專利名稱：只寫一次型的光學(xué)記錄媒體的制作方法
經(jīng)第三腐蝕處理形成第三雜質(zhì)區(qū)5032-5035。第一導(dǎo)電層5037a-5040a分別與第三雜質(zhì)區(qū)5 032a-5035a重疊，第二雜質(zhì)區(qū)5 032b-5 036b 分別形成在第一雜質(zhì)區(qū)和第三雜質(zhì)區(qū)之間。如圖22C所示，具有與第一導(dǎo)電類型相反的導(dǎo)電類型的第四雜質(zhì) 區(qū)5043-5054被形成在小島狀半導(dǎo)體層5004和5006中用于形成p溝 道型TFT。第三形狀導(dǎo)電層5038b和5040b用作對雜質(zhì)元素的掩模并 且雜質(zhì)區(qū)以自對準(zhǔn)方式形成。此時，用于形成n溝道型TFT和布線部 分5041和5042的小島狀半導(dǎo)體層5003和5005全部覆以光致抗蝕劑 掩模5200。雜質(zhì)區(qū)5043-5054已用磷以不同的濃度摻雜。雜質(zhì)區(qū) 5043-5054借助離子摻雜用乙硼烷(B2H6)摻雜，并且其雜質(zhì)濃度在相 應(yīng)的雜質(zhì)區(qū)被設(shè)為2 x 102。-2 x 1()2'原子/cm3。通過上述步驟，雜質(zhì)區(qū)被形成在相應(yīng)的小島狀半導(dǎo)體層中。重疊 小島狀半導(dǎo)體層的第三形狀的導(dǎo)電層5037-5040用作柵極。參考數(shù)字 5042用作小島狀笫一掃描線。參考數(shù)字5041用作連接小島狀第三掃 描線和第三形狀導(dǎo)電層5040的布線。去除光致抗蝕劑掩模5200后，對添加到小島狀半導(dǎo)體層的雜質(zhì)元 素進行激活的步驟以控制導(dǎo)電類型。該工藝借助使用爐子進行爐子退 火的熱退火方法。此外，可以應(yīng)用激光退火方法或快速熱退火方法(RTA 方法)。在熱退火方法中，在400-700 。C，通常為500-600 。C的溫 度下，在其中氧的濃度等于或小于1 ppm并優(yōu)選等于或小于0. lppm的 氮氣氛中進行該工藝。在本實施例中，熱處理在500 。C的溫度進行四 小時。當(dāng)用在第三形狀導(dǎo)電層5037-5042中的布線材料的抗熱性弱 時，優(yōu)選在形成層間絕緣膜(有硅作為主要成分)之后進行激活以保 護布線等。當(dāng)采用激光退火方法時，可使用在結(jié)晶化中使用的激光。 當(dāng)進行激活時，移動速度設(shè)為與結(jié)晶化處理一樣，需要的能量密度為 約0. 01-100 MW/cm2 (優(yōu)選0.01-10 MW/cm2)。此外，在300-450 。C的溫度下，在包含3-100%的氫的氣氛中進 行熱處理1-12小時，使得小島狀半導(dǎo)體層被氬化。該步驟通過被熱激 發(fā)的氫而終止了半導(dǎo)體層的懸掛鍵。也可進行等離子體氫化(使用被 等離子體激發(fā)的氫)作為氫化的另一種方法。接著，如圖23A所示，第一層間絕緣膜5055由厚度為100-200 nm 的氮氧化硅膜形成。有機絕緣材料的笫二層間絕緣膜5056形成在第一由此可見，上述現(xiàn)有的只寫 一次型的光學(xué)記錄々某體在結(jié)構(gòu)與使用上，顯 然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問 題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的 設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然 是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。由于可讀寫光學(xué)記錄媒體的技術(shù)不斷突破創(chuàng) 新，同時，人們對記錄々某體的容量要求也越來越高，因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新 型結(jié)構(gòu)的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，改善目前的只寫一次型的光學(xué)記錄 媒體，實屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界持續(xù)努力的方向及極 需改進的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體存在的缺陷，本發(fā)明人 基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理 的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的只寫一次型的光學(xué) 記錄媒體，能夠改進一般現(xiàn)有的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，使其更具有 實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進后，終于創(chuàng) 設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體存在的缺 陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，所要解決的技術(shù)問 題是使其可以降低生產(chǎn)成本，并且能夠提高生產(chǎn)效率，非常適于實用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，可與一寫錄激光相配合而 用于記錄資料，之后，再與一再生激光相配合而可讀取記錄資料，該只寫一次型的光學(xué)記錄媒體包含一片基板，及一層形成于該基板上的鍍膜；其特 征在于該鍍膜，包括一層記錄層，及一層與該記錄層相連接并用于反射 該再生激光的反射層；該記錄層的主成分是選自于鍺、銻、硅，或此等元 素的組合，該反射層的主成分是選自于鋁、銅、4艮、金，或此等元素的組 合，當(dāng)該寫錄激光射入該鍍膜時，會在該記錄層與該反射層的界面區(qū)域產(chǎn) 生局部材料組成變化反應(yīng)，使得反射率提高，而形成一作為數(shù)位訊號來源 的i己錄點。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。前述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其中所述的記錄層的主成分是原 子百分比80以上的銻，該反射層的主成分是銀。前述的只寫 一次型的光學(xué)記錄媒體，其中所述的記錄層的主成分是原 子百分比80以上的珪，該反射層的主成分是鋁。前述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其中所述的鍍膜的記錄層與反射層是依序疊置于該基板上，該寫錄激光是自該基板底面射入該光學(xué)記錄媒 體，且該基板的材料是選自于玻璃、聚碳酸酯，或聚甲基丙烯酸曱S旨，該記錄層厚度是10nm~ 100nra，主成分是原子百分比80以上的鍺，該反射層厚度 是80nm ~ 200nm,且主成分為銀，并包括一原子百分比0. 01 ~ 3. O并用于提高 該反射層的反射率的第一副成分、 一原子百分比0.01-2.0并用于提高該 反射層的抗腐蝕性的第二副成分，及一原子百分比0. 01 ~2. O并用于提高該 反射層的機械強度的第三副成分，且該第一副成分是選自于鈀、銅、鉑，或 此等的組合，該第二副成分是選自于鈧、鈹、鋁、鈦、鉻、鋅、鎳,或此等 的組合，該第三副成分是選自于鋇、鈧、硅、鈦、銦、鍺、鋅、鉍,或此等 的組合。前述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其中所述的鍍膜還包括一層疊置 于該基板上的介電層，且該記錄層與該反射層是依序疊置于該介電層上，該 寫錄激光是自該基板底面射入該光學(xué)記錄媒體，并被該介電層偏折而垂直 射入該記錄層，且該基板的材料是選自于玻璃、聚碳酸酯，或聚甲基丙烯酸 曱酉旨，該介電層厚度是為50nm 300mn,材料是選自于硫化鋅-二氧化硅、氧 化鋁、氧化鋯、氮化鈦，或碳化硅，該記錄層的厚度是為10nm-100nm，主 成分是原子百分比80以上的鍺，該反射層的厚度是為80nm~ 200nm,并且 主成分為銀，并包括一原子百分比0. 01 ~ 3. 0并用于提高該反射層的反射 率的第一副成分、 一原子百分比0. 01~2. 0并用于提高該反射層的抗腐蝕 性的第二副成分，及一原子百分比0. 01~2. 0并用于提高該反射層的機械 強度的第三副成分，并且該第一副成分是選自于鈀、銅、柏，或此等的 組合，該第二副成分是選自于鈧、鈹、鋁、鈦、鉻、鋅、鎳，或此等的 組合，該第三副成分是選自于鋇、鈧、硅、鈦、銦、鍺、鋅、鉍，或此等的 組合。前述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其中所述的鍍膜還包括一層疊置 于該反射層上用于避免該反射層遭受破壞的保護層，且該保護層的材料是 光硬化樹脂。前述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其中所述的鍍膜的反射層與記錄 層是依序疊置于該基板上，該寫錄激光是自該鍍膜頂面射入該光學(xué)記錄媒 體，并且該基板的材料是選自于玻璃、聚碳酸酯，或聚曱基丙烯酸曱酯，該 記錄層的厚度是為10nm 100nm,主成分是原子百分比80以上的鍺，該反 射層的厚度是為80nm~ 200nm，且主成分是為銀，并包括一原子百分比 0.01-3.0并用于提高該反射層的反射率的第一副成分、 一原子百分比 0. 01 ~ 2. 0 并用于提高該反射層的抗腐蝕性的第二副成分，及一原子百分 比0. 01~2. 0 并用于提高該反射層的機械強度的第三副成分，并且該第 一副成分是選自于鈀、銅、柏，或此等的一組合，該第二副成分是選自于鈧、鈹、鋁、鈦、鉻、鋅、鎳，或此等的組合，該第三副成分是選自于 鋇、鈧、硅、鈦、銦、鍺、鋅、鉍，或此等的組合。前述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其中所述鍍膜還包括一層疊置于 該記錄層上的介電層，該寫錄激光是自該鍍膜頂面射入該光學(xué)記錄媒體，并被該介電層偏折而垂直射入該記錄層，且該介電層的厚度是為50nm~ 300nm，材料是選自于硫化鋅-二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氮化鈦，或碳 化硅。前述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其中所述的鍍膜還包括一層疊置 于該介電層上用于避免該介電層遭受破壞的透明的保護層，且該保護層的 材料是光硬化樹脂。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方 案，本發(fā)明只寫一次型的光學(xué)記錄媒體至少具有下列優(yōu)點及有益效果1、 本發(fā)明的該記錄層是選用可采用直流濺鍍技術(shù)成長的無機材料，而 可以降低生產(chǎn)成本，及提高生產(chǎn)效率。2、 此外，運用該反射層的材料特性，不僅可與該記錄層相配合達成記 錄的功效，同時還可以用于反射該再生激光，而能夠減少該光學(xué)記錄媒體 的鍍膜層數(shù)。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其包含 基板，及形成于基板上的鍍膜，且鍍膜包括記錄層，及與記錄層相連接的反 射層，其中，記錄層的主成分可為鍺、銻、硅，或上述任兩種以上元素形成 的混合物，且反射層的主成分可為鋁、銅、銀、金，或上述任兩種以上金屬 形成的合金，當(dāng)寫錄激光射入鍍膜時，會在記錄層與反射層的界面區(qū)域產(chǎn)生 局部材料組成變化反應(yīng)而形成一作為數(shù)位訊號來源的記錄點，由于記錄層 是選用可采用直流濺鍍技術(shù)成長的無機材料，且產(chǎn)品制作工序極小化，因 此，可以大幅降低生產(chǎn)成本，并提高生產(chǎn)效率。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點及 實用價值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大改進，在技術(shù)上有顯著的 進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的只寫一次型的光學(xué)記錄媒 體具有增進的突出功效，從而更加適于實用，并具有產(chǎn)業(yè)廣泛利用價值，誠 為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細(xì)說明如下。


圖l是說明一般現(xiàn)有的光學(xué)記錄媒體的示意圖。圖2是說明本發(fā)明光學(xué)記錄媒體第 一較佳實施例的示意圖。圖3是說明本發(fā)明光學(xué)記錄媒體第五較佳實施例的示意圖。 圖4是說明本發(fā)明光學(xué)記錄媒體第六較佳實施例的示意圖。 圖5是說明本發(fā)明光學(xué)記錄媒體第七較佳實施例的示意圖。 圖6是說明本發(fā)明光學(xué)記錄媒體第八較佳實施例的示意圖。 圖7是說明本發(fā)明光學(xué)記錄媒體第九較佳實施例的示意圖。
具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的只寫一次型的光學(xué)記 錄媒體其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點及功效，在以下配合參考圖 式較佳實施例的詳細(xì)說明中將可清楚的呈現(xiàn)。在本發(fā)明被詳細(xì)描述之前，要 注意的是，在以下的說明內(nèi)容中，類似的元件是以相同的編號來表示。本發(fā)明只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，可與一寫錄激光相配合而用于記 錄資料，之后，再與一再生激光相配合而可讀取記錄資料。請參閱圖2所示，是說明本發(fā)明光學(xué)記錄媒體第一較佳實施例的示意 圖。本發(fā)明只寫一次型的光學(xué)記錄媒體的一第一較佳實施例，包含一片基 板2，以及一層形成于該基板2上的鍍膜3。該基板2,是以透明的材料，例如玻璃、聚碳酸酯，或聚甲基丙烯酸甲 酯等構(gòu)成，在本實施例中，是以玻璃為例進行說明。該鍍膜3,包括一層疊置于該基板2上的記錄層31，及一層疊置于該記 錄層31上并用于反射該再生激光的反射層32。該記錄層31的厚度是10nm 100nm，且主成分可是鍺、硅、銻，及/或 此等元素選擇性地組成的混合物，并包括一由其他元素構(gòu)成的副成分，且主 成分含量的原子百分比需要在80以上，才可達到藍(lán)光碟片對訊號記錄的規(guī) 范；在本實施例中，該記錄層的厚度是30nm，并以原子百分比90的鍺作為 主成分，原子百分比10的鉻作為副成分，為例進行說明。該反射層32的厚度是80nm~ 200nm，并可反射光，且主成分是銀，并包 括一用于提高該反射層32的反射率的第一副成分、 一用于提高該反射層32 的抗腐蝕性的第二副成分，及一用于提高該反射層32的機械強度的第三副 成分，其中，該第一副成分可為鈀、銅、鉬，及/或上述任兩種以上金屬形成 的合金，且最高添加量為3. 0的原子百分比，超出此一范圍，該反射層的反 射率將隨添加量提高而降低，而最少添加量則定在0.01的原子百分比；該 第二副成分可為鈧、鈹、鋁、鈦、鉻、鋅、鎳，及/或上述任兩種以上元素 形成的合金，且添加量必須高于0. 01的原子百分比，才足以顯現(xiàn)其功效，同按照從移位寄存器輸出的取樣脈沖同時進行數(shù)字圖像信號的3個比特 部分的存儲操作。存儲在第二閂鎖電路1203中的3比特數(shù)字圖像信號 被輸入到固定電流電路1204。圖13示出構(gòu)造實施例3的固定電流電路的電流置位電路結(jié)構(gòu)的實 例。電流置位電路1300具有TFT 1301-1303、模擬開關(guān)1304和1305、 反相器1306和1307、 N0R電路1308和電源1309和1310。數(shù)字圖像信號的3比特被分別輸入到TFT 1301-1303的柵極，并 輸入到NOR電路1308。 TFT各自具有不同的溝道寬度W，并且它們的 接通電流被設(shè)置為具有比例4: 2: 1。當(dāng)輸入到TFT 1301-1303的柵極的數(shù)字圖^f象信號為1時，即當(dāng)它 為H電平時，TFT接通并且預(yù)定的電流被提供給源信號線。提供給源信 號線的電流是經(jīng)TFT 1301-1303提供的電流的總和，并且如上所述各 TFT的接通電流的比例為4: 2: 1，因此電流的大小可被控制為23級， 即8級。如果輸入到TFT 1301-1303的柵極的數(shù)字圖像信號都為零時，即 當(dāng)它為L電平時，則TFT 1301-1303全部關(guān)斷。另一方面，H電平從 N0R輸出，模擬開關(guān)1305接通，電源1310的電源電位被分給源信號 線。此外，如果復(fù)位信號(Res.)在水平返回周期內(nèi)被輸入，則模擬 開關(guān)1304接通，電源1309的電源電位被分給源信號線。優(yōu)選電源1309和1310的電位分別被設(shè)置為類似與象素部分的電 流饋電線的電位，使得當(dāng)電源電位被分給源信號線時流入源信號線的 電流量可被設(shè)置為零。于是可進行灰度等級顯示。注意，雖然在實施例3中給出3比特 數(shù)字灰度等級情況的實例，對灰度等級的數(shù)目沒有特定的限制，對于 顯示更高灰度等級數(shù)目的情況，用類似的方法可能實現(xiàn)實施例3。實施例4在圖1A和1B所示的結(jié)構(gòu)中，存儲TFT 156的第二電極被連接到 源信號線101。如圖14A所示，存儲TFT 156也可被連接到開關(guān)TFT 1401 的輸出電極和驅(qū)動TFT 1403的輸入電極。圖14B-14D示出信號寫入和光發(fā)射操作，但除了電流路徑L與圖 1A和1B稍有不同外，操作是相同的，因此這里省略解釋。該第 一較佳實施例，其不同點僅在于該第二較佳實施例是以純鍺作為該記錄層31的材料，而可降低與該反射層32反應(yīng)所需的能量，且能夠縮短反應(yīng) 時間，而可以提升資料的寫入速率。本發(fā)明只寫一次型的光學(xué)記錄媒體的第三較佳實施例，大致上雷同于 該第一較佳實施例，其不同點僅在于該第三較佳實施例的該記錄層的主成 分是硅，該反射層的主成分是鋁，并且當(dāng)該寫錄激光射入該光學(xué)記錄媒體 時，將在該記錄層31與該反射層32的界面區(qū)域產(chǎn)生局部材料組成變化反應(yīng) 而形成硅鋁固溶物，而可以作為數(shù)位訊號來源的記錄點。本發(fā)明只寫一次型的光學(xué)記錄媒體的第四較佳實施例，大致上雷同于 該第一較佳實施例，其不同點僅在于該第四較佳實施例的該記錄層的主成 分是銻，且當(dāng)該寫錄激光射入該光學(xué)記錄媒體時，將在該記錄層31與該反 射層32的界面區(qū)域產(chǎn)生局部材料組成變化反應(yīng)而形成銻銀固溶合金，而可 以作為數(shù)位訊號來源的記錄點。請參閱圖3所示，是說明本發(fā)明光學(xué)記錄媒體第五較佳實施例的示意 圖。本發(fā)明只寫一次型的光學(xué)記錄媒體的第五較佳實施例，其包含一片基 板2,以及一層形成于該基板2上的鍍膜3。該基板2,是以透明的材料，例如玻璃、聚碳酸酯，或聚曱基丙烯酸曱 酯等構(gòu)成，在本實施例中，是以玻璃為例進行說明。該鍍膜3，包括依序疊置于該基板2上的一層介電層33、 一層記錄層 31，及一層用于反射該再生激光反射層32。該介電層33的厚度是為50nm 300nm,并以具有高折射率的材料，例 如硫化鋅-二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氮化鈦，或碳化硅等構(gòu)成，而可 偏折光的行進路線；在本實施例中，是以厚度為150nm的硫化鋅-二氧化硅 為例進行說明。該記錄層31的厚度是10nm-100nm，且主成分可以是鍺、硅、銻，及/ 或此等元素選擇性地組成的混合物，并包括一由其他元素構(gòu)成的副成分，且 主成分含量的原子百分比需在80以上，才可達到藍(lán)光碟片對訊號記錄的規(guī) 范；在本實施例中，該記錄層的厚度是30nm,并以原子百分比90的鍺作為 主成分，原子百分比10的鉻作為副成分，為例進行說明。該反射層32的厚度是80nm~ 200nm,并可反射光，且主成分是銀，并包 括一用于提高該反射層32的反射率的第一副成分、 一用于提高該反射層32 的抗腐蝕性的第二副成分，及一用于提高該反射層32的機械強度的第三副 成分，其中，該第一副成分可為鈀、銅、柏，及/或上述任兩種以上金屬形成 的合金，且最高添加量為3.0的原子百分比，超出此一范圍，該反射層的 反射率將隨添加量提高而降低，而最少添加量則定在0. 01的原子百分比；該 第二副成分可為鈧、鈹、鋁、鈦、鉻、鋅、鎳，及/或上述任兩種以上元素形成的合金，且添加量必須高于0. 01的原子百分比，才足以顯現(xiàn)其功效，同時不能超出2. 0的原子百分比，以避免對反射率造成不良的影響；該第三副 成分可以為鋇、鈧、硅、鈦、銦、鍺、鋅、鉍，及/或上述任兩種以上元素 形成的混合物，且最高添加量為2. 0的原子百分比，以避免因濃度過高，產(chǎn) 生析出物，而最少添加量則定在0.01的原子百分比；在本實施例中，是以 厚度為200nm的《艮合金，并添加原子百分比1. 2的鉑、原子百分比0. 3的 銅、原子百分比O. l的鈧、原子百分比O. 2的鎳，為例進行說明。該寫錄激光(波長405nm以下)(圖中未示)是自該基板2底面射入該光 學(xué)記錄媒體，且被該介電層33偏折而垂直射入該記錄層31，并在該記錄層 31與該反射層32的界面區(qū)域產(chǎn)生局部材料組成變化反應(yīng)，而形成銀鍺的固 溶合金，使得反射率提高，以作為數(shù)位訊號來源的記錄點，而用于記錄、保 存資料。在本實施例中，該寫錄激光的波長是405nm,并在該記錄層31與 該反射層32的界面形成銀鍺固溶合金，使反射率在反應(yīng)前后的差異達45% 以上，以作為數(shù)位訊號來源的記錄點。請參閱圖4所示，是說明本發(fā)明光學(xué)記錄媒體第六較佳實施例的示意 圖。本發(fā)明只寫一次型的光學(xué)記錄媒體的第六較佳實施例，大致上雷同于 該第五較佳實施例，其不同點僅在于該第六較佳實施例的該鍍膜還包括一 層疊置于該反射層32上用于避免該反射層32遭受破壞的保護層34，且在 本較佳實施例中，該保護層34的材料是光硬化樹脂。請參閱圖5所示，是說明本發(fā)明光學(xué)記錄媒體第七較佳實施例的示意 圖。本發(fā)明只寫一次型的光學(xué)記錄媒體的第七較佳實施例，其包含一片基 板4,以及一層形成于該基板4上的鍍膜5。該基板4,是以透明的材料，例如玻璃、聚碳酸酯，或聚曱基丙烯酸曱 酯等構(gòu)成；在本實施例中，是以玻璃為例進行說明。該鍍膜5,包括一層記錄層51,及一層疊置于該基板4與該記錄層的 間并用于反射該再生激光的反射層52。該記錄層31的厚度是為10nm 100nm，且主成分可以是鍺、硅、銻，及/ 或此等元素選擇性地組成的混合物，并包括一由其他元素構(gòu)成的副成分，且 主成分含量的原子百分比需在80以上，才可達到藍(lán)光^^乘片對訊號記錄的規(guī) 范；在本實施例中，該記錄層的厚度是為30nm，并以原子百分比95的鍺作 為主成分，原子百分比5的鉻作為副成分，為例進行說明。該反射層32的厚度是80nm 200nm，并可反射光，且主成分是銀，并包 括一用于提高該反射層32的反射率的第一副成分、 一用于提高該反射層32 的抗腐蝕性的第二副成分，及一用于提高該反射層32的機械強度的第三副 成分，其中，該第一副成分可為鈀、銅、柏，及/或上述任兩種以上金屬形成的合金，且最高添加量為3. G的原子百分比，超出此一范圍，該反射層的反射率將隨添加量提高而降低，而最少添加量則定在0. 01的原子百分比；該第二副成分可為鈧、鈹、鋁、鈦、鉻、鋅、鎳，及/或上述任兩種以上元素形成的合金，且添加量必須高于0. 01的原子百分比，才足以顯現(xiàn)其功效，同 時不能超出2. 0的原子百分比，以避免對反射率造成不良的影響；該第三 副成分可為鋇、鈧、硅、鈦、銦、鍺、鋅、鉍，及/或上述任兩種以上元素 形成的混合物，且最高添加量為2. 0的原子百分比，以避免因濃度過高，產(chǎn) 生析出物，而最少添加量則定在0. 01的原子百分比；在本實施例中，是以 厚度為200nm的銀合金，并添加原子百分比0. 9的鉑、原子百分比0. 9的 銅，及原子百分比l的金，為例進行說明。該寫錄激光(波長405nm以下)(圖中未示)是自該鍍膜5頂面射入該光 學(xué)記錄々某體，并在該記錄層51與該反射層52的界面區(qū)域產(chǎn)生局部材料組 成變化反應(yīng)而形成銀鍺固溶合金，使得反射率提高，以作為數(shù)位訊號來源 的記錄點，而用于記錄、保存資料。在本實施例中，該寫錄激光的波長是 為405nm，并在該記錄層51與該反射層52的界面形成銀鍺固溶合金，使反 射率在反應(yīng)前后的差異達45 %以上，以作為凄t位訊號來源的記錄點。該第七較佳實施例，是提供另一類型的光學(xué)記錄媒體。請參閱圖6所示，是說明本發(fā)明光學(xué)記錄々某體第八較佳實施例的示意 圖。本發(fā)明只寫一次型的光學(xué)記錄媒體的第八較佳實施例，大致上雷同于該 第七較佳實施例，其不同點僅在于該第八較佳實施例的該鍍膜還包括一層 疊置于該記錄層51上的介電層53。該介電層53的厚度是為50nm~ 300nm，并且以具有高折射率的材料，例 如硫化鋅-二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氮化鈦，或碳化硅等構(gòu)成，而可偏 折光的行進路線；在本實施例中，是以厚度為150nm的硫化鋅-二氧化硅為 例進行說明。該寫錄激光是自該鍍膜5頂面射入該光學(xué)記錄媒體，并被該介電層53 偏折而垂直射入該記錄層51,并在該記錄層51與該反射層52的界面區(qū)域 產(chǎn)生局部材料組成變化反應(yīng)而形成銀鍺固溶合金，使得反射率提高，以作 為數(shù)位訊號來源的記錄點。請參閱圖7所示，是說明本發(fā)明光學(xué)記錄媒體第九較佳實施例的示意 圖。本發(fā)明只寫一次型的光學(xué)記錄媒體的第九較佳實施例，大致上雷同于第 八較佳實施例，其不同點僅在于該第九較佳實施例的該鍍膜還包括一層疊 置于該介電層53上用于避免該介電層53遭受破壞的透明的保護層54，且在 本較佳實施例中，該保護層54的材料是光硬化樹脂。另外，上述該第5、 6、 7、 8、 9實施例中，該記錄層31、 51的材料亦 可以為純鍺；或以硅取代鍺作為該記錄層31、 51的主成分，并以鋁取代銀 作為該反射層32、 52的主成分，且當(dāng)該寫錄激光射入該光學(xué)記錄媒體時，在該記錄層31、 51與該反射層32、 52的界面區(qū)域產(chǎn)生局部材料組成變化反 應(yīng)而形成硅鋁固溶物，以作為數(shù)位訊號來源的記錄點；或是以銻取代鍺作 為該記錄層31、 51的主成分，且當(dāng)該寫錄激光射入該光學(xué)記錄媒體時，在 該記錄層31、 51與該反射層32、 52的界面區(qū)域產(chǎn)生局部材料組成變化反 應(yīng)而形成銻銀固溶合金，以作為數(shù)位訊號來源的記錄點。此外，該基板的上表面更可形成設(shè)有多數(shù)個導(dǎo)引光線行進的溝槽，然而 由于該多數(shù)溝槽的設(shè)計已為業(yè)界所周知，因此在此不再加以贅述。綜上所述，本發(fā)明只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，是選用可以直流濺鍍 技術(shù)成長的無機材料做為該記錄層31、 51的材料， 一方面可以延長該光學(xué) 記錄媒體的使用壽命，且適用于嚴(yán)苛的使用或儲存環(huán)境；另一方面，還可 以大幅降低生產(chǎn)成本，并提高生產(chǎn)效率，確實能夠達到本發(fā)明的目的及功 效。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，可與一寫錄激光相配合而用于記錄資料，之后，再與一再生激光相配合而可讀取記錄資料，該只寫一次型的光學(xué)記錄媒體包含一片基板，及一層形成于該基板上的鍍膜；其特征在于該鍍膜，包括一層記錄層，及一層與該記錄層相連接并用于反射該再生激光的反射層；該記錄層的主成分是選自于鍺、銻、硅，或此等元素的組合，該反射層的主成分是選自于鋁、銅、銀、金，或此等元素的組合，當(dāng)該寫錄激光射入該鍍膜時，會在該記錄層與該反射層的界面區(qū)域產(chǎn)生局部材料組成變化反應(yīng)，使得反射率提高，而形成一作為數(shù)位訊號來源的記錄點。
2、 如權(quán)利要求1所述的只寫一次型的光學(xué)記錄J;某體，其特征在于其中 所述的記錄層的主成分是原子百分比80以上的銻，該反射層的主成分是銀。
3、 如權(quán)利要求1所述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其特征在于其中 所述的記錄層的主成分是原子百分比80以上的硅，該反射層的主成分是鋁。
4、 如權(quán)利要求1所述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其特征在于其 中所述的鍍膜的記錄層與反射層是依序疊置于該基板上，該寫錄激光是自 該基板底面射入該光學(xué)記錄媒體，并且該基板的材料是選自于玻璃、聚碳 酸酯，或聚甲基丙烯酸曱酯，該記錄層的厚度是為10nm 100nm，主成分是 原子百分比80以上的鍺，該反射層的厚度是為80nm 200nm,且主成分為 銀，并包括一原子百分比0. 01 ~ 3. 0并用于提高該反射層的反射率的第一副 成分、 一原子百分比0.01-2.0并用于提高該反射層的抗腐蝕性的第二副 成分,及一原子百分比0. 01 ~ 2. 0并用于提高該反射層的機械強度的第三副 成分，且該第一副成分是選自于鈀、銅、柏，或此等的組合，該第二副成 分是選自于鈧、鈹、鋁、鈦、鉻、鋅、鎳，或此等的組合，該第三副成分 是選自于鋇、鈧、硅、鈦、銦、鍺、鋅、鉍，或此等的組合。
5、 如權(quán)利要求1所述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其特征在于其 中所述的鍍膜還包括一層疊置于該基板上的介電層，并且該記錄層與該反 射層是依序疊置于該介電層上，該寫錄激光是自該基板底面射入該光學(xué)記 錄媒體，并被該介電層偏折而垂直射入該記錄層，且該基板的材料是選自 于玻璃、聚碳酸酯，或聚曱基丙烯酸曱酯，該介電層的厚度是為50nm~ 300nm，材料是選自于^i化鋅-二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氮化鈦，或碳 化硅，該記錄層的厚度是為10nm~100nm，主成分是原子百分比80以上的 鍺，該反射層的厚度是為80nm~ 200nm，并且主成分為銀，并包括一原子百 分比0. 01 ~ 3. 0并用于提高該反射層的反射率的第一副成分、 一原子百分比0. 01~2. 0并用于提高該反射層的抗腐蝕性的第二副成分，及一原子百 分比0. 01~2. 0并用于提高該反射層的機械強度的第三副成分，并且該第 一副成分是選自于鈀、銅、柏，或此等的組合，該第二副成分是選自于 鈧、鈹、鋁、鈦、鉻、鋅、鎳，或此等的組合，該第三副成分是選自于 鋇、鈧、硅、鈦、銦、鍺、鋅、鉍，或此等的組合。
6、 如權(quán)利要求5所述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其特征在于其中 所述的鍍膜還包括一層疊置于該反射層上用于避免該反射層遭受破壞的保 護層，且該保護層的材料是光硬化樹脂。
7、 如權(quán)利要求1所述的只寫一次型的光學(xué)記錄纟某體，其特征在于其中 所述的鍍膜的反射層與記錄層是依序疊置于該基板上，該寫錄激光是自該 鍍膜頂面射入該光學(xué)記錄媒體，并且該基板的材料是選自于玻璃、聚碳酸 酯，或聚曱基丙烯酸甲酯，該記錄層的厚度是為10nm~100nm,主成分是原 子百分比80以上的鍺，該反射層的厚度是為80mn- 200nm，且主成分是為 銀，并包括一原子百分比0. 01 ~ 3. 0并用于提高該反射層的反射率的第一副 成分、 一原子百分比0.01-2.0并用于提高該反射層的抗腐蝕性的第二副 成分，及一原子百分比0. 01 ~ 2. 0并用于提高該反射層的機械強度的第三 副成分，且該第一副成分是選自于鈀、銅、鉑，或此等的一組合，該第二 副成分是選自于鈧、鈹、鋁、鈦、鉻、鋅、鎳，或此等的組合，該第三副 成分是選自于鋇、鈧、硅、鈦、銦、鍺、鋅、鉍，或此等的組合。
8、 如權(quán)利要求7所述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其特征在于其中 所述的鍍膜還包括一層疊置于該記錄層上的介電層，該寫錄激光是自該鍍 膜頂面射入該光學(xué)記錄媒體，并被該介電層偏折而垂直射入該記錄層，且該 介電層的厚度是50nm ~ 300nm，材料是選自于硫化鋅-二氧化硅、氧化鋁、氧 化鋯、氮化鈦，或碳化硅。
9、 如權(quán)利要求8所述的只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其特征在于其中 所述的鍍膜還包括一層疊置于該介電層上用于避免該介電層遭受破壞的透 明的保護層，且該保護層的材料是光硬化樹脂。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種只寫一次型的光學(xué)記錄媒體，其包含基板，及形成于基板上的鍍膜，且鍍膜包括記錄層，及與記錄層相連接的反射層，其中，記錄層的主成分可為鍺、銻、硅，或上述任兩種以上元素形成的混合物，且反射層的主成分可為鋁、銅、銀、金，或上述任兩種以上金屬形成的合金，當(dāng)寫錄激光射入鍍膜時，會在記錄層與反射層的界面區(qū)域產(chǎn)生局部材料組成變化反應(yīng)而形成一作為數(shù)位訊號來源的記錄點，由于記錄層是選用可采用直流濺鍍技術(shù)成長的無機材料，且產(chǎn)品制作工序極小化，因此，可以大幅降低生產(chǎn)成本，并提高生產(chǎn)效率。
文檔編號G11B7/242GK101231858SQ20071009026
公開日2008年7月30日 申請日期2007年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月24日
發(fā)明者張六文, 張瑞東, 李至隆, 潘永村, 董寰乾 申請人:中國鋼鐵股份有限公司