專利名稱：磁頭浮動(dòng)塊和磁盤驅(qū)動(dòng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁頭浮動(dòng)塊和磁盤驅(qū)動(dòng)器。具體地，本發(fā)明涉及用于獲得高可靠性和高密度記錄的低浮起型磁頭浮動(dòng)塊，以及具有安裝了所述磁頭浮動(dòng)塊的磁盤驅(qū)動(dòng)器。
背景技術(shù)：
磁盤驅(qū)動(dòng)器近來已在尺寸方面變得越來越小而在容量方面則越來越大，并且記錄介質(zhì)(磁盤)上記錄的數(shù)據(jù)已在記錄密度方面變得越來越高。伴隨著這個(gè)趨勢(shì)，有必要減小磁頭浮動(dòng)塊和磁盤之間的間隔，亦即磁頭浮動(dòng)塊的浮起高度。已提議了能夠以低浮起高度穩(wěn)定地浮動(dòng)的磁頭浮動(dòng)塊。例如，專利文件1披露了這樣的磁頭浮動(dòng)塊在浮起軌(flying rail)(空氣承載軌)的引導(dǎo)側(cè)形成從浮動(dòng)塊的浮起軌的平面部分凹陷的表面(階梯表面)，并且階梯表面的深度(階梯部分的高度)被設(shè)置在極小的值(700nm或以下)，以獲得恒定浮起高度而不取決于磁盤的圓周速度。具有這樣的極小深度的階梯部分的浮動(dòng)塊被叫做微階梯浮動(dòng)塊(microstep slider)。
專利文件2披露了另一種低飛型磁頭浮動(dòng)塊。在這種浮動(dòng)塊中，在浮動(dòng)塊的浮起軌的引導(dǎo)側(cè)提供的階梯表面上形成非常小的突出部(lug)，其具有等于或大于階梯深度(高度)的高度，由此浮動(dòng)塊難以在向前降落的同時(shí)旋轉(zhuǎn)，并且防止階梯表面的前緣接觸磁盤表面。
日本專利公開號(hào)6-325530[專利文件2]日本專利公開號(hào)2000-21109

發(fā)明內(nèi)容
如果在磁盤之上浮動(dòng)的同時(shí)磁頭浮動(dòng)塊的浮起高度改變并且磁頭浮動(dòng)塊接觸到磁盤的表面，則磁頭浮動(dòng)塊的空氣承載表面(與磁盤相對(duì)的表面)用摩擦力牽引，并且磁頭浮動(dòng)塊繞懸架的支點(diǎn)(負(fù)荷作用點(diǎn))旋轉(zhuǎn)并呈現(xiàn)向前降落的姿勢(shì)。結(jié)果，磁頭浮動(dòng)塊的引導(dǎo)端一側(cè)的前緣部分接觸到磁盤表面，因此進(jìn)氣口被阻塞，并且在磁頭浮動(dòng)塊的空氣承載表面一側(cè)不再存在氣流。所以，在磁頭浮動(dòng)塊中不產(chǎn)生浮起力，并且磁頭浮動(dòng)塊持續(xù)與磁盤表面相接觸，同時(shí)保持其向前降落的姿勢(shì)，這樣一來就引發(fā)了損壞磁盤的問題。
在使用光滑磁盤以獲得磁盤浮動(dòng)塊的低浮起高度的磁盤驅(qū)動(dòng)器中，大摩擦力引起了嚴(yán)重的問題。用大摩擦力，磁頭浮動(dòng)塊呈現(xiàn)向前降落的姿勢(shì)，因此，防止磁頭浮動(dòng)塊的引導(dǎo)端一側(cè)的前緣部分與磁盤表面相接觸，是防止損壞記錄介質(zhì)和用于確?？煽啃缘闹匾黝}。為了解決這個(gè)問題，已提議了這樣的方法，其包括斜切(彎曲)引導(dǎo)端一側(cè)的前緣部分以增加接觸面積并從而減少接觸應(yīng)力(表面壓力)。然而，由于斜切通常通過大偏差的機(jī)械加工進(jìn)行，所以它極大地造成了浮起高度變化的生成。這樣的浮起高度變化造成了數(shù)據(jù)讀寫的故障。這樣一來，這種方法就無法用作防止磁盤和引導(dǎo)端一側(cè)的前端部分相接觸所造成的磁盤損壞的有效手段。
如專利文件2中描述的那樣，如果在磁頭浮動(dòng)塊的浮起軌的引導(dǎo)側(cè)提供的階梯表面上形成非常小的突出部，以便防止磁頭浮動(dòng)塊的引導(dǎo)端一側(cè)的前緣部分與磁盤表面相接觸，則突出部的一定高度限制了浮起高度的減少，并且根據(jù)具體情況可能不會(huì)獲得低浮起高度。
降低的大氣壓力造成了磁頭浮動(dòng)塊浮起高度的過度減少。更加具體地，在高地處使用磁盤驅(qū)動(dòng)器的情況下，浮起高度由于大氣壓力減少而降低。當(dāng)浮起高度過度降低時(shí)，磁頭浮動(dòng)塊呈現(xiàn)向前降落的姿勢(shì)，這樣一來就引發(fā)了下述問題磁頭浮動(dòng)塊的引導(dǎo)端一側(cè)的前緣部分接觸到磁盤表面，并且記錄介質(zhì)被損壞。
本發(fā)明的目的是提供這樣的磁頭浮動(dòng)塊，其能夠防止呈現(xiàn)向前降落的姿勢(shì)，并且即使在它將要呈現(xiàn)向前降落的姿勢(shì)的情況下，也能夠迅速地恢復(fù)到其初始狀態(tài)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供高可靠性的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其能夠防止磁頭浮動(dòng)塊的前緣部分與磁盤表面的持續(xù)接觸所造成的記錄介質(zhì)的損壞，并從而能夠?qū)τ诖疟P讀寫信息。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的典型的磁頭浮動(dòng)塊包含引導(dǎo)端、空氣承載表面和尾隨端，所述空氣承載表面包括浮起臺(tái)(flying pad)，其形成在引導(dǎo)端一側(cè)和尾隨端一側(cè)；階梯承載表面，其形成在引導(dǎo)端和浮起臺(tái)之間并在浮起臺(tái)周圍；負(fù)壓凹槽，其相對(duì)于階梯承載表面以凹陷的狀態(tài)形成；磁頭，其提供在尾隨側(cè)形成的浮起臺(tái)中；以及進(jìn)氣部分，用于一旦引導(dǎo)端與磁盤相接觸就將空氣引導(dǎo)到引導(dǎo)端一側(cè)形成的浮起臺(tái)。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供這樣的磁頭浮動(dòng)塊，其能夠防止呈現(xiàn)向前降落的姿勢(shì)，并且即使在它將要呈現(xiàn)向前降落的姿勢(shì)的情況下，也能夠迅速地恢復(fù)到其初始狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明，還可以提供高可靠性的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其能夠防止磁頭浮動(dòng)塊的前緣部分與磁盤表面的持續(xù)接觸所造成的記錄介質(zhì)的損壞，并從而能夠?qū)τ诖疟P讀寫信息。


圖1是當(dāng)從其空氣承載表面的方向來看時(shí)的根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的磁頭浮動(dòng)塊的透視圖；
圖2是傳統(tǒng)磁頭浮動(dòng)塊的功能解釋圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的磁頭浮動(dòng)塊的功能解釋圖；圖4是顯示第一實(shí)施例的磁頭浮動(dòng)塊中的缺口深度和引導(dǎo)端一側(cè)的浮起力之間的關(guān)系的示圖；圖5是當(dāng)從其空氣承載表面的方向來看時(shí)的根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的磁頭浮動(dòng)塊的透視圖；圖6是在其上攜帶有包含本發(fā)明的磁頭浮動(dòng)塊的磁盤驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)造圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考圖1來說明本發(fā)明的第一實(shí)施例。圖1是當(dāng)從空氣承載表面一側(cè)來看時(shí)的磁頭浮動(dòng)塊的透視圖。用1指示的磁頭浮動(dòng)塊適合于在作為記錄介質(zhì)的磁盤表面之上浮動(dòng)。磁頭浮動(dòng)塊1包括與磁盤相對(duì)的表面4，其充當(dāng)空氣承載表面；引導(dǎo)端2，其位于隨著磁盤的旋轉(zhuǎn)向其導(dǎo)入空氣的一側(cè)；以及尾隨端3，其位于引導(dǎo)端的下風(fēng)，并且空氣從其流出。在與磁盤相對(duì)的表面(空氣承載表面)4上形成用于生成浮起力的三個(gè)浮起臺(tái)(flying pad)5。浮起臺(tái)5中的兩個(gè)形成在磁頭浮動(dòng)塊1的引導(dǎo)側(cè)的兩端，并且剩余的一個(gè)在尾隨側(cè)形成在中心。在浮起臺(tái)5a和5b周圍形成階梯承載表面7a，用于調(diào)節(jié)位于引導(dǎo)側(cè)的浮起臺(tái)5a和5b所生成的正壓的量。進(jìn)一步，以引導(dǎo)側(cè)由階梯承載表面7a包圍的方式，形成用于產(chǎn)生負(fù)壓的負(fù)壓凹槽8。
浮起臺(tái)5c形成在尾隨端3附近。浮起臺(tái)5c裝備有磁頭9，用于向磁盤寫入信息或讀取磁盤上記錄的信息。在浮起臺(tái)5c的引導(dǎo)側(cè)形成階梯承載表面7b，用于調(diào)節(jié)浮起臺(tái)5c產(chǎn)生的正壓。階梯承載表面7b要至少被形成在尾隨側(cè)浮起臺(tái)5c的引導(dǎo)端到這樣的程度階梯承載表面7b工作，以便在浮起臺(tái)5c中產(chǎn)生正壓。
圖1中顯示的磁頭浮動(dòng)塊1具有1.25mm的長(zhǎng)度、1.0mm的寬度和0.3mm的厚度，其尺寸對(duì)應(yīng)于被稱作皮可浮動(dòng)塊(picoslider)的尺寸。位于引導(dǎo)側(cè)的浮起臺(tái)5a和5b以及位于尾隨側(cè)的浮起臺(tái)5c相互近似平齊。階梯承載表面7a和7b相互也近似平齊。從浮起臺(tái)5a、5b和5c到階梯承載表面7a和7b的深度為150到240nm，并且從浮起臺(tái)5a、5b和5c到負(fù)壓凹槽8的深度為1到2μm。通過諸如離子研磨或活性離子蝕刻(RIE)之類的處理方法形成階梯承載表面7a、7b和負(fù)壓凹槽8。
浮動(dòng)塊1在兩個(gè)引導(dǎo)端一側(cè)的浮起臺(tái)5a和5b的引導(dǎo)端一側(cè)形成有作為進(jìn)氣部分的缺口(aperture)10。缺口10位于引導(dǎo)端2的前緣部分，并且具有0.3mm到0.5mm的寬度(浮動(dòng)塊寬度的三分之一到一半)以及關(guān)于浮起臺(tái)5a和5b的0.5到2μm的深度。根據(jù)處理效率，優(yōu)選地與負(fù)壓凹槽8的形成同時(shí)地形成缺口10。為此采用諸如離子研磨或活性離子蝕刻(RIE)之類的處理方法。
現(xiàn)在參考圖2和3來說明上述第一實(shí)施例的效果。圖2顯示了現(xiàn)有技術(shù)中的磁盤12和磁頭浮動(dòng)塊14之間的接觸狀態(tài)。萬一不知何故在磁頭浮動(dòng)塊14和正在旋轉(zhuǎn)的磁盤12之間接觸的話，如圖2所示的力作用于兩者之間的接觸點(diǎn)。盡管未顯示，朝著磁盤方向作用的推負(fù)荷W從支撐磁頭浮動(dòng)塊14的懸架中提供的支點(diǎn)被施加于磁頭浮動(dòng)塊14。參考符號(hào)f表示磁頭浮動(dòng)塊14和磁盤12之間產(chǎn)生的摩擦力。當(dāng)磁頭浮動(dòng)塊14和磁盤12之間的摩擦力f引起的力矩Mf變得大于懸架的浮動(dòng)塊推負(fù)荷W引起的轉(zhuǎn)動(dòng)力矩Mw時(shí)，磁頭浮動(dòng)塊14以向前降落的狀態(tài)關(guān)于支點(diǎn)旋轉(zhuǎn)，并且引導(dǎo)端2的前緣部分接觸到磁盤12。磁頭浮動(dòng)塊14向前降落的條件是Mw+Fair1＜Mf。
上述表達(dá)式中的Fair1代表浮動(dòng)塊浮起力。對(duì)于沒有任何缺口的傳統(tǒng)磁頭浮動(dòng)塊14，如圖2所示，一旦引導(dǎo)端2的前緣部分與磁盤12相接觸，進(jìn)氣口就被阻塞，并因而氣流13不能到達(dá)位于引導(dǎo)側(cè)的浮起臺(tái)5a(5b)。所以，一旦磁頭浮動(dòng)塊呈現(xiàn)向前傾斜的姿勢(shì)，進(jìn)氣口一側(cè)的浮起臺(tái)就不能生成浮起力。結(jié)果，傳統(tǒng)磁頭浮動(dòng)塊14，一旦其與磁盤12相接觸，就繼續(xù)與磁盤12接觸地滑動(dòng)，同時(shí)保持其向前傾斜的姿勢(shì)。在最壞的情況下，數(shù)據(jù)可能被損壞。
另一方面，在這個(gè)實(shí)施例中，提供了缺口10。因此，當(dāng)磁頭浮動(dòng)塊1呈現(xiàn)向前傾斜的姿勢(shì)時(shí)，確保了到位于磁頭浮動(dòng)塊1的引導(dǎo)側(cè)的浮起臺(tái)5a(5b)的進(jìn)氣口路徑，如圖3所示，以便獲得浮起力(恢復(fù)力Fair2)以將磁頭浮動(dòng)塊1恢復(fù)到其正常浮起姿勢(shì)。此外，如圖3所示，即使當(dāng)磁頭浮動(dòng)塊1接觸到磁盤12時(shí)，由于確保了進(jìn)氣口路徑，所以磁頭浮動(dòng)塊1也很快在恢復(fù)力Fair2之下恢復(fù)到其正常浮起姿勢(shì)，并且獲得其需要的浮起高度，這樣一來就使得可以確保裝置的可靠性。更加具體地，在這個(gè)實(shí)施例中，即使當(dāng)磁頭浮動(dòng)塊1呈現(xiàn)向前傾斜的狀態(tài)并且引導(dǎo)端2的前緣部分接觸到磁盤12時(shí)，也通過缺口10確保了進(jìn)氣口路徑。因此，基于浮起力的恢復(fù)力Fair2作用于位于引導(dǎo)側(cè)的浮起臺(tái)5a(5b)，并且磁頭浮動(dòng)塊1恢復(fù)到其正常浮起姿勢(shì)，而沒有機(jī)會(huì)損壞磁盤12上存儲(chǔ)的信息。進(jìn)一步，在上述實(shí)施例的磁頭浮動(dòng)塊1中，由于缺口10允許引導(dǎo)側(cè)浮起臺(tái)5a和5b不變地產(chǎn)生浮起力，所以獲得了下述效果磁頭浮動(dòng)塊1難以向前降落。
圖4顯示了缺口10的深度和引導(dǎo)端一側(cè)浮起力之間的關(guān)系。假定不具有任何缺口的傳統(tǒng)磁頭浮動(dòng)塊14的浮起力為1，根據(jù)比較值來表示所述關(guān)系。參考圖4顯示，在0.5到1μm的范圍內(nèi)的缺口10的深度處獲得最大浮起力。浮起力在大于2μm的缺口深度處顯著降低。這樣一來，缺口10的深度就要在0.5到2μm的范圍內(nèi)，優(yōu)選地為0.5到1μm。進(jìn)一步，由于離子研磨花費(fèi)時(shí)間，所以從加工的立場(chǎng)出發(fā)，優(yōu)選地，將要形成的缺口10的深度上限應(yīng)當(dāng)?shù)扔谪?fù)壓凹槽8的深度。
盡管在上述第一實(shí)施例中已說明了對(duì)皮可浮動(dòng)塊的應(yīng)用，但是不對(duì)其進(jìn)行限制。在具有0.85mm的長(zhǎng)度、0.7mm的寬度和0.23mm的厚度的所謂飛母托浮動(dòng)塊(femtoslider)的情況下，也能夠獲得與上述相同的效果。同樣地，本發(fā)明進(jìn)一步適用于尺寸比飛母托浮動(dòng)塊小的浮動(dòng)塊或尺寸比皮可浮動(dòng)塊大的浮動(dòng)塊。
現(xiàn)在參考圖5來說明本發(fā)明的第二實(shí)施例。如圖5所示，在根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的磁頭浮動(dòng)塊11中的兩個(gè)引導(dǎo)端一側(cè)的浮起臺(tái)5a和5b的引導(dǎo)端一側(cè)的橫向方向上，帶狀臺(tái)(web-like pad)15a和15b形成為進(jìn)氣部分。其他結(jié)構(gòu)元件與上述第一實(shí)施例(圖1)中的相同。帶狀臺(tái)15a和15b的高度基本上等于或略微低于引導(dǎo)端一側(cè)的浮起臺(tái)5a和5b，所述帶狀臺(tái)15a和15b被局部凹陷到與階梯承載表面7a相同的高度。用15c指示的這種凹陷形成在帶狀臺(tái)15a和15b的中心。使用這樣的方法，其中在階梯承載表面7a上形成單個(gè)帶狀臺(tái)，并且在這之后例如通過離子研磨去除中心部分，或者這樣的方法，其中在階梯承載表面7a上分開形成帶狀臺(tái)15a和15b，可以形成凹陷15c。同樣在這個(gè)第二實(shí)施例中，當(dāng)磁頭浮動(dòng)塊11呈現(xiàn)向前傾斜的姿勢(shì)時(shí)，獲得恢復(fù)力，用于將磁頭浮動(dòng)塊11恢復(fù)到其正常浮起姿勢(shì)，因?yàn)樘峁┝擞糜趯⒖諝鈱?dǎo)入到磁頭浮動(dòng)塊中的引導(dǎo)側(cè)浮起臺(tái)5a和5b的進(jìn)氣口路徑(凹陷15c)。此外，即使磁頭浮動(dòng)塊11的前緣部分接觸到磁盤12，浮動(dòng)塊也能夠很快恢復(fù)到其正常浮起姿勢(shì)，因?yàn)榇_保了進(jìn)氣口路徑，而沒有機(jī)會(huì)損壞磁盤12上存儲(chǔ)的信息。
圖6是磁盤驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)造圖，所述磁盤驅(qū)動(dòng)器在其上攜帶有包含本發(fā)明的上述磁頭浮動(dòng)塊1(11)。具有光滑表面的磁盤12附于主軸電機(jī)16。在其上攜帶有磁頭9以對(duì)于磁盤12寫或讀信息的磁頭浮動(dòng)塊1(11)附于懸架18的一端。懸架18的另一端附于磁頭臂20。磁頭臂20安裝在樞軸承21上，并且音圈電機(jī)(VCM)22的線圈在與磁頭臂20相對(duì)的一側(cè)固定到樞軸承21。當(dāng)VCM 22的線圈被激勵(lì)時(shí)，磁頭臂20與樞軸承21一起旋轉(zhuǎn)，并且磁頭浮動(dòng)塊1被定位到磁盤12之上的預(yù)定徑向位置。懸架18和磁頭臂20構(gòu)成用于磁頭浮動(dòng)塊1的支撐機(jī)構(gòu)。同樣地，樞軸承21和VCM 22構(gòu)成用于磁頭浮動(dòng)塊1的致動(dòng)器。
在磁盤12不旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，磁頭浮動(dòng)塊1通過形成在懸架18前端處的提升調(diào)整片(lift tab)19保持(卸載)在斜坡機(jī)構(gòu)23上，所述斜坡機(jī)構(gòu)23提供在與磁盤12的外圍間隔開的位置處。當(dāng)磁盤12的旋轉(zhuǎn)數(shù)目已達(dá)到預(yù)定旋轉(zhuǎn)數(shù)目時(shí)，沿著斜坡機(jī)構(gòu)23的斜面朝著磁盤12的方向移動(dòng)提升調(diào)整片19，允許磁頭浮動(dòng)塊1裝載在旋轉(zhuǎn)的磁盤表面之上。
根據(jù)這種磁盤驅(qū)動(dòng)器，可以防止磁頭浮動(dòng)塊的前緣部分與記錄介質(zhì)的持續(xù)接觸所造成的記錄介質(zhì)的損壞，并因而可以穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)對(duì)于具有光滑表面的磁盤的信息的寫入或讀取。所以，可以獲得高度可靠的磁盤驅(qū)動(dòng)器。盡管上述磁盤驅(qū)動(dòng)器具有斜坡機(jī)構(gòu)作為例子，但是不用說，在例如不具有斜坡機(jī)構(gòu)的CSS類型的磁盤驅(qū)動(dòng)器的情況下，同樣能夠獲得與上述相同的效果。
權(quán)利要求
1.一種磁頭浮動(dòng)塊，包括引導(dǎo)端、空氣承載表面和尾隨端，所述空氣承載表面包括浮起臺(tái)，其形成在所述引導(dǎo)端一側(cè)和所述尾隨端一側(cè)；階梯承載表面，其形成在所述引導(dǎo)端和所述浮起臺(tái)之間以及所述浮起臺(tái)周圍；負(fù)壓凹槽，其相對(duì)于所述階梯承載表面以凹陷的狀態(tài)形成；磁頭，其提供在所述尾隨端一側(cè)形成的浮起臺(tái)中；以及進(jìn)氣部分，用于一旦所述引導(dǎo)端與磁盤相接觸就將空氣引導(dǎo)到所述引導(dǎo)端一側(cè)形成的所述浮起臺(tái)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭浮動(dòng)塊，其中，所述進(jìn)氣部分是所述引導(dǎo)端中形成的缺口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭浮動(dòng)塊，其中，所述進(jìn)氣部分是所述空氣承載表面的所述引導(dǎo)端一側(cè)形成的局部凹陷的帶狀臺(tái)。
4.一種磁頭浮動(dòng)塊，包括引導(dǎo)端、空氣承載表面和尾隨端，所述空氣承載表面包括浮起臺(tái)，其形成在所述引導(dǎo)端一側(cè)和所述尾隨端一側(cè)；階梯承載表面，其形成在所述引導(dǎo)端和所述浮起臺(tái)之間以及所述浮起臺(tái)周圍；負(fù)壓凹槽，其相對(duì)于所述階梯承載表面以凹陷的狀態(tài)形成；磁頭，其提供在所述尾隨端一側(cè)形成的浮起臺(tái)中；以及缺口，其形成在所述引導(dǎo)端中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭浮動(dòng)塊，其中，所述缺口的深度相對(duì)于所述浮起臺(tái)在0.5到2.0μm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁頭浮動(dòng)塊，其中，所述缺口形成在所述引導(dǎo)端的中心，并且其寬度在所述引導(dǎo)端寬度的三分之一到一半的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁頭浮動(dòng)塊，其中，所述缺口形成在所述引導(dǎo)端的中心，并且當(dāng)所述引導(dǎo)端的寬度大約為1.0mm時(shí)，所述缺口的寬度在0.3到0.5mm的范圍內(nèi)。
8.一種磁頭浮動(dòng)塊，包括引導(dǎo)端、空氣承載表面和尾隨端，所述空氣承載表面包括浮起臺(tái)，其形成在所述引導(dǎo)端一側(cè)和所述尾隨端一側(cè)；階梯承載表面，其形成在所述引導(dǎo)端和所述浮起臺(tái)之間以及所述浮起臺(tái)周圍；負(fù)壓凹槽，其相對(duì)于所述階梯承載表面以凹陷的狀態(tài)形成；磁頭，其提供在所述尾隨端一側(cè)形成的浮起臺(tái)中；以及局部凹陷的帶狀臺(tái)，其形成在所述空氣承載表面的所述引導(dǎo)端一側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁頭浮動(dòng)塊，其中，所述帶狀臺(tái)的高度基本上等于所述浮起臺(tái)的高度，并且所述帶狀臺(tái)的凹陷的底部基本上與所述階梯承載表面平齊。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁頭浮動(dòng)塊，其中，所述帶狀臺(tái)的高度小于所述浮起臺(tái)的高度，并且所述帶狀臺(tái)的凹陷的底部幾乎與所述階梯承載表面平齊。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁頭浮動(dòng)塊，其中，所述帶狀臺(tái)的凹陷形成在所述帶狀臺(tái)的中心。
12.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，包括磁盤，其由主軸電機(jī)旋轉(zhuǎn)；磁頭，其對(duì)于所述磁盤寫入或讀取信息；磁頭浮動(dòng)塊，其具有安裝在其上的所述磁頭；支撐機(jī)構(gòu)，用于支撐所述磁頭浮動(dòng)塊；以及致動(dòng)器，其用于在樞軸上轉(zhuǎn)動(dòng)所述支撐機(jī)構(gòu)，以將所述磁頭浮動(dòng)塊定位在所述磁盤的徑向方向上的任意位置處；其中，所述磁頭浮動(dòng)塊包括引導(dǎo)端、空氣承載表面和尾隨端，所述空氣承載表面包括浮起臺(tái)，其形成在所述引導(dǎo)端一側(cè)和所述尾隨端一側(cè)；階梯承載表面，其形成在所述引導(dǎo)端和所述浮起臺(tái)之間以及所述浮起臺(tái)周圍；負(fù)壓凹槽，其相對(duì)于所述階梯承載表面以凹陷的狀態(tài)形成；磁頭，其提供在所述尾隨端一側(cè)形成的浮起臺(tái)中；以及進(jìn)氣部分，用于一旦所述引導(dǎo)端與磁盤相接觸就將空氣引導(dǎo)到所述引導(dǎo)端一側(cè)形成的所述浮起臺(tái)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中，所述進(jìn)氣部分是所述引導(dǎo)端中形成的缺口。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁頭浮動(dòng)塊，其中，所述進(jìn)氣部分是所述空氣承載表面的所述引導(dǎo)端一側(cè)形成的局部凹陷的帶狀臺(tái)。
全文摘要
當(dāng)磁頭浮動(dòng)塊的浮起高度降低時(shí)，引發(fā)了下述問題磁頭浮動(dòng)塊呈現(xiàn)向前降落的姿勢(shì)，并且磁頭浮動(dòng)塊的引導(dǎo)端的前緣部分接觸到磁盤表面，造成對(duì)磁盤表面的損壞。磁頭浮動(dòng)塊(1)包括空氣承載表面(4)、引導(dǎo)端(2)和尾隨端(3)。三個(gè)浮起臺(tái)(5a、5b和5c)形成在空氣承載表面(4)上，階梯承載表面(7a)形成在浮起臺(tái)(5a和5b)周圍，并且以引導(dǎo)側(cè)由階梯承載表面(7a)包圍的方式形成用于產(chǎn)生負(fù)壓的負(fù)壓凹槽(8)。浮起臺(tái)(5c)形成在尾隨端(3)附近，并且裝備有磁頭(9)。階梯承載表面(7b)形成在浮起臺(tái)(5c)的引導(dǎo)側(cè)。進(jìn)一步，磁頭浮動(dòng)塊(1)在引導(dǎo)端(2)的前緣部分中形成有缺口(10)。缺口(10)距離浮起臺(tái)(5a和5b)有0.5到2μm深。
文檔編號(hào)G11B21/21GK1913003SQ20061011013
公開日2007年2月14日 申請(qǐng)日期2006年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月8日
發(fā)明者渡邊公一, 米川直 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司