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磁盤驅(qū)動器中用于磁頭定位控制的方法和裝置的制作方法

文檔序號:6775747閱讀:304來源:國知局
專利名稱:磁盤驅(qū)動器中用于磁頭定位控制的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般地說是涉及一種磁盤驅(qū)動器,具體地說是涉及一種磁頭定位控制技術(shù)。
背景技術(shù)
一般地說,在磁盤驅(qū)動器中,磁頭定位控制是用來將磁頭定位到磁盤介質(zhì)上的一個目標位置(一個目標磁道或者目標柱面)的。所述磁頭的結(jié)構(gòu)使得讀磁頭由例如一個GMR(巨磁阻元件)和一個TMR(隧道MR)構(gòu)成,而寫磁頭作為一個分開的單元被安裝在同一個滑塊上。所述讀磁頭由一個只讀磁頭構(gòu)成,用來從磁盤介質(zhì)上讀取記錄的數(shù)據(jù)。所述寫磁頭由一個用于將數(shù)據(jù)寫到磁盤介質(zhì)上的頭構(gòu)成。
在所述磁盤驅(qū)動器中,磁頭通常安裝在一個轉(zhuǎn)動型致動器上,并且通過驅(qū)動致動器,將磁頭移動到磁盤介質(zhì)上的目標位置處。在目標位置處,所述磁頭上的讀磁頭和寫磁頭被定位在不同的位置上。所以,在記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)時,需要調(diào)節(jié)磁頭的移動使得磁頭定位在磁盤介質(zhì)上的同一磁道上。即,需要在記錄數(shù)據(jù)時將寫磁頭定位在目標磁道上,在再現(xiàn)數(shù)據(jù)時將讀磁頭定位到所述目標磁道上。
這種移動調(diào)節(jié)所涉及的移動量被稱為一個偏移。所述偏移值根據(jù)讀磁頭和寫磁頭間的距離以及磁盤介質(zhì)上磁頭的徑向位置被唯一地確定。即,從讀磁頭和寫磁頭間的距離以及致動器的傾斜角(根據(jù)徑向位置的不同而不同)來計算所述偏移值。
一般地,在制造磁盤驅(qū)動器的時候,在磁道單元中測量或計算所述偏移值,并將其作為一個固定值存儲在磁盤驅(qū)動器的存儲器(閃存EERROM等)中。所述驅(qū)動器中的微處理器(CPU)在進行磁頭定位的時候從所述存儲器中讀出偏移值,并使用該值來調(diào)節(jié)處于磁頭定位控制之下的磁頭。或者,CPU從多個參考測量磁道的偏移值進行近似計算,并計算對應(yīng)磁道的偏移值。
作為所述磁盤驅(qū)動器的制造方法,該磁盤驅(qū)動器中使用一種磁盤介質(zhì),其上用專門的伺服磁道寫磁頭記錄伺服數(shù)據(jù)。在這種磁盤驅(qū)動器中,在放入磁盤介質(zhì)的過程中會產(chǎn)生一種所謂的磁盤偏心(disk runout)。所述磁盤偏心與轉(zhuǎn)動該磁盤介質(zhì)的主軸電動機的轉(zhuǎn)動同步。
如果存在任何的磁盤偏心,那么即使在同一磁道上,在所述磁盤介質(zhì)轉(zhuǎn)動一圈期間,磁頭物理上的徑向位置也會發(fā)生變化,并且也牽涉了偏移的變化。在牽涉磁盤偏心的磁盤驅(qū)動器中,如果使用固定值來進行任何的磁頭定位控制,該固定值是所述磁道單元中的偏移值,那么在磁頭上的磁道轉(zhuǎn)動一周期間,在朝著磁頭上磁道的內(nèi)周或外周端移動的一個位置處存在一個定位部分。
在磁盤驅(qū)動器中,一般地,由寫磁頭在其上進行記錄的磁道比由讀磁頭在其上進行再現(xiàn)的磁道制造得更寬一些。由于這個原因,即使讀磁頭發(fā)生了一些位置移動,在數(shù)據(jù)讀模式再現(xiàn)信號的質(zhì)量也不會降低。最近幾年,由于磁盤驅(qū)動器朝著更高記錄密度發(fā)展的趨勢增加,記錄磁道的寬度和再現(xiàn)磁道的寬度間的差異被做得更小,使得在磁道一周中所允許的位置變化變得更小。
為了解決這個問題,提出一種方法,用來校正在磁道圈中的偏移值(例如,參見JPN PAT APPLN KOKAI publication No.2005-216378)。根據(jù)這個方法,利用相對于每個磁道的偏心量的絕對值和相位參數(shù)來校正磁道圈中的偏移值。測量相對于任何磁道的偏心量的方法包括,例如,用固定到測量目標磁道上的致動器來測量偏心量。
作為一個測量偏心量的方法,也提出了另一種方法,該方法包括,令磁頭固定到從磁盤介質(zhì)上的轉(zhuǎn)動中心算起的一個給定的徑向位置,基于從磁頭輸出的時鐘標記再現(xiàn)信號的時間間隔來測量偏心量(例如,參見JPN PATAPPLN KOKOKU publication 3198490).
如上面所闡明的,可以,例如在一個制造步驟中,測量相對于含有磁盤介質(zhì)的磁盤驅(qū)動器中的任何給定磁道的偏心量,并基于該偏心量校正所述磁道圈中的偏移值。即,可以在磁盤驅(qū)動器的存儲器中存儲每個磁道圈中的校正偏移值(有時一般地稱作偏移信息)。
如果在磁盤驅(qū)動器的運送期間或之后有任何外部沖擊(震動)等作用在磁盤驅(qū)動器(一個產(chǎn)品)上,有時會引起固定在主軸電動機上的磁盤介質(zhì)的位置移動(有時稱作磁盤漂移)。一旦發(fā)生磁盤漂移,就會發(fā)生磁盤偏心量和相位的變化,并且存儲在磁盤的存儲器中的任何校正偏移值將變得無效。在這種磁盤驅(qū)動器中,當磁頭被定位到磁盤介質(zhì)上的一個目標磁道上時,實施磁頭在磁道圈中的移動調(diào)節(jié)就變得不可能了。所以,在具有高記錄密度水平的磁盤驅(qū)動器中,在數(shù)據(jù)讀模式中再現(xiàn)信號的質(zhì)量變低,并且在最壞的情況中,記錄數(shù)據(jù)的再現(xiàn)變得不可能。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目標是,提供一種磁盤驅(qū)動器,它能夠在發(fā)生磁盤漂移時根據(jù)所牽涉的磁盤偏心量的變化來校正已有的偏移信息,并且,在所有時刻都能實現(xiàn)高精確的磁頭定位控制。
在本發(fā)明的一個方面,提供一種磁盤驅(qū)動器,它包括一個磁頭,該磁頭包含被配置來在磁盤介質(zhì)上寫數(shù)據(jù)的寫磁頭和配置來從所述磁盤介質(zhì)上讀數(shù)據(jù)的讀磁頭;一個致動器,被配置來將所述磁頭安裝于其上;存儲裝置,用于存儲偏移信息,當所述磁頭被定位到所述磁頭的一個目標位置時,該偏移信息被用來調(diào)節(jié)基于所述寫磁頭和讀磁頭之間的位置關(guān)系所設(shè)置的偏移;控制裝置,在數(shù)據(jù)讀/寫操作時在利用存儲在存儲裝置中的偏移信息的控制下來驅(qū)動致動器,并將所述讀磁頭或?qū)懘蓬^定位在所述磁盤介質(zhì)上的目標位置;測量裝置,用來在不是寫操作的操作時間里測量磁盤偏心量和相位;以及偏移信息更新裝置,用來根據(jù)所述測量裝置的測量結(jié)果產(chǎn)生校正偏移信息,并由所述校正偏移信息更新所述存儲裝置中的偏移信息。


結(jié)合進來并構(gòu)成說明書的一部分的附圖顯示了本發(fā)明的實施例,并與上面給出的總的描述以及在下面給出的實施例的詳細描述一起,用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1是一個方框圖,顯示了與本發(fā)明的一個實施例相關(guān)的磁盤驅(qū)動器的主要部分;圖2用來解釋與本實施例相關(guān)的磁道格式;圖3用來解釋與本實施例相關(guān)的磁道格式;圖4顯示了與本實施例相關(guān)的磁盤偏心量的特性;圖5用來解釋與本實施例相關(guān)的偏移信息的內(nèi)容;圖6是一個流程圖,用來解釋與本實施例相關(guān)的偏移信息校正操作的過程;圖7顯示了與本實施例所涉及的校正操作相關(guān)的誤差概況;以及圖8顯示了與本實施例所涉及的校正操作相關(guān)的誤差概況。
本發(fā)明的詳細描述下面將參考附圖解釋本發(fā)明的實施例。
(磁盤驅(qū)動器的結(jié)構(gòu))圖1是一個方框圖,顯示了與本實施例相關(guān)的一種磁盤驅(qū)動器的主要部分。
如圖1所示,磁盤驅(qū)動器100具有磁盤介質(zhì)1、用于轉(zhuǎn)動所述磁盤介質(zhì)1的主軸電動機(SPM)2、以及其上裝有磁頭3的轉(zhuǎn)動型(或者擺臂型)致動器4。
所述磁盤介質(zhì)1由,例如,一種磁性記錄介質(zhì)構(gòu)成,用于通過磁記錄系統(tǒng)來記錄數(shù)據(jù)。所述磁頭3具有這樣一種類型的結(jié)構(gòu),其中讀磁頭3R和寫磁頭3W被分開安裝在同一個滑塊上。所述讀磁頭3R由,例如,一個GMR元件構(gòu)成,并作為一個只讀磁頭,用于從所述磁盤介質(zhì)1上再現(xiàn)記錄數(shù)據(jù)。所述寫磁頭3W被用來在所述磁盤介質(zhì)上對數(shù)據(jù)作磁記錄。
所述致動器4由一個音圈馬達(VCM)5來驅(qū)動,使得它能在磁盤介質(zhì)1上沿徑向擺動。所述致動器4包含一種機構(gòu),該機構(gòu)被配置來在后面所描述的CPU的控制下將磁頭3定位在磁盤介質(zhì)1上的一個目標位置(目標磁道或目標柱面)處。
所述磁盤驅(qū)動器100包含一個磁頭放大器6、一個讀/寫(R/W)信道7、一個微處理器(CPU)8、一個存儲器9、一個VCM驅(qū)動器10和一個磁盤控制器(HDC)11。所述磁頭放大器6放大從讀磁頭3R中輸出的讀信號。
所述讀/寫信道7包括一個信號處理電路,用來處理從讀磁頭3R輸出的讀信號,并再現(xiàn)記錄數(shù)據(jù)。此外,讀/寫信道7允許將從磁盤控制器11輸出的寫數(shù)據(jù)進行編碼,并將供給寫磁頭3W的寫信號進行輸出。所述讀/寫信道7包括一個伺服解碼器17,它用來探測從磁頭放大器4輸出的讀信號中的伺服數(shù)據(jù)。如后面所描述的,所述伺服數(shù)據(jù)是用在磁頭3的定位控制上的數(shù)據(jù),參見圖2。
所述微處理器(CPU)8構(gòu)成磁盤驅(qū)動器100的一個主控制單元,它使用從伺服解碼器17輸出的伺服數(shù)據(jù)來進行磁頭的定位控制。此外,CPU 8在磁盤控制器11的協(xié)助下控制數(shù)據(jù)的讀/寫操作。所述磁盤控制器11構(gòu)成了磁盤驅(qū)動器100和主機系統(tǒng)200之間的一個接口,并進行讀/與數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移控制,等等。
通過基于磁頭3位置和目標位置(存取目標磁道或柱面)之間的定位誤差來控制VCM驅(qū)動器10,所述CPU 8完成磁頭的定位控制。所述VCM驅(qū)動器10包含一個D/A轉(zhuǎn)換器,用來在CPU 8的控制下(在一個操作控制量之下)將驅(qū)動電流提供給VCM 5。VCM驅(qū)動器10在CPU 8的控制下控制致動器4的轉(zhuǎn)動驅(qū)動。
所述存儲器9包括一個由CPU8存取的閃存EEPROM和諸如DRAM和SRAM的揮發(fā)性存儲器。所述閃存EEPROM存儲著用于計算與目標位置(目標磁道或目標柱面)相關(guān)的偏移值的參數(shù)以及磁盤偏心量(disk runoutamount)的缺省值等等。揮發(fā)性存儲器在任何時候都存儲一個磁盤偏心量和一個CPU 8計算的偏移值。在讀/寫磁頭(3R,3W)的定位時,CPU 8使用所述計算的偏移值來進行定位校正。
(磁道格式)所述磁盤介質(zhì)1具有大量的同心磁道,每個磁道被用來作為一個數(shù)據(jù)存儲區(qū)。如圖2所示,每個磁道(或柱面)20具有存儲著伺服數(shù)據(jù)的伺服扇區(qū)21和存儲著用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)扇區(qū)22。在實際中,如圖3所示,磁盤介質(zhì)上一圈的磁道是這樣的,多個伺服扇區(qū)21以預(yù)定的間隔排列,一個或多個扇區(qū)22則位于各伺服扇區(qū)之間。
如圖2所示,所述伺服數(shù)據(jù)包括伺服標記23、地址數(shù)據(jù)24、伺服脈沖數(shù)據(jù)25等等。所述伺服標記23是標示該扇區(qū)是伺服扇區(qū)21的數(shù)據(jù)。所述地址數(shù)據(jù)24是用于探測磁道(柱面)地址和扇區(qū)地址的編碼。所述伺服脈沖數(shù)據(jù)25是用于探測磁頭3的定位誤差(相對于磁道中心的誤差)的數(shù)據(jù)。CPU 8使用由讀磁頭3R讀出的伺服數(shù)據(jù)來決定磁頭3在磁介質(zhì)1上方的位置。
(磁頭定位控制和偏移信息更新)在本實施例的磁盤驅(qū)動器100中,比如說在制造過程中的一個時刻,在磁盤介質(zhì)1被放入后測量相對于任何給定磁道的磁盤偏心量,并基于所述磁盤偏心量計算出對應(yīng)著一圈所述磁道的偏移信息,所述偏移信息被存儲在存儲器9中的閃存EEPROM中。如圖5所示,該偏移信息包含對應(yīng)著每個磁道(地址數(shù)據(jù)中的磁道號Tn)上各個扇區(qū)地址(扇區(qū)號Sn)的偏移值(OFn)。所述扇區(qū)地址(扇區(qū)號Sn)是用來識別磁道中的伺服扇區(qū)21的數(shù)據(jù)。
這里,作為測量任意給定磁道中的磁盤偏心量的一般方法,通過將致動器4推靠在磁盤驅(qū)動器100中的一個阻擋器上而將它用物理方法固定住,然后,伺服數(shù)據(jù)由讀磁頭3R從所述一圈磁道中讀出。然后從所述伺服數(shù)據(jù)的變化量中計算出磁盤偏心量和相位。通過這種測量方法,如圖4所示,可以測量出對應(yīng)于任何給定的一圈磁道的磁盤偏心量。
如上面所陳述的,在作為一個產(chǎn)品被運送的磁盤驅(qū)動器中,基于在制造的某個時刻所測量的磁盤偏心量,計算出對應(yīng)著一圈所述磁道的偏移信息,如圖5所示,并將該偏移信息存儲在存儲器9中的閃存EEPROM中。如上所述,如果有任何外部震動等作用在作為產(chǎn)品被運送的磁盤驅(qū)動器上,那么磁盤漂移就會發(fā)生,已經(jīng)測量了的磁盤偏心量和相位就會改變,使得偏移值(OFn)變得無效。
根據(jù)本實施例,在例如產(chǎn)品的運送期間,當任何外部震動作用在磁盤驅(qū)動器100上時,CPU 8假設(shè)這產(chǎn)生了一個磁盤漂移,直接測量對應(yīng)著一圈所述磁道的磁盤偏心量和相位漂移量,并對存儲在存儲器9中的偏移信息進行校正操作,如參考圖6到圖8所作的更詳細的解釋那樣。
當例如磁盤驅(qū)動器100中的加速度傳感器探測到了一個特定的外部震動,CPU 8就進行校正操作,用來校正偏移信息(參見圖6中的流圖)。這里,如果正在進行一個正常的數(shù)據(jù)讀/寫操作,那么CPU 8在該讀/寫操作完成后進行校正操作。
CPU 8測量對應(yīng)著一圈所述磁道的磁盤偏心量和相位漂移量,即測量在磁盤介質(zhì)1的任何給定磁道上的所述各個伺服數(shù)據(jù)(步驟S1)。說得更詳細點,在令磁頭3跑偏的情況下,CPU 8對讀磁頭3R讀出的在測量目標磁道之前和之后的伺服數(shù)據(jù)進行再現(xiàn)。通過測量對應(yīng)著所述伺服扇區(qū)的再現(xiàn)誤差產(chǎn)生量,CPU 8計算出磁盤偏心量和相位。
這里,通過在適當?shù)男U龔姸人缴线M行誤差校正,希望避免在測量時由噪聲引起的任何誤差測量。
圖7和圖8顯示了與所述測量操作相關(guān)的誤差概況。圖7顯示了作為測量結(jié)果的誤差概況,而圖8顯示了校正后的誤差概況。在圖7和圖8中,橫坐標是伺服扇區(qū)號,而縱坐標是對應(yīng)著磁盤偏心量的變化量。
在圖7中,參考號碼70顯示了變化量為零的參考水平,而參考號碼73對應(yīng)著測量目標磁道的中心線。這里,應(yīng)該注意區(qū)域75,其中,比如說再現(xiàn)誤差發(fā)生(reproduction error occurrence)的數(shù)目為0到2。所述區(qū)域75對應(yīng)著一個磁道狀態(tài)范圍,在該范圍中發(fā)生磁盤偏心。接近區(qū)域75的區(qū)域76對應(yīng)著一個鄰近區(qū)域,其中再現(xiàn)誤差發(fā)生的數(shù)目為2到6。另一方面,區(qū)域75的外面74對應(yīng)著,比如說“再現(xiàn)發(fā)生的數(shù)目”約為6到8,一個不能進行再現(xiàn)誤差校正的外側(cè)磁道區(qū)域。
在測量的結(jié)果中,最終包絡(luò)的最高水平72和最低水平70之間的差值意味著由磁盤偏心引起的變化量。通過指定包絡(luò)的峰值位置,可以識別對應(yīng)著伺服扇區(qū)號的相位。
通過將測量的變化量和相位加到測量目標磁道上的偏移值(OFn),CPU8計算校正偏移值(OFCn)(步驟S2)。就是說,各個伺服扇區(qū)的偏移值這樣來校正,要使得被定位到每個扇區(qū)的磁道寬度的中心附近。通過偏移信息的校正,任何由于偏移磁道而導(dǎo)致的局部誤差產(chǎn)生都被抑制,于是獲得較寬的誤差產(chǎn)生余地。圖8顯示了上面所述的如此校正例子中的校正概況。
通過在存儲器9中存儲校正偏移值(OFCn),即,每個伺服扇區(qū)被校正過的偏移值,CPU 8更新已經(jīng)存在的偏移信息(步驟3)。CPU 8將由磁盤偏心導(dǎo)致的變化量和相位轉(zhuǎn)化成偏移值,并將校正偏移值(OFCn)存儲在存儲器9中,校正偏移值是通過在上述偏移值的基礎(chǔ)上校正在存儲器9中存儲的已存在的偏移值而獲得的值,參見圖5。
CPU 8通過磁盤控制器11將磁盤漂移的發(fā)生以及偏移信息的更新通知主機系統(tǒng)200。這樣,主機系統(tǒng)200就能夠認識到在磁盤驅(qū)動器100上發(fā)生了外部沖擊,比如震動。
本實施例中的磁盤驅(qū)動器在作為產(chǎn)品被運送后,受到外力,比如震動,的作用,并使得固定在主軸電動機2上的磁盤介質(zhì)1發(fā)生磁盤漂移時,CPU8直接測量磁道單元中的磁盤偏心量和相位,并基于該測量的結(jié)果對偏移信息進行更新處理,以便校正已經(jīng)存在的偏移信息。這樣,即使由于磁盤漂移的發(fā)生,現(xiàn)有的記錄磁道發(fā)生改變,CPU 8仍然能使用所述校正偏移值在該記錄磁道上做出精確的定位調(diào)節(jié)。
敘述得更詳細些,如圖7所示,當已有的記錄磁道由于磁盤漂移的原因而發(fā)生變化時,例如,對應(yīng)著伺服扇區(qū)號54的數(shù)據(jù)由讀磁頭3R讀出,接著,對于已有的偏移信息,讀磁頭3R的位置被調(diào)整到參考號碼74所指示的一個區(qū)域。在這種情況下,由于偏離了磁道區(qū)域75的原因,就會牽涉一個無法校正的讀誤差。
另一方面,通過使用更新的校正偏移信息(校正偏移值OFCn),CPU 8能夠?qū)⒆x磁頭3R的位置校正到磁道區(qū)域75的范圍內(nèi)。因此,讀磁頭3R所讀出的讀信號就作為讀誤差抑制數(shù)據(jù)被再現(xiàn)出來。換言之,即使由于外部震動的原因隨后出現(xiàn)了任何的磁盤漂移,也可以正確地讀出記錄的數(shù)據(jù)。
這里,如圖5所示,CPU 8在存儲器9中設(shè)置一個表示磁盤漂移發(fā)生的標記(F),這樣,就CPU 8就能夠識別出恰當?shù)貙?yīng)著所述磁盤漂移的存儲的所述校正偏移信息。即,通過在每個扇區(qū)地址處將校正偏移值設(shè)置為偏心已知值(runout learned value),可以對其調(diào)節(jié)以減弱磁盤偏心量的變化。因為磁盤漂移可以多次發(fā)生,所以應(yīng)該準備恰當?shù)奈粩?shù),使得任何具體的磁盤漂移發(fā)生時刻可以作為校正偏移值被記錄下來。
在本實施例中,使用校正偏移信息進行的位置調(diào)節(jié)可以在任何的數(shù)據(jù)再現(xiàn)時刻或?qū)憰r刻進行。
根據(jù)本發(fā)明,可以根據(jù)由磁盤漂移的發(fā)生引起的磁盤偏心量的變化來校正已有的偏移信息,從而實現(xiàn)任何時候的高精度的磁頭定位控制。
(其它實施例)盡管在本實施例中,偏移信息被解釋為存儲在存儲器9中的閃存EEPROM中,然而,本發(fā)明并不限于此,偏移信息可以被記錄在磁盤介質(zhì)1上的一個特定區(qū)域中(系統(tǒng)區(qū)域)。
順便提一下,有時會有這樣的情況,當磁盤漂移發(fā)生時,讀不出磁盤介質(zhì)1上的偏移信息。然而,在任何情況下,因為進行更新的緣故,不會有問題發(fā)生。
(磁盤偏心量和相位的測量方法)磁盤偏心量和相位的測量方法包括,將一圈測量目標磁道分為合適的多個扇區(qū),在使讀磁頭3R偏移磁道的同時,測量再現(xiàn)誤差產(chǎn)生量、誤差率或者增益控制值(AGC值),用以調(diào)節(jié)讀/寫信道的輸入信號。所述方法包括,從測量結(jié)果中探測一個最佳點,并通過將這些扇區(qū)的每個最佳點連接起來,從最大值和最小值中測量磁盤偏心量和相位。
另一種測量方法可以包括,如上面所述在令讀磁頭3R偏移磁道的同時,利用代表信號質(zhì)量的參數(shù)作為統(tǒng)計量,預(yù)測誤差率的值,并獲得一個最佳點。這種測量方法已經(jīng)為人所知(參見,例如T.Perkins and Z.A.Kerin,“Awindow-margin-like procedure for evaluating PRML channel performance”,IEEE Trans.Magn.,Vol.32,No.2,pp1109-1114(1995))。在磁盤驅(qū)動器領(lǐng)域中,這種測量方法通常被用來作為包含在讀/寫信道中的功能。
也可以使用其它的測量方法,其中,從伺服扇區(qū)的間隔變化的測量結(jié)果,來假設(shè)磁盤偏心量和相位。一般地,如果沒有磁盤偏心,那么所有的扇區(qū)間隔應(yīng)該彼此相等。然而,存在著磁盤偏心,因此會發(fā)生材料較長而間隔部分較短的情況。磁盤偏心量能從半徑值計算出來,而該值能從此時的變化部分和磁道號碼來計算出來。
更詳細地說,CPU 8從測量目標磁道探測包含在各個伺服扇區(qū)內(nèi)的伺服標記23,并測量產(chǎn)生伺服門(servo gate)的時間間隔?;谧鳛闇y量結(jié)果的所述伺服門的時間間隔的變化部分,CPU 8假設(shè)一個磁盤偏心量和相位。
在磁頭3處于磁道上的情形中,可以在任何時候核查這個測量方法。所以,相對于在本磁道漂移條件下在其上進行記錄的磁道而言,可以周期性地確認校正偏移值并快速地探測到偏心量的變化。
(重讀操作)一般地,在磁盤驅(qū)動器中,如果在數(shù)據(jù)讀出操作中發(fā)生了一個讀誤差(再現(xiàn)誤差),CPU 8會進行一個重試操作,在同一磁道上重新執(zhí)行讀操作。如果重試操作不能恢復(fù)讀誤差,那么在本實施例中,CPU 8可以進行偏移信息的更新。這樣,就可以抑制由磁盤漂移的產(chǎn)生而引起的讀誤差。這里,如果CPU 8在重試操作期間應(yīng)用不同于最初所用偏移信息的校正偏移信息,并且這樣之后,得到的值與在讀目標磁道上記錄的數(shù)據(jù)所牽涉到的偏移值相符,那么CPU 8允許進行讀操作。緊接著磁盤漂移的發(fā)生之后,以前被記錄的磁道構(gòu)成一個大的比例,并且,在重試操作時,將相應(yīng)的偏移值首先被設(shè)置為缺省值,使用用于新記錄部分的校正偏移值。
這樣,新被記錄的數(shù)據(jù)磁道順序增加,當其比值超過50%時,CPU 8也能夠用校正偏移值替代缺省值。在這種情況下,希望對例如每個區(qū)或每個子區(qū),針對缺省值設(shè)置一個替代單元。
通過在重試操作時應(yīng)用多個這樣的校正偏移值,甚至對于在一個磁道中的記錄時間被安排磁盤漂移之前和之后的時間段中的情況,都可以處理這種情形。
(用于測試的磁道)在本實施例中,在磁盤漂移發(fā)生時,磁盤偏心量和相位的測量在磁盤介質(zhì)上的任何給定磁道上進行。在這種情況中,CPU 8可以將磁盤介質(zhì)1上的一個具體磁道設(shè)置為測試磁道,并在測試磁道上進行磁盤偏心量和相位的測量。在實際使用中,測試磁道是提供在磁盤介質(zhì)上系統(tǒng)區(qū)域中的一個特定磁道。
對于各個測量,與以前的測量結(jié)果進行了較快的比較,根據(jù)這種方法,可以獲得高的精確度。如果所述測試磁道是包括在系統(tǒng)區(qū)域中的一個特定磁道,在測量時候可以避免對測量目標磁道的鄰近磁道上的記錄數(shù)據(jù)的擦除。
(備份的通知)在本實施例中,CPU 8進行將磁盤漂移發(fā)生和偏移信息更新通知主機系統(tǒng)200的處理。這里,如果由于震動等原因,磁盤驅(qū)動器100發(fā)生了磁盤漂移,有可能這樣的磁盤漂移超出允許值。
在這種情形中,如果磁盤驅(qū)動器長時間運行,這就增加了進一步的不便。所以希望為磁盤驅(qū)動器100提供一個通知功能,使得一旦磁盤漂移發(fā)生就給主機系統(tǒng)200一個警告,讓用戶即時進行備份。
另外的優(yōu)點和修正對那些熟悉該技術(shù)的人是容易看到的。所以,本發(fā)明在其更廣泛的方面不限于這里顯示和描述的特殊細節(jié)及示范性實施例。因此,可以作各種修正而不偏移附屬權(quán)利要求書及其等價論述所定義的總的發(fā)明概念的精神范圍。
權(quán)利要求
1.一種磁盤驅(qū)動器,其特征在于包括磁頭,該磁頭包括被配置來在磁盤介質(zhì)上寫數(shù)據(jù)的寫磁頭和配置來從所述磁盤介質(zhì)上讀數(shù)據(jù)的讀磁頭;致動器,被配置來將所述磁頭安裝于其上;存儲單元,被配置來存儲偏移信息,當所述磁頭被定位到所述磁盤介質(zhì)上的一個目標位置時,基于所述寫磁頭和讀磁頭之間的位置關(guān)系,該偏移信息被用來調(diào)節(jié)偏移;控制器,被配置來在數(shù)據(jù)讀/寫操作時利用存儲在所述存儲器單元中的所述偏移信息有控制地來驅(qū)動所述致動器,并將所述寫磁頭或讀磁頭定位在所述磁盤介質(zhì)上的目標位置;測量單元,被配置來在數(shù)據(jù)讀/寫操作以外的操作時間里測量所述磁盤介質(zhì)的磁盤偏心量和相位;以及偏移信息更新單元,被配置來根據(jù)所述測量單元的測量結(jié)果產(chǎn)生校正偏移信息,并通過所述校正偏移信息更新所述存儲器中的所述偏移信息。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁盤驅(qū)動器,其特征在于,所述存儲單元在磁盤介質(zhì)上存儲所述磁道單元的所述偏移信息,所述偏移信息是設(shè)置在多個扇區(qū)中的每個扇區(qū)處的偏移值;所述偏移信息更新單元為每個磁道單元更新所述校正偏移信息,該校正偏移信息由校正偏移值構(gòu)成,該校正偏移值是基于由所述測量單元為每個扇區(qū)作出的測量結(jié)果而產(chǎn)生的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁盤驅(qū)動器,其特征在于,還包括探測單元,該探測單元被配置來探測所述磁盤介質(zhì)上的磁盤漂移的發(fā)生。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種磁盤驅(qū)動器,其特征在于,當所述磁盤漂移的發(fā)生被所述探測單元探測到時,所述測量單元和偏移信息更新單元被運行。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種磁盤驅(qū)動器,其特征在于,當發(fā)生在數(shù)據(jù)讀操作時的讀誤差不能被恢復(fù)時,所述探測單元探測所述磁盤漂移的發(fā)生。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁盤驅(qū)動器,其特征在于,還包括通知單元,其被配置來通知由所述偏移信息更新單元進行的偏移信息的更新。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁盤驅(qū)動器,其特征在于,還包括一個單元,該單元被配置來決定所述測量單元給出的測量結(jié)果與一個參考值相比是否是一個反常值;以及還包括一個單元,該單元被配置來當比較的結(jié)果是一個反常值時,對此結(jié)果做出一個通知。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁盤驅(qū)動器,其特征在于,所述存儲單元包含所述磁盤介質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁盤驅(qū)動器,其特征在于,基于所述磁盤介質(zhì)的每個磁道上排列的多個伺服扇區(qū)的間隔的測量結(jié)果,所述測量單元測量所述磁盤偏心量和相位。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器,其特征在于,當所述讀誤差不能被重試操作恢復(fù)時,所述測量單元和所述偏移信息更新單元被運行,其中,當在數(shù)據(jù)讀操作期間產(chǎn)生讀誤差時,進行所述的重試操作。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動器,其特征在于,在重試操作期間,所述控制器在所述讀操作時有選擇地使用對應(yīng)著一個新記錄扇區(qū)的校正偏移信息,或者對應(yīng)著一個更新之前的扇區(qū)的偏移信息。
12.一種用于磁盤驅(qū)動器中的磁頭定位控制方法,其特征在于包括,磁頭,該磁頭包括被配置來在磁盤介質(zhì)上寫數(shù)據(jù)的寫磁頭和配置來從所述磁盤介質(zhì)上讀數(shù)據(jù)的讀磁頭;所述磁頭安裝于其上的致動器;存儲單元,被配置來存儲偏移信息,當所述磁頭被定位到所述磁盤介質(zhì)上的一個目標位置時,該偏移信息被用來調(diào)節(jié)基于所述寫磁頭和讀磁頭之間的位置關(guān)系所設(shè)置的偏移;所述方法包括在數(shù)據(jù)讀/寫操作以外的操作時間測量所述磁盤介質(zhì)的磁盤偏心量和相位;根據(jù)所述測量的測量結(jié)果,產(chǎn)生校正偏移信息;以及由所述校正偏移信息更新所述存儲單元中的偏移信息。
全文摘要
提供一種磁盤驅(qū)動器(100),根據(jù)由磁盤漂移的發(fā)生所引起的磁盤偏心量的變化,該磁盤驅(qū)動器能校正已有偏移信息。所述磁盤驅(qū)動器(100)使用存儲在存儲器(9)中的偏移信息,在磁頭定位控制時刻能影響磁頭定位調(diào)節(jié)。CPU(8)測量由磁盤漂移的發(fā)生所導(dǎo)致的磁盤偏心量和相位的變化,其中所述磁盤漂移由所牽涉的外部震動所引起,并用基于測量結(jié)果的校正偏移信息來更新已有的偏移信息。
文檔編號G11B21/10GK1988003SQ200610167069
公開日2007年6月27日 申請日期2006年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月21日
發(fā)明者大日向祐介, 長船貢治, 酒井裕兒, 谷津正英 申請人:株式會社東芝
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