專利名稱：薄膜磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在導(dǎo)電層上方層疊導(dǎo)電性的突起部、并利用形成在上述導(dǎo)電層上的絕緣層、圍住上述突起部的周圍的薄膜結(jié)構(gòu)體，特別涉及具有抗機械沖擊性等強的薄膜結(jié)構(gòu)體的薄膜磁頭。
背景技術(shù)：
圖40是表示以往的薄膜結(jié)構(gòu)體的剖視圖。在該薄膜結(jié)構(gòu)體中，例如，在絕緣體1上形成與從電感磁頭的線圈層延長的導(dǎo)線層或從磁阻效應(yīng)元件的電極層延長的導(dǎo)線層連接的導(dǎo)電層2。在導(dǎo)電層2上，借助金屬膜3，形成突起部(凸部)4。在突起部(凸部)4的周圍，形成由Al2O3或SiO2構(gòu)成的絕緣膜5，突起部(凸部)4的上面露出于絕緣膜5的表面。另外，金屬膜3是在鍍膜形成突起部4時用于供給電流而殘留的通電層。
突起部4具有與金屬膜3連接的基底部4a和層疊在該基底部4a上的上層部4b。上層部4b的側(cè)邊緣部比基底部4a的側(cè)邊緣部更向外側(cè)伸出而形成延出部4c。在突起部4的上面形成金屬材料制的金屬墊片6。
圖41～圖45是表示以往的薄膜結(jié)構(gòu)體的制造方法的剖視圖。
首先，在圖41所示的工序，利用鍍膜法，在絕緣層1上形成導(dǎo)電層2。然后，從導(dǎo)電層2的上方到絕緣層1的上方，采用濺射法成膜通電層7，以鍍膜形成突起部4。此外，在通電層7的上面，層疊凸部形成用的抗蝕劑R，在形成突起部4的部分形成開口部Ra。另外，通電層7向圖的右方向(箭頭方向)延長，以便能夠從其端部供給電流。
然后，在圖42所示的工序中，在抗蝕劑R的開口部Ra露出的通電層7的上面，各向同性鍍上Ni、Au、Cu或含有Cu的導(dǎo)電性材料，形成突起部4。突起部4的高度H1例如為40μm。
在形成突起部4后，去除抗蝕劑R，成為圖43的狀態(tài)。然后，利用離子蝕刻法等去除突起部4的周圍的通電層7。此時，殘留突起部4的上層部4a的下面的通電層7，而形成圖44所示的金屬膜3。
在去除通電層7后，如圖45所示，在導(dǎo)電層2及突起部4上成膜由Al2O3或SiO2構(gòu)成的絕緣膜5。
然后，研磨絕緣層5直到在絕緣層5的表面露出突起部4，例如，到圖的A-A線，在形成金屬墊片6后，就結(jié)束了圖40所示的薄膜結(jié)構(gòu)體的形成。
此外，在專利文獻5中記載，通過在突起部4的下方配置其他導(dǎo)線導(dǎo)體28，能夠?qū)崿F(xiàn)布線的高密度化。如此的薄膜結(jié)構(gòu)體及其制造方法，在以下所示的專利文獻1～5中有記載。
專利文獻1日本特開平11-100690號公報(第3頁、圖1)專利文獻2日本特開平9-73608號公報(第3頁、圖3)專利文獻3日本特開2000-149221號公報(第3頁、圖8)專利文獻4日本特開昭58-179922號公報(第1頁、第2頁、圖2、圖3)專利文獻5日本特開平4-21919號公報(第4頁、第5頁、圖5、圖6)專利文獻6日本特開2003-123208號公報(第4頁、第5頁、圖1～圖8)上述以往的薄膜結(jié)構(gòu)體，具有以下所示的問題。
在圖43所示的工序中，如果去除抗蝕劑層R，能夠在突起部4的上層部4b的延出部4c的下方形成空間S。當(dāng)在圖45所示的工序中成膜絕緣層5時，空間S由于受延出部4c的影響，不形成絕緣層5而成為空穴。如此，如果突起部4的延出部4c下方的空間S是空穴，則會降低絕緣層5的機械強度，在圖45的研磨工序時，在絕緣層5上容易產(chǎn)生如虛線所示的裂紋C。如果在絕緣層5上產(chǎn)生裂紋C，薄膜結(jié)構(gòu)體的耐磨性顯著下降，同時會導(dǎo)致布線斷線。
此外，在專利文獻4中，記載了通過削去導(dǎo)體(突起部)的外伸部(延出部)(沿圖44的單點劃線E削去)而去除產(chǎn)生影的區(qū)域，或在導(dǎo)體(突起部)的整個周圍形成絕緣層的結(jié)構(gòu)。但是，如果具有削去導(dǎo)體(突起部)的工序，則不僅制造工序復(fù)雜化，而且減小導(dǎo)體(突起部)的體積，產(chǎn)生電阻增大的問題。此外，導(dǎo)體(突起部)的體積的偏差增大，電阻不均勻。
此外，專利文獻6中記載的薄膜結(jié)構(gòu)體，難于供給鍍膜形成下部墊片3A及上部墊片3B的電流，需要進一步改進。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對解決上述以往問題而提出的，目的是提供一種具有薄膜結(jié)構(gòu)體的薄膜磁頭，該薄膜結(jié)構(gòu)體具有基底部和突起部，該突起部具有上層部，該上層部包含比上述基底部向外側(cè)伸出的延出部，而且，在上述基底部的整個周圍的、上述延出部的下方也存在上述絕緣層。
本發(fā)明的薄膜磁頭，具有第1薄膜結(jié)構(gòu)體與第2薄膜結(jié)構(gòu)體，其中上述第1薄膜結(jié)構(gòu)體，在第1導(dǎo)電層上方層疊有導(dǎo)電性的第1突起部，利用形成在上述第1導(dǎo)電層上的絕緣層圍住上述第1突起部的周圍，上述第1突起部具有與上述第1導(dǎo)電層連接的第1基底部和層疊在該第1基底部上的第1上層部，上述第1上層部的、與膜厚度方向垂直的剖面的面積，越向上述第1上層部的上方越逐漸減小，而且，在上述第1上層部上，側(cè)邊緣部比上述第1基底部的側(cè)邊緣部向外側(cè)伸出而形成第1延出部，上述絕緣層，在上述第1基底部的整個周圍，也存在于上述第1延出部的下方，上述絕緣層與上述第1基底層的側(cè)邊緣部相接，在上述第1導(dǎo)電層的側(cè)方、且上述第1突起部的上述第1延出部的下方設(shè)有導(dǎo)線層，該導(dǎo)線層的一端與上述第2薄膜結(jié)構(gòu)體相連接。
本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體，在導(dǎo)電層上方層疊導(dǎo)電性的突起部，利用形成在上述導(dǎo)電層上的絕緣層圍住上述突起部的周圍，上述突起部具有與上述導(dǎo)電層連接的基底部和層疊在該基底部上的上層部，上述上層部的、與膜厚度方向垂直的剖面的面積，越向上述上層部的上方越逐漸減小，而且，在上述上層部上，側(cè)邊緣部比上述基底部的側(cè)邊緣部向外側(cè)伸出而形成延出部，上述絕緣層，在上述基底部的整個周圍，也存在于延出部的下方。
在本發(fā)明中，由于也在上述突起部的延出部的下方存在上述絕緣層，所以能夠提高上述突起部周圍的機械強度。因此，在上述絕緣層不易產(chǎn)生裂紋，能夠提高薄膜結(jié)構(gòu)體的耐蝕性，同時降低布線的斷線。
此外，在上述突起部的上層部，由于側(cè)邊緣部比上述基底部的側(cè)邊緣部向外側(cè)伸出而形成延出部，從而能夠維持上述突起部的體積，防止電阻增加。
另外，如果上述絕緣層連結(jié)在上述基底部的側(cè)邊緣部，則優(yōu)選在上述突起部的延出部下方的整個區(qū)域存在上述絕緣層，進一步提高上述突起部周圍的機械強度。
此外，如果在上述導(dǎo)電層的側(cè)方設(shè)置，且該其他導(dǎo)線層位于上述突起部的上述延出部的下方，則能夠謀求布線的高密度化。
如本發(fā)明所述，如果上述絕緣層，在上述基底部的整個周圍，也存在上述延出部的下方，則由于在上述導(dǎo)電層的側(cè)方設(shè)置其他導(dǎo)線層，所以即使減小上述基底部的寬度尺寸，也能夠維持上述突起部周圍的機械強度。
另外，上述其他導(dǎo)線層，例如連接在其他的薄膜結(jié)構(gòu)體上。
本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的制造方法具有以下工序(a)在導(dǎo)電層上形成導(dǎo)電性的基底部，在該基底部的整個周圍形成絕緣層的工序；(b)在導(dǎo)電層上形成導(dǎo)電性的通電部，在該通電部的整個周圍形成絕緣層的工序；(c)在上述絕緣層的表面露出上述基底部的上面的工序；(d)在上述絕緣層的表面露出上述通電部的上面的工序；(e)從上述通電部的上面供給電流，在上述基底部的上方使可鍍膜的材料自由鍍膜生長來形成上層部，并使上述上層部的與膜厚度方向垂直的剖面的面積，越朝向上述上層部的上方越逐漸減小，而且，上述上層部側(cè)邊緣部比上述基底部的側(cè)邊緣部向外側(cè)伸出而形成延出部的工序；(f)在上述上層部的周圍形成絕緣層的工序。
在本發(fā)明中，在上述(e)工序，從上述通電部的上面供給電流，經(jīng)由上述導(dǎo)電層，在上述基底部上鍍膜形成上層部。因此，能夠在上述基底部的附近，以所需最小限度的尺寸形成上述通電部，之后不需要去除該通電部。因此，在上層部的鍍膜形成后，不需要去除形成在上述基底部的整個周圍的上述絕緣層，也能夠制造在上述突起部的延出部的下方也存在上述絕緣層的薄膜結(jié)構(gòu)體。
利用本發(fā)明的制造方法形成的薄膜結(jié)構(gòu)體，提高了上述突起部周圍的機械強度，在上述絕緣層不易產(chǎn)生裂紋，提高了耐蝕性。
此外，在本發(fā)明中，在形成上述上層部時，由于只是自由度膜生長形成，所以減小突起部的體積偏差，從而能夠降低電阻的偏差。
此外，優(yōu)選在上述(d)工序，在上述絕緣層的表面露出上述通電部的上面后，形成連接在上述通電部的上面的引出層。
另外，此處，所謂的自由鍍膜生長，指的是不限制側(cè)面或上面地鍍膜生長。
或，本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的制造方法具有以下工序(g)在導(dǎo)電層上形成絕緣層的工序；(h)在上述絕緣層至少設(shè)置2個開孔部，而露出上述導(dǎo)電層的工序；(i)以上述開孔部中的1個作為通電開孔部，從在該通電開孔部露出的上述導(dǎo)電層供給電流，在該通電開孔部以外的鍍膜形成開孔部露出的上述導(dǎo)電層上，使可鍍膜的材料自由鍍膜生長，來鍍膜形成與上述導(dǎo)電層連接的基底部和層疊在該基底部上方的上層部，上述上層部的、與膜厚度方向垂直的剖面的面積越向上述上層部的上方越逐漸減小，而且，在上述上層部，側(cè)邊緣部比上述基底部的側(cè)邊緣部向外側(cè)伸出而形成延出部的工序；(j)在上述上層部的周圍形成絕緣層的工序。
在本發(fā)明中，在上述(i)工序中，在從上述通電開孔部的上方供給電流，在鍍膜形成開孔部露出的上述導(dǎo)電層上鍍膜形成上述基底部和上層部。如果在鍍膜形成開孔部的附近形成上述通電開孔部，則之后不需要去除該上述通電開孔部附近的上述導(dǎo)電層。因此，也能夠制造在上述突起部的延出部的下方也存在上述絕緣層的薄膜結(jié)構(gòu)體。
利用本發(fā)明的制造方法形成的薄膜結(jié)構(gòu)體，提高了上述突起部周圍的機械強度，在上述絕緣層不易產(chǎn)生裂紋，提高了耐蝕性。
此外，在本發(fā)明中，在形成上述上層部時，由于只是自由度膜生長，所以減小突起部的體積偏差，從而能夠降低電阻的偏差。
此外，優(yōu)選在上述(h)工序，形成與在上述開孔部中的1個中露出的上述導(dǎo)電層連接的引出層。
另外，此處，所謂的自由鍍膜生長，指的是不限制側(cè)面或上面地鍍膜生長。
此外，在上述(a)工序或上述(g)工序之前，具有(k)在上述導(dǎo)電層的側(cè)方設(shè)置其他導(dǎo)線層的工序；在上述(e)工序或上述(i)工序中，通過使上述上層部的上述延出部伸出到與上述其他導(dǎo)線層重疊的位置，在上述導(dǎo)電層的側(cè)方的、上述突起部的上述延出部的下方設(shè)置其他導(dǎo)線層，能夠形成能夠高密度化布線的薄膜結(jié)構(gòu)體。
而且，由于上述絕緣層，在上述基底部的整個周圍，也存在上述延出部的下方，并在上述導(dǎo)電層的側(cè)方設(shè)置其他導(dǎo)線層，所以即使減小上述基底部的寬度尺寸，也能夠維持上述突起部周圍的機械強度。
在本發(fā)明中，優(yōu)選在上述(k)工序中，同時形成上述導(dǎo)電層和上述其他導(dǎo)線層。
如果采用以上說明的本發(fā)明，由于上述突起部的延出部的下方也存在上述絕緣層，所以能夠提高上述突起部周圍的機械強度。因此，在上述絕緣層不易產(chǎn)生裂紋，在提高薄膜結(jié)構(gòu)體的耐蝕性的同時，還能夠防止布線斷線。
此外，在上述突起部的上層部，由于側(cè)邊緣部比上述基底部的側(cè)邊緣部向外側(cè)伸出而形成延出部，因此能夠維持突起部的體積，防止增加電阻。


圖1是表示裝配有將本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體用于電極引出的磁頭的滑塊30的后(trailing)側(cè)端面31的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。
圖2是從2-2線剖開圖1所示的薄膜磁頭32時的部分縱剖視圖。
圖3是從圖1所示的4-4線剖開時的本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的實施方式的部分剖視圖。
圖4是從圖1所示的5-5線剖開時的本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的實施方式的部分剖視圖。
圖5是本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的其他實施方式的部分剖視圖。
圖6是圖5所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的與X-Z平面平行的剖視圖。
圖7是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖8是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖9是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖10是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖11是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖12是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖13是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖14是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖15是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖16是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖17是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖18是表示具有側(cè)面為垂直面的上層部的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的剖視圖。
圖19是表示圖5及圖6所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖20是表示圖5及圖6所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖21是表示圖5及圖6所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖22是表示圖5及圖6所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖23是表示圖5及圖6所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖24是表示圖5及圖6所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖25是表示圖5及圖6所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖26是表示裝配有將本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體用于電極引出的磁頭的滑塊30的后側(cè)端面31的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。
圖27是從圖26所示的27-27線剖開時的本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的實施方式的部分剖視圖。
圖28是從圖26所示的28-28線剖開時的本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的實施方式的部分剖視圖。
圖29是本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的其他實施方式的部分剖視圖。
圖30是圖29所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的與Y-Z平面平行的剖視圖。
圖31是表示圖27及圖28所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖32是表示圖27及圖28所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖33是表示圖27及圖28所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的剖視圖。
圖34是表示圖27及圖28所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖35是表示圖27及圖28所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖36是表示圖29及圖30所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖37是表示圖29及圖30所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖38是表示圖29及圖30所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖39是表示圖29及圖30所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的俯視圖及剖視圖。
圖40是表示以往的薄膜結(jié)構(gòu)體(薄膜結(jié)構(gòu)體)的剖視圖。
圖41是表示以往的薄膜結(jié)構(gòu)體(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造方法的剖視圖。
圖42是表示以往的薄膜結(jié)構(gòu)體(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造方法的剖視圖。
圖43是表示以往的薄膜結(jié)構(gòu)體(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造方法的剖視圖。
圖44是表示以往的薄膜結(jié)構(gòu)體(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造方法的剖視圖。
圖45是表示以往的薄膜結(jié)構(gòu)體(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造方法的剖視圖。
具體實施例方式
圖1是表示裝配有將本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體用于電極引出的磁頭的滑塊30的后側(cè)端面31的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。另外，滑塊30的圖示上面是與記錄媒體的對置面。
圖1所示的滑塊30，由氧化鋁一碳化鈦(Al2O3一TiC)等陶瓷材料形成，在其后側(cè)端面31上，在與記錄媒體的對置面?zhèn)?，層疊形成薄膜磁頭32。
薄膜磁頭32，是層疊再生用的MR磁頭和記錄用的電感磁頭的所謂復(fù)合型薄膜磁頭。
如圖1所示，在滑塊30的后側(cè)端面31上，鍍膜形成4個導(dǎo)線層33～36。其中的導(dǎo)線層33及34是與構(gòu)成電感磁頭的線圈層導(dǎo)通連接的線圈導(dǎo)線層。如圖1所示，第2線圈導(dǎo)線層34，在其終端部(外部連接端部)，借助直接或間接鍍膜形成在第2線圈導(dǎo)線層34上的突起部87來與外部連接用端子38導(dǎo)通連接。第1線圈導(dǎo)線層33的終端部(外部連接端部)也與第2線圈導(dǎo)線層34同樣，借助突起部，與外部連接用端子導(dǎo)通連接。
圖1所示的導(dǎo)線層35及36，是向MR磁頭的磁阻效應(yīng)元件供給讀出電流的電極導(dǎo)線層，電極導(dǎo)線層36的終端部(外部連接端部)，借助直接或間接鍍膜形成在其上的突起部39，導(dǎo)通連接在外部連接用端子40上。另外，電極導(dǎo)線層35的終端部(外部連接端部)，也與電極導(dǎo)線層36同樣，借助突起部(凸部)，導(dǎo)通連接在外部連接用端子。
圖2是從2-2線剖開圖1所示的薄膜磁頭32時的部分縱剖視圖。
首先，說明構(gòu)成薄膜磁頭32的各層。如圖2所示，在滑塊30上形成氧化鋁底涂層膜41，然后在其上面形成由坡莫合金(NiFe合金)等磁性材料形成的下部屏蔽層42。
如圖2所示，在下部屏蔽層42上經(jīng)由氧化鋁等下部間隙層43形成于與記錄媒體的對置面露出的磁阻效應(yīng)元件44。磁阻效應(yīng)元件44，是在自旋閥膜(spin valve膜)中有代表性的GMR元件或AMR元件，磁阻效應(yīng)元件44，采用接受外部磁場的影響引起的電阻值的變化，再生記錄在記錄媒體上的磁信號。
在磁阻效應(yīng)元件44，連接從磁道寬度方向(圖示X方向)的兩側(cè)，朝高度方向后方(圖示Y方向)擴展的電極層45，如圖2所示，在電極層45及磁阻效應(yīng)元件44的上方，經(jīng)過由氧化鋁等形成的上部間隙層46形成上部屏蔽層(下部芯層)47。上部屏蔽層47，例如，由坡莫合金(NiFe合金)等磁性材料形成。另外，從下部屏蔽層42到上部屏蔽層(下部芯層)47是再生用的MR磁頭。
在本實施方式中，上部屏蔽層47，也具有作為電感磁頭的下部芯層的功能。另外，也可以分別形成上部屏蔽層和下部芯層。在需要時，在上部屏蔽層和下部芯層的之間加入絕緣層。
如圖2所示，在下部芯層47上，從與記錄媒體的對置面朝高度方向后方以規(guī)定的長度尺寸形成磁極部48。磁極部48以磁道寬度Tw形成向磁道寬度方向(圖示X方向)的寬度尺寸。磁道寬度Tw，例如以0.5μm以下形成。
在圖2所示的實施方式中，由下部磁極層49、間隙層50及上部磁極部51的3層膜的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成磁道部48。以下，說明磁極層49、51及間隙層50。
如圖2所示，在下部芯層47上，鍍膜形成成為磁極層48的最下層的下部磁極層49。下部磁極層49與下部芯層47磁性連接，下部磁極層49，可以由與下部芯層47相同的材質(zhì)形成，也可以由不同的材質(zhì)形成。此外，可以由單層膜形成，也可以由多層膜形成。
此外，如圖2所示，在下部磁極層49上層疊非磁性的間隙層50。
優(yōu)選間隙層50由非磁性金屬材料形成、且鍍膜形成在下部磁極層49上。作為非磁性金屬材料，優(yōu)選NiP、NiReP、NiPd、NiW、NiMo、NiRh、NiRe、Au、Pt、Rh、Pd、Ru、Cr中的1種或2種以上，間隙層50，可以由單層膜形成，也可以由多層膜形成。
下面，在間隙層50上鍍膜形成與后述的上部芯層60磁性連接的上部磁極層51。另外，上部磁極層51，可以由與上部芯層60相同的材質(zhì)形成，也可以由不同的材質(zhì)形成。此外，可以由單層膜形成，也可以由多層膜形成。
如上所述，間隙層50，只要由非磁性金屬材料形成，就能夠連續(xù)鍍膜形成下部磁極層49、間隙層50及上部磁極部51。
此外，如圖2所示，在下部芯層47上從與記錄媒體的對置面向在高度方向(圖示Y方向)遠(yuǎn)離的位置形成Gd定位絕緣層52。
然后，如圖2所示，在比磁極部48靠向高度側(cè)的下部芯層47上形成由Al2O3、SiO2等構(gòu)成的線圈絕緣底層53。如圖2所示，在線圈絕緣底層53上，鍍膜形成例如由Cu等電阻低的導(dǎo)電性材料形成的第1線圈層54。
如圖2所示，第1線圈層54，其卷繞中心部54a，由磁性連接在下部芯層47上的背部間隙層55，位于高度方向(圖示Y方向)的后方，以卷繞中心部54a為中心形成螺旋狀圖形。
如圖2所示，第1線圈層54的上面，在以上部電極層51和上部芯層60的接合面作為基準(zhǔn)平面D時，形成在比基準(zhǔn)平面D低的位置。
此外，在本實施方式中，第1線圈層54的各導(dǎo)體部的間距間，由絕緣材料構(gòu)成的線圈絕緣層57堵塞。如圖2所示，線圈絕緣層57的上面57a與基準(zhǔn)平面D平齊，如此被平坦化。
此外，在線圈絕緣層57的上面57a，鍍膜形成螺旋狀形成圖形的第2線圈層58。第2線圈層58也與第1線圈層54同樣，由Cu等具有低電阻的導(dǎo)電性材料形成。另外，第2線圈層58，其卷繞方向與第1線圈層54相反。
第2線圈層58上，用由抗蝕劑材料等有機絕緣材料構(gòu)成的絕緣層59覆蓋。此外，在絕緣層59上，例如圖形形成用幀鍍法等形成的上部芯層60。上部芯層60的前端部60a磁性連接在上部磁極層51上。
下面，說明與本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的實施方式的第1線圈層54一體鍍膜形成的第2線圈導(dǎo)線層34的外部連接端部34a上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)。
圖3是從圖1所示的3-3線剖開時的本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的實施方式的部分剖視圖。
圖3所示的第2線圈導(dǎo)線層34的外部連接端部34a是本發(fā)明的導(dǎo)電層，形成在在下部芯層47周圍形成的絕緣層71上。在其上方設(shè)置由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的突起部(凸部)87。
突起部(凸部)87，具有鍍膜形成在外部連接端部34a上并貫通線圈絕緣層57的基底部81、層疊在基底部81上的上層部86。上層部86，具有從其中心部開始依次由第1層82、第2層83、第3層84及第4層85構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。這里，第1層82由與第2線圈層58相同的材料形成，第2層83由與上部芯層60的鍍膜底層相同的材料構(gòu)成，第3層84由與上部芯層60相同的材料構(gòu)成，第4層85由Ni、Cu或Au等電阻小的材料構(gòu)成。但是，上層部86也可以是由Ni、Cu或Au等電阻小的材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)。
基底部81由與第一接點部62相同的材料形成?；撞?1的上面81a與線圈絕緣層57的上面57a對齊形成。
在上層部86的周圍形成保護層61，上層部86貫通保護層61。上層部86從保護層61的上面61a露出形成，并與形成在保護層61上的外部連接用端子38導(dǎo)通連接。
此外，在外部連接端部34a上形成貫通線圈絕緣層57的金屬層88。該金屬層88，具有在鍍膜形成上層部86時作為電流供給路的通電部的功能。金屬層88的上面88a，也可以與線圈絕緣層57的上面57a對齊形成。
另外，在圖3中，說明了第2線圈導(dǎo)線層34的外部連接端部34a上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)，但是，圖1所示的第1線圈導(dǎo)線層33的外部連接端部33b的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)也與圖3相同。即，在1線圈導(dǎo)線層33上鍍膜形成由基底部和上層部構(gòu)成的突起部，在突起部上形成外部連接用端子38。
此外，用于向MR磁頭的磁阻效應(yīng)元件供應(yīng)讀出電流的電極導(dǎo)線層即圖1所示導(dǎo)線層35及36的終端部(外部連接端部)上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)，也能夠與圖3相同。
上層部86的、與膜厚度方向(圖示Z方向)垂直的剖面(與X-Y平行的面)的面積，越向上層部86的上方(圖示Z方向)越逐漸減小，而且，在上層部86，側(cè)邊緣部86a比上述基底部81的側(cè)邊緣部81b更向外側(cè)伸出而形成延出部86b，在延出部86b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
另外，在基底部81的整個周圍沿延出部86b的下方存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
圖4是從圖1所示的4-4線剖開時的本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的實施方式的部分剖視圖。
在圖4中，也在上層部86，側(cè)邊緣部86a比上述基底部81的側(cè)邊緣部81b向外側(cè)伸出而形成延出部86b，在延出部86b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
在本發(fā)明中，由于在突起部87的延出部86b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57，因此能夠提高突起部87的周圍的機械強度。所以，不易在保護層(絕緣層)61產(chǎn)生裂紋，能夠提高導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)的耐蝕性。
此外，由于在突起部87的上層部86，側(cè)邊緣部86a比上述基底部81的側(cè)邊緣部81b向外側(cè)伸出而形成延出部86b，所以能夠維持突起部87的體積，防止電阻增加。
另外，在本實施方式中，線圈絕緣層(絕緣層)57連接在基底部81的側(cè)邊緣部81b上。即，通過在突起部87的延出部86b下方的整個區(qū)域存在線圈絕緣層(絕緣層)57，而能夠提高突起部87的周圍的機械強度。
圖5是本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的其他實施方式的部分剖視圖。
圖5所示的第2線導(dǎo)線層34的外部連接端部34a是本發(fā)明的導(dǎo)電層，形成在在下部芯層47的周圍形成的絕緣層71上。在其上設(shè)置由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的突起部(凸部)94。
突起部(凸部)94，具有濺射成膜在外部連接端部34a上的鍍膜底層91、貫通線圈絕緣層57的第1層92、層疊在第1層92上的第2層93。第1層92由與上部芯層60相同的材料形成，第2層93由Ni、Cu或Au等電阻小的材料構(gòu)成。但是，也可以省略第1層92的形成，突起部(凸部)94也可以是由Ni、Cu或Au等電阻小的材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)。
在圖5所示的突起部(凸部)94中，第1層92的被線圈絕緣層57圍住的部分為基底部95，基底部95上方的部分為上層部96。
在上層部96的周圍形成保護層61，上層部96貫通保護層61。上層部96從保護層61的上面61a露出形成，并與形成在保護層61上的外部連接用端子38導(dǎo)通連接。
此外，在線圈絕緣層57形成開孔部57b。在鍍膜形成上層部96時，由從開孔部57b露出的外部連接端部34a供給電流。
圖5所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)，也能夠用作第2線圈導(dǎo)線層34的外部連接端部34a上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)、或第1線圈導(dǎo)線層33的外部連接端部33b上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)。
此外，用于向MR磁頭的磁阻效應(yīng)元件供應(yīng)讀出電流的電極導(dǎo)線層即圖1所示導(dǎo)線層35及36的終端部(外部連接端部)上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)，也可以與圖5相同。
上層部96的、與膜厚度方向(圖示Z方向)垂直的剖面(與X-Y平行的面)的面積，越向上層部96的上方(圖示Z方向)越逐漸減小，而且，在上層部96，側(cè)邊緣部96a比基底部95的側(cè)邊緣部95a向外側(cè)伸出而形成延出部96b，在延出部96b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
另外，在基底部95的整個周圍沿延出部下方存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
圖6是圖5所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的與X-Z平面平行的剖視圖。
在圖6中，在上層部96上，側(cè)邊緣部96a比基底部95的側(cè)邊緣部95a向外側(cè)伸出而形成延出部96b，在延出部96b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
由于在突起部94的延出部96b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57，因此能夠提高突起部94周圍的機械強度。所以，不易在保護層(絕緣層)61產(chǎn)生裂紋，能夠提高導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)的耐蝕性。
此外，在突起部94的上層部96，由于側(cè)邊緣部96a比上述基底部95的側(cè)邊緣部95a向外側(cè)伸出而形成延出部96b，所以能夠維持突起部94的體積，能夠防止電阻增加。
另外，在本實施方式中，線圈絕緣層(絕緣層)57連接在基底部95的側(cè)邊緣部95a上。即，通過在突起部94的延出部96b下方的整個區(qū)域，存在線圈絕緣層(絕緣層)57，能夠提高突起部94的周圍的機械強度。
下面，說明圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造方法。
圖7～圖17是表示圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的圖。在各自的圖面上，左圖是從上看導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)時的俯視圖，右圖是沿單點劃線剖開左圖并從箭頭方向看時的剖視圖。
與圖1及圖2所示的電感磁頭的形成同時進行圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的形成。
在圖7所示的工序，在形成圖2所示的電感磁頭的下部芯層47后，在下部芯層47的周圍形成絕緣層71，在該絕緣層71上，形成圖1所示的第2線圈導(dǎo)線層34。第2線圈導(dǎo)線層34，采用與圖2所示的第1線圈層54相同的材料，與第1線圈層54同時鍍膜形成。
第2線圈導(dǎo)線層34的外部連接端部34a是本發(fā)明的導(dǎo)電層，在外部連接端部34a上，依次層疊構(gòu)成導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的層。
下面，在圖8所示的工序，鍍膜形成基底部81及金屬層88。基底部81及金屬層88，采用與圖2所示的第1接點部62相同的材料，例如Ni、Cu、Au等，與第1接點部62同時鍍膜形成。另外，第1接點部62導(dǎo)通連接第1線圈層54的卷繞中心部54a和第2線圈層58的卷繞中心部58a的之間。此外，金屬層88，在鍍膜形成上層部86時，具有作為電流供給路的通電部的功能。
然后，在圖9所示的工序，在絕緣層71、外部連接端部34a、基底部81及金屬層88上濺射成膜線圈絕緣層57。線圈絕緣層57與圖2所示的線圈絕緣層57相同，采用Al2O3或SiO2等無機材料形成。
然后，在圖10所示的工序，采用CMP加工技術(shù)研磨線圈絕緣層57，使基底部81及金屬層88的上面露出。使線圈絕緣層57的上面和基底部81及金屬層88的上面平坦對齊，該對齊面與基準(zhǔn)平面D一致。另外，線圈絕緣層57的膜厚度t1在1μm以下。
然后，在圖11所示的工序，在基底部81的上方采用與圖2所示的第2線圈層58相同的材料，形成第2線圈層58同時幀鍍形成第1層82。
之后，在圖12所示的工序，采用與圖2所示的鍍膜形成上部芯層60的鍍膜底層相同的材料，形成該鍍膜底層的同時濺射成膜第2層83。同時，也在金屬層88上，采用與鍍膜底層相同的材料，濺射成膜通電用膜100。通電用膜100，與第2層83分離，能夠用作向金屬層88供給鍍膜用電流的引出層。
然后，在圖13所示的工序，在第2層83上，采用與圖2所示的上部芯層60相同的材料，形成上部芯層60的同時幀鍍形成第3層84。此時，將通電用膜100用作引出層，從金屬層88的上面、經(jīng)由外部連接端部34a能夠供給鍍膜用的電流。
然后，在圖14所示的工序中，在第3層84上由Cu或Au等電阻小的材料鍍膜形成第4層85。從第3層84間隔地形成抗蝕劑R1，第4層85是使導(dǎo)電性材料自由鍍膜生長而形成的。第4層85的鍍膜形成時的膜厚度t2為40μm。此時，也能將通電用膜100用作引出層，能夠從金屬層88的上面供給鍍膜用電流。
經(jīng)過圖11～圖14所示的工序，形成具有從中心部開始由第1層82、第2層83、第3層84、第4層85構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)的上層部86。
但是，也可以通過在基底部81上，直接使導(dǎo)電性材料自由鍍膜生長，形成單層的上層部。
另外，在圖11的工序中，殘留第2線圈層58的鍍膜底層，以此作為引出層，這樣也能夠供給第2層83、第3層84及第4層85的鍍膜形成時的鍍膜用電流。
通過利用自由鍍膜生長形成第4層85，而上層部86的、與膜厚度方向(圖示Z方向)垂直的剖面(與X-Y平行的面)的面積，越向上層部86的上方(圖示Z方向)越逐漸減小。
此外，在上層部86，側(cè)邊緣部86a比上述基底部81的側(cè)邊緣部81b向外側(cè)伸出而形成延出部86b，能夠在基底部81的整個周圍沿延出部86b的下方存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
然后，在圖15所示的工序中，在去除抗蝕劑層R1后，通過離子蝕刻等去除通電用膜100。
然后，在圖16所示的工序中，在線圈絕緣層57、金屬層88、上層部86及其上方濺射形成保護層61。保護層61與圖2所示的保護層61相同，采用Al2O3或SiO2等無機材料形成。
此外，通過磨削·拋光加工保護層61，露出上層部86的上面。保護層61的上面和上層部86的上面形成平坦化的同一面。另外，保護層61及上層部86的膜厚度t3大約為30μm。
然后，在上層部96的上面61a上，形成外部連接用端子38，如果形成圖17的狀態(tài)，能夠得到圖3及圖4所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)。
在上述制造方法中，在圖12～圖14所示的工序中，從金屬層88(通電部)的上面供給電流，在基底部81的上面鍍膜形成上層部86而形成突起部87。因此，能夠在基底部81的附近形成金屬層88(通電部)，然后不需要去除該金屬層88(通電部)。所以，在上層部86的鍍膜形成后，也不需要去除形成在基底部81的整個周圍的線圈絕緣層57，也能夠制造在突起部87的延出部86b的下方也存在線圈絕緣層57的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)。
利用本制造方法形成的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)，能夠提高突起部87周圍的機械強度，不易在保護層61生成裂紋，提高耐蝕性。特別是能夠降低在圖16所示的磨削工序發(fā)生保護層61的裂紋的情況。
此外，在形成上層部86的第4層85時，由于只進行自由鍍膜生長，所以減小突起部87的體積的偏差，能夠降低電阻偏差。
此外，如果采用上述制造方法，上層部86的與膜厚度方向(圖示Z方向)垂直的剖面(與X-Y平行的面)的面積，越向上層部86的上方(圖示Z方向)越逐漸減小。即，在上層部86的側(cè)面形成曲面或傾斜面。
于是，在圖16所示的工序中，在成膜保護層61時，能夠減小保護層61的成膜厚度t4。具體是，能夠以35μm～40μm形成成膜厚度t4，能夠提高生產(chǎn)效率。
對此，如圖18所示，在具有利用幀鍍法形成的上層部111的突起部112中，第4層110也出現(xiàn)以下的問題。如果用幀鍍法形成第4層110，如圖18所示，第4層110的側(cè)面110a形成與線圈絕緣層57的上面相對的垂直面。如果第4層110的側(cè)面110a形成垂直面，在成膜保護層61時，降低第4層110的側(cè)面110a的周圍的濺射成膜速度，在保護層61的表面形成凹部61b。因此，在成膜保護層61時，從線圈絕緣層57的上面到凹部61b的距離t5需要大于上層部111的膜厚度t6。因此，需要將保護層61的成膜厚度t7確定在45μm～50μm，與采用本發(fā)明的制造方法時相比，保護層61的成膜厚度t7明顯增厚。
下面，說明圖5及圖6所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造方法。
圖19～圖25是表示圖5及圖6所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造方法的圖。在各自的圖面上，左圖是從上看導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)時的俯視圖，右圖是沿單點劃線剖開左圖、從箭頭方向看時的剖視圖。
圖5及圖6所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的形成，也與圖1及圖2所示的電感磁頭的形成同時進行。
首先，與圖7所示的工序同樣，在形成圖2所示的電感磁頭的下部芯層47后，在下部芯層47的周圍形成絕緣層71，在該絕緣層71上形成圖1所示的第2線圈導(dǎo)線層34。第2線圈導(dǎo)線層34，采用與圖2所示的第1線圈層54相同的材料，與第1線圈層54同時鍍膜形成。
第2線圈導(dǎo)線層34的外部連接端部34a是本發(fā)明的導(dǎo)電層，在外部連接端部34a上，依次層疊構(gòu)成導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的層。
然后，在圖19所示的工序中，在絕緣層71及外部連接端部34a上，濺射成膜線圈絕緣層57。線圈絕緣層57與圖2所示的線圈絕緣層57相同，采用Al2O3或SiO2等無機材料形成。此外，在線圈絕緣層57上設(shè)置通電開孔部57b及鍍膜形成開孔部57c，以使外部連接端部34a露出。
下面，在圖20所示的工序中，在露出在鍍膜形成開孔部57c的外部連接端部34a的上面，采用與圖2所示的鍍膜形成上部芯層60的鍍膜底層相同的材料，與該鍍膜底層形成同時濺射成膜鍍膜底層91。同時，在露出在通電開孔部57b的外部連接端部34a及線圈絕緣層57上，也采用與鍍膜底層相同的材料，濺射成膜通電用膜113。通電用膜113，與鍍膜底層91分離，能夠用作向外部連接端部34a供給鍍膜用電流的引出層。
然后，在圖21所示的工序中，在鍍膜底層91上，采用與圖2所示的上部芯層60相同的材料，與形成上部芯層60的同時，幀鍍形成第1層92。此時，將通電用膜113用作引出層，能夠從外部連接端部34a的上面供給鍍膜用的電流。
然后，在圖22所示的工序中，在鍍膜底層91上由Ni、Cu或Au等電阻小的材料鍍膜形成第2層93。從第1層92間隔形成抗蝕劑R2，自由鍍膜形成第2層93。第2層93的鍍膜形成時的膜厚度t8為40μm。此時，也能將通電用膜113用作引出層，能夠從外部連接端部34a的上面供給鍍膜用電流。
經(jīng)過圖19～圖22所示的工序，形成具有從中心部開始由第1層92及第2層93構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)的上層部96。
但是，通過在鍍膜底層91上，也可以直接使導(dǎo)電性材料自由鍍膜生長，形成單層的上層部。然而，如果在鍍膜形成的第1層92上層疊同樣鍍膜形成的第2層93，則由于提高第1層92和第2層93的密接性、加強了在外部連接端部34a上固定突起部94的力，因此優(yōu)選。
通過利用自由鍍膜生長形成第2層93，而上層部96的、與膜厚度方向(圖示Z方向)垂直的剖面(與X-Y平行的面)的面積，越向上層部96的上方(圖示Z方向)越逐漸減小。
關(guān)于突起部(凸部)94，第1層92的被線圈絕緣層57圍住的部分是基底部95，基底部95上的部分是上層部96。
在上層部96，側(cè)邊緣部96a比基底部95的側(cè)邊緣部95a向外側(cè)伸出而形成延出部96b，線圈絕緣層(絕緣層)57，能在基底部95的整個周圍存在延出部96b的下方。
另外，線圈絕緣層(絕緣層)57，也可以由抗蝕劑材料等有機材料形成。
接著，在圖23所示的工序中，在去除抗蝕劑層R2后，通過離子蝕刻等去除通電用膜113。
然后，在圖24所示的工序中，在線圈絕緣層57、上層部96上，濺射成膜保護膜61。保護膜61與圖2所示的保護膜61相同，采用Al2O3或SiO2等無機材料形成。
此外，通過采用磨削拋光加工技術(shù)研磨保護層61，露出上層部96的上面。保護層61的上面和上層部96的上面形成平坦化的同一面。另外，保護層61及上層部96的膜厚度t9大約為30μm。
然后，在上層部96的上面上形成外部連接用端子38，若形成圖25的狀態(tài)，則能夠得到圖5及圖6所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)。
在上述制造方法中，在圖21～圖22所示的工序中，從通電開孔部57b的上面供給電流，在露出于鍍膜形成開孔部57c的外部連接端部34a上方鍍膜形成第1層92及第2層93。如果在鍍膜形成開孔部57c的附近形成通電開孔部57b，則之后不需要去除該通電開孔部57b附近的外部連接端部34a。所以，在突起部94形成后，也不需要去除形成在基底部95的整個周圍的線圈絕緣層57，也能夠制造在突起部94的延出部96b下方存在線圈絕緣層57的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)。
利用本制造方法形成的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)，能夠提高突起部94周圍的機械強度，不易在保護層61產(chǎn)生裂紋，提高耐蝕性。特別是能夠減少在圖24所示的磨削工序發(fā)生保護層61的裂紋的情況。
此外，在形成第2層93時，由于只進行自由鍍膜生長形成，所以突起部94的體積偏差變小，可以減少電阻偏差。能夠制造薄膜結(jié)構(gòu)體。
另外，上述實施方式的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)，能夠用在另一個的線圈導(dǎo)線層33的終端部(外部連接端部)上。但是，由于金屬層(通電部)88或通電開孔部57b也能夠用于形成另一個的線圈導(dǎo)線層33的終端部(外部連接端部)的突起部，所以在另一個的線圈導(dǎo)線層的終端部(外部連接端部)，也可以不形成通電部或通電開孔部。
此外，上述的實施方式的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)，能夠用于向MR磁頭的磁阻效應(yīng)元件供應(yīng)讀出電流的電極導(dǎo)線層35、36的終端部(外部連接端部)。
圖26是表示裝配有將本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體用于電極引出的磁頭的滑塊230的后側(cè)端面231的結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。另外，滑塊230的圖示上面是與記錄媒體的對置面。
圖26所示的滑塊230，由氧化鋁-碳化鈦(Al2O3-TiC)等陶瓷材料形成，在其后側(cè)端面231上，在與記錄媒體的對置面?zhèn)?，層疊形成薄膜磁頭2。
薄膜磁頭2，是與圖1及圖2所示的薄膜磁頭2相同的磁頭。
如圖26所示，在滑塊230的后側(cè)端面231上鍍膜形成4個導(dǎo)線層233～236。其中的導(dǎo)線層233及234是與構(gòu)成電感磁頭的線圈層導(dǎo)通連接的線圈導(dǎo)線層。如圖26所示，第2線圈導(dǎo)線層234，在其終端部(外部連接端部)，借助直接或間接鍍膜形成在第2線圈導(dǎo)線層234上的突起部287導(dǎo)通連接在外部連接用端子238上。第1線圈導(dǎo)線層233的終端部(外部連接端部)，也與第2線圈導(dǎo)線層234同樣，借助突起部，導(dǎo)通連接在外部連接用端子上。
圖26所示的導(dǎo)線層235及236，是向MR磁頭的磁阻效應(yīng)元件供給讀出電流的電極導(dǎo)線層，電極導(dǎo)線層236的終端部(外部連接端部)，借助直接或間接鍍膜形成在其上的突起部239、導(dǎo)通連接在外部連接用端子240上。另外，電極導(dǎo)線層235的終端部(外部連接端部)，也與電極導(dǎo)線層236同樣，借助突起部(凸部)，導(dǎo)通連接在外部連接用端子上。
在本實施方式中，第1線圈導(dǎo)線層233通過第2線圈導(dǎo)線層234的終端部(外部連接端部)的突起部287的下方，電極導(dǎo)線層235通過電極導(dǎo)線層236的終端部(外部連接端部)的突起部239的下方。由此，能夠提高滑塊230的后側(cè)端面231上的線圈導(dǎo)線層及電極導(dǎo)線層的布線密度，減小后側(cè)端面231的面積，促進滑塊230的小型化。此外，在減小后側(cè)端面231的面積的同時，還能夠在后側(cè)端面231上形成5個以上的外部連接用端子進行布線。
下面，說明與本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的實施方式的第1線圈層54一體鍍膜形成的第2線圈導(dǎo)線層234的外部連接端部234a上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)。
圖27是從圖26所示的27-27線剖開時的本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的實施方式的部分剖視圖。
圖27所示的第2線圈導(dǎo)線層234的外部連接端部234a是本發(fā)明的導(dǎo)電層，形成在絕緣層71上，該絕緣層71形成在下部芯層47周圍。在其上方設(shè)置由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的突起部(凸部)287。
突起部(凸部)287，具有鍍膜形成在外部連接端部234a上并貫通線圈絕緣層57的基底部281、和層疊在基底部281上的上層部286。上層部286，具有從其中心部開始由第1層282、第2層283、第3層284及第4層285構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。此處，第1層282由與第2線圈層58相同的材料形成，第2層283由與上部芯層60的鍍膜底層相同的材料構(gòu)成，第3層284由與上部芯層60相同的材料構(gòu)成，第4層285由Ni、Cu或Au等電阻小的材料構(gòu)成。但是，上層部286也可以是由Ni、Cu或Au等電阻小的材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)。
基底部281由與第1接點部62相同的材料形成?；撞?81的上面281a形成在與線圈絕緣層57的上面57a同一面上。
在上層部286的周圍形成保護層61，上層部286貫通保護層61。上層部286從保護層61的上面61a露出形成，與形成在保護層61上的外部連接用端子238導(dǎo)通連接。
此外，在外部連接端部234a上形成貫通線圈絕緣層57的金屬層288。該金屬層288，具有在鍍膜形成上層部286時作為電流供給路的通電部的功能。金屬層288的上面288a，也可以形成在與線圈絕緣層57的上面57a的同一面上。
另外，在圖27中，說明了第2線圈導(dǎo)線層234的外部連接端部234a上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)，但是，圖26所示的第1線圈導(dǎo)線層233的外部連接端部233b上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)也與圖27相同。即，在第1線圈導(dǎo)線層233上，鍍膜形成由基底部和上層部構(gòu)成的突起部，在突起部上形成外部連接用端子238。
此外，用于向MR磁頭的磁阻效應(yīng)元件供應(yīng)讀出電流的電極導(dǎo)線層即圖26所示導(dǎo)線層235及236的終端部(外部連接端部)上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)，也能夠與圖27相同。
上層部286的、與膜厚度方向(圖示Z方向)垂直的剖面(與X-Y平行的面)的面積，越向上層部286的上方(圖示Z方向)越逐漸減小，而且，在上層部286，側(cè)邊緣部286a比上述基底部281的側(cè)邊緣部281b向外側(cè)伸出而形成延出部86b，在延出部286b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
另外，在基底部281的整個周圍沿延出部286b的下方存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
圖28是從圖26所示的28-28線剖開時的本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的實施方式的部分剖視圖。
在圖28中，也在上層部286，側(cè)邊緣部286a比上述基底部281的側(cè)邊緣部281b向外側(cè)伸出而形成延出部286b，在延出部286b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
在本發(fā)明中，由于在突起部287的延出部286b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57，因此能夠提高突起部287的周圍的機械強度。所以，不易在保護層(絕緣層)61上產(chǎn)生裂紋，能夠提高導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)的耐蝕性。
此外，由于在突起部287的上層部286，側(cè)邊緣部286a比上述基底部281的側(cè)邊緣部281b向外側(cè)伸出而形成延出部286b，所以能夠維持突起部287的體積，防止電阻增加。
另外，在本實施方式中，線圈絕緣層(絕緣層)57連接在基底部281的側(cè)邊緣部281b。即，通過在突起部287的延出部286b下方的整個區(qū)域，存在線圈絕緣層(絕緣層)57，能夠提高突起部287的周圍的機械強度。
此外，在本實施方式中，如圖26及圖28所示，在外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的側(cè)方的、在突起部287的延出部286b的下方設(shè)置其他導(dǎo)線層即線圈導(dǎo)線層233。該線圈導(dǎo)線層233，如圖26所示，連接在由外部連接端部233b、突起部、外部連接用端子238構(gòu)成的其他薄膜結(jié)構(gòu)體上。
另外，在本發(fā)明中，所謂的外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的側(cè)方，不一定局限于與外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的相同的階層位置，線圈導(dǎo)線層233，也可以形成在外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的上側(cè)、與基底部281相同的階層位置，也可以形成在外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的下側(cè)。
此外，其他導(dǎo)線層即線圈導(dǎo)線層233，只要是突起部287的延出部286b的下方即可，也可以是外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的某一側(cè)邊的側(cè)方。
此外，向MR磁頭的磁阻效應(yīng)元件供應(yīng)讀出電流的電極導(dǎo)線層的外部連接端部附近的結(jié)構(gòu)，也能夠形成同樣的結(jié)構(gòu)。
因此，能夠提高線圈導(dǎo)線層233、234及電極導(dǎo)線層235、236的布線密度，減小后側(cè)端面231的面積，促進滑塊230的小型化。此外，在減小后側(cè)端面231的面積的同時，還能夠在后側(cè)端面231上形成5個以上的外部連接用端子。
而且，在本實施方式中，由于線圈絕緣層57，在基底部281的整個周圍，也存在于延出部286b的下方，所以為了在外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的側(cè)方設(shè)置線圈導(dǎo)線層233，而即使減小基底部281的寬度尺寸W1，也能夠維持突起部282周圍的機械強度。因此，由于能夠維持大的上層部286的寬度尺寸W2，所以能夠增加突起部287與外部連接用端子238的接合面積，能夠確實保證低電阻。
此外，在圖26及圖28中，在外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的側(cè)方的、與突起部287的延出部286b相重疊的位置作為其他導(dǎo)線層只設(shè)置線圈導(dǎo)線層233，但是在與突起部287的延出部286b相重疊的位置設(shè)置2個以上的其他導(dǎo)線層。
圖29是本發(fā)明的薄膜結(jié)構(gòu)體的其他實施方式的部分剖視圖。
圖29所示的第2線導(dǎo)線層234的外部連接端部234a是本發(fā)明的導(dǎo)電層，形成在絕緣層71上，該絕緣層71形成在下部芯層47的周圍。在其上設(shè)置由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的突起部(凸部)294。
突起部(凸部)294，具有濺射成膜在外部連接端部234a上的鍍膜底層291、貫通線圈絕緣層57的第1層292、層疊在第1層292上的第2層293。第1層292由與上部芯層60相同的材料形成，第2層293由Ni、Cu或Au等電阻小的材料構(gòu)成。但是，也可以省略第1層292的形成，突起部(凸部)294也可以是由Ni、Cu或Au等電阻小的材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)。
在圖29所示的突起部(凸部)294中，第1層292的被線圈絕緣層57圍住的部分為基底部295，基底部295上方的部分為上層部296。
在上層部296的周圍形成保護層61，上層部296貫通保護層61。上層部296從保護層61的上面61a露出形成，并與形成在保護層61上的外部連接用端子238導(dǎo)通連接。
此外，在線圈絕緣層57形成開孔部57b。在鍍膜形成上層部296時，由從開孔部57b露出的外部連接端部234a供給電流。
圖29所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)，也能夠用作第2線圈導(dǎo)線層234的外部連接端部234a上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)、或第1線圈導(dǎo)線層233的外部連接端部233b上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)。
此外，用于向MR磁頭的磁阻效應(yīng)元件供應(yīng)讀出電流的電極導(dǎo)線層即圖26所示導(dǎo)線層235及236的終端部(外部連接端部)上的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)，也能夠與圖29相同。
上層部296的、與膜厚度方向(圖示Z方向)垂直的剖面(與X-Y平行的面)的面積，越朝上層部296的上方(圖示Z方向)越逐漸減小，而且，在上層部296，側(cè)邊緣部296a比基底部295的側(cè)邊緣部295a向外側(cè)伸出而形成延出部296b，在延出部296b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
另外，在基底部295的整個周圍于延出部下方存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
圖30是圖29所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的與Y-Z平面平行的剖視圖。
在圖30中，也在上層部296，側(cè)邊緣部296a比基底部295的側(cè)邊緣部295a向外側(cè)伸出而形成延出部296b，在延出部296b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57。
由于在突起部294的延出部296b的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)57，因此能夠提高突起部294周圍的機械強度。所以，不易在保護層(絕緣層)61產(chǎn)生裂紋，能夠提高導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)的耐蝕性。
此外，由于在突起部294的上層部296，側(cè)邊緣部296a比上述基底部295的側(cè)邊緣部295a向外側(cè)伸出而形成延出部296b，所以能夠維持突起部294的體積，防止電阻增加。
另外，在本實施方式中，線圈絕緣層(絕緣層)57連接在基底部295的側(cè)邊緣部295a上。即，通過在突起部294的延出部296b下的整個區(qū)域存在線圈絕緣層(絕緣層)57，能夠提高突起部294的周圍的機械強度。
此外，在本實施方式中，如圖30所示，在外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的側(cè)方的、與突起部294的延出部296b重疊的位置設(shè)置其他導(dǎo)線層即線圈導(dǎo)線層233。該線圈導(dǎo)線層233，如圖26所示，連接在由外部連接端部233b、突起部、外部連接用端子238構(gòu)成的其他薄膜結(jié)構(gòu)體上。
此外，向MR磁頭的磁阻效應(yīng)元件供應(yīng)讀出電流的電極導(dǎo)線層的外部連接端部附近的結(jié)構(gòu)，也能夠形成同樣的結(jié)構(gòu)。
因此，能夠提高線圈導(dǎo)線層233、234及電極導(dǎo)線層235、236的布線密度，減小后側(cè)端面231的面積，促進滑塊230的小型化。此外，在減小后側(cè)端面231的面積的同時，還能夠在后側(cè)端面231上形成5個以上的外部連接用端子。
而且，在本實施方式中，線圈絕緣層57，由于在基底部295的整個周圍，也存在于延出部296b的下方，所以為了在外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的側(cè)方，設(shè)置線圈導(dǎo)線層233，而即使減小基底部295的寬度尺寸W3，也能夠維持突起部294周圍的機械強度。因此，由于能夠維持大的上層部296，所以能夠增加突起部294與外部連接用端子238的接合面積，能夠確實保證低電阻。
另外，在圖30中，在外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的側(cè)方的、與突起部294的延出部296b重疊的位置，作為其他導(dǎo)線層只設(shè)置線圈導(dǎo)線層233，但在與突起部294的延出部296b重疊的位置，也可以設(shè)置2個以上的其他導(dǎo)線層。
下面，說明圖27及圖28所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造方法。
圖31～圖35是表示圖27及圖28所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造工序的圖。在各自的圖面上，左圖是從上看導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)時的俯視圖，右圖是沿單點劃線剖開左圖，從箭頭方向看時的剖視圖。
在圖26及圖2所示的電感磁頭的形成的同時進行圖27及圖28所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的形成。
圖31所示的工序，在形成圖2所示的電感磁頭的下部芯層47后，在下部芯層47的周圍形成絕緣層71，在該絕緣層71上形成圖26所示的第2線圈導(dǎo)線層234。第2線圈導(dǎo)線層34，采用與圖2所示的第1線圈層54相同的材料，與第1線圈層54同時鍍膜形成。第2線圈導(dǎo)線層234的外部連接端部234a是本發(fā)明的導(dǎo)電層，在外部連接端部234a上依次層疊構(gòu)成導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的層。
這里，線圈導(dǎo)線層234的外部連接端部234a的圖示Y方向尺寸W1小于后面形成的突起部287的圖示Y方向尺寸W2，在導(dǎo)電層234a的側(cè)方，在位于突起部287下方的位置設(shè)置線圈導(dǎo)線層(其他導(dǎo)線層)233。另外，能夠與線圈層54及線圈導(dǎo)線層234的形成同時進行線圈導(dǎo)線層233的形成。接著，在圖32所示的工序，在外部連接端部234a上鍍膜形成基底部281及金屬層288。基底部281及金屬層288，采用與圖2所示的第1接點部62相同的材料，例如Ni、Cu、Au等，與第1接點部62同時鍍膜形成。另外，第1接點部62導(dǎo)通連接第1線圈層54的卷繞中心部54a和第2線圈層58的卷繞中心部58a的之間。此外，金屬層288，具有在鍍膜形成上層部86時作為電流供給路的通電部的功能。
另外，圖33是按33-33線剖開圖32并從箭頭方向看時的剖視圖。
然后，在圖34所示的工序，在絕緣層71、外部連接端部234a、基底部281及金屬層288上濺射成膜線圈絕緣層57。采用CMP加工技術(shù)(磨削拋光加工技術(shù))，研磨線圈絕緣層57，使基底部281及金屬層288的上面露出。線圈絕緣層57的上面和基底部281及金屬層288的上面成為平坦的同一面，該同一面與基準(zhǔn)平面D一致。另外，線圈絕緣層57的膜厚度t10在1μm以下。
線圈絕緣層57是與圖2所示的線圈絕緣層57相同的層，采用Al2O3或SiO2等無機材料形成。
然后，與圖3及圖4所示的薄膜結(jié)構(gòu)體的制造方法相同，在基底部281上依次鍍膜形成上層部286，形成突起部287，當(dāng)在保護層61的表面露出突起部287后，在突起部287上形成外部連接用端子238。
即，在基底部281上，采用與圖2所示的第2線圈層58相同的材料，與形成第2線圈層58的同時，幀鍍形成第1層282，在第1層282上，采用與圖2所示的鍍膜形成上部芯層60的鍍膜底層相同的材料，形成該鍍膜底層同時濺射成膜第2層283。同時，在金屬層288上，也采用與鍍膜底層相同的材料，濺射成膜通電用膜300。另外，在圖34中用于虛線表示通電用膜300。通電用膜300與第2層283分離，能夠用作向金屬層288供給鍍膜用電流的引出層。
此外，在第2層283上，采用與圖2所示的上部芯層60相同的材料，形成上部芯層60的同時幀鍍形成第3層284。此時，能夠?qū)⑼娪媚?00用作引出層，從金屬層288的上面，經(jīng)由外部連接端部234a，供給鍍膜用的電流。
然后，在第3層284上由Ni、Cu或Au等電阻小的材料鍍膜形成第4層285。第4層285，與圖14所示工序同樣，使導(dǎo)電性材料自由鍍膜生長而形成。第4層285的鍍膜形成時的膜厚度t11為40μm。此時，也能將通電用膜300用作引出層，能夠從金屬層288的上面供給鍍膜用電流。
但是，也可以在基底部281上，直接使導(dǎo)電性材料自由鍍膜生長，而形成單層的上層部。
在本實施方式中，也通過利用自由鍍膜生長形成第4層285，上層部286的、與膜厚度方向(圖示Z方向)垂直的剖面(與X-Y平行的面)的面積，越朝上層部286的上方(圖示Z方向)越逐漸減小。
此外，在上層部286，側(cè)邊緣部286a比基底部281的側(cè)邊緣部281b向外側(cè)伸出而形成延出部286b，線圈絕緣層(絕緣層)57能夠在基底部281的整個周圍存在延出部286b的下方。
此外，在本實施方式中，能夠使上層部286的延出部286b伸出到與線圈導(dǎo)線層(其他導(dǎo)線層)233重疊的位置。
即，只把外部連接端部234a的鍍膜形成金屬層288的部分延伸到形成突起部287的區(qū)域的外側(cè)，使外部連接端部234a的其他部分處于突起部287的延出部286b的下方，使線圈導(dǎo)線層(其他導(dǎo)線層)233設(shè)在突起部287的延出部286b的下方。
按照上述制造方法，也能夠從金屬層288(通電層)的上面供給電流，在基底部281上鍍膜形成上層部286，形成突起部287。這樣，能夠在基底部281的附近形成金屬層288(通電層)，之后不需要去除該金屬層288(通電層)。所以，在上層部286的鍍膜形成后，也不需要去除形成在基底部281的整個周圍的線圈絕緣層57，能夠制造在突起部284的延出部286b的下方也存在線圈絕緣層57的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)。
采用該制造方法形成的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)，能夠提高突起部287周圍的機械強度，不易在保護層61產(chǎn)生裂紋，提高耐蝕性。特別是，能夠降低在圖16所示的磨削工序的保護層61的裂紋的發(fā)生。
此外，在形成上層部286的第4層285時，由于只進行自由鍍膜生長，所以減小突起部287的體積偏差，能夠降低電阻偏差。
此外，在本實施方式中，提高線圈導(dǎo)線層233、234及電極導(dǎo)線層235、236的布線密度，減小后側(cè)端面231的面積，能夠促進滑塊230的小型化。此外，在減小后側(cè)端面231的面積的同時，還能夠在后側(cè)端面231上形成5個以上的外部連接用端子。
而且，在本實施方式中，線圈絕緣層57，由于在基底部281的整個周圍，也存在于延出部286b的下方，所以在外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的側(cè)方設(shè)置線圈導(dǎo)線層233，而即使減小基底部281的寬度尺寸，也能夠維持突起部287周圍的機械強度。因此，由于能夠維持大的上層部286，所以能夠增加突起部287與外部連接用端子238的接合面積，能夠確實保證低電阻通電。
另外，在圖26及圖28中，在外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的側(cè)方的、與突起部287的延出部286b重疊的位置，作為其他導(dǎo)線層，只設(shè)置線圈導(dǎo)線層233，但也可以在與突起部287的延出部286b重疊的位置，設(shè)置2個以上的其他導(dǎo)線層。
另外，如果采用上述制造方法，上層部286的與膜厚度方向(圖示Z方向)垂直的剖面的面積，越朝上層部286的上方(圖示Z方向)越逐漸減小。即，由于上層部286的側(cè)面形成為曲面或傾斜面，所以，在成膜保護膜61時，能夠減小保護層61的成膜厚度。
下面，說明圖29及圖30所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造方法。
圖36～圖39是表示圖29及圖30所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的制造方法的圖。在各自的圖面上，左圖是從上看導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)時的俯視圖，右圖是沿單點劃線剖開左圖，從箭頭方向看時的剖視圖。
圖29及圖30所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的形成，也與圖1及圖2所示的電感磁頭的形成同時進行。
首先，與圖31所示的工序同樣，在形成圖2所示的電感磁頭的下部芯層47后，在下部芯層47的周圍形成絕緣層71，在該絕緣層71上形成圖26所示的第2線圈導(dǎo)線層234及第1線圈導(dǎo)線層233。第2線圈導(dǎo)線層234，采用與圖2所示的第1線圈層54相同的材料，與第1線圈層54同時鍍膜形成。
第2線圈導(dǎo)線層234的外部連接端部234a是本發(fā)明的導(dǎo)電層，在外部連接端部234a上依次層疊構(gòu)成導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)的層。
然后，在圖36所示的工序中，在絕緣層71及外部連接端部234a上濺射成膜線圈絕緣層57。線圈絕緣層57是與圖2所示的線圈絕緣層57相同的層，采用Al2O3或SiO2等無機材料形成。
此外，在線圈絕緣層57上設(shè)置通電開孔部57b及鍍膜形成開孔部57c，使外部連接端部234a露出。
圖37是沿37-37線剖開圖36的第2線圈導(dǎo)線層234和第1線圈導(dǎo)線層233，從箭頭方向看的剖視圖。第1線圈導(dǎo)線層233完全被線圈絕緣層57覆蓋。
下面，在圖38所示的工序中，在露出于鍍膜形成開孔部57c的外部連接端部234a上，采用與圖2所示的鍍膜形成上部芯層60的鍍膜底層相同的材料，形成該鍍膜底層的同時濺射成膜鍍膜底層291。同時，在露出于通電開孔部57b的外部連接端部234a及線圈絕緣層57上也采用與鍍膜底層相同的材料，濺射成膜通電用膜213。通電用膜213，與鍍膜底層291分離，能夠用作向外部連接端部234a供給鍍膜用電流的引出層。
圖39是沿39-39線剖開圖38的第2線圈導(dǎo)線層234和第1線圈導(dǎo)線層233，從箭頭方向看的剖視圖。
然后，與圖5及圖6所示的薄膜結(jié)構(gòu)體的制造方法相同，在鍍膜底層91上，采用與上部芯層60相同的材料，在形成上部芯層60的同時幀鍍形成第1層292，第1層292上，由Ni、Cu或Au等電阻小的材料鍍膜形成第2層293。第2層93自由鍍膜生長形成。第2層293的鍍膜形成時的膜厚度為40μm。此時，能夠?qū)⑼娪媚?13用作引出層，從外部連接端部234a的上面供給鍍膜用電流。
通過利用自由鍍膜生長形成第2層293，上層部296的、與膜厚度方向(圖示Z方向)垂直的剖面的面積，越向上層部296的上方(圖示Z方向)，越逐漸減小。
突起部(凸部)294，第1層292的被線圈絕緣層57圍住的部分是基底部295，基底部295上面的部分是上層部296。
在上層部296，側(cè)邊緣部296a比基底部295的側(cè)邊緣部295a向外側(cè)伸出而形成延出部296b，線圈絕緣層(絕緣層)57，能在基底部295的整個周圍，存在延出部296b的下方。
另外，線圈絕緣層(絕緣層)57，也可以由抗蝕劑材料等有機材料形成。
然后，在線圈絕緣層57及上層部296的上面，在濺射成膜保護膜61后，使上層部296的上面露出，在上層部296的上面形成外部連接用端子238，由此能夠得到圖29及圖30所示的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)。
此外，在本實施方式中，能夠使上層部296的延出部296b伸出到與線圈導(dǎo)線層(其他導(dǎo)線層)233重疊的位置。
即，只把外部連接端部234a的形成通電開孔部57b的部分延伸到形成突起部294的區(qū)域的外側(cè)，使外部連接端部234a的其他部分處于突起部294的延出部296b的下方，使線圈導(dǎo)線層(其他導(dǎo)線層)233設(shè)在突起部294的延出部296b的下方。
在本實施方式中，從通電開孔部57b的上方供給電流，在露出于鍍膜形成開孔部57c的外部連接端部234a的上方，鍍膜形成第1層292及第2層293。如果在鍍膜形成開孔部57c的附近形成通電開孔部57b，之后不需要去除該通電開孔部57b附近的外部連接端部234a。所以，在突起部294的鍍膜形成后，也不需要去除形成在基底部295的整個周圍的線圈絕緣層57，能夠制造在突起部294的延出部296b的下方也存在線圈絕緣層57的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)。
利用本制造方法形成的導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)(薄膜結(jié)構(gòu)體)，能夠提高突起部294周圍的機械強度，不易在保護層61產(chǎn)生裂紋，提高耐蝕性。
此外，在形成第2層293時，由于只進行自由鍍膜生長，所以減小突起部294的體積偏差，能夠制造降低電阻偏差的薄膜結(jié)構(gòu)體。
此外，在本實施方式中，提高線圈導(dǎo)線層233、234及電極導(dǎo)線層235、236的布線密度，減小后側(cè)端面231的面積，能夠促進滑塊230的小型化?；蛘撸跍p小后側(cè)端面231的面積的同時，還能夠在后側(cè)端面231上形成5個以上的外部連接用端子。
而且，在本實施方式中，由于線圈絕緣層57，在基底部295的整個周圍存在于延出部296b的下方，所以在外部連接端部(導(dǎo)電層)234a的側(cè)方設(shè)置線圈導(dǎo)線層233，而即使減小基底部295的寬度尺寸W3，也能夠維持突起部294周圍的機械強度。因此，由于能夠維持大的上層部296，所以能夠增加突起部294與外部連接用端子238的接合面積，能夠確實保證低電阻。
以上，以優(yōu)選的實施例介紹了本發(fā)明，但在不脫離本發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，可以加以多種變更。
另外，上述的實施例終究也是一種例示，不是限定本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍的部分。
權(quán)利要求
1.一種薄膜磁頭，具有第1薄膜結(jié)構(gòu)體與第2薄膜結(jié)構(gòu)體，其中上述第1薄膜結(jié)構(gòu)體，在第1導(dǎo)電層上方層疊有導(dǎo)電性的第1突起部，利用形成在上述第1導(dǎo)電層上的絕緣層圍住上述第1突起部的周圍，上述第1突起部具有與上述第1導(dǎo)電層連接的第1基底部和層疊在該第1基底部上的第1上層部，上述第1上層部的、與膜厚度方向垂直的剖面的面積，越向上述第1上層部的上方越逐漸減小，而且，在上述第1上層部上，側(cè)邊緣部比上述第1基底部的側(cè)邊緣部向外側(cè)伸出而形成第1延出部，上述絕緣層，在上述第1基底部的整個周圍，也存在于上述第1延出部的下方，上述絕緣層與上述第1基底層的側(cè)邊緣部相接，在上述第1導(dǎo)電層的側(cè)方、且上述第1突起部的上述第1延出部的下方設(shè)有導(dǎo)線層，該導(dǎo)線層的一端與上述第2薄膜結(jié)構(gòu)體相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于上述第2薄膜結(jié)構(gòu)體，在第2導(dǎo)電層上方層疊有導(dǎo)電性的第2突起部，利用形成在上述第2導(dǎo)電層上的絕緣層圍住上述第2突起部的周圍，上述第2突起部具有與上述第2導(dǎo)電層連接的第2基底部和層疊在該第2基底部上的第2上層部，上述第2上層部的、與膜厚度方向垂直的剖面的面積，越向上述第2上層部的上方越逐漸減小，而且，在上述第2上層部上，側(cè)邊緣部比上述第2基底部的側(cè)邊緣部向外側(cè)伸出而形成第2延出部，上述絕緣層，在上述第2基底部的整個周圍，也存在于上述第2延出部的下方，上述絕緣層與上述第2基底層的側(cè)邊緣部相接。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于上述導(dǎo)線層的另一端與電感磁頭的線圈的一端連接，上述線圈的另一端經(jīng)由另一導(dǎo)線層而與第1薄膜結(jié)構(gòu)體連接。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于上述導(dǎo)線層的另一端與MR磁頭的磁阻效應(yīng)元件的一端連接，上述磁阻效應(yīng)元件的另一端經(jīng)由另一導(dǎo)線層而與第1薄膜結(jié)構(gòu)體連接。
全文摘要
一種具有薄膜結(jié)構(gòu)體的薄膜磁頭，該薄膜結(jié)構(gòu)體，在上層部(86)，側(cè)邊緣部(86a)比基底部(81)的側(cè)邊緣部(81b)向外側(cè)伸出而形成延出部(86b)，線圈絕緣層(絕緣層)(57)也存在延出部(86b)的下方。由于在突起部(87)的延出部(86b)的下方也存在線圈絕緣層(絕緣層)(57)，所以突起部(87)的周圍的機械強度提高。從而，在保護層(絕緣層)(61)不易生成裂紋，而提高導(dǎo)通連接結(jié)構(gòu)的耐蝕性。因此，這種薄膜結(jié)構(gòu)體，機械強度高，并能夠用于導(dǎo)通連接。
文檔編號G11B5/33GK1841505SQ20061007368
公開日2006年10月4日 申請日期2004年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月9日
發(fā)明者矢澤久幸 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社