專利名稱：光照射功率校準(zhǔn)方法和信息記錄/重放裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
廣泛地使用用于通過(guò)利用激光束來(lái)將數(shù)據(jù)寫入到其上/讀取其上 的數(shù)據(jù)的光盤。光盤具有高存儲(chǔ)密度并且可記錄大量數(shù)據(jù)。由于非觸 態(tài)操作，光盤已經(jīng)歷了朝著更高速存取且更大容量的存儲(chǔ)器設(shè)備的方 向發(fā)展。將光盤分成僅允許讀取的只讀型、僅允許用戶側(cè)對(duì)數(shù)據(jù)記錄 一次的一次寫入型、以及允許用戶側(cè)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行反復(fù)記錄的可重寫型。 只讀型通常用作出售的音樂(lè)CD和激光唱片，并且各種類型用作計(jì)算機(jī) 的外部存儲(chǔ)器或者文檔和圖像的存儲(chǔ)設(shè)備。對(duì)于只讀型而言，利用從 光盤上所形成的凹凸坑所反射的光量變化來(lái)對(duì)重放信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。對(duì) 于一次寫入型而言，利用從光盤上所形成的小尺寸的坑所反射的光量
變化來(lái)對(duì)重放信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。
在市場(chǎng)上發(fā)行的一次寫入光盤的示例包括CD — R、 DVD — R、以 及DVD+R，其大多數(shù)包括包含有機(jī)顏料作為基底的記錄元件。作為用 于對(duì)光盤執(zhí)行記錄/重放的光源，使用波長(zhǎng)在大約780 nm與大約650 nm 之間的半導(dǎo)體激光器。包括有機(jī)顏料作為基底的光盤包括下述有機(jī)顏 料元件，該有機(jī)顏料元件在比記錄/重放使用激光束的波長(zhǎng)更短的波長(zhǎng)側(cè)上具有最大吸收，并且因此具有所謂的高至低特征，其中由激光束 照射所形成的記錄標(biāo)記部分上的光反射率小于激光束照射之前的光反 射率。利用樹脂襯底的變形(形狀扭曲)來(lái)形成標(biāo)記部分，所述樹脂 襯底的變形是通過(guò)光照射樹脂襯底以將樹脂襯底加熱到比樹脂襯底的 轉(zhuǎn)變溫度更高的溫度而產(chǎn)生的有機(jī)顏料的分解引起的負(fù)壓的結(jié)果。
作為用于實(shí)現(xiàn)其中更高記錄密度的光盤，存在諸如HD DVD和BD (藍(lán)光)這樣的盤片標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于這些下一代光盤而言，在記錄和重放 期間使用波長(zhǎng)在大約400 nm至大約410nm (短波長(zhǎng)激光)的激光束。 現(xiàn)在處于發(fā)展中以可與短波長(zhǎng)激光一起使用的一次寫入型盤片包括大 致分成利用無(wú)機(jī)材料元件的記錄膜和利用有機(jī)顏料元件的另一記錄膜 的記錄膜。在它們當(dāng)中，在專利公開1中描述了利用顏料元件的一次 寫入型盤片。在專利公開1中所描述的顏料元件具有從記錄波長(zhǎng)(405 nm)朝著更長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)方向移動(dòng)的最大波長(zhǎng)吸收范圍，并且辨別不出該 記錄波長(zhǎng)范圍中的吸收，并且在該記錄波長(zhǎng)范圍之內(nèi)具有相當(dāng)大的吸 收量。包括有機(jī)顏料元件的光盤具有低到高特征，其中由激光束的照 射所形成的記錄標(biāo)記部分的反射率高于激光束照射之前的反射率。
可重寫光盤包括即就是相變盤片的CD — RW、 DVD — RW、 DVD+RW、 DVD — RAM等等。除了它們之外，還存在被稱為MO的 磁光盤片。作為相變盤片，已使具有更高容量的HD DVD — RW標(biāo)準(zhǔn)化。 將稱為RW或者RAM的這些光盤配置成允許直接重寫的介質(zhì)(在下文 中還簡(jiǎn)單地稱為重寫)，即配置成在擦除的同時(shí)進(jìn)行記錄。這些光盤 具有允許直接重寫的優(yōu)點(diǎn)，由此對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行改寫不需兩次操作， 即在擦除了數(shù)據(jù)之后的下一旋轉(zhuǎn)中對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行記錄，并且對(duì)于重寫而 言可進(jìn)行單操作。在直接重寫介質(zhì)中，在對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行記錄時(shí)，基于用 于記錄的標(biāo)記和間隔在和記錄有關(guān)的記錄功率與和擦除有關(guān)的擦除功 率之間執(zhí)行照射切換。
在下文中對(duì)形成記錄用波形形狀的記錄波形進(jìn)行描述。圖28示出了記錄用光照射波形的示例。在圖28中，Pw、 Pwl、 Pw2、以及Pw3 表示記錄功率，Pb表示偏置功率，并且Pe表示擦除功率。圖(a)示 出了要形成的標(biāo)記部分，圖(b)示出了在重寫期間的記錄用光照射波 形，并且圖(c)示出了在非重寫記錄期間所照射的光照射波形。圖(d) 至(f)示出了矩形波形的多個(gè)變化。將用于形成標(biāo)記的波形形狀分成 多個(gè)脈沖((b) ， (c))，或者可以具有基本上為矩形的形狀((d) 一 (f))。雖然對(duì)于非標(biāo)記部分(間隔部分)而言存在若干形狀組合， 但是在其功能上，用于照射重寫介質(zhì)上的間隔部分的功率目的在于刪 除現(xiàn)有標(biāo)記。另一方面，不需要(或者不可能)擦除的一次寫入型介 質(zhì)上的間隔僅需足以使光束對(duì)盤片進(jìn)行跟蹤的光強(qiáng)，由此該功率的作 用與用于重寫介質(zhì)的不同。
專利公開2描述了可使在記錄期間用于間隔部分的照射功率具有 偏置功率(第二強(qiáng)度)以便在盤片的高速旋轉(zhuǎn)期間對(duì)記錄功率的卡路 里供給的不足進(jìn)行補(bǔ)償。還描述了其強(qiáng)度(功率)優(yōu)選地是峰值功率 (第一強(qiáng)度)的5%至15%。專利公開3至6描述了在具有更高密度的 下一代光學(xué)介質(zhì)上所使用的記錄波形包括恒定記錄功率和兩個(gè)不同偏 置功率，即偏置功率l和2。
在下文中對(duì)用于功率校準(zhǔn)的傳統(tǒng)技術(shù)進(jìn)行描述。就記錄功率而言， 例如在一次寫入型DVD — R中，光盤驅(qū)動(dòng)器使用在光盤的一部分中所 形成的功率校準(zhǔn)區(qū)(PCA)以在適當(dāng)時(shí)間執(zhí)行最佳功率控制(OPC)。 另外，HDDVD — R或者HDDVD — RW包括光盤驅(qū)動(dòng)器可任意使用的 驅(qū)動(dòng)測(cè)試區(qū)，由此光盤驅(qū)動(dòng)器通過(guò)利用該區(qū)域來(lái)執(zhí)行對(duì)包括記錄功率 的各種參數(shù)的校準(zhǔn)。
在功率校準(zhǔn)中，記錄/重放信號(hào)的抖動(dòng)和誤差率用作其性能指標(biāo)以 確定記錄功率等等。對(duì)于功率校準(zhǔn)而言，除此之外，存在諸如貝它技 術(shù)和伽瑪技術(shù)這樣的其他技術(shù)，貝它技術(shù)用于從長(zhǎng)標(biāo)記的重放幅度和 短標(biāo)記的重放幅度檢查出不對(duì)稱性以獲得用作性能指標(biāo)的p值，伽瑪 技術(shù)用于根據(jù)記錄標(biāo)記的幅度的飽和程度來(lái)判斷狀態(tài)。貝它技術(shù)預(yù)先 例如對(duì)盤片相對(duì)于驅(qū)動(dòng)器獲得p值與誤差量之間的相關(guān)性，并且使用p
值作為性能指標(biāo)。雖然認(rèn)為大約為零的卩值是優(yōu)選的，但是卩值為零 不是必定提供最佳性能，并且在有些情況下偏離零例如+5%或者一7% 的卩值是優(yōu)選的。對(duì)于一次寫入型盤片而言，p值基于功率變化很大， 其作為性能指標(biāo)很容易處理，并且由此頻繁地使用該(3值。|3值的絕對(duì) 值具有不同意義(性能)，這取決于關(guān)于誤差量的相關(guān)性。
存在被稱為用于具有高密度的光盤的性能指標(biāo)的PRSNR。 PRSNR是代替抖動(dòng)的信號(hào)質(zhì)量估計(jì)指標(biāo)，并且現(xiàn)在用在HD DVD系列 中。PRSNR是PRML (部分響應(yīng)最大似然性)的SNR (信噪比)，并 且認(rèn)為其更高值是指更高信號(hào)質(zhì)量。在非專利文獻(xiàn)1中描述了包括有 其轉(zhuǎn)換成誤差率的PRSNR的詳述。已為大家所熟知的是要求PRSNR 中的性能的目標(biāo)值是15或更大。作為性能指標(biāo)，除了上述之外，在一 些情況下基于目標(biāo)存儲(chǔ)密度、電路配置、以及驅(qū)動(dòng)配置可以使用通過(guò) 限制均衡器技術(shù)所獲得的抖動(dòng)、SAM(序列幅度裕度)、以及使用SAM 的指標(biāo)。非專利文獻(xiàn)2描述了與SAM有關(guān)的技術(shù)。
專利公開l: JP — 2002 — 187360A 專利公開2: JP — 2000— 187842A 專利公開3: JP — 2005 — 288972A 專利公開4: JP — 2005 —293772A 專利公開5: JP—2005— 293773A 專利公開6: JP —2005— 297407A 專利公開7: JP — 2003—228847A 專利公開8: JP — 2004 —273074A
非專禾!j文獻(xiàn)1: Japanese Journal of Applied Physics, Vol.43 ， No.7B， 2004， pp.4859 —4862， "signai-to-Noise Ratio in a PRML Detection", S.OHKUBO等；
非專禾廿文獻(xiàn)2: "Signal Reproducing Technique in a High —Density Optical Drive"' 第25 — 30頁(yè)，Okumura等，Sharp Technical Report, No.90， 2004年12月
通過(guò)利用具有比大約650 nm更長(zhǎng)的波長(zhǎng)范圍的激光束對(duì)傳統(tǒng)的 一次寫入型盤片介質(zhì)執(zhí)行記錄和重放，并且展示出不必使用與記錄膜 中包括有機(jī)顏料的一次寫入型光盤介質(zhì)中的間隔相對(duì)應(yīng)的功率。這是 由一次寫入型盤片介質(zhì)不是固有地需要重寫這樣的事實(shí)引起的。應(yīng)當(dāng) 注意的是不可能對(duì)一次寫入型盤片介質(zhì)進(jìn)行重寫這的事實(shí)還提供了 一次寫入型盤片免除偽造數(shù)據(jù)的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，已研發(fā)出需要包括 分別與標(biāo)記和間隔相對(duì)應(yīng)的記錄功率和偏置功率的記錄用光功率的介 質(zhì)，諸如包括利用近來(lái)研發(fā)的短波長(zhǎng)激光對(duì)其執(zhí)行記錄/重放并且其標(biāo) 記是由光化學(xué)反應(yīng)或者光熱化學(xué)反應(yīng)形成的、由有機(jī)顏料元件所配置 的記錄膜的一次寫入型盤片。
如上所述的專利公開和非專利文獻(xiàn)沒(méi)有描述用于下述一次寫入型 光盤介質(zhì)的功率校準(zhǔn)技術(shù)，所述一次寫入型光盤介質(zhì)需要分別與標(biāo)記 和間隔相對(duì)應(yīng)的記錄功率和偏置功率，尤其是沒(méi)有描述其校準(zhǔn)過(guò)程。這種光盤介質(zhì)通常涉及在功率校準(zhǔn)期間僅對(duì)記錄功率進(jìn)行校準(zhǔn)不能必 定得到最大介質(zhì)性能的問(wèn)題。另外，無(wú)法得到最大介質(zhì)性能的事實(shí)會(huì) 引起裕度降低或者會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品產(chǎn)率降低，從而提供了嚴(yán)重的問(wèn)題。此 夕卜，利用近來(lái)研發(fā)的短波長(zhǎng)激光執(zhí)行記錄和重放的光盤介質(zhì)和光盤驅(qū) 動(dòng)器需要參數(shù)的精確度更高，并且尤其是必須將在數(shù)據(jù)記錄期間所使 用的記錄參數(shù)比以前更精確地校準(zhǔn)到最佳值。因此，會(huì)出現(xiàn)這樣的狀 況，即已增加了用于校準(zhǔn)的目標(biāo)或者參數(shù)的數(shù)目，從而使校準(zhǔn)需要更 大的時(shí)間長(zhǎng)度。可考慮使記錄功率與偏置功率的所有組合用于記錄， 從而對(duì)參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)；然而，這使校準(zhǔn)時(shí)間長(zhǎng)度增大了并且會(huì)耗費(fèi)更 大的校準(zhǔn)區(qū)，由此不是必定會(huì)提供適當(dāng)?shù)慕鉀Q方案。
在專利公開2中所描述的偏置功率是對(duì)由于更高速旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的 峰值功率的不足加熱進(jìn)行補(bǔ)充的補(bǔ)充功率。此后，使用在專利公開2 中所描述的過(guò)程可以使得對(duì)峰值(記錄或者第一強(qiáng)度)功率的校準(zhǔn)通 過(guò)利用|3值以及等于大約重放功率或者峰值功率的5%至15%的偏置 (第二強(qiáng)度)功率來(lái)對(duì)記錄功率進(jìn)行校準(zhǔn)，并且利用與預(yù)先獲得的記 錄功率相對(duì)應(yīng)的偏置功率再次執(zhí)行OPC。然而，因?yàn)?3值不是表示性 能本身的指標(biāo)，因此存在這樣的問(wèn)題，即通過(guò)利用P值作為指標(biāo)來(lái)對(duì) 記錄用功率進(jìn)行校準(zhǔn)不能必定提供在更高速度時(shí)且具有更高精確度的 最佳參數(shù)。尤其是，在用作目標(biāo)功率選擇的P值本身是未知的盤片的 情況下，也就是說(shuō)如果|3值用于P值與誤差性能之間的相關(guān)性是未知 的盤片，那么從而引起的誤差增大取消了 P值本身作為測(cè)量的意圖， 從而防止了精確的校準(zhǔn)，或者會(huì)引起不能校準(zhǔn)的狀況。在確定與間隔 部分相對(duì)應(yīng)的功率中，通過(guò)利用擦除已記錄的標(biāo)記來(lái)確定與間隔部分 相對(duì)應(yīng)的功率的技術(shù)無(wú)法解決該問(wèn)題，因?yàn)樵摫P片是一次寫入型介質(zhì)。
就對(duì)用于確定功率的估計(jì)的測(cè)量而言，在上面的描述中描述了 P 技術(shù)的使用不能必定確定精確度更高的記錄用功率。還存在這樣的技 術(shù)，即考慮到記錄/擦除功率包括多個(gè)記錄功率，記錄功率的確定使用 貝它技術(shù)、伽瑪技術(shù)、或者利用誤差數(shù)目的技術(shù)，并且擦除功率的確定使用記錄信號(hào)的殘留信號(hào)幅度，其中擦除功率是另一記錄功率(偏 置功率)。然而，在這種情況下，需要復(fù)雜的處理，從而會(huì)引起使操
作驅(qū)動(dòng)器的檢測(cè)硬件的規(guī)格或者控制程序(固件程序)的數(shù)目增大的 問(wèn)題。
如至此所描述的，需要開發(fā)一種用于對(duì)以更高精確度和確定度來(lái) 實(shí)現(xiàn)更高效率的記錄用光照射功率進(jìn)行校準(zhǔn)的技術(shù)
發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種記錄用光照射功率校準(zhǔn)方法，該方法能 夠以更高確定度來(lái)對(duì)記錄用光照射功率迸行校準(zhǔn)，同時(shí)能夠降低對(duì)記 錄用光照射功率進(jìn)行校準(zhǔn)的時(shí)間長(zhǎng)度并且降低為此所使用的校準(zhǔn)區(qū)。 本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種利用這種方法來(lái)對(duì)光照射功率執(zhí)行校 準(zhǔn)的光學(xué)信息記錄/重放裝置。
在第一方面中，本發(fā)明提供了一種用于在對(duì)一次寫入型記錄介質(zhì) 執(zhí)行記錄的光學(xué)信息記錄/重放裝置中的光照射功率進(jìn)行校準(zhǔn)的方法， 在該記錄介質(zhì)中標(biāo)記是通過(guò)光束照射形成的，該方法包括步驟在使 記錄功率逐級(jí)變化而偏置功率是固定的同時(shí)將特定圖案串記錄在記錄 介質(zhì)上的特定區(qū)域中；對(duì)在記錄步驟中所記錄的圖案串進(jìn)行重放以測(cè) 量重放信號(hào)質(zhì)量；根據(jù)所測(cè)量的重放信號(hào)質(zhì)量來(lái)從在其之間是逐級(jí)變 化的記錄功率中選擇單個(gè)記錄功率；通過(guò)利用所選記錄功率來(lái)選擇偏 置功率；以及通過(guò)照射所選記錄功率和所選偏置功率而形成標(biāo)記。
在第二方面中，本發(fā)明提供了一種用于將數(shù)據(jù)記錄到一次寫入型 記錄介質(zhì)上/對(duì)一次寫入型記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行重放的信息記錄/重
放裝置，其中標(biāo)記是由光束照射形成的，該信息記錄/重放裝置包括
參數(shù)校準(zhǔn)單元(2)，用于確定在對(duì)記錄介質(zhì)(50)執(zhí)行記錄時(shí)照射 記錄介質(zhì)的激光束的記錄功率和偏置功率，其中參數(shù)校準(zhǔn)單元(21):包括用于測(cè)量重放信號(hào)質(zhì)量的重放信號(hào)質(zhì)量測(cè)量部分；根據(jù)下述特定 圖案串的重放信號(hào)質(zhì)量來(lái)從在其之間是逐級(jí)變化的記錄功率中選擇單 個(gè)記錄功率，所述特定圖案串是在記錄功率逐級(jí)變化而將偏置功率固 定的同時(shí)被記錄在特定記錄區(qū)中，重放信號(hào)質(zhì)量是由參數(shù)校準(zhǔn)單元來(lái) 測(cè)量的；根據(jù)所選記錄功率來(lái)選擇偏置功率；并且將所選記錄功率和 所選偏置功率分別確定為記錄標(biāo)記時(shí)的光照射功率和偏置功率。
參考附圖，從以下描述中可更顯而易見地得知本發(fā)明的上述及其 他目的、特征、以及優(yōu)點(diǎn)。



圖1是示出了偏置功率與2ndH/C之間的關(guān)系的圖。 圖2是示出了 8T圖案的重放記錄波形的波形圖。 圖3是示出了 8T圖案的重放記錄波形的波形圖。 圖4是示出了 13T圖案的重放記錄波形的波形圖。 圖5是示出了 13T圖案的重放記錄波形的波形圖。 圖6是示出了記錄功率Pw與PRSNR之間的關(guān)系的圖。 圖7是示出了偏置功率Pb與PRSNR之間的關(guān)系的圖。 圖8是示出了偏置功率與P R S NR之間的關(guān)系的圖。 圖9是示出了PRSNR、記錄功率Pw、以及偏置功率Pb之間的關(guān) 系的圖。圖IOA和IOB每一個(gè)是示出了相對(duì)于時(shí)間而言記錄膜中的溫度分 布的模式圖。圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的示意性實(shí)施例的光學(xué)信息記錄/重放 裝置的示意性配置的方框圖。圖12是示出了對(duì)記錄用光照射功率進(jìn)行校準(zhǔn)的過(guò)程的流程圖。圖13是示出了用于確定記錄功率的過(guò)程的流程圖。圖14是示出了用于確定偏置功率的過(guò)程的流程圖?？驁D。
圖16是示出了在確定記錄功率時(shí)對(duì)重放信號(hào)質(zhì)量的測(cè)量結(jié)果的圖。
圖17是示出了在確定偏置功率時(shí)對(duì)重放信號(hào)質(zhì)量的測(cè)量結(jié)果的圖。
圖18是示出了記錄功率與偏置功率之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的轉(zhuǎn)換表。圖19是示出了在確定記錄功率時(shí)對(duì)重放信號(hào)質(zhì)量的測(cè)量結(jié)果的圖。
圖20是示出了用于對(duì)記錄用光照射功率進(jìn)行校準(zhǔn)的過(guò)程的流程圖。
圖21是示出了存儲(chǔ)在裝置中的每個(gè)盤片制造商的信息的具體示例
的表格。
圖22是示出了在確定記錄功率時(shí)對(duì)重放信號(hào)質(zhì)量的測(cè)量結(jié)果的圖。
圖23是示出了用于對(duì)記錄用光照射功率進(jìn)行校準(zhǔn)的過(guò)程的流程圖。
圖24是示出了對(duì)重放信號(hào)質(zhì)量的測(cè)量結(jié)果的圖。圖25是示出了存儲(chǔ)在裝置中的每個(gè)盤片制造商的信息的具體示例的表格。
圖26是示出了記錄功率與PRSNR之間的關(guān)系的圖。圖27是示出了偏置功率與PRSNR之間的關(guān)系的圖。圖28是示出了各種記錄用光照射波形的波形圖。圖29包括示出了要記錄的5T標(biāo)記的圖(a)和示出了5T標(biāo)記的脈沖串波形的圖(b)。
具體實(shí)施方式
下面，在對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行描述之前，描述在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之前所執(zhí)行的研究。在下面的研究中，其中所使用的光學(xué)頭是具有405nm的LD波長(zhǎng)和0. 65的NA (數(shù)值孔徑)的光學(xué)頭。其中所使用的光盤是包括下述凹槽格式用(in-groove-format-use)導(dǎo)槽的光盤，該凹槽格式用導(dǎo)槽位于直徑為120mm并且厚度為0.6mm的聚碳酸酯襯底上。記錄的數(shù)據(jù)密度是使得選擇0.153pm的位間距并且選擇0.4pm的磁道間距。其中所使用的光盤的記錄膜是包括短波長(zhǎng)使用有機(jī)顏料的記錄膜。這是允許僅進(jìn)行一次記錄的類型。
圖1示出了在偏置功率變化的同時(shí)以llmW的恒定記錄功率對(duì)通過(guò)利用單個(gè)8T圖案所記錄的8T圖案進(jìn)行重放時(shí)所獲得的重放信號(hào)中的2ndH/C。2ndH/C是在頻率軸上信號(hào)載波與信號(hào)的二次諧波之間的差別，該2ndH/C是其更大值意味著更低波形失真的指標(biāo)。在圖I中，通過(guò)參考偏置功率使橫坐標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)化，其中偏置功率由偏置功率與參考偏置功率的功率比來(lái)表示。參考同一附圖，很清楚的是當(dāng)偏置功率Pb呈現(xiàn)可減輕波形失真的功率比1時(shí)，2ndH/C呈現(xiàn)最佳值。
圖2和3的每一個(gè)示出了所記錄的8T圖案的重放記錄波形。圖2示出了在偏置功率Pb等于"O"的情況下的重放波形，而圖3示出了在偏置功率Pb等于"l"的情況下的重放波形。重放信號(hào)的上側(cè)與標(biāo)記部分相對(duì)應(yīng)，而其下側(cè)與間隔部分相對(duì)應(yīng)。參考圖2和3，當(dāng)Pb-0(圖2)時(shí)，上側(cè)標(biāo)記部分具有凹陷，并且證實(shí)當(dāng)Pb-I (圖3)時(shí)上側(cè)標(biāo)記部分的凹陷減輕了，這提供了 2ndH/C的最佳值。
圖2所示的上側(cè)標(biāo)記部分上的凹陷對(duì)偏置功率Pb具有強(qiáng)依賴性并且對(duì)記錄功率Pw具有弱依賴性。圖4和5示出了在偏置功率Pb=0分別以llmW和12mW的記錄功率Pw所記錄的13T圖案的重放記錄波形。對(duì)記錄功率Pw為llmW的情況(圖4)與記錄功率為12mW的情況(圖5)進(jìn)行比較，很清楚的是記錄功率的增大沒(méi)有減輕上側(cè)標(biāo)記部分上的凹陷。按照這種方式，僅僅增大記錄功率以從而增大提供給記錄膜的熱量無(wú)法減輕上側(cè)標(biāo)記部分的凹陷。
圖6示出了記錄功率Pw與PRSNR之間的關(guān)系。當(dāng)在與標(biāo)記部分相對(duì)應(yīng)的記錄功率Pw變化的同時(shí)以2. OmW、 3. OmW、 4. OmW、 5.OmW、以及5. 5mW這5個(gè)級(jí)別的偏置功率Pb來(lái)執(zhí)行記錄并且對(duì)重放信號(hào)的PRSNR進(jìn)行測(cè)量時(shí)，獲得圖6所示的圖。參考相同附圖，提供最佳PRSNR的記錄功率Pw無(wú)論偏置功率Pb為任何值都是恒定，因此很清楚的是可很容易地選擇提供最佳記錄狀態(tài)的記錄功率。
圖7示出了偏置功率Pb與PRSNR之間的關(guān)系。與上述相反地，當(dāng)在與間隔部分相對(duì)應(yīng)的偏置功率變化的同時(shí)以10mW、 llmW、以及12mW這3個(gè)級(jí)別的記錄功率Pw來(lái)執(zhí)行記錄并且對(duì)重放信號(hào)的PRSNR進(jìn)行測(cè)量時(shí)，獲得圖7所示的圖。參考相同附圖，提供最佳PRSNR的偏置功率Pb根據(jù)記錄功率Pw而呈現(xiàn)不同值，由此很清楚的是根據(jù)偏置功率Pb與記錄功率Pw的組合不能獲得最佳性能。
圖8示出了當(dāng)記錄波形形狀變化時(shí)偏置功率與PRSNR之間的關(guān)系。在圖8中，通過(guò)記錄功率使橫坐標(biāo)(偏置功率)標(biāo)準(zhǔn)化。在偏置功率變化的同時(shí)，利用標(biāo)記形成用激光照射的矩形波形(多脈沖波形中的每個(gè)脈沖的邊沿和單個(gè)矩形波形的邊沿)的下述兩個(gè)記錄波形形狀(在圖8中4和隨)來(lái)執(zhí)行記錄，所述兩個(gè)記錄波形形狀具有沿著時(shí)間軸所觀察的不同位置，繼之以對(duì)PRSNR進(jìn)行測(cè)量，從而提供了圖8所示的結(jié)果。已為大家所熟知的是通過(guò)波形形狀和功率的總熱量來(lái)確定用于形成標(biāo)記的功率，并且在最佳功率附近的很窄范圍之內(nèi)波形形狀(沿著時(shí)間軸方向的波形形狀)和功率在其之間是可互換的。因此，具有不同記錄波形形狀的兩個(gè)記錄條件通過(guò)沿著激光照射矩形的時(shí)間軸方向的寬度差提供了不同記錄功率，由此最佳記錄功率的功率值改變了與該時(shí)間寬度相對(duì)應(yīng)的熱量。在這種情況下"卩"吏用與用于提供相等性能的記錄策略的裕度的相對(duì)端相對(duì)應(yīng)的參數(shù)。
參考圖8，很清楚的是在偏置功率與記錄功率的比率(Pb/Pw)在15%與50%之間的范圍中的偏置功率使PRSNR呈現(xiàn)15或更大。另外，在18°/。與45%之間的范圍中的偏置功率使PRSNR超過(guò)20，并且尤其是在20。/。與40%之間的范圍中的偏置功率使PRSNR呈現(xiàn)23 (等于10一6的誤差率)或者更大。因此，很清楚的是對(duì)于任何記錄波形形狀而言，可使PRSNR保持在15或更大以展示出其顯著的效果。應(yīng)當(dāng)注意的是等于15的PRSNR是下述目標(biāo)值，該目標(biāo)值是設(shè)備操作可接受的最小值。
圖9示出了相同圖上的PRSNR相對(duì)于記錄功率Pw和偏置功率Pb的關(guān)系。圖(a)示出了在記錄功率Pw變化而偏置功率Pb恒定時(shí)的PRSNR。相同附圖中的圖(b)示出了在偏置功率Pb變化而記錄功率Pw恒定時(shí)的PRSNR。圖的橫坐標(biāo)表示通過(guò)其中心值而標(biāo)準(zhǔn)化的記錄功率Pw和偏置功率Pb。對(duì)圖(a)和圖(b)進(jìn)行比較，很清楚的是偏置功率Pb的裕度寬于記錄功率Pw的裕度。這示出了可對(duì)記錄功率進(jìn)行校準(zhǔn)，換句話說(shuō)，為了確定記錄標(biāo)記的大小，甚至不是必定確定偏置功率以允許PRSNR呈現(xiàn)最佳值，即粗略地確定偏置功率。
利用以下模擬模型來(lái)對(duì)上述狀況進(jìn)行描述。圖10 (a)和10 (b).示出了其中相對(duì)于時(shí)間示出了記錄膜中的溫度分布的模型。就在形成
標(biāo)記時(shí)標(biāo)記的大小(長(zhǎng)度)而言，超過(guò)標(biāo)記形成溫度(例如，Tm = 500° C)的部分有助于其形成。當(dāng)記錄脈沖照射到光盤上時(shí)，并且如果照射到記錄膜上的激光束的功率從偏置功率Pb的級(jí)別增大到記錄功率Pw的級(jí)別，那么記錄膜的溫度上升到與記錄功率Pw的強(qiáng)度相對(duì)應(yīng)的溫度。如果此后在記錄脈沖的后邊沿，照射功率降低到偏置功率Pb的級(jí)別，那么形成標(biāo)記直至記錄膜的溫度降低到500° C之下的溫度。
在這里考慮利用記錄功率Pwl和Pw2通過(guò)使記錄功率Pw在其之間變化而偏置功率Pb恒定來(lái)執(zhí)行記錄的情況。圖10 (a)示出了這種情況下的記錄波形。記錄功率之間的關(guān)系是Pw2〉Pwl。在照射具有記錄功率Pwl的記錄脈沖期間記錄膜的溫度變化如圖10 (a)中的曲線A所示的那樣變化，并且在以記錄功率Pw2照射期間記錄膜的溫度變化如曲線B所示的那樣變化。圖10 (a)另外示出了分別由記錄功率Pwl頁(yè)
和Pw2形成的標(biāo)記，即標(biāo)記A和標(biāo)記B。如果記錄膜的溫度高于用于形成標(biāo)記的閾值值Tm- 500。 C，那么形成標(biāo)記。如上所述，在記錄功率照射期間溫度的最大點(diǎn)在記錄功率Pwl與Pw2之間是不同的。在照射具有記錄功率Pw2的記錄脈沖期間記錄膜中的最大溫度點(diǎn)高于在以記錄功率Pwl照射期間其中的最大溫度點(diǎn)。由于記錄脈沖照射期間的該溫度差，因此會(huì)引起從記錄脈沖的后邊沿至記錄膜的溫度下降到低于50(T C的時(shí)刻的時(shí)間長(zhǎng)度有差別，從而提供了形成于介質(zhì)之上的標(biāo)記的長(zhǎng)度的差別。
接下來(lái)，考慮其中偏置功率在PbO與Pb2之間變化而記錄功率固定為PwI的情況。圖10(b)示出了該情況的記錄波形。在這種情況下，對(duì)在偏置功率為PbO的情況下記錄脈沖照射期間的溫度上升與在偏置功率為Pb2 (Pb2 > PbO)的情況下記錄脈沖照射期間的溫度變化進(jìn)行比較，幾乎不會(huì)引起記錄膜的最大溫度有差別，雖然在脈沖照射之后圖10 (b)中的區(qū)域C所示的區(qū)域中的溫升方面有一些差別。通過(guò)記錄膜的溫度超過(guò)閾值值Tm = 500° C的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)確定在標(biāo)記形成期間的標(biāo)記的長(zhǎng)度(大小)，并且其不取決于其他參數(shù)。因此，對(duì)于將偏置功率設(shè)置為PbO和Pb2的這兩個(gè)情況而言形成了相同標(biāo)記C。更具體地說(shuō)，它們之間在由此形成的標(biāo)記長(zhǎng)度方面沒(méi)有差別。因此，偏置功率不是使標(biāo)記顯著變化的因素。
在幅度信息很重要的利用PRML的系統(tǒng)中，性能的主導(dǎo)因素是由標(biāo)記大小所確定的幅度級(jí)別。偏置功率的作用是偏置功率使標(biāo)記成形的記錄標(biāo)記成形作用，并且?guī)缀醪粫?huì)對(duì)標(biāo)記大小的確定有影響。因此，可以將其解釋為偏置功率的作用是通過(guò)標(biāo)記成形來(lái)抑制幅度級(jí)別的變化范圍的副作用，從而使標(biāo)記形狀穩(wěn)定以改善信號(hào)質(zhì)量。
如在此之前所描述的，可得出以下結(jié)論在記錄功率和偏置功率的組合中，即使粗略地選擇偏置功率，記錄功率(峰值功率)主要確定標(biāo)記大小(長(zhǎng)度)，而偏置功率不是使標(biāo)記大小顯著變化的因素。由此，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過(guò)采用下述校準(zhǔn)過(guò)程可以更高速度且更高確定 度獲得最大性能，所述校準(zhǔn)過(guò)程首先確定最佳記錄功率并且此后確定 與該記錄功率相匹配的標(biāo)記成形功率，即與記錄功率所形成的標(biāo)記形 狀相匹配的標(biāo)記成形功率。
另外，上述校準(zhǔn)過(guò)程使用諸如PRSNR這樣的其絕對(duì)值具有性能指 標(biāo)的意義的重放信號(hào)質(zhì)量，從而以更高的精確度對(duì)最佳條件進(jìn)行檢測(cè)。 執(zhí)行試驗(yàn)校準(zhǔn)，其中13值用作性能指標(biāo)，并且選擇記錄功率Pw以用于 選擇卩值的目標(biāo)，即p值i。提供|3值=0的記錄功率Pw基于偏置功 率而呈現(xiàn)不同值，并且由此根據(jù)偏置功率的設(shè)置而使(3值偏離，由此 依次對(duì)記錄功率Pw和偏置功率Pb進(jìn)行校準(zhǔn)無(wú)法導(dǎo)致最佳條件。
只要校準(zhǔn)順序是反向的，即只要校準(zhǔn)順序是使得首先確定偏置功 率Pb，繼之以根據(jù)所確定的偏置功率Pb來(lái)確定記錄功率Pw，即使使 用PRSNR也無(wú)法導(dǎo)致真正的最佳條件。這可歸因于這樣的事實(shí)，即如 果根據(jù)對(duì)PRSNR的測(cè)量來(lái)選擇功率，那么通過(guò)記錄功率Pw而使最佳 偏置功率Pb偏離。更具體地說(shuō)，如果釆用最佳記錄功率，那么當(dāng)偏置 功率Pb偏離時(shí)得到的最佳記錄功率不是必定提供了呈現(xiàn)最大性能的 PRSNR，由此無(wú)法獲得最佳記錄功率。因此，即使得到了最佳條件， 那么將需要多次再試操作。無(wú)法得到介質(zhì)所擁有的最大性能或者要進(jìn) 行校準(zhǔn)以獲得最佳性能需要更長(zhǎng)時(shí)間長(zhǎng)度這樣的事實(shí)是驅(qū)動(dòng)器的致命 缺陷。
還存在無(wú)需利用偏置功率而使記錄波形的前沿的功率上升這樣的 測(cè)量。然而，證實(shí)即使使用這樣的測(cè)量也會(huì)由于前沿的熱量朝著在前 間隔部分(非標(biāo)記部分)方向漫射而擾亂間隔部分的波形形狀，并且 很難改善總性能且無(wú)法獲得簡(jiǎn)單校準(zhǔn)。此外，雖然傳統(tǒng)介質(zhì)具有強(qiáng)熱 干擾并且由此標(biāo)記的形成主要用于改變形狀，但是很可能的是包括短 波長(zhǎng)使用有機(jī)顏料的介質(zhì)是使用光化學(xué)反應(yīng)或者光熱化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng) 類型。證實(shí)在由光束的照射所形成的標(biāo)記部分的光反射率高于激光束照射之前的光反射率的介質(zhì)中本發(fā)明的有效性尤其更高。
在下文中，參考附圖對(duì)本發(fā)明的示意性實(shí)施例進(jìn)行描述。圖11示 出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)信息記錄/重放裝置的配置的概圖。光學(xué) 信息記錄/重放裝置10包括光學(xué)頭11、 RF電路16、解調(diào)器17、系統(tǒng) 控制器18、調(diào)制器19、 LD驅(qū)動(dòng)器20、參數(shù)校準(zhǔn)單元21、伺服控制器 22、以及主軸驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)23。光學(xué)頭11包括物鏡12、光束分離器13、 激光二極管(LD) 14、以及光檢測(cè)器15。光學(xué)頭11使光發(fā)射到光盤 50上并且對(duì)從光盤所反射的光進(jìn)行檢測(cè)。
在對(duì)光盤50執(zhí)行記錄/重放期間主軸驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)23驅(qū)動(dòng)光盤旋轉(zhuǎn)。 LD 14發(fā)射出入射到光盤50上的光。從LD 14發(fā)射出的光被對(duì)來(lái)自LD 14的光反射并且使來(lái)自光盤50的反射光穿過(guò)其的光束分離器13反射， 并且朝著物鏡12的方向前進(jìn)。物鏡12使從LD 14所發(fā)射出的光聚焦 到光盤的信息記錄表面上。來(lái)自光盤50的反射光通過(guò)物鏡12入射到 光束分離器13上，穿過(guò)光束分離器13，并且被光檢測(cè)器15檢測(cè)。光 檢測(cè)器15向RF電路16輸出與所接收到的反射光相對(duì)應(yīng)的信號(hào)。
RF電路16對(duì)輸入信號(hào)執(zhí)行過(guò)濾處理等等。解調(diào)器17對(duì)通過(guò)RF 電路16而輸入的信號(hào)進(jìn)行解調(diào)。調(diào)制器19對(duì)記錄信號(hào)進(jìn)行調(diào)制。LD 驅(qū)動(dòng)器20驅(qū)動(dòng)LD 14。伺服控制器22控制伺服信號(hào)并且執(zhí)行包括傾斜 控制和象散控制的伺服控制。系統(tǒng)控制器18對(duì)整個(gè)設(shè)備進(jìn)行控制。參 數(shù)校準(zhǔn)單元21在記錄條件下對(duì)功率等等執(zhí)行參數(shù)校準(zhǔn)。參數(shù)校準(zhǔn)單元 21執(zhí)行判斷重放信號(hào)性能(重放信號(hào)質(zhì)量)。PRSNR或者誤差率用于 重放信號(hào)質(zhì)量。RF電路16具有作為重放信號(hào)質(zhì)量單元的功能，并且 負(fù)責(zé)計(jì)算PRSNR或者誤差率。除此之外，光學(xué)信息記錄/重放裝置10 包括未示出的溫度檢測(cè)單元。
圖12示出了對(duì)記錄用光學(xué)照射功率進(jìn)行校準(zhǔn)的過(guò)程。光學(xué)信息記 錄/重放裝置10分辨光盤50的未記錄區(qū)(步驟AIOO)。在步驟AIOO中，例如通過(guò)根據(jù)可用于功率校準(zhǔn)或者各種校準(zhǔn)的區(qū)域中的重放信號(hào) 來(lái)探查存在記錄標(biāo)記或者不存在記錄標(biāo)記來(lái)分辨未記錄區(qū)并對(duì)其進(jìn)行 判斷。作為替換，通過(guò)從光盤50讀取表示記錄了標(biāo)記的區(qū)域的信息來(lái) 分辨未記錄區(qū)。此后，利用參數(shù)校準(zhǔn)單元21，在使記錄功率變化而偏 置功率恒定的同時(shí)，在未記錄區(qū)中執(zhí)行記錄，此后對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行重 放，并且判斷重放信號(hào)質(zhì)量以確定記錄功率(步驟BIOO)。
圖13示出了步驟BIOO中的確定記錄功率的過(guò)程。在確定記錄功 率時(shí)，參數(shù)校準(zhǔn)單元21首先將偏置功率設(shè)置為預(yù)先確定的特定功率(步 驟B110)。步驟B110設(shè)置例如對(duì)可用于實(shí)驗(yàn)的介質(zhì)進(jìn)行校準(zhǔn)所獲取 的功率的平均偏置功率。在該階段所設(shè)置的偏置功率是記錄功率(該 功率主要用于在記錄開始之后形成標(biāo)記)的20%至40%，其從本發(fā)明 人的深入研究結(jié)果而被推斷為最合乎需要的范圍。在替換中，可以相 對(duì)于在下一步驟中所使用的記錄功率的中心值來(lái)計(jì)算平均偏置功率， 其中通過(guò)利用偏置功率與記錄功率的比率的計(jì)算，利用不同記錄功率 來(lái)執(zhí)行記錄，并且可以使用該記錄。在又一替換中，可以從光盤50讀 取與功率有關(guān)的信息，并且可以使用該信息。
隨后，參數(shù)校準(zhǔn)單元21產(chǎn)生包括逐級(jí)變化的記錄功率的多個(gè)記錄 條件。系統(tǒng)控制器18在包括由參數(shù)校準(zhǔn)單元21所產(chǎn)生的不同記錄功 率的多個(gè)記錄條件下在光盤50的未記錄區(qū)中執(zhí)行記錄。在步驟B120 中，以在從下述中心值起的大約±10%的范圍內(nèi)變化的記錄功率執(zhí)行記 錄，所述中心值是通過(guò)利用實(shí)驗(yàn)中的校準(zhǔn)等等而預(yù)先獲得的功率的平 均記錄功率。該記錄功率以例如0.5mW階步逐級(jí)變化。將偏置功率固 定為在步驟B110中所設(shè)置的偏置功率。可以利用從光盤50所讀取的 功率的信息來(lái)確定記錄功率的中心值。在這種情況下，經(jīng)常發(fā)生由盤 片制造商所預(yù)備的功率不是最佳功率。然而，與不存在這種信息的情 況相比，該信息是更有利的，并且可用作下一次得到的初始中心功率。
如果沒(méi)有預(yù)先獲得所需信息，那么可以估計(jì)在用于記錄的設(shè)備中率的中心值。 在這種情況下，如果該設(shè)備中的用于記錄的最大發(fā)射功率例如是
12mW，那么估計(jì)出其中的裕度部分為20%，這展示了初始特定記錄功 率是10mW。如果將預(yù)先確定的特定偏置功率設(shè)置為記錄功率的20% 至40%,那么利用是記錄功率的20%與40%之間的中值的30%獲得功 率，并且因此在該階段將偏置功率選擇為3. 0mW以用于設(shè)置。
系統(tǒng)控制器18通過(guò)利用光學(xué)頭11、 RF電路16、解調(diào)器17等等 對(duì)步驟B120中所記錄的區(qū)域進(jìn)行重放(步驟B130) 。 RF電路16對(duì) 與每個(gè)記錄功率所記錄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的重放信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)量(步驟 B140)，并且將重放信號(hào)質(zhì)量的信息送到參數(shù)校準(zhǔn)單元21。參數(shù)校準(zhǔn) 單元21判斷所接收到的重放信號(hào)質(zhì)量(步驟B150)，并且將在提供最 佳重放信號(hào)質(zhì)量的條件下用于記錄的記錄功率確定為最佳記錄功率 (步驟B160)。
回到圖12，光學(xué)信息記錄/重放裝置IO將記錄功率固定為在步驟 B100中所確定的記錄功率(在圖13的步驟B160中所確定的最佳記錄 功率)，在偏置功率變化的同時(shí)執(zhí)行記錄，對(duì)記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行重放，并 且判斷重放信號(hào)質(zhì)量以從而確定偏置功率(步驟CIOO)。圖14示出了 確定偏置功率的過(guò)程。參數(shù)校準(zhǔn)單元21首先將記錄功率設(shè)置為在步驟 B160中所確定的最佳記錄功率(步驟C110)。隨后，參數(shù)校準(zhǔn)單元 21固定記錄功率并且建立包括逐級(jí)變化的偏置功率的記錄條件。
系統(tǒng)控制器18在由參數(shù)校準(zhǔn)單元21所建立的各種記錄條件的每 一個(gè)之下執(zhí)行到光盤50的未記錄區(qū)上的記錄(步驟C120)。在步驟 C120中，利用下述偏置功率來(lái)執(zhí)行記錄，所述偏置功率在從例如通過(guò) 實(shí)驗(yàn)校準(zhǔn)等等而預(yù)先獲得的平均偏置功率的中心值起土25 %的范圍之 內(nèi)變化。該偏置功率以例如0.5mW的階步逐級(jí)變化。可以利用從光盤 50所讀取的功率的信息來(lái)確定偏置功率的中心值。系統(tǒng)控制器18通過(guò)利用光學(xué)頭11、 RF電路16、解調(diào)器17等等 對(duì)在步驟C120中所記錄的區(qū)域進(jìn)行重放(步驟C130) 。 RF電路16 對(duì)與利用每個(gè)偏置功率所記錄的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的重放信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)量 (步驟C140)，并且將該重放信號(hào)質(zhì)量的信息送到參數(shù)校準(zhǔn)單元21。 參數(shù)校準(zhǔn)單元21判斷所接收到的重放信號(hào)質(zhì)量(步驟C150)，并且將 在提供最佳重放信號(hào)質(zhì)量的條件之下用于記錄的偏置功率確定為最佳 偏置功率(步驟C160)。
在該示意性實(shí)施例中，不必執(zhí)行諸如利用與每類功率相對(duì)應(yīng)的目 標(biāo)值的復(fù)雜處理，由此可降低各種設(shè)備資源以從而降低其成本。這是 因?yàn)樵趯?duì)記錄功率和偏置功率進(jìn)行校準(zhǔn)期間將SNR (PRSNR)或者誤差率用作統(tǒng)一的估計(jì)指標(biāo)。另外，考慮到出現(xiàn)了盤片制造商的數(shù)目迅 速增長(zhǎng)的當(dāng)前狀況，因而會(huì)引起出現(xiàn)更大數(shù)目的其源是未知的所謂未 知盤片，并且由此會(huì)引起設(shè)備趕不上盤片，因此不可避免的要對(duì)與性 能有關(guān)的參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。作為其中的性能指標(biāo)，使用在絕對(duì)值中具有 性能指標(biāo)意義的PRSNR或者誤差率提供了這樣的益處，即提供了可對(duì) 各種介質(zhì)進(jìn)行處理的能力、改善了用戶的便利性、并且與需要將與性 能相對(duì)應(yīng)的校準(zhǔn)提高到某種程度的目標(biāo)相比確保了更高的可靠性。
在下文中，利用示例提供描述。在示例1中，具有405 nm的LD 波長(zhǎng)和0.65的NA (數(shù)值孔徑)的光學(xué)頭用作光學(xué)頭ll (圖ll)。在 這里所使用的光盤50是包括有下述聚碳酸酯襯底的光盤，所述聚碳酸 酯襯底具有120 mm的直徑和0.6 mm的厚度并且在其上形成了凹槽格 式用導(dǎo)槽。作為記錄數(shù)據(jù)的密度，采用0.153pm的位間距和0.4ym的 磁道間距。在這里所使用的記錄膜是包括用于短波長(zhǎng)的有機(jī)顏料系列 的記錄膜。盤片是僅允許進(jìn)行一次寫入的一次寫入型。所使用的調(diào)制/ 解調(diào)碼是基于RLL (1, 7)的ETM (8至12調(diào)制)。所使用的記錄策 略是包括多個(gè)脈沖的(k一l)個(gè)規(guī)則的脈沖串策略。該策略使用規(guī)則以 便如果記錄標(biāo)記長(zhǎng)度是kT (k是不小于2的整數(shù)并且T是信道時(shí)鐘周 期)，那么利用一組(k一l)個(gè)記錄(加熱)脈沖形成標(biāo)記。圖29 (a) 示出了要形成的5T標(biāo)記，并且圖29 (b)示出了 5T標(biāo)記的脈沖串波 形。
沿著圖12所示的過(guò)程、通過(guò)利用光學(xué)信息記錄/重放裝置10對(duì)記 錄條件進(jìn)行校準(zhǔn)。在步驟A100中，使光學(xué)頭11移動(dòng)到其中根據(jù)需要 執(zhí)行參數(shù)校準(zhǔn)的光盤50的驅(qū)動(dòng)器測(cè)試區(qū)以對(duì)不具有標(biāo)記的區(qū)域進(jìn)行檢 測(cè)。對(duì)不具有標(biāo)記的區(qū)域的檢測(cè)使用這樣的裝置，該裝置可在利用計(jì)
數(shù)起始信號(hào)和計(jì)數(shù)結(jié)束信號(hào)的同時(shí)對(duì)從特定開始位置起的特定時(shí)間長(zhǎng) 度之內(nèi)的非標(biāo)記的檢測(cè)次數(shù)進(jìn)行檢測(cè)。利用多個(gè)記錄條件執(zhí)行記錄， 其中記錄功率在從作為其信息而存儲(chǔ)在設(shè)備中的平均記錄功率的中心 起的特定范圍之內(nèi)變化而將偏置功率固定到作為其信息而存儲(chǔ)在設(shè)備
在步驟B140中，對(duì)記錄區(qū)域進(jìn)行重放以對(duì)每個(gè)記錄條件的重放信 號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)量。圖16示出了對(duì)重放信號(hào)質(zhì)量的測(cè)量結(jié)果。在步驟 B160中，從圖16所示的測(cè)量結(jié)果確定出記錄功率Pw = llmW以作為 提供最大PRSNR的記錄條件的最佳記錄功率。此后，在步驟C120(圖 14)中，偏置功率在從存儲(chǔ)在設(shè)備中的平均偏置功率的中心起的特定 范圍之內(nèi)變化以在多個(gè)記錄條件之下執(zhí)行記錄，其中將記錄功率固定 到被確定為最佳記錄功率的Pw=llmW。對(duì)記錄區(qū)域進(jìn)行重放以測(cè)量 重放信號(hào)質(zhì)量這提供了圖17所示的測(cè)量結(jié)果。在步驟C160中，從圖 17所示的測(cè)量結(jié)果將偏置功率Pb = 4mW確定為提供最大PRSNR的記 錄條件的最佳偏置功率。
接下來(lái)，對(duì)示例2進(jìn)行描述。示例2的基本配置與示例1相似， 并且其用于確定偏置功率的處理的內(nèi)容(圖12的步驟C100)與示例1 不同。在確定偏置功率的過(guò)程中，利用記錄功率與偏置功率之間的對(duì) 應(yīng)表(轉(zhuǎn)換表)來(lái)確定偏置功率。圖18示出了該轉(zhuǎn)換表的具體示例。 利用該轉(zhuǎn)換表，例如對(duì)于10mW的記錄功率而言，將偏置功率Pb確定 為3.4mW。預(yù)先獲得圖18所示的轉(zhuǎn)換表并且將其存儲(chǔ)在設(shè)備中。
利用具有與示例1相似配置的光學(xué)信息記錄/重放裝置10來(lái)執(zhí)行 對(duì)記錄條件的校準(zhǔn)。首先，使光學(xué)頭11 (圖11)移動(dòng)到光盤50的驅(qū) 動(dòng)器測(cè)試區(qū)，并且檢測(cè)不具有標(biāo)記的區(qū)域。隨后，在多個(gè)記錄條件下 執(zhí)行記錄，同時(shí)記錄功率在從平均記錄功率的中心起的特定范圍之內(nèi)變化而將偏置功率固定到作為其信息而存儲(chǔ)在設(shè)備中的平均偏置功率 以對(duì)重放信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)量。此后，根據(jù)所測(cè)量的重放信號(hào)質(zhì)量來(lái)確 定最佳記錄功率。圖19示出了重放信號(hào)質(zhì)量的測(cè)量結(jié)果。從該測(cè)量結(jié) 果，將提供即就是最大PRSNR的最佳重放信號(hào)質(zhì)量的記錄功率PW =
1 lmW確定為最佳記錄功率。
在確定了記錄功率之后，確定偏置功率。對(duì)偏置功率的確定使用 圖18所示的轉(zhuǎn)換表。參考圖18，與Pw二 llmW的記錄功率相對(duì)應(yīng)的 偏置功率Pb是3.8mW，由此確定出偏置功率為3. 8mW。利用記錄功 率Pw =llmW與偏置功率Pb =3.8mW的組合來(lái)執(zhí)行記錄以對(duì)PRSNR 進(jìn)行測(cè)量，并且結(jié)果PRSNR是32。從該結(jié)果，可確信本發(fā)明的效果。
對(duì)示例3進(jìn)行描述。示例3的基本配置與示例1相似并且示例3 與示例1的不同之處在于在分辨未記錄區(qū)(圖12的步驟A100)之前 執(zhí)行介質(zhì)識(shí)別。圖20示出了示例3中的對(duì)記錄條件進(jìn)行校準(zhǔn)的過(guò)程。 光學(xué)信息記錄/重放裝置10 (圖11)在將光盤50加載到其上時(shí)對(duì)光盤 503進(jìn)行識(shí)別(步驟AIO)。隨后過(guò)程與圖12所示的過(guò)程相似。
在步驟A10中，關(guān)于盤片使用的形式類型、盤片所屬的制造商等 等執(zhí)行對(duì)所設(shè)置的光盤50進(jìn)行識(shí)別。另外，如果判斷出盤片是可記錄 的盤片，那么執(zhí)行盤片是通過(guò)對(duì)標(biāo)記進(jìn)行記錄來(lái)提高標(biāo)記的反射率的 低至高盤片(LH介質(zhì))還是通過(guò)對(duì)標(biāo)記進(jìn)行記錄來(lái)降低反射率的高至 低盤片(HL介質(zhì))的判斷。除此之外，從光盤50讀取記錄膜數(shù)目的 信息等等，此后讀取功率的信息，并且將這樣的信息設(shè)置在系統(tǒng)控制 器18中。
利用具有與示例1相似配置的光學(xué)信息記錄/重放裝置10并且沿 著圖20所示的過(guò)程，執(zhí)行對(duì)記錄條件的校準(zhǔn)。在將光盤50加載到光 學(xué)信息記錄/重放裝置10上時(shí)，步驟A10中的介質(zhì)識(shí)別展示出光盤50 是盤片制造商A—2所制造的并且包括單個(gè)記錄膜的LH介質(zhì)。隨后，使光學(xué)頭11移動(dòng)到驅(qū)動(dòng)器測(cè)試區(qū)以對(duì)不具有標(biāo)記的區(qū)域進(jìn)行檢測(cè)。此 后，在步驟B120 (圖13)中在多個(gè)記錄條件之下執(zhí)行記錄，其中記錄 功率在從作為其信息而存儲(chǔ)在設(shè)備中的記錄功率的中心起的特定范圍
之內(nèi)變化而將偏置功率固定到根據(jù)該記錄功率而從轉(zhuǎn)換信息所得到的 偏置功率上。
圖21示出了存儲(chǔ)在設(shè)備中的每個(gè)盤片制造商的信息的具體示例。 參考相同附圖中所示的信息，光學(xué)信息記錄/重放裝置10獲得推薦用于 盤片制造商A — 2的光盤的記錄功率Pw =11，并且獲得偏置功率與記 錄功率的比率為"0.33"。在步驟B120中，在其中記錄功率Pw在從所 建議的記錄功率(llmW)的中心起的特定范圍之內(nèi)變化而將偏置功率 Pb固定到0.33X所推薦的記錄功率(llmW) 二3.6mW上的多個(gè)記錄 條件之下執(zhí)行記錄。
在步驟B140中，對(duì)重放信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)量以展示出圖22所示的 結(jié)果。PRSNR呈現(xiàn)記錄功率Pw-10.5mW附近的最大值，由此確定最 佳記錄功率為10.5mW。在確定偏置功率的步驟C100中(圖12)，將 根據(jù)和盤片制造商A — 2相對(duì)應(yīng)的偏置功率與記錄功率的比率"0.33" (圖21)所確定的最佳偏置功率10.5mWX0.33 = 3. 5mW確定為最佳 偏置功率。利用最佳記錄功率與最佳偏置功率的組合來(lái)在光盤的整個(gè) 表面上執(zhí)行記錄，并且這里確信適當(dāng)重放是可能的，在作為單元的每 16個(gè)ECC塊中，誤差的平均數(shù)等于或者小于作為可校正誤差的數(shù)目20。
對(duì)示例4進(jìn)行描述。示例4的基本配置與示例1相似并且與其不 同之處在于在確定偏置功率(圖12中的步驟C100)之后執(zhí)行性能判斷。 圖23示出了示例4中的記錄條件的校準(zhǔn)過(guò)程。步驟A100 — C100的處 理與圖12所示的過(guò)程相似。光學(xué)信息記錄/重放裝置10在確定了記錄 功率和偏置功率之后在利用該組合的該記錄條件之下執(zhí)行記錄以判斷 重放性能是否差于預(yù)先掌握的介質(zhì)性能(步驟C200)。基本上，相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)所批準(zhǔn)的介質(zhì)具有在特定標(biāo)準(zhǔn)之內(nèi)的有限性能， 并且必定滿足固定標(biāo)準(zhǔn)。在步驟C200中，在利用在步驟BIOO中所確
定的記錄功率與在步驟C100中所確定的偏置功率的組合執(zhí)行了記錄之
后，判斷重放性能是否具有設(shè)備操作不會(huì)有問(wèn)題的級(jí)別。如果判斷出
重放性能滿足設(shè)備操作(性能很好)，那么處理前進(jìn)到步驟DIOO，其
中將記錄功率與偏置功率的組合設(shè)置為記錄條件。如果判斷出重放性 能不滿足設(shè)備操作(性能不好)，那么執(zhí)行對(duì)功率的重搜索處理(步
驟DIO)。
在步驟DIO中對(duì)功率進(jìn)行重搜索處理的過(guò)程中，例如功率的絕對(duì) 值變化，而記錄功率與偏置功率的比率保持恒定。在替換中，在記錄 功率變化而偏置功率是固定的同時(shí)，對(duì)諸如光學(xué)頭與介質(zhì)之間的傾斜 或者聚焦位置的與記錄有關(guān)的參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)以利用在該階段最佳化的 功率執(zhí)行記錄，即利用不是最初使用的記錄功率或者偏置功率。此后 為進(jìn)行性能判斷對(duì)記錄區(qū)域進(jìn)行重放以再次重新確定最佳記錄功率。 如果在此階段重放性能滿足特定性能，那么該處理前進(jìn)到步驟DIOO， 在該步驟中將最佳記錄功率與固定偏置功率的組合設(shè)置為條件。如果 不滿足特定性能，那么在偏置功率變化而由此重新確定的最佳記錄功 率是固定的同時(shí)執(zhí)行記錄，并且此后對(duì)記錄區(qū)域進(jìn)行重放以確定最佳 偏置功率。
通過(guò)利用具有與示例1相似配置的光學(xué)信息記錄/重放裝置10而 利用圖23所示的過(guò)程來(lái)執(zhí)行對(duì)記錄條件的校準(zhǔn)。在將光盤50設(shè)置到 光學(xué)信息記錄/重放裝置10上之后，將由此所設(shè)置的光盤50判斷為盤 片制造商B — l所制造的光盤。光學(xué)頭11首先移動(dòng)到光盤50的驅(qū)動(dòng)器 測(cè)試區(qū)以對(duì)不具有標(biāo)記的區(qū)域進(jìn)行檢測(cè)。隨后，在多個(gè)記錄條件之下 執(zhí)行記錄，其中記錄功率在從存儲(chǔ)在設(shè)備中的記錄功率的中心起的特 定范圍之內(nèi)變化而偏置功率固定為根據(jù)轉(zhuǎn)換信息從記錄功率所獲得的 偏置功率上。此后對(duì)該記錄區(qū)域進(jìn)行重放，并且對(duì)重放性能進(jìn)行測(cè)量 以從而確定記錄功率。此后確定偏置功率。
對(duì)示例5進(jìn)行描述。示例5的基本配置與示例4相似，并且不同 之處在于在這里在步驟A100 (圖23)之前執(zhí)行介質(zhì)識(shí)別。利用與示例 3相似的技術(shù)來(lái)執(zhí)行介質(zhì)識(shí)別。在將光盤50設(shè)置到光學(xué)信息記錄/重放 裝置10上之后，雖然不可能對(duì)盤片的制造商進(jìn)行識(shí)別，但是判斷出盤 片是LH介質(zhì)和包括單個(gè)記錄膜的一次寫入型盤片。圖25示出了存儲(chǔ) 在設(shè)備中的每個(gè)盤片制造商的信息的具體示例。參考圖25，制造商未 知的盤片具有推薦的記錄功率為11. 5mW并且偏置功率與記錄功率的 比率為0.34。在步驟B120中(圖13)，在多個(gè)記錄條件之下執(zhí)行記錄， 其中記錄功率Pw在從所推薦的記錄功率(11.5mW)的中心起的特定 范圍內(nèi)變化而偏置功率Pb固定到所推薦的記錄功率(ll. 5mW) X0.34 =3. 9mW。
圖26示出了記錄功率與PRSNR之間的關(guān)系。該圖另外示出了記錄功率與2T中的不對(duì)稱性之間的關(guān)系以作為參考。對(duì)在多個(gè)記錄條件
之下所記錄的區(qū)域進(jìn)行重放以對(duì)PRSNR進(jìn)行測(cè)量，這展示出圖26所 示的結(jié)果。從圖26所示的PRSNR的測(cè)量結(jié)果，將Pw二llmW的記錄 功率確定為最佳記錄功率。此后，在其中偏置功率變化而記錄功率Pw 固定到最佳記錄功率(llmW)的多個(gè)記錄條件之下執(zhí)行記錄，并且對(duì) 記錄區(qū)域進(jìn)行重放以對(duì)PRSNR進(jìn)行測(cè)量。圖27示出了該測(cè)量結(jié)果。 從這些結(jié)果，可將Pb = 3. 4mW的偏置功率確定為最佳偏置功率。
利用上述最佳記錄功率與最佳偏置功率的組合來(lái)執(zhí)行記錄，并且 對(duì)重放信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)量，展示出PRSNR大約為18。參考圖25，未 知盤片呈現(xiàn)PRSNR為15，由此通過(guò)步驟C200中的性能判斷而判斷出 該性能是滿意的。因此，將Pw二llmW的記錄功率和Pb-3.4mW的偏 置功率確定為記錄用功率。
在上述記錄條件之下對(duì)2T不對(duì)稱性e值的測(cè)量展示出e值為 0%，并且將該值與設(shè)備識(shí)別碼(ID) —起記錄到介質(zhì)的驅(qū)動(dòng)器測(cè)試區(qū) 中以作為該設(shè)備所獲得的作為設(shè)備校準(zhǔn)的校準(zhǔn)信息。在校準(zhǔn)之前 PRSNR呈現(xiàn)最大值的記錄功率(1 lmW)的不對(duì)稱性值是1. 5%(圖26)， 其與最終的校準(zhǔn)值不同(0%)。優(yōu)選地是最終的校準(zhǔn)功率提供0%的不 對(duì)稱性，并且在本發(fā)明中確信可實(shí)現(xiàn)得到介質(zhì)的最大性能的高性能校 準(zhǔn)。由此，可證實(shí)本發(fā)明的有效性。
在上述示意性實(shí)施例中，使用波長(zhǎng)為405 nm并且NA為0.6的光 學(xué)信息記錄/重放裝置。然而，本發(fā)明并不局限于這些配置，并且可應(yīng) 用于具有另一波長(zhǎng)和另一 NA的設(shè)備上。記錄波形是基于脈沖串記錄波 形的記錄波形或者基于矩形波形的記錄波形，并且可實(shí)現(xiàn)相似優(yōu)點(diǎn)。 包含在在利用脈沖串波形情況下與標(biāo)記部分相對(duì)應(yīng)的記錄功率之內(nèi)的 偏置功率2未包含在該實(shí)施例中的校準(zhǔn)過(guò)程之內(nèi)，因?yàn)樗恢苯优c本 發(fā)明相關(guān)。然而，在性能低劣的情況下，還優(yōu)選地使該偏置功率2進(jìn) 行校準(zhǔn)。在這種情況下，優(yōu)選地在對(duì)偏置功率進(jìn)行校準(zhǔn)之后執(zhí)行對(duì)偏了功率之外的校準(zhǔn)，可根據(jù)需要執(zhí)行在時(shí) 間軸方向上對(duì)記錄波形的校準(zhǔn)。就用于確定除了上述功率之外的功率 的性能指標(biāo)而言，可根據(jù)設(shè)備配置使用在此以前已知的性能指標(biāo)。這 可以利用例如在特定數(shù)目的ECC塊中出現(xiàn)的錯(cuò)誤字節(jié)的數(shù)目或者下述 PI錯(cuò)誤的數(shù)目，該P(yáng)I錯(cuò)誤的數(shù)目是通過(guò)ECC的內(nèi)側(cè)奇偶性檢測(cè)到錯(cuò) 誤的線的總數(shù)目。也就是說(shuō)，還可使用基本上可由誤差指標(biāo)代替的指 標(biāo)或者在質(zhì)量上與誤差率相等的意義中所使用的指標(biāo)。
如在此以前所描述的，在用于根據(jù)本發(fā)明的示意性實(shí)施例的用于 記錄用光照射功率的校準(zhǔn)方法和光學(xué)信息記錄/重放裝置中，就通過(guò)根 據(jù)標(biāo)記和間隔而在記錄功率與偏置功率之間切換照射來(lái)對(duì)其執(zhí)行記錄 的一次寫入型記錄介質(zhì)而言，首先以提供適當(dāng)?shù)闹胤判盘?hào)質(zhì)量的記錄 功率對(duì)記錄功率進(jìn)行校準(zhǔn)，并且此后利用所校準(zhǔn)的記錄功率來(lái)確定偏 置功率。更具體地說(shuō)，首先執(zhí)行對(duì)用于確定標(biāo)記長(zhǎng)度(大小).的記錄 功率進(jìn)行校準(zhǔn)，繼之以確定與所校準(zhǔn)的記錄功率相配的標(biāo)記成形功率 (偏置功率)，即與從而形成的標(biāo)記相配的標(biāo)記成形功率，由此可以 更高的速度且更高的確定度對(duì)提供適當(dāng)?shù)挠涗?重現(xiàn)特性的記錄用光照 射功率進(jìn)行校準(zhǔn)。
在下文中，例示了在本發(fā)明中可以采用的實(shí)施例。 記錄用光照射功率校準(zhǔn)方法可采用這樣的配置，其中偏置功率選
擇步驟
在偏置功率逐級(jí)變化而將記錄功率固定到所選記錄功率上的同 時(shí)，對(duì)特定圖案串進(jìn)行記錄；通過(guò)對(duì)記錄的特定圖案串進(jìn)行重放來(lái)測(cè) 量重放信號(hào)質(zhì)量；以及從在其之間是逐級(jí)變化的偏置功率當(dāng)中選擇提 供最高重放信號(hào)質(zhì)量的偏置功率。在光學(xué)信息記錄/重放裝置中，可采 用這樣的配置，其中在選擇偏置功率時(shí)參數(shù)校準(zhǔn)單元根據(jù)下述重放信 號(hào)質(zhì)量從在其之間是逐級(jí)變化的偏置功率當(dāng)中選擇允許所測(cè)量的重放 信號(hào)質(zhì)量呈現(xiàn)最佳重放信號(hào)質(zhì)量的偏置功率，所述重放信號(hào)質(zhì)量是在 偏置功率變化而記錄功率固定到所選記錄功率上的同時(shí)重放信號(hào)質(zhì)量測(cè)量部分從所記錄的圖案串測(cè)量出的。在這種情況下，選擇與所選記 錄功率相組合的提供最佳重放信號(hào)質(zhì)量的偏置功率作為在記錄期間所 使用的偏置功率，由此可確定能夠得到最大介質(zhì)性能的記錄用光照射 功率。
在上述替換中，本發(fā)明的記錄用光照射功率校準(zhǔn)方法可釆用這樣 的配置，其中偏置功率選擇步驟根據(jù)預(yù)先指定的記錄功率與偏置功率 之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系來(lái)基于所選記錄功率選擇偏置功率。在光學(xué)信息記錄/ 重放裝置中，可采用這樣的配置，其中參數(shù)校準(zhǔn)單元根據(jù)所選記錄功 率和預(yù)先與該記錄功率相組合地設(shè)置的偏置功率來(lái)選擇偏置功率。例 如，根據(jù)記錄功率與偏置功率的比率從所選記錄功率來(lái)確定出偏置功 率。在利用這種方式的情況下，與執(zhí)行實(shí)際記錄的情況下相比，選擇 偏置功率的時(shí)間長(zhǎng)度降低了。
本發(fā)明的記錄用光照射功率校準(zhǔn)方法可采用這樣的配置，其中重 放信號(hào)質(zhì)量包括PRSNR和根據(jù)從圖案串所重放出的重放信號(hào)所計(jì)算的 誤差率中的至少一個(gè)。在本發(fā)明的光學(xué)信息記錄/重放裝置中可采用這 樣的配置，其中重放信號(hào)質(zhì)量測(cè)量部分根據(jù)重放信號(hào)來(lái)計(jì)算PRSNR和 誤差率中的至少一個(gè)。
本發(fā)明的記錄用光照射功率校準(zhǔn)方法可以進(jìn)一步包括在記錄步驟 之前讀取出包括記錄在記錄介質(zhì)上的偏置功率的設(shè)置信息的控制信息 的步驟，其中記錄步驟根據(jù)包含在所讀取出的控制信息中的偏置功率
的設(shè)置信息來(lái)確定特定偏置功率。在本發(fā)明的光學(xué)信息記錄/重放裝置 中，可采用這樣的配置，其中記錄介質(zhì)(50)將包括偏置功率的信息 的控制信息記錄在其上，并且參數(shù)校準(zhǔn)單元根據(jù)包含在控制信息中的 偏置功率的設(shè)置信息來(lái)確定在記錄功率變化的同時(shí)執(zhí)行記錄時(shí)所使用 的特定偏置功率。例如，如果控制信息包括適合于所設(shè)置的光學(xué)信息 記錄介質(zhì)的偏置功率的推薦值，那么在確定偏置功率時(shí)使用該信息。 在這種情況下，可預(yù)測(cè)到預(yù)先所確定的偏置功率的程度。
本發(fā)明作為光照射功率校準(zhǔn)方法可廣泛地應(yīng)用于通過(guò)根據(jù)標(biāo)記和 間隔而在記錄功率與偏置功率(標(biāo)記成形功率)之間切換照射到一次 寫入型記錄介質(zhì)上(該介質(zhì)的記錄標(biāo)記是通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)或者光熱化 學(xué)反應(yīng)形成的)來(lái)進(jìn)行記錄，并且可實(shí)現(xiàn)記錄用光照射功率的校準(zhǔn)時(shí)間長(zhǎng)度、其校準(zhǔn)精確度、以及使用其的設(shè)備的可靠性急劇改進(jìn)這樣的 優(yōu)點(diǎn)。
該申請(qǐng)基于并且要求于2006年9月15日提交的、日本專利申請(qǐng) No.2006 — 250870的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)參考而并入這里。
權(quán)利要求
1.一種用于在對(duì)一次寫入型記錄介質(zhì)執(zhí)行記錄的光學(xué)信息記錄/重放裝置中對(duì)光照射功率進(jìn)行校準(zhǔn)的方法，在所述一次寫入型記錄介質(zhì)中標(biāo)記是通過(guò)光束照射形成的，該方法包括步驟在記錄功率逐級(jí)變化而偏置功率被固定的同時(shí)，將特定圖案串記錄在記錄介質(zhì)上的特定區(qū)域中；對(duì)在所述記錄步驟中記錄的所述圖案串進(jìn)行重放以測(cè)量重放信號(hào)質(zhì)量；基于所述測(cè)量的重放信號(hào)質(zhì)量，從在之間是逐級(jí)變化的記錄功率當(dāng)中選擇單個(gè)記錄功率；通過(guò)利用所述選擇的記錄功率來(lái)選擇偏置功率；以及通過(guò)照射所述選擇的記錄功率和所述選擇的偏置功率來(lái)形成標(biāo)記。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中 所述偏置功率選擇步驟在偏置功率逐級(jí)變化而記錄功率被固定到所述選擇的記錄功率的 同時(shí)，對(duì)特定圖案串進(jìn)行記錄；通過(guò)對(duì)所述記錄的特定圖案串進(jìn)行重 放來(lái)測(cè)量重放信號(hào)質(zhì)量；以及從在之間是逐級(jí)變化的偏置功率當(dāng)中選 擇提供最高重放信號(hào)質(zhì)量的偏置功率。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述偏置功率選擇步驟根據(jù)記錄 功率與偏置功率之間預(yù)先指定的對(duì)應(yīng)關(guān)系，基于所述選擇的記錄功率 選擇所述偏置功率。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一項(xiàng)的方法，其中所述重放信號(hào)質(zhì) 量包括基于從所述圖案串重放的重放信號(hào)計(jì)算的PRSNR和誤差率中的 至少一個(gè)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，進(jìn)一步包括步驟在所述記錄步驟之 前，讀取出包括記錄在所述記錄介質(zhì)上的偏置功率的設(shè)置信息的控制 信息，其中所述記錄步驟基于包括在所述讀取出的控制信息之內(nèi)的偏置功率 的所述設(shè)置信息來(lái)確定所述特定偏置功率。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述控制信息包括記錄功率與偏 置功率之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，并且所述偏置功率選擇步驟基于所述對(duì)應(yīng)關(guān) 系的信息根據(jù)所述選擇的記錄功率選擇所述偏置功率。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l至6的任何一項(xiàng)的方法，其中所述記錄介質(zhì)是 一次寫入型介質(zhì)，其中記錄標(biāo)記是通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)或者光熱化學(xué)反應(yīng) 形成的，所述記錄介質(zhì)中的記錄膜的至少一部分是由有機(jī)顏料形成的， 并且將所述介質(zhì)配置成使得由所述光束照射形成的標(biāo)記部分的光反射 率高于所述激光束照射之前的光反射率。
8. —種將數(shù)據(jù)記錄到一次寫入型記錄介質(zhì)上/對(duì)一次寫入型記錄 介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行重放的信息記錄/重放裝置，其中標(biāo)記是通過(guò)光束照 射形成的，該信息記錄/重放裝置包括參數(shù)校準(zhǔn)單元(21)，用于確定在對(duì)記錄介質(zhì)(50)執(zhí)行記錄時(shí)照射記錄介質(zhì)的激光束的記錄功率和偏置功率，其中所述參數(shù)校準(zhǔn)單元(21)包括用于測(cè)量重放信號(hào)質(zhì)量的重 放信號(hào)質(zhì)量測(cè)量部件；基于特定圖案串的重放信號(hào)質(zhì)量來(lái)從在之間是逐級(jí)變化的記錄功率當(dāng)中選擇單個(gè)記錄功率，所述特定圖案串在記錄 功率逐級(jí)變化而偏置功率被固定為常數(shù)的同時(shí)被記錄在特定記錄區(qū)中，所述重放信號(hào)質(zhì)量是由所述參數(shù)校準(zhǔn)單元測(cè)量的；基于選擇的記 錄功率來(lái)選擇偏置功率；并且將選擇的記錄功率和選擇的偏置功率分別確定為在記錄標(biāo)記時(shí)的光照射功率和偏置功率。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的光學(xué)信息記錄/重放裝置，其中在選擇所述偏置功率時(shí)，所述參數(shù)校準(zhǔn)單元(21)基于由所述重放信號(hào)質(zhì)量測(cè)量部 件從下述圖案串中測(cè)量出的重放信號(hào)質(zhì)量，從在之間是逐級(jí)變化的偏 置功率當(dāng)中選擇允許所述測(cè)量的重放信號(hào)質(zhì)量呈現(xiàn)最佳重放信號(hào)質(zhì)量 的偏置功率，所述圖案串是在偏置功率變化而記錄功率被固定到所述 選擇的記錄功率的同時(shí)被記錄的。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8的光學(xué)信息記錄/重放裝置，其中所述參數(shù)校 準(zhǔn)單元(21)基于選擇的記錄功率和預(yù)先結(jié)合記錄功率設(shè)置的偏置功 率來(lái)選擇偏置功率。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8至10的任何一項(xiàng)的光學(xué)信息記錄/重放裝置， 其中所述重放信號(hào)質(zhì)量測(cè)量部件基于重放信號(hào)來(lái)計(jì)算PRSNR和誤差率 中的至少一個(gè)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8的光學(xué)信息記錄/重放裝置，其中記錄介質(zhì) (50)在其上記錄包括偏置功率的信息的控制信息，并且所述參數(shù)校準(zhǔn)單元(21)基于包括在控制信息中的偏置功率的設(shè)置信息來(lái)確定在 記錄功率變化的同時(shí)執(zhí)行記錄時(shí)使用的所述特定偏置功率。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12的光學(xué)信息記錄/重放裝置，其中所述控制信 息包括記錄功率與偏置功率之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的信息，并且所述參數(shù)校 準(zhǔn)單元(21)根據(jù)所述對(duì)應(yīng)關(guān)系的信息，基于選擇的記錄功率選擇偏 置功率。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8至13的任何一項(xiàng)的光學(xué)信息記錄/重放裝置， 其中記錄介質(zhì)(50)是一次寫入型記錄介質(zhì)，該一次寫入型記錄介質(zhì) 的記錄標(biāo)記主要是通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)或者光熱化學(xué)反應(yīng)形成的，該記錄 介質(zhì)的記錄膜的至少一部分是由有機(jī)顏料形成的，并且由所述光束照 射形成的標(biāo)記部分的光反射率高于所述激光束照射之前介質(zhì)的光反射
全文摘要
光學(xué)信息記錄/重放裝置分辨所設(shè)置的光盤的未記錄區(qū)(步驟A100)。此后在其中記錄功率變化而偏置功率恒定的多個(gè)記錄條件之下在未記錄區(qū)中執(zhí)行記錄，以選擇提供最佳重放信號(hào)質(zhì)量的記錄功率(步驟B100)。隨后，在其中將記錄功率固定到所選記錄功率并且偏置功率變化的多個(gè)記錄條件之下利用所選記錄功率執(zhí)行記錄，以選擇提供最佳重放信號(hào)質(zhì)量的偏置功率(步驟C100)。將所選記錄功率和所選偏置功率分別設(shè)置為記錄用光照射功率和偏置功率(步驟D100)。
文檔編號(hào)G11B7/125GK101517641SQ20078003429
公開日2009年8月26日 申請(qǐng)日期2007年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月15日
發(fā)明者中野正規(guī), 小川雅嗣 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社