4(e)的虛線所示,以與長邊方向交叉預定角度的方式,將 通過開口部7的激光從開口部7 —側(cè)(厚度方向下側(cè))開始照射光波導19,從而切割 光波導19一次。
16從而,通過從開口部7 —側(cè)進行激光加工,可以切割光波導19,使得光波導 19的前端部的端面21與長邊方向交叉。
然后,在布線部3的后端側(cè),在金屬支承基板ll的上表面直接或通過公知的 粘合劑層設置發(fā)光元件20,使其與光波導19的后端光學連接,與供給布線30的 前端電連接。從而獲得帶電路的懸掛基板l。
然后,在通過這樣獲得的帶電路的懸掛基板1中,如圖1和圖2的虛線所示, 在布線部3,外部側(cè)連接端子部16及供給端子部31與外部電路基板2的未圖示的 端子部連接。另外,在該外部電路基板2上安裝有用于控制磁頭和發(fā)光元件20的 IC32,該IC32通過IC布線33,與連接外部側(cè)連接端子部16及供給端子部31的 端子部電連接。
另外,如圖1和圖5所示,在帶電路的懸掛基板l上,在萬向支架部4的裝載 部9中裝載有磁頭滑塊27。具體而言,在底座40(底座導體層42)的上表面裝載磁 頭滑塊27。
磁頭滑塊27具備滑塊主體29、和設置于其前端部的第二光波導34及近場光 產(chǎn)生構(gòu)件35,并形成一體。
第二光波導34是為了使得從光波導19的端面21出射的光入射到近場光產(chǎn)生 構(gòu)件35而設置的。第二光波導34沿帶電路的懸掛基板1的厚度方向(帶電路的懸 掛基板1的光波導19的端面21與硬盤26相對的方向)形成,下端(入口)與光波導 19的端面21在厚度方向上隔開間隔相對配置,上端(出口)與下面說明的近場光產(chǎn) 生構(gòu)件35連接。
近場光產(chǎn)生構(gòu)件35是為了使得從第二光波導34的上端出射的光(傳播光)產(chǎn)生 近場光,并將該近場光照射到硬盤26的表面,加熱硬盤26的表面的微小區(qū)域而設 置的。近場光產(chǎn)生構(gòu)件35與硬盤26的表面在厚度方向上隔開微小間隔相對配置。 這種近場光產(chǎn)生構(gòu)件35由金屬散射體或開口等形成,使用例如日本專利特開 2007-280572號公報、日本專利特開2007-052918號公報、日本專利特開2007-207349 號公報、日本專利特開2008-130106號公報等記載的公知的近場光產(chǎn)生裝置。
另外,在磁頭滑塊27上安裝有未圖示的磁頭。通過磁頭安裝,將磁頭的未圖 示的端子部與磁頭側(cè)連接端子部17電連接。
因此,在裝載有這種磁頭、磁頭滑塊27、帶電路的懸掛基板1及外部電路基 板2的硬盤驅(qū)動器中,可以采用光輔助法。
在該硬盤驅(qū)動器中,例如硬盤26與近場光產(chǎn)生構(gòu)件35及磁頭相對地移動。因此,從發(fā)光元件20出射的光通過光波導19,在其端面21,光路變換為向上方,然
后引入到第二光波導34,近場光產(chǎn)生構(gòu)件35產(chǎn)生的近場光照射到與近場光產(chǎn)生構(gòu) 件35的上側(cè)相對的硬盤26的表面。然后,通過來自近場光產(chǎn)生構(gòu)件35的近場光 的照射,硬盤26的表面被加熱,在此狀態(tài)下,通過來自磁頭的磁場照射,對硬盤 26進行信息記錄。這樣,由于硬盤26的矯頑力減小,所以可以通過小磁場的照射, 對該硬盤26進行高密度的信息記錄。
而且,在該帶電路的懸掛基板1上,用于光輔助法的光波導19在金屬支承基 板11上與基底絕緣層12、導體布圖13和覆蓋絕緣層14分開另外設置。因此,與 小于帶電路的懸掛基板1而形成的磁頭滑塊27相比,能有更充足的空間形成用于 光輔助法的光波導19。
尤其是由于光波導19設置于與磁頭滑塊27相比有更充足空間的金屬支承基板 11的上表面,因此,可以確保設計上的自由,能夠提高制造效率,并且可以力圖 降低制造成本。
另外,由于光波導19在金屬支承基板11上與基底絕緣層12和覆蓋絕緣層14 分開另外設置,所以可以力圖實現(xiàn)帶電路的懸掛基板l、尤其是帶電路的懸掛基板 1中的光波導19形成區(qū)域的薄型化。具體而言,可以使光波導19的上表面低于覆 蓋絕緣層14的上表面。
因此,在將該帶電路的懸掛基板1安裝到電子塊(未圖示)時,由于光波導19 被覆蓋絕緣層14保護(防護),所以可以有效地防止光波導19與電子塊的接觸,可 以有效地防止光波導19的損壞或斷路。
另外,由于該帶電路的懸掛基板1具備發(fā)光元件20,該發(fā)光元件20與光波導 19光學連接,因此可以在金屬支承基板11的上表面一起設置發(fā)光元件20和光波 導19。因此,可以提高光學連接的可靠性,可以確實實施光輔助法。
另外,由于該帶電路的懸掛基板1具備裝載部9,因此可以確實地裝載磁頭滑 塊27。
另外,該帶電路的懸掛基板1的發(fā)光元件20配置于帶電路的懸掛基板1的后 端側(cè)、即布線部3的后端側(cè),裝載部9配置于帶電路的懸掛基板1的前端側(cè)、即萬 向支架部4的舌部6。因此,可以確實地確保發(fā)光元件20及磁頭滑塊27的布局在 設計上的自由。
此外,在上述說明中,是將光波導19與基底絕緣層12及覆蓋絕緣層14隔開 間隔設置,例如雖然未圖示,但也可以與基底絕緣層12及覆蓋絕緣層14相鄰設置,即,在這種情況下,基底絕緣層12及覆蓋絕緣層14的一個側(cè)面與光波導19的另 一個側(cè)面接觸。
另外,上述說明中,是在帶電路的懸掛基板1上設置了一條光波導19,但其 數(shù)量沒有特別限定,例如雖然未圖示,但也可以根據(jù)帶電路的懸掛基板1的用途及 目的,設置多條光波導19。
另外,在上述圖4(b)和圖4(c)所示的、帶電路的懸掛基板l的制造方法中,是 首先形成基底絕緣層12、導體布圖13和覆蓋絕緣層14,然后形成光波導19,但 它們的形成順序沒有特別限定,例如雖然未圖示,但也可以首先參照圖4(c)那樣, 在金屬支承基板11的上表面形成光波導10,然后參照圖4(b)那樣,在從光波導19 露出的金屬支承基板11的上表面形成基底絕緣層12、導體布圖13和覆蓋絕緣層 14。
另外,上述說明中,是設置了上包層24以覆蓋芯層23,例如雖然未圖示,但 也可以不設置上包層24,使芯層23露出,S卩,使其暴露于空氣中,即所謂空氣包 層。從防止芯層23因外部原因而損壞的觀點來看,較好的是設置上包層24。
還可以設置由金屬薄層形成的光反射層,以代替下包層22或上包層24。
圖6是沿圖l所示的帶電路的懸掛基板的布線部的寬度方向的剖視圖,表示光 波導通過粘合劑層層疊到金屬支承基板的上表面的方式的剖視圖,圖7是表示圖6 所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的剖視圖。此外,對于與上述各部分對應的構(gòu) 件,在這之后的各圖中采用同一參考標號,省略其詳細說明。
在上述說明中,是將光波導19直接設置于金屬支承基板11的上表面,但例如 也可以通過粘合劑層25設置于金屬支承基板11的上表面。
圖6中,粘合劑層25在厚度方向上介于金屬支承基板11和下包層22之間。 即,粘合劑層25與金屬支承基板11的上表面和下包層22的下表面接觸。
另外,粘合劑層25的俯視形狀形成為與光波導19的俯視形狀大致相同。艮卩, 粘合劑層25的周端邊緣形成為與光波導19(下包層22)的周端邊緣(寬度方向兩端邊 緣和長邊方向兩端邊緣)在俯視圖中大致同一位置。
為了制造該帶電路的懸掛基板l,首先如圖7(a)所示,準備金屬支承基板ll, 然后如圖7(b)所示,在金屬支承基板11上依次層疊基底絕緣層12、導體布圖13 和覆蓋絕緣層14。
如圖7(c)所示,分開另外準備光波導19。
為了準備光波導19,在未圖示的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)片材等脫模片材上
19依次層疊下包層22、芯層23及上包層24。然后,將光波導19從脫模片材剝下。
為了依次層疊下包層22、芯層23及上包層24,首先在脫模片材上形成下包層 22。為了形成下包層22,例如調(diào)制上述樹脂的清漆(樹脂溶液),將該清漆涂覆在脫 模片材的上表面后,進行干燥,根據(jù)需要使其固化。
接下來,在下包層22上形成芯層23。為了形成芯層23,例如調(diào)制上述樹脂的 清漆(樹脂溶液),將該清漆涂覆在包含下包層22的脫模片材的上表面后,進行干 燥,根據(jù)需要使其固化。
接下來,在下包層22上形成上包層24,以覆蓋芯層23。為了形成上包層24, 例如調(diào)制上述樹脂的清漆(樹脂溶液),將該清漆涂覆在包含芯層23和下包層22的 脫模片材的上表面后,進行干燥,根據(jù)需要使其固化。
通過這樣在脫模片材上依次層疊下包層22、芯層23及上包層24,可以準備包 括這些部分的光波導19。
接下來,在本方法中,如圖7(c)的箭頭和圖7(d)所示,在金屬支承基板11上 通過粘合劑層25粘合光波導19。具體而言,將下包層22通過粘合劑層25粘合到 金屬支承基板ll。
為了在金屬支承基板11上通過粘合劑25粘合光波導19,如圖7(c)所示,首 先在下包層22的下表面層疊(粘著)粘合劑層25。作為形成粘合劑層25的粘合劑沒 有特別限定,可以使用例如聚酰亞胺類粘合劑、環(huán)氧類粘合劑等。
設定粘合劑層25的厚度,使得光波導19的上表面低于覆蓋絕緣層14的上表 面。具體而言,粘合劑層25的厚度為例如3 30微米,較好的是5 20微米。
然后,如圖7(d)所示,使粘合劑層25與金屬支承基板11的上表面接觸。
從而,可以將下包層22通過粘合劑層25粘合到金屬支承基板11, g卩,可以 將光波導19通過粘合劑層25粘合到金屬支承基板11的上表面。
這樣,將光波導19通過粘合劑層25粘合到金屬支承基板11的上表面,從而 可以簡便地在金屬支承基板11的上表面設置光波導19。因此,可以力圖降低制造 成本。
此外,在上述圖7(c)所示的帶電路的懸掛基板l的制造方法中,是將粘合劑層 25首先層疊到下包層22的下表面,例如雖然未圖示,但也可以將粘合劑層25首 先層疊到金屬支承基板11的上表面,然后利用粘合劑層25將下包層22粘合到金 屬支承基板ll上。
另外,在上述說明中,是通過粘合劑層25粘合光波導19,例如雖然未圖示,但在下包層22具有粘合力的情況下,也可以不設置粘合劑層25。 g卩,下包層22
兼作為粘合劑層。
在這種情況下,作為形成下包層22的材料,較好的是用聚酰亞胺樹脂,另外, 作為形成芯層23及上包層24的材料,從它們與下包層22的附著性的觀點來看, 較好的是使用聚酰亞胺樹脂。
然后,為了將下包層22粘合到金屬支承基板11的上表面,參照圖7(c)和圖 7(d),例如將下包層22熱壓接到金屬支承基板11的上表面。
圖8是沿圖I所示的帶電路的懸掛基板的布線部的寬度方向的剖視圖,表示光 波導設置于第一基底絕緣層及第一覆蓋絕緣層、與第二基底絕緣層及第二覆蓋層絕 緣之間的方式。
在上述說明中,是將光波導19設置于第一基底絕緣層12a及第一覆蓋絕緣層 14a的一側(cè),但光波導19的配置只要是在金屬支承基板11的上表面中、基底絕緣 層12及覆蓋絕緣層14的形成部分以外的區(qū)域即可,沒有特別限定。例如,如圖8 所示,也可以設置于第一基底絕緣層12a及第一覆蓋絕緣層14a、與第二基底絕緣 層12b及第二覆蓋絕緣層14b之間。
圖8中,光波導19在布線部3中,在俯視圖中形成于第一基底絕緣層12a及 第一覆蓋絕緣層14a、與第二基底絕緣層12b及第二覆蓋絕緣層14b之間的寬度方 向大致中間(途中)。即,光波導19與第一基底絕緣層12a及第一覆蓋絕緣層14a、 以及與第二基底絕緣層12b及第二覆蓋絕緣層14b,分別隔開間隔形成。
通過這樣將光波導19設置于第一基底絕緣層12a及第一覆蓋絕緣層14a、與 第二基底絕緣層12b及第二覆蓋絕緣層14b之間,即使在第一基底絕緣層12a及第 一覆蓋絕緣層14a的一側(cè)沒有充足空間的情況下,也可以在它們之間設置光波導 19。
因此,可以進一步提高光波導19的設計的自由度。
另外,雖然未圖示,但也可以將光波導19設置于第二基底絕緣層12b及第二 覆蓋絕緣層14b的另一側(cè)、即第二基底絕緣層12b及第二覆蓋絕緣層14b相對于第 一基底絕緣層12a及第一覆蓋絕緣層14a的相反側(cè)。
另外,上述說明中,是由兩個基底絕緣層形成基底絕緣層12,由兩個覆蓋絕 緣層形成覆蓋絕緣層14,但也可以例如圖9所示,將基底絕緣層12作為連續(xù)的一 個基底絕緣層形成,使得在厚度方向投影時包含全部四根布線15,將覆蓋絕緣層 14作為連續(xù)的一個覆蓋絕緣層形成,使其覆蓋全部四根布線15。實施例
下面表示實施例,進一步具體說明本發(fā)明,但本發(fā)明不限于任何實施例。 實施例l(光波導直接層疊到金屬支承基板的上表面的方式) 準備厚度為20微米的由不銹鋼形成的金屬支承基板(參照圖4(a))。
然后,在金屬支承基板上按照上述布圖,同時形成由聚酰亞胺樹脂形成的基底 絕緣層及底座基底絕緣層。即,形成具有在寬度方向上相互隔開間隔相對配置的第 一基底絕緣層和第二基底絕緣層的基底絕緣層?;捉^緣層及底座基底絕緣層的厚
度為15微米。
然后,利用加成法,同時形成由銅構(gòu)成的導體布圖、底座導體層、供給布線和 供給端子部。g卩,在第一基底絕緣層上形成第一對布線,在第二基底絕緣層上形成
第二對布線。它們的厚度為12微米。
然后,在基底絕緣層上按照上述布圖,形成由聚酰亞胺樹脂形成的覆蓋絕緣層。 即,在第一基底絕緣層上形成第一覆蓋絕緣層以覆蓋第一對布線,在第二基底絕緣 層上形成第二覆蓋絕緣層以覆蓋第二對布線。覆蓋絕緣層的厚度為8微米。從而, 在金屬支承基板上依次層疊基底絕緣層、導體布圖和覆蓋絕緣層(參照圖4(b))。此 外,是這樣配置基底絕緣層和覆蓋絕緣層,以確保在之后的工序中形成的光波導的 形成區(qū)域。
另外,自金屬支承基板的上表面起到覆蓋絕緣層的上表面為止的厚度(T2)為35 微米。
然后,在金屬支承基板上形成光波導。為了形成光波導,首先形成下包層。 為了按照上述布圖形成下包層,首先,將35重量份的雙苯氧基乙醇芴二縮水 甘油醚(芴衍生物,環(huán)氧基當量為300g/eq.)、 25重量份的具有環(huán)己烯化氧骨架的脂 環(huán)式環(huán)氧樹脂(celloxide2081,大賽璐(Diacel)化學公司制)、2重量份的4,4-雙[二((3 羥基乙氧基)苯基硫鎩"]苯硫醚一雙一六氟銻酸鹽(感光劑)的50%碳酸亞丙酯溶液和 40重量份的3,4-環(huán)氧環(huán)亞己基甲基-3,4-環(huán)氧環(huán)亞己基羧酸酯(稀釋劑,脂環(huán)式環(huán)氧 化物,celloxide2021P,大賽璐(Diacel)化學公司帝U)混合,調(diào)制清漆。然后,將該清 漆涂覆到金屬支承基板的上表面,通過在8(TC下加熱15分鐘,進行干燥。之后,
通過光掩膜進行曝光,利用Y-丁內(nèi)酯類有機溶劑使未曝光部分溶解,從而顯影。然 后,通過在IO(TC下加熱15分鐘使其固化,從而在金屬支承基板的上表面形成下包層。
該下包層(固化后的下包層)在波長830納米處的折射率為1.540。下包層的厚度為IO微米,寬度為30微米。
接下來,在下包層的上表面形成芯層。
為了按照上述布圖形成芯層,首先,將70重量份的雙苯氧基乙醇芴二縮水甘 油醚(芴衍生物,環(huán)氧基當量為300g/eq.)、 30重量份的1,1,1-三{4-[2-(3-氧雜環(huán)丁 垸基)]丁氧基苯基}乙垸(氧雜環(huán)丁烷化合物)、l重量份的4,4-雙[二(p羥基乙氧基) 苯基硫鎩1苯硫醚一雙一六氟銻酸鹽(感光劑)的50%碳酸亞丙酯溶液和30重量份的 乳酸乙酯(稀釋劑)混合,調(diào)制清漆。然后,將該清漆涂覆到包含下包層的金屬支承 基板的上表面,通過在8(TC下加熱15分鐘,進行干燥。之后,通過光掩膜進行曝
光,利用Y-丁內(nèi)酯類的有機溶劑使未曝光部分溶解,從而顯影。然后,通過在ioo 'C下加熱15分鐘使其固化,從而在下包層上形成芯層。
該芯層(固化后的芯層)在波長830納米處的折射率為1.594。另外,芯層的厚 度為5微米,寬度為5微米。
接下來,在下包層的上表面形成上包層,以覆蓋芯層。
為了按照上述布圖形成上包層,首先調(diào)制與用于形成上述下包層的清漆同樣的 清漆,然后將該清漆涂覆到包含芯層及下包層的金屬支承基板的上表面,通過在 8(TC下加熱15分鐘,進行干燥。之后,通過光掩膜進行曝光,利用Y-丁內(nèi)酯類的 有機溶劑使未曝光部分溶解,從而顯影。然后,通過在IOO'C下加熱15分鐘使其 固化,從而在下包層上形成上包層,以覆蓋芯層。
該上包層(固化后的上包層)在波長830納米處的折射率為1.540。上包層的自 芯層上表面起的厚度為10微米,寬度為30微米。
從而,將光波導與基底絕緣層及覆蓋絕緣層隔開間隔,在金屬支承基板的上表 面上直接形成(參照圖4(c))。詳細地說,將光波導形成于第一基底絕緣層及第一覆 蓋絕緣層的一側(cè),并與之隔開間隔。
此外,光波導的厚度(自金屬支承基板的上表面起到上包層的上表面為止的厚 度)(T1)為25微米。S卩,光波導的上表面低于覆蓋絕緣層的上表面。
然后,通過濕法刻蝕,在端子形成部的金屬支承基板上形成俯視為矩形形狀的 開口部(參照圖4(d))。該開口部的寬度為IOO微米,長度為100微米。
然后,通過從開口部側(cè)進行激光加工,切割光波導,使得光波導的前端部的端 面與長邊方向交叉(參照圖4(e))。通過該切割而形成的端面的傾斜角為45。。
然后,在該帶電路的懸掛基板的布線部的后端側(cè),在金屬支承基板的上表面設 置發(fā)光元件,使其與光波導的后端光學連接,與供給布線的前端電連接。實施例2(光波導通過粘合劑層層疊到金屬支承基板的上表面的方式) 分開另外準備光波導,然后將光波導通過粘合劑層粘合到金屬支承基板的上表
面,除此之外其它都與實施例1相同,從而制造帶電路的懸掛基板(參照圖6和圖7)。
艮P,在準備光波導的工序中,對PET片材依次層疊下包層、芯層和上包層(參 照圖7(c))。
具體而言,首先,在PET片材的上表面涂覆與實施例l相同的下包層的清漆, 進行與實施例1相同的處理,在PET片材的上表面形成下包層。
然后,在包含下包層的PET片材的上表面涂覆與實施例1相同的芯層的清漆, 進行與實施例l相同的處理,在下包層上形成芯層。
然后,在包含芯層及下包層的PET片材的上表面涂覆與實施例1相同的上包 層的清漆,進行與實施例l相同的處理,在下包層上形成上包層,以覆蓋芯層。
之后,將光波導從脫模片材剝下,然后在下包層的下表面層疊由環(huán)氧類粘合劑 形成的厚度為8微米的粘合劑層。
然后,將下包層通過粘合劑層粘合到金屬支承基板的上表面(參照圖7(d))。
此外,光波導的厚度與粘合劑層的厚度之和、即自金屬支承基板的上表面起到 上包層的上表面為止的厚度(T1)為33微米。
另外,上述說明提供了作為本發(fā)明例舉的實施方式,但這只是單純的例舉,并 非限定性的解釋。對于該技術領域的從業(yè)人員明顯是本發(fā)明的變形例,包含在后述 的權利要求書范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種帶電路的懸掛基板,其特征在于,包括金屬支承基板;形成于所述金屬支承基板上的基底絕緣層;形成于所述基底絕緣層上的導體布圖;形成于所述基底絕緣層上以覆蓋所述導體布圖的覆蓋絕緣層;以及光波導,所述光波導在所述金屬支承基板上與所述基底絕緣層、所述導體布圖及所述覆蓋絕緣層分開另外設置。
2. 如權利要求l所述的帶電路的懸掛基板,其特征在于, 所述光波導的上表面低于所述覆蓋絕緣層的上表面。
3. 如權利要求1所述的帶電路的懸掛基板,其特征在于, 所述光波導包括下包層;形成于所述下包層上的、折射率高于所述下包層的芯層;以及 形成于所述下包層上以覆蓋所述芯層的、折射率低于所述芯層的上包層, 所述下包層直接層疊在所述金屬支承基板的上表面。
4. 如權利要求1所述的帶電路的懸掛基板,其特征在于, 所述光波導包括下包層;形成于所述下包層上的、折射率高于所述下包層的芯層;以及 形成于所述下包層上以覆蓋所述芯層的、折射率低于所述芯層的上包層, 所述下包層通過粘合劑層層疊到所述金屬支承基板的上表面。
5. 如權利要求1所述的帶電路的懸掛基板,其特征在于, 還具有發(fā)光元件,該發(fā)光元件與所述光波導光學連接。
6. 如權利要求5所述的帶電路的懸掛基板,其特征在于, 還具有用于裝載磁頭滑塊的裝載部,所述光波導沿所述導體布圖延伸的方向配置, 所述發(fā)光元件配置于所述金屬支承基板的長邊方向的一側(cè),所述裝載部配置于所述金屬支承基板的長邊方向的另一側(cè)。
7.—種帶電路的懸掛基板的制造方法,其特征在于,包括準備金屬支承基板并形成基底絕緣層、導體布圖和覆蓋絕緣層的工序,所述基 底絕緣層形成于所述金屬支承基板上,所述導體布圖形成于所述基底絕緣層上,所 述覆蓋絕緣層形成于所述基底絕緣層上以覆蓋所述導體布圖;以及在所述金屬支承基板上與所述基底絕緣層、所述導體布圖及所述覆蓋絕緣層分 開另外設置光波導的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種帶電路的懸掛基板及其制造方法。帶電路的懸掛基板包括金屬支承基板;形成于金屬支承基板上的基底絕緣層;形成于基底絕緣層上的導體布圖;形成于基底絕緣層上以覆蓋導體布圖的覆蓋絕緣層;以及光波導,光波導在金屬支承基板上與基底絕緣層、導體布圖及覆蓋絕緣層分開另外設置。
文檔編號G11B5/00GK101625872SQ20091015984
公開日2010年1月13日 申請日期2009年7月6日 優(yōu)先權日2008年7月7日
發(fā)明者內(nèi)藤俊樹, 石井淳 申請人:日東電工株式會社
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1
田林县| 台湾省| 耒阳市| 聂拉木县| 临澧县| 德格县| 富川| 明溪县| 上蔡县| 中宁县| 新绛县| 宜兴市| 久治县| 隆回县| 丰县| 平乐县| 晴隆县| 特克斯县| 调兵山市| 子洲县| 桓台县| 东兰县| 前郭尔| 丽水市| 哈密市| 无极县| 北海市| 灌南县| 沂源县| 扎囊县| 庆城县| 武夷山市| 武汉市| 青海省| 郯城县| 吉木乃县| 白山市| 宁南县| 宜丰县| 略阳县| 安阳县|