專利名稱:一種電子產品的檢測方法及裝置的制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及電路技術領域,特別涉及一種電子產品的檢測方法及裝置。
背景技術:
近年來,隨著信息技術的高速發(fā)展,數據存儲技術也快速發(fā)展,從早期的磁介質 存儲到光介質存儲,到現今的半導體存儲介質,如快閃存儲器(FlashMemory),簡稱閃存 (flash)ο現在有很多產品,都將固件(固化程序)存放在flash的某個塊(block)中,由于 固件為產品的操作系統(tǒng)及服務程序,所以如果仿制者將正品上flash的該塊的內容復制到 其他的flash上,再抄襲一些外圍電路就可以如法炮制出與正品具有同樣功能的產品。現有技術的問題是Flash上存放的固件被復制到其他flash上可以直接使用,很容易得到仿制品,侵 犯正品的合法權益。
發(fā)明內容
本發(fā)明實施例提供一種電子產品的檢測方法及裝置,能夠檢測應用存儲介質的產 品是否為正品。有鑒于此,本發(fā)明實施例提供一種電子產品的檢測方法,包括從存儲介質中獲取壞塊信息;判斷所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊是否為壞塊;當所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊不是壞塊時,控制應用所述存儲介質 的產品處于異常狀態(tài)。一種電子產品檢測裝置,包括獲取單元,用于從存儲介質中獲取壞塊信息;判斷單元,用于判斷所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊是否為壞塊;確定單元,用于當所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊不是壞塊時,控制應 用所述存儲介質的產品處于異常狀態(tài)。本發(fā)明實施例利用存儲介質中的壞塊作為存儲介質的標記,通過判斷攜帶壞塊信 息的存儲介質中的該壞塊信息所標識的塊是否為真正的壞塊,來確定應用該存儲介質的產 品是正品還是仿制品,在應用該存儲介質的產品是仿制品時,控制該產品處于異常狀態(tài),避 免存儲介質上存放的固件被復制到其他存儲介質上可以直接使用,從而侵犯正品的權益。
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附 圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是存儲介質的生產流程圖;圖2是本發(fā)明實施例一提供的電子產品的檢測方法流程圖;圖3是本發(fā)明實施例二提供的電子產品的檢測方法流程圖;圖4是本發(fā)明實施例三提供的電子產品檢測裝置結構圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明實施例更加清楚明白,先對Flash的相關特性作簡要介紹flash由 多個塊組成,每個塊由多個頁組成,第0頁表示塊的起始頁。一般用flash作為存儲介質 的電子產品會將數據和固化程序(固件)存放在flash上。flash作為存儲介質出廠時有 很多參差不齊的壞塊,有幾十甚至幾百個壞塊,出廠時flash的這些壞塊中會有特殊標記 表示該塊是壞塊,這些塊通常是無法寫入或者寫入的數據讀出來是不正確的。而且flash 具有相同壞塊的概率很小,哪怕是同一批次出廠的flash,具有一樣壞塊的flash概率都很 小,例如一片flash有8192塊,壞塊數目可以占總數(8192)的到5%,即使兩片flash 的壞塊數目都為400個,但是這2片flash的400個壞塊是不可能完全一樣的,因此,可以 使用壞塊作為一個flash區(qū)分其他flash的特殊標記。flash的好壞塊信息配置在flash 的冗余區(qū)中。其中,好壞塊信息包括好塊信息和壞塊信息,具體可以是好塊號和壞塊號。所 述冗余區(qū)是flash的頁中除實際數據以外的部分。在應用flash的產品出廠時,生產程序 會掃描flash,生成好壞塊信息表,將好壞塊信息表和固件存儲到flash中特定的好塊中, 一般是起始塊。仿制廠商為了生產仿制產品,從正品中取出flash,將正品的flash中的特定塊 (特定塊指包含固件和好壞塊信息表的好塊)復制到其他flash上,與硬件電路配合得到仿 制電子產品。為了防止仿制廠商獲得仿制電子產品侵犯正品的權益,本發(fā)明實施例以存儲 介質的壞塊作為存儲介質的特殊標記,通過判斷攜帶好壞塊信息表的存儲介質中的壞塊信 息(比如壞塊號)所標識的壞塊是否為真正的壞塊,來確定應用該存儲介質的產品是否是 正品,當應用該存儲介質的產品不是正品時,控制該產品處于異常狀態(tài),即控制該產品不能 正常運行,如下通過具體實施例對本發(fā)明的技術方案進行詳細描述。參閱圖1,如下對存儲介質的生產流程做簡單介紹步驟101、生產程序掃描存儲介質的各個塊。步驟102、讀取存儲介質的冗余區(qū)的配置信息,獲知存儲介質的哪些塊是好塊,哪 些塊是壞塊,生成好壞塊信息表,該好壞塊信息表中記錄好塊信息和壞塊信息,具體可以是 好塊號和壞塊號。步驟103、將固件和好壞塊信息表以及其他數據存儲到存儲介質的一個好塊中,并 對該塊作標記,標識該塊為一存有固件和好壞塊信息表的特定塊。所述特定塊可以是所述 存儲介質中的起始塊。實施例一參閱圖2,本發(fā)明實施例一提供一種電子產品的檢測方法,該方法包括步驟201、從存儲介質的特定塊中獲取壞塊信息,該特定塊是存儲固件和好壞塊信 息表的好塊。
該步驟中,固件掃描存儲介質上的好壞塊信息表,獲得好壞塊信息表中記錄的壞 塊號。需要說明的是本實施例一及后續(xù)實施例中的存儲介質指出廠時帶有壞塊的存儲 介質,比如閃存flash或者相變存儲器(Phase Change Memory) 0步驟202、判斷存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊是否為壞塊。具體的,該步驟中固件判斷壞塊號所標識的存儲介質中的塊是否為真正的壞塊。步驟203、當所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊不是壞塊時,控制應用所述 存儲介質的產品處于異常狀態(tài)。其中,控制應用所述存儲介質的產品處于異常狀態(tài)是指控制該產品不能正常運 行,比如控制產品死機,或者控制產品運行在一個狀態(tài)不動,還可以提示用戶該產品不可用。由于存儲介質在出廠時具有相同壞塊的概率非常小,幾乎為0,也就是說每個存儲 介質的壞塊情況都會不相同。仿制廠商為了生產仿制產品將正品中存儲介質中的特定塊 (特定塊指包含固件和好壞塊信息表的塊)復制到仿制品的存儲介質上,而仿制品的存儲 介質和正品的存儲介質的壞塊情況不同,因此,該步驟中若固件判斷得到壞塊號所標識的 存儲介質中的塊不是壞塊,則表示該存儲介質不是正品中的存儲介質,應用該存儲介質的 產品是仿制品。需要說明的,若步驟201中獲取多個壞塊號,只要有一個壞塊號所標識的存儲介 質中的塊不是壞塊,則應用該存儲介質的產品為仿制品。只有當所有壞塊號所標識的存儲 介質中的塊都是壞塊時,則應用該存儲介質的產品為正品。本發(fā)明實施例一利用存儲介質中的壞塊作為存儲介質的標記,通過判斷攜帶壞塊 信息的存儲介質中的該壞塊信息所標識的塊是否為真正的壞塊,來確定應用該存儲介質的 產品是正品還是仿制品,當應用該存儲介質的產品是仿制品時,控制該產品不能正常運行, 防止仿制產品侵犯正品的權益。實施例二 參閱圖3,本發(fā)明實施例二提供一種電子產品的檢測方法,該方法包括步驟301、產品上電,主機ROM中的應用程序掃描存儲介質中的塊,查找配置有固 件和好壞塊信息表的特定塊,從特定塊中讀出所述固件和好壞塊信息表。步驟302、存儲介質中的固件從好壞塊信息表中找到壞塊號。步驟303、存儲介質中的固件判斷壞塊號所標識的塊是否為壞塊,若所有壞塊號所 標識的塊都為壞塊時,執(zhí)行步驟304,若至少一個壞塊號所標識的塊不是壞塊時,執(zhí)行步驟 305。需要說明的是上述步驟302和303也可以由主機ROM中的應用程序來執(zhí)行,不影 響本發(fā)明的實現。該步驟303中判斷壞塊號所標識的塊是否為壞塊的實現方式包括但不限于如下 兩禾中第一種方式通過掃描壞塊號所標識的塊,判斷壞塊號所標識的塊中是否有壞塊 標記,因為存儲介質出廠時對每個壞塊會記錄壞塊標記,如果壞塊號所標識的塊有壞塊標 記,則表示該塊是壞塊,如果壞塊號所標識的塊沒有壞塊標記,則表示該塊是好塊。
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第二種方式將壞塊號所標識的塊擦除,然后寫入數據到該塊,再從該塊讀出數 據,判斷寫入的數據和讀出的數據是否相同,如果是,則表示該塊是好塊,如果否,則表示該 塊是壞塊。步驟304、確定應用該存儲介質的產品是正品,根據好壞塊信息表中的好塊信息, 進行數據的讀寫操作,結束本流程。步驟305、確定應用該存儲介質的產品是仿制品,控制應用該存儲介質的產品不能 正常運行。其中,控制應用該存儲介質的產品不能正常運行的方式是通過固件的功能來實現 的,具體包括但不限于如下方式固件執(zhí)行死循環(huán)或跳轉指令,控制應用該存儲介質的產 品的常規(guī)操作(如寫入和/或讀取等操作)進入死循環(huán)狀態(tài),從而導致應用該存儲介質的 產品死機;如果所述應用該存儲介質的產品具有液晶顯示屏(Liquid Crystal Display, LCD),固件可以控制在該產品上輸出提示信息,或控制所述應用該存儲介質的產品黑屏等, 從而提醒所述應用該存儲介質的產品是仿制電子產品。本發(fā)明實施例二利用存儲介質中的壞塊作為存儲介質的標記,通過判斷攜帶好壞 塊信息表的存儲介質中的壞塊號所標識的塊是否為真正的壞塊,來確定應用該存儲介質的 產品是正品還是仿制品,當應用該存儲介質的產品是仿制品時,控制該產品不能正常運行, 以防止仿制品侵犯正品的權益。實施例三參閱圖4,本發(fā)明實施例四提供一種電子產品檢測裝置,該檢測裝置可位于帶有存 儲介質的電子產品中,該檢測裝置包括獲取單元401,用于從存儲介質中獲取壞塊信息,具體是從存儲介質的特定塊中獲 取壞塊信息;所述存儲介質的特定塊是存儲固件和所述壞塊信息的塊;判斷單元402,用于判斷所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊是否為壞塊;確定單元403,用于當所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊不是壞塊時,控制 應用所述存儲介質的產品處于異常狀態(tài)。其中,所述存儲介質為閃存flash或者相變存儲器PCM。優(yōu)選的,獲取單元401所獲取的壞塊信息為壞塊號,當所獲取的多個壞塊號所標 識的塊有一個不是壞塊時,確定單元403控制應用所述存儲介質的產品處于異常狀態(tài),當 所獲取的多個壞塊號所標識的塊都為壞塊時,確定單元403確定應用所述存儲介質的產品
是正品。具體的,判斷單元402用于判斷所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊中是否 有壞塊標記;所述判斷單元402包括寫單元,用于向所述存儲介質中所述壞塊信息所標識 的塊寫入數據;讀單元,用于從所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊中讀出數據;比 較單元,用于比較所寫入的數據和所讀出的數據是否相同,根據比較結果確定所述塊是否 為壞塊。本發(fā)明實施例三利用存儲介質中的壞塊作為存儲介質的標記,通過判斷攜帶壞塊 信息的存儲介質中的該壞塊信息所標識的塊是否為真正的壞塊,來確定應用該存儲介質的 產品是正品還是仿制品,當應用該存儲介質的產品是仿制品時,控制該產品不能正常運行, 防止仿制品侵犯正品的權益。
本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例方法中的全部或部分步驟是可以 通過程序來指令相關的硬件完成,所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質中,例 如只讀存儲器,磁盤或光盤等。以上對本發(fā)明實施例所提供的電子產品的檢測方法及裝置進行了詳細介紹,本文 中應用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫 助理解本發(fā)明的方法及其核心思想;同時,對于本領域的一般技術人員,依據本發(fā)明的思 想,在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內容不應理解為對 本發(fā)明的限制。
權利要求
一種電子產品的檢測方法,其特征在于,包括從存儲介質中獲取壞塊信息;判斷所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊是否為壞塊;當所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊不是壞塊時,控制應用所述存儲介質的產品處于異常狀態(tài)。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,該方法還包括當所獲取的所有壞塊信息所標識的塊都是壞塊時,確定應用所述存儲介質的產品是正PΡΠ O
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,判斷所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊是否為壞塊具體為 判斷所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊中是否有壞塊標記。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于判斷所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊是否為壞塊具體為 向所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊寫入數據,從所述塊中讀出數據,比較所 寫入的數據和所讀出的數據是否相同,根據比較結果確定所述塊是否為壞塊。
5.根據權利要求1至4任一項所述的方法,其特征在于, 所述存儲介質為閃存flash或者相變存儲器PCM。
6.一種電子產品檢測裝置,其特征在于,包括 獲取單元,用于從存儲介質中獲取壞塊信息;判斷單元,用于判斷所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊是否為壞塊; 確定單元,用于當所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊不是壞塊時,控制應用所 述存儲介質的產品處于異常狀態(tài)。
7.根據權利要求6所述的裝置,其特征在于,所述確定單元,還用于當所獲取的所有壞塊信息所標識的塊都是壞塊時,確定應用所 述存儲介質的產品是正品。
8.根據權利要求6所述的裝置,其特征在于,所述判斷單元,用于判斷所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊中是否有壞塊標記。
9.根據權利要求6所述的裝置,其特征在于, 所述判斷單元包括寫單元,用于向所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊寫入數據; 讀單元,用于從所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊中讀出數據; 比較單元,用于比較所寫入的數據和所讀出的數據是否相同,根據比較結果確定所述 塊是否為壞塊。
10.根據權利要求6至9任一項所述的裝置,其特征在于, 所述存儲介質為閃存flash或者相變存儲器PCM。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供一種電子產品的檢測方法及裝置,其電子產品的檢測方法包括從存儲介質中獲取壞塊信息;判斷所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊是否為壞塊;當所述存儲介質中所述壞塊信息所標識的塊不是壞塊時,控制應用所述存儲介質的產品處于異常狀態(tài)。使用本發(fā)明實施例提供的技術方案,能夠檢測應用存儲介質的產品是否為正品。
文檔編號G11C29/00GK101944389SQ200910151080
公開日2011年1月12日 申請日期2009年7月9日 優(yōu)先權日2009年7月9日
發(fā)明者萬紅波 申請人:深圳市朗科科技股份有限公司