專利名稱：信息存儲介質、替換缺陷管理信息的方法及裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及存儲缺陷管理信息的信息存儲介質(可重寫光盤等)、替換缺陷管理信息的方法以及替換缺陷管理信息的裝置(使用可重寫光盤或光盤驅動的記錄/復制裝置)。
背景技術：
在能夠可重寫地記錄信息的信息存儲介質中，所述信息存儲介質例如在其中使用相變的光盤，設置有用于彌補盤上“在記錄時產生的有缺陷部分”的機制。用于管理所產生的有缺陷部分的區(qū)被稱作缺陷管理區(qū)(以下簡稱為DMA)。
DMA被覆蓋，引起缺陷部分增加。一般而言，因為信息存儲介質的特性由于覆蓋而降級，所以可允許的覆蓋次數(shù)是有限的。在具有相對較少可允許次數(shù)的介質(例如，使用藍色激光器的高密度光盤等)中，與DMA的更新一起發(fā)生的覆蓋會引發(fā)問題。也就是說，存在如下可能，即其中缺陷管理信息被記錄的DMA本身伴隨著覆蓋變成有缺陷的。
為了解決上述問題，有一種現(xiàn)有技術(日本專利申請KOKAI公開號2004-288285)，其中，用于存儲缺陷管理信息(DMA)的區(qū)是可替換的。在該現(xiàn)有技術中，當DMA被判斷為有缺陷時，DMA被替換為并記錄在預留的DMA中，但是設置當前所用DMA何時被判斷為有缺陷并被替換的時刻是很困難的。當所述區(qū)被判斷為有缺陷時，一般而言，錯誤率或覆蓋次數(shù)被當作指標。在其中該區(qū)前面的區(qū)被判斷為有缺陷的狀態(tài)下，錯誤率增加，并且有錯誤操作(例如讀自DMA的缺陷管理信息的ECC校正的失敗)的可能。但是，如果判斷閾值被設置為沒有錯誤操作可能性的程度，可重寫的次數(shù)就會減少。例如，當當前所用DMA或替換區(qū)的錯誤率被判斷為由于指印、灰塵等而暫時壞掉時，DMA被判斷為是有缺陷的，并被替換。即使指印、灰塵等后來被除掉(通過清洗盤)使得錯誤率被改進并且DMA被重建為令人滿意的，DMA也不能再使用了。

發(fā)明內容
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了信息存儲介質，其中，被假定為仍可被完全重寫的缺陷管理區(qū)(DMA)的缺陷管理信息替換并被記錄在下一個備用區(qū)中，并且在結束缺陷管理信息直到最后備用區(qū)的轉換(或移位)之后被返回到第一缺陷管理區(qū)，使得多個缺陷管理區(qū)以循環(huán)、圓形或環(huán)形方式被使用。然后，設置在信息存儲介質中的多個DMA可以被完全利用。
為了概述本發(fā)明，在這里已經(jīng)描述了本發(fā)明的某些方面、優(yōu)點和新穎的特征。應理解，不一定所有這些優(yōu)點都可以根據(jù)本發(fā)明的任何具體實施例而被實現(xiàn)。因此，本發(fā)明可以以實現(xiàn)或最優(yōu)化這里教導的一個優(yōu)點或一組優(yōu)點、而不一定是實現(xiàn)這里教導或建議的其它優(yōu)點的方式被實施或進行。


現(xiàn)在將參照附圖描述實現(xiàn)本發(fā)明各種特征的一般體系結構。附圖和相關描述被提供用于圖示本發(fā)明的實施例，但是不限制本發(fā)明的范圍。在整個附圖中，標號被重復使用以指示所標注單元之間的相應性。此外，每一個標號的第一個數(shù)字表示該單元首次出現(xiàn)的圖。
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的信息存儲介質(可重寫光盤)的數(shù)據(jù)結構的輪廓的圖；
圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例設置在信息存儲介質中的缺陷管理區(qū)(DMA)的數(shù)據(jù)結構輪廓的圖；圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例使用多個DMA序列的方法的一個實例的狀態(tài)轉換圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例使用多個DMA序列的線性替換過程的解釋圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例使用多個DMA序列的環(huán)形替換過程(基于重寫次數(shù)的替換和基于錯誤率的替換的兩個實例)的解釋圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的其中多個DMA序列同時轉換的實例、以及其中多個DMA序列的一部分單獨轉換的實例的解釋圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例在其中當前所用DMA設置組(例如DMA設置#1-3到#4-3)被遞增搜索的情況下錯誤檢測的原因的實例的解釋圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明實施例的如下兩個實例的解釋圖，一個實例是其中多個DMA序列(DMA設置#1到#4)同時轉換、同時用“FFh”等填充除當前所用DMA設置組(例如，DMA設置#1-3到#4-3)之外的DMA設置組，另一個實例是其中每一個DMA設置組中的一部分單獨轉換、同時用“FFh”等填充除所用DMA設置組的一部分(例如，DMA設置#2-1、#3-2、#1-3等)之外的DMA設置組；圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例多個DMA管理器和DMA中每一個的存儲位置(信息存儲介質的物理扇區(qū)號)的圖；圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例在信息存儲介質中DMA管理器存儲區(qū)(DMA_Man#1DMA_Man#10)的排列的圖；圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例管理當前所用DMA的頭部物理扇區(qū)號等的DMA管理器的數(shù)據(jù)結構的圖；圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例在信息存儲介質(光盤)的盤定義結構中的字節(jié)分配的圖；圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的主缺陷列表(PDL)的內容的圖；
圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例在PDL中每一個PDL入口的數(shù)據(jù)結構的圖；圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的次級缺陷列表(SDL)的內容的圖；圖16是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例在SDL中每一個SDL入口的數(shù)據(jù)結構的圖；圖17是示出了DMA更新過程的一個實例的流程圖；以及圖18是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的信息記錄/復制裝置的示意構造的圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖描述本發(fā)明的實施例。圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的信息存儲介質(例如利用相變的可重寫光盤利用藍激光器的DVD-RAM、DVD-RW或下一代高密度HD_DVD-RAM、HD_DVD-RW等)的數(shù)據(jù)結構的實例圖。
DMA被設置在介質中的固定物理地址區(qū)，并且其中存儲相同內容的DMA被設置在介質中的多個部分以增加對相對于DMA的干擾的抵抗力。例如，在根據(jù)本發(fā)明一個實施例的HD_DVD-RAM盤中，DMA總共被設置在四個部分中盤最內周(導入?yún)^(qū))的兩個部分(DMA1、2)；和盤最外周(導出區(qū))的兩個部分(DMA 3、4)。相同的內容被記錄在四個DMA(DMA 1到4)中。
用戶區(qū)是用于存儲用戶數(shù)據(jù)的區(qū)。雖然沒有示出，但是備用區(qū)不能設置在例如用戶區(qū)與DMA之間。該備用區(qū)可以被用作其中將被記錄在存在于用戶區(qū)中的缺陷區(qū)中的數(shù)據(jù)被依次記錄的區(qū)。這里，缺陷區(qū)是錯誤校正代碼(ECC)塊單元的區(qū)，并且ECC塊單元的數(shù)據(jù)被移位并被記錄在備用區(qū)中。
為了進一步增強根據(jù)本發(fā)明一個實施例的信息存儲介質中DMA的耐久性，設置有備用DMA(例如DMA設置#1-N到#4-N，其中N是大于等于2的整數(shù))，使得正被使用的DMA(例如DMA設置#1-1到#4-1)可以被移位到新的DMA(例如DMA設置#1-2到#4-2)。從另一個立場看，例如，如果DMA 1到4被總共設置在四個部分中最內周的兩個部分；和最外周的兩個部分，四個部分的每一個提供有備用DMA(DMA設置#1-2到#1-N被相對于DMA 1設置，DMA設置#2-2到#2-N被相對于DMA 2設置，DMA設置#3-2到#3-N被相對于DMA 3設置，DMA設置#4-2到#4-N被相對于DMA 4設置)。
圖2示出了四個DMA的構造。DMA 1、2被設置在設置于最內周中的導入?yún)^(qū)中，DMA 3、4被設置在設置于最外周中的導出區(qū)中。DMA(DMA 1、DMA 2、DMA 3、DMA 4)中每一個設置有多個DMA預留區(qū)(DMA設置#1-1到#1-N、DMA設置#2-1到#2-N、DMA設置#3-1到#3-N、DMA設置#4-1到#4-N)。
這里，例如，在使用藍色激光進行相變的高密度光盤中，N的值被選擇為約100。也就是說，99DMA設置組被制備為相對于一個DMA設置組(DMA設置#1到#4-1)的DMA預留區(qū)(備用)。或者，可以假定總共100個DMA設置組被制備為DMA預留區(qū)。
如圖2所示，信息存儲介質(盤)具有多個DMA設置組(多個DMA預留區(qū))，每一個DMA設置組包括盤定義結構/主缺陷列表(DDS/PDL)塊的塊、次級缺陷列表(SDL)塊、預留區(qū)(RSV)塊等。這里，DDS是盤定義結構的縮寫，PDL是主缺陷列表的縮寫，SDL是次級缺陷列表的縮寫。DDS/PDL塊、SDL塊和預留區(qū)(RSV)塊中每一個是ECC塊(＝32KB或64KB)單元。
此外，預留區(qū)(RSV)塊在于多個連續(xù)DMA預留區(qū)之間設置物理距離以防止缺陷連接方面也是有效的。從另一個立場看，多個預留區(qū)(RSV塊)以離散方式存在于其中多個DMA預留區(qū)被存儲的位置。多個預留區(qū)(RSV塊)可以被用作在將正被使用的某個DMA設置組替換為另一個DMA設置組時，用于存儲條件或閾值(指示重寫次數(shù)是否是P，或者錯誤率是否超過其中可能通過ECC進行錯誤校正的范圍中的預定率)的條件存儲位置。
每一個DMA的大小是為驅動中真實記錄單元的ECC塊的大小的整數(shù)倍。在根據(jù)本發(fā)明一個實施例的為信息存儲介質的DVD-RAM中，一個ECC塊包括16個扇區(qū)(或者32個扇區(qū))。一個ECC塊的大小是32KB(或64KB)。PDL是用于初始缺陷注冊的主缺陷列表，SDL是用于次級缺陷注冊的列表。在PDL中，有在于介質被格式化時被執(zhí)行的認證中發(fā)現(xiàn)的注冊的缺陷，也就是有關初始缺陷的缺陷管理信息。另一方面，在SDL中，有在通常記錄時刻發(fā)現(xiàn)的注冊的缺陷，也就是有關次級缺陷的缺陷管理信息。當列表的大小增加時，用于依次記錄缺陷塊數(shù)據(jù)的備用區(qū)被擴大，可以被注冊的缺陷的數(shù)量增加。N個DMA設置組(DMA-1到DMA-N)被順序排列，并且組從例如DMA-1被按序使用。
在參照圖2描述的技術中，考慮到對相對于DMA的干擾的抵抗力，其中存儲相同內容的DMA被設置在介質的多個部分(在導入(LI)側和導出(LO)側)中，并且多個DMA中每一個都具有N個替換區(qū)1到N(例如N DMA設置組，每一個包括四個設置)。當相對于DMA的重寫次數(shù)變得接近相對于該信息存儲介質的可允許重寫次數(shù)時，或者錯誤率增加時，即使當前DMA仍舊是可重寫和可用的，缺陷管理信息也被移位到下一個新的DMA以精確地保留DMA的信息。
例如，關于具有四個DMA序列的信息存儲介質，四個DMA被設置在不同的位置。具體地，DMA序列1、2(DMA 1的序列和DMA2的序列)被設置在介質最內周的導入?yún)^(qū)，DMA序列3、4(DMA 3的序列和DMA 4的序列)被設置在介質最外周的導出區(qū)。
圖3是示出了使用多個DMA序列(例如DMA 1到DMA 4的序列)的方法的一個實例的狀態(tài)轉換圖。在初始狀態(tài)下，假設當前缺陷管理信息存儲在包含在每一個DMA中的第一DMA預留區(qū)(DMA設置#1-1、#2-1、#3-1、#4-1)中(圖3(a)的初始狀態(tài))。例如，當判斷出在DMA序列1到4中的DMA序列3(相對于正被使用的DMA設置組1的DMA設置組#3)中有很多缺陷時，DMA序列(DMA 1到4)中正使用的DMA(DMA設置組1的DMA設置#1-1到#4-1)的缺陷管理信息被移位到并記錄在下一個DMA(DMA設置組2的DMA設置#1-2到#4-2)(圖3(b)的第二狀態(tài))。關于DMA切換方向，四個DMA設置#1到#4被同時且順序地切換(DMA設置組1→DMA設置組2→...DMA設置組k→...)(圖3(c)的第k個狀態(tài))。當缺陷管理信息轉換或變化到最后DMA(DMA設置組N的DMA設置#1-N到DMA設置#4-N)時，沒有數(shù)據(jù)可以被寫入信息存儲介質(圖3(d)的寫操作結束狀態(tài))。
在該方法中，在當前DMA所存儲處的區(qū)被判斷為有缺陷時，DMA線性地轉換到下一個DMA預留區(qū)。
在允許DMA轉換到下一個DMA預留區(qū)的方法中，當相對于DMA的重寫次數(shù)變得接近相對于介質的可允許重寫次數(shù)時，或者當該DMA中缺陷增加，并且存在任何錯誤都不能被校正的可能性時，當前使用的DMA被移位到下一個預留區(qū)的DMA。在這種情況下，認為在DMA轉換之前的DMA具有很差的質量等級，因此容易產生讀出錯誤。當質量等級令人滿意到讀取可以被假定為安全進行的程度，并且DMA轉換到下一個預留區(qū)的DMA時，寫操作在最后預留區(qū)的DMA中的轉換結束時被禁止。因此，整個存儲介質的可允許覆蓋次數(shù)減少(大量DMA不能被完全或有效地利用)。
即使在本發(fā)明的一個實施例中，也有如下可能性，即DMA轉換過程在其中DMA被較少重寫的盤(具有較少缺陷產生的良好質量的盤或者具有更少數(shù)量的反復重寫次數(shù)的盤)中不以環(huán)形進行。但是，在本發(fā)明中，到某個DMA之前的下一個DMA的某個轉換實際上變?yōu)槿毕輩^(qū)(只要DMA仍可用作有足夠高可靠性的DMA)。
圖5是使用多個DMA序列(DMA 1的序列到DMA 4的序列)的環(huán)形替換過程(基于重寫次數(shù)的替換和基于錯誤率的替換的兩個實例)的解釋圖。在本發(fā)明的一個實施例中，關于DMA轉換的時刻，DMA在DMA的質量仍舊令人完全滿意的時候轉換。此外，在DMA轉換到最后預留區(qū)的DMA之后，DMA再次可用。因此，DMA具有良好的質量等級，并且可記錄而無需減少相對于整個信息存儲介質的可允許覆蓋次數(shù)。當與線性轉換到下一個DMA預留區(qū)的方法相比時，顯著觀察到這一差別。
下面將描述其中在順序轉換到DMA預留區(qū)過程中區(qū)被以循環(huán)或環(huán)形使用的方法(兩個實例)。
圖5的上部圖示了其中重寫次數(shù)被用作DMA轉換條件的方法的實例。
在初始狀態(tài)下，假定當前缺陷管理信息被存儲在包含于每一個DMA(例如，DMA設置組1＝DMA設置#1-1、#2-1、#3-1、#4-1)中的第一DMA預留區(qū)中(初始狀態(tài))。當相對于第一DMA預留區(qū)(DMA設置組1)的重寫次數(shù)達到P時(即，判斷出DMA的質量等級下降到不小于定義等級的等級)，第一DMA預留區(qū)的缺陷管理信息被寫并移位到下一個DMA預留區(qū)(例如，DMA設置組2＝DMA設置#1-2、#2-2、#3-2、#4-2)，同時第一DMA預留區(qū)仍舊完全可用(DMA的替換記錄)。之后，DMA的類似替換記錄相繼反復進行。當相對于最后DMA預留區(qū)(DMA設置組N)的重寫次數(shù)達到P時，過程返回到為下一個DMA預留區(qū)的第一DMA預留區(qū)(DMA設置組1)。之后，類似的DMA替換記錄過程以環(huán)形形式反復。
圖5的下部圖示了其中錯誤率被用作DMA轉換條件的方法的實例。
在初始狀態(tài)下，假定當前缺陷管理信息被存儲在包含于每一個DMA(例如，DMA設置組1＝DMA設置#1-1到#4-1)中的第一DMA預留區(qū)中(初始狀態(tài))。當相對于第一DMA預留區(qū)(DMA設置組1)的錯誤率不小于定義值時(即，判斷出DMA的質量等級下降到不小于定義等級的等級)，DMA(DMA 1到4)中每一個的第一DMA預留區(qū)(DMA設置#1-1到#4-1)的缺陷管理信息在第一DMA預留區(qū)被判斷為有缺陷之前被移位到第二DMA預留區(qū)(DMA設置#1-2到#4-2)(即，雖然錯誤率增加，但是通過ECC的校正仍舊進行而沒有任何問題)(DMA的替換記錄)。之后，DMA的類似替換記錄相繼反復進行。當相對于最后DMA預留區(qū)(DMA設置組N)的錯誤率達到定義值時，過程返回到為下一個DMA預留區(qū)的第一DMA預留區(qū)(DMA設置組1)。之后，類似的DMA替換記錄過程以環(huán)形形式反復。
這里，關于通過其判斷質量等級下降到不小于定義等級的等級的材料，認為有一種情況，其中，相對于DMA自身的覆蓋次數(shù)(P次)達到初始定義的數(shù)量(在可以重寫1000次的存儲介質中為低于1000的值)，或者DMA自身的缺陷數(shù)量不小于定義值(其中錯誤校正完全可能的范圍內的值)。
當DMA替換記錄過程被進行到最后DMA預留區(qū)(DMA設置#1-N到#4-N)，并且最后預留區(qū)的質量等級下降到低于定義等級時，過程返回到第一DMA預留區(qū)(DMA設置#1-1、#2-1、#3-1、#4-1)以再次進行記錄。當記錄被再次進行時，閾值被再次設置為新的轉換條件(見圖17的ST112條件閾值在再次設置之后可以被預先寫到例如圖9的信息存儲設備內的或者用于每一個盤的預留區(qū)等中)。
當DMA預留區(qū)被以循環(huán)或環(huán)形形式反復使用，并且之后相對于DMA的重寫次數(shù)變?yōu)榻咏橘|的可允許覆蓋次數(shù)，或者有可能DMA中的缺陷增加，并且沒有錯誤可以被校正時，寫操作被禁止。
作為DMA預留區(qū)中的替換記錄或者到信息存儲介質的寫入結束時的時刻，有通過寫入次數(shù)、錯誤率、信號質量等級(例如部分響應信噪比[PRSNR]或模擬位錯誤率[SbER])等判斷時刻的方法，也有通過它們的組合判斷時刻的方法。
如上所述，相對于DMA預留區(qū)的替換記錄的時刻可以基于相對于DMA的寫入次數(shù)或錯誤率而由某個閾值確定。另一方面，用于結束相對于信息存儲介質的時刻可以在如下情況中被確定，所述情況為其中用于禁止寫入的閾值被具有DMA序列(例如DMA 1到4)中任何一個(例如DMA 1序列＝DMA設置#1-1到#1-N)的DMA預留區(qū)(DMA設置組)的較差質量等級的K個區(qū)的值超過的情況，所述情況為其中具有良好質量等級的K個區(qū)的值超過用于禁止寫入的閾值的情況，所述情況為其中平均質量等級超過用于禁止寫入的閾值的情況，以及其它情況。
作為DMA轉換方法，除了沒有任何間隔地順序移位DMA的方法之外，提出了另一種方法，其中，DMA首先被首先移位使得間隔相應于I個DMA預留區(qū)，并且沒有被首次替換或記錄的部分在第二次被寫。在這種情況下，DMA的替換過程以相應于I個區(qū)的間隔進行，并且第二次及之后，對未被使用的DMA預留區(qū)進行DMA替換處理。當DMA預留區(qū)被使用時，寫入被禁止。也就是說，在實施例中，每一個DMA預留區(qū)被使用一次。提出了另一種方法，其中，轉換的閾值被改變，并且即使在DMA預留區(qū)被完全使用之后，轉換也以環(huán)形形式再次以相應于I個區(qū)的間隔繼續(xù)。在前面的方法中，轉換的閾值可以被使得接近與缺陷值相近的值。在后面的方法中，轉換的閾值被設置為首先是不精確的，之后該值可以被設置為逐漸嚴格。后面的方法與以環(huán)形形式使用DMA預留區(qū)、同時順序移位區(qū)的方法相同，不同的只是DMA預留區(qū)以相應于I個區(qū)的間隔被移位。
也就是說，當一個環(huán)中有偶數(shù)個DMA設置組(第一設置組包括DMA設置#1-1到#4-1；第N個設置組包括#1-N到#4-N)時，DMA設置組可以每零組或每偶數(shù)個組被替換。例如，假設在一個環(huán)中有四個設置組，有下劃線的部分表示被跳過設置組的末端分支數(shù)，123412341234123412341234...，并且沒有未被使用的DMA設置組。
此外，當在一個環(huán)中有奇數(shù)個DMA設置組時，DMA設置組可以每奇數(shù)個組替換。例如，假設在一個環(huán)中有五個設置組，下劃線部分表示被跳過的設置組，12345123451234512345...，或者1234512345123451234512345123451234512345...，沒有未被使用的DMA設置組。
圖6是其中多個DMA序列(DMA 1的序列到DMA 4的序列)同時轉換的實例，以及其中多個DMA序列(DMA 1的序列到DMA 4的序列)的一部分單獨轉換的實例的解釋圖。在圖6的實施例中，當DMA區(qū)被以環(huán)形形式使用時，當在DMA預留區(qū)被使用之后過程返回到第一DMA區(qū)時或者在其中過程返回到第一DMA預留區(qū)以進行記錄的情況中，舊的DMA預留區(qū)用FFh填充。圖6示出了DMA的轉換。作為轉換方法，示出了同時移位四個設置的方法，以及單獨移位設置的方法。
也就是說，四個設置以如參照圖5描述的相同方式被同時移位。另一方面，當區(qū)被單獨移位時，不是將多個DMA序列看作一個設置(例如，對于DAM 1的序列到DMA 4的序列，有四個設置)，也不是替換下一個DMA預留區(qū)，而是對每一個序列單獨判斷是否需要轉換，并且DMA被移位。例如，當四個DMA序列以這種方式被單獨移位時，即使在其中某個序列由于劃痕等原因而不可用的情況下，沒有任何劃痕等的序列通常也是可用的。因此，DMA預留區(qū)可以被有效使用。
此外，例如，假定DMA 1、2的序列被定位在導入?yún)^(qū)中，DMA 3、4的序列被定位在導出區(qū)中，DMA 1、2與DMA 3、4物理間隔開，它們不容易受到劃痕、指印、灰塵等的影響，并且DMA缺陷管理信息的可靠性被增強。此外，在這種情況下，存在如下可能，即用于尋找當前所用DMA的時間要比其中當前所用DMA共同存在于一個DMA設置組中的情況下的時間長。
圖7是在當前所以DMA設置組(例如，DMA設置#1-3到#4-3)被遞增搜索的情況下錯誤檢測的原因實例的解釋圖。作為搜索當前所有DMA的方法，有一種方法，其中，當前所用DMA在順序增量多個DMA預留區(qū)中每一個的同時被搜索(增量搜索)。將描述其中例如未被使用的DMA區(qū)被預先填充FFh的DMA搜索方法。
在該方法中，DMA被順序讀取，并且DMA區(qū)在數(shù)據(jù)表示為FFh的地方被搜索。此外，將數(shù)據(jù)表示FFh處的DMA之前的DMA判斷為當前使用的DMA。
通常，關于正被使用的第一DMA預留區(qū)(圖7步驟1中的DMA設置#1-1到#4-1)，當質量等級差出不小于定義等級的等級時，缺陷管理信息可以被移位到第二DMA預留區(qū)(圖7步驟2中的DMA設置#1-2到#4-2)。但是，當判斷出由于某個原因(例如劃痕、灰塵、指印等)第二DMA預留區(qū)具有不小于定義等級的較差質量時，假定缺陷管理信息被移位到第三預留區(qū)(圖7步驟2中的DMA設置#1-3到#4-3)或者隨后的預留區(qū)。在這種情況下，任何缺陷管理信息都沒有被移位到被判斷為具有不小于定義值的較差質量等級的第二DMA預留區(qū)(圖7步驟2中的DMA設置#1-2到#4-2)，并且因此數(shù)據(jù)仍舊為FFh。通過將其數(shù)據(jù)為FFh的DMA之前的DMA判斷為當前所用DMA的上述方法的使用，第二DMA預留區(qū)沒有被使用，因此數(shù)據(jù)仍舊為FFh。因此，在第二區(qū)之前的第一DMA區(qū)被錯誤判斷為是當前所用DMA。
作為防止錯誤判斷的方法，與上述用于簡單檢測FFh的增量搜索方法不同，存在一種方法，其中，各個DMA序列中所寫的內容被彼此比較以確定最新的DMA。例如，當保護在每一個DMA預留區(qū)中的更新計數(shù)器(圖12的DDS/PDL更新計數(shù)器，圖15的SDL更新計數(shù)器)的值為最大時，相應的DMA可以被判斷為是最新的DMA。
圖8是其中多個DMA序列(DMA 1的序列到DMA 4的序列)同時轉換、同時用“FFh”等填充除當前所用DMA設置組(例如，從圖8上面第三行的DMA設置#1-3到#4-3)之外的DMA設置組的實例，以及其中各個DMA設置單獨轉換、同時用“FFh”等填充多個DMA序列中除當前所用DMA設置(圖8中DMA設置#2-1、#3-2、#1-3、#4-(n-1))之外的DMA設置組的實例的解釋圖。
圖8的實例與圖6或圖7的實例的不同之處在于除當前所用DMA之外的DMA用“FFh”等覆蓋。例如，在圖7的實例中，當在步驟1中記錄在第一DMA預留區(qū)中的DMA由于某種原因被移位到第三預留區(qū)而不是第二預留區(qū)中時，其“數(shù)據(jù)為FFh”的第一DMA之前的DMA被判斷為最新的DMA。在該增量搜索中，第二預留區(qū)被錯誤判斷為最新的DMA。為了避免該錯誤判斷，如在圖8的實例中一樣，例如，除當前所用DMA之外的DMA被寫為FFh。因此，即使在其中DMA沒有如圖7那樣由于某種原因而被移位的DMA預留區(qū)中，除FFh之外的DMA預留區(qū)被搜索，使得最新的DMA可以被精確找到。
為了將FFh寫入除最新DMA之外的DMA預留區(qū)，例如，在將最新DMA移位到下一個預留區(qū)中之后，F(xiàn)Fh在DMA預留區(qū)被移位之前被寫入到其中。通過這種構造，最新的DMA可以通過增量搜索被容易地搜索到，而且可能以更高的速度找出當前所用的DMA。
當缺陷管理信息在環(huán)形轉換過程中被記錄在DMA預留區(qū)中時，作為轉換條件，假定有其中相對于當前所用DMA的覆蓋次數(shù)達到首先確定的定義數(shù)(例如，在可重寫1000次的存儲介質中，例如為低于1000的次數(shù))的情況，以及其中DMA自身的錯誤率不小于定義率(不小于錯誤可以被充分校正的錯誤率)等的情況。
例如，假定DMA區(qū)在覆蓋次數(shù)達到定義數(shù)時轉換。在這種情況下，相對于DMA的覆蓋次數(shù)的當前數(shù)值被預先記錄在某處。作為存儲位置，假定有每一個DMA的預留區(qū)(由圖9中的“預留”示出)、DDS/PDL中的預留區(qū)(由圖12、15中的“預留”示出)、每一個DMA預留區(qū)的SDL區(qū)、用于存儲正被使用DMA預留區(qū)位置信息的DMA管理器的預留區(qū)(由圖11中的“預留”示出)等。
例如，假定信息被存儲在DDS/PDL中的預留區(qū)(由圖12、15中的“預留”示出)、每一個DMA預留區(qū)的SDL區(qū)中。因為DDS/PDL、SDL區(qū)是被單獨重寫的，所以用于計數(shù)重寫次數(shù)的計數(shù)器可以被單獨設置。因此，假定一種方法，其中DDS/PDL塊和SDL塊中每一個都設置有DMA記錄計數(shù)器區(qū)，更大數(shù)量的DMA記錄計數(shù)器超過定義數(shù)量，然后DMA轉換到下一個DMA。
此外，用于存儲DDS/PDL更新計數(shù)器(見圖12)和SDL更新計數(shù)器(見圖15)的區(qū)被預先定義在DDS/PDL塊和SDL塊的預定區(qū)中。計數(shù)器在其中DDS/PDL塊和SDL塊被重寫的情況下增量。因此，在DDS/PDL和SDL更新計數(shù)器中，表示更大值的計數(shù)器可以被判斷為是DMA預留區(qū)的記錄計數(shù)器。
例如，當每一個DMA預留區(qū)(由圖9中的“預留”示出)被使用時，假定DDS/PDL和SDL塊中每一個的DMA記錄計數(shù)器被設置在該區(qū)的某處。此外，當DMA管理器的預留區(qū)(由圖11中的“預留”示出)被使用時，假定DDS/PDL和SDL塊中每一個的DMA記錄計數(shù)器被設置在該區(qū)的某處。
此外，由多個DMA序列，并且DMA序列中每一個具有DMA預留區(qū)。因此，難以記錄相對于每一個DMA序列的DMA預留區(qū)中每一個的DDS/PDL和SDL塊中每一個的記錄次數(shù)。在這種情況下，假定一種方法，其中，每一個DMA序列的多個DMA預留區(qū)中的最大記錄次數(shù)或平均值被針對每一個DMA序列存儲(例如，在設置有DMA 1到4的情況下有4個值)。
這里，例如，假定一種情況，其中，DMA區(qū)在DMA具有不小于定義率的較差錯誤率的時刻轉換。當數(shù)據(jù)被相對于當前所用DMA預留區(qū)讀/寫時，錯誤率被測量出來。該測量值被與閾值相比較，所述閾值為被單獨定義的DMA預留區(qū)的轉換的條件。當值超過閾值時，缺陷管理信息被移到下一個DMA預留區(qū)。
此外，還假定了覆蓋次數(shù)與錯誤率的組合使用。在這種方法中，DMA區(qū)在如下情況下轉換，所述情況為其中雖然沒有得到定義次數(shù)的覆蓋次數(shù)、但是錯誤率差到某個率，或者所述情況為其中雖然錯誤率沒有達到閾值或更大而覆蓋次數(shù)表示某個或更大的值。因此，可能進一步增強在反復重寫DMA部分中抵抗毀壞的可靠性。
當DMA預留區(qū)以環(huán)形形式轉換，并且信息在第二次或之后被寫到相同的DMA預留區(qū)中時，轉換的條件被設置為比第一次的時候更寬松。當各個預留區(qū)的覆蓋總次數(shù)被用作轉換的閾值時，定義數(shù)的閾值被設置為比第一次的大。當條件通過錯誤率設置時，錯誤率的閾值被設置為高于第一次的閾值。假定一種情況，其中，轉換的閾值被存儲在信息存儲設備的存儲器中，或者被寫在信息存儲介質中。當值被寫到信息存儲介質中時，作為存儲位置，假定有每一個DMA的預留區(qū)(由圖9中的“預留”示出)、每一個DMA預留區(qū)的DDS/PDL或SDL區(qū)中的預留區(qū)(由圖12、15中的“預留”示出)、用于存儲正被使用DMA預留區(qū)位置信息的DMA管理器的預留區(qū)(由圖11中的“預留”示出)等。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，信息記錄/復制裝置(見圖18)被構造用于處理表格查找系統(tǒng)，在該系統(tǒng)中，當前所用DMA預留區(qū)的位置被從DMA管理器(見圖11，DMA管理器的內容)中讀取，和/或用于處理增量系統(tǒng)，在該系統(tǒng)中，每一個DMA序列預留區(qū)被檢查以搜索最新的DMA預留區(qū)，作為尋找當前所用DMA的方法。增量系統(tǒng)的實例假定包括如上所述搜索DMA預留區(qū)的FFh的方法，以及將DMA預留區(qū)的內容彼此比較的方法。在表格查找系統(tǒng)中，被記錄在DMA管理器中的、正被使用DMA的位置信息被讀取和搜索。該系統(tǒng)更精確，并且以比其中各個DMA被順序搜索的增量系統(tǒng)更高的速度進行。因此，表格查找系統(tǒng)優(yōu)選地被優(yōu)先使用?；旧希隽肯到y(tǒng)可以在其中正被使用DMA預留區(qū)不能在表格查找系統(tǒng)中找到的情況中使用。
當DMA預留區(qū)被更新時，DMA管理器被重寫。因此，與DMA預留區(qū)相比，重寫的頻率較小，并且管理器被毀壞的可能性更小。但是，因為DMA管理器是用于存儲每一個DMA預留區(qū)的位置信息的區(qū)，所以DMA管理器也以與DMA中相同的方式設置有預留區(qū)以增強對干擾的抵抗。例如，為了增強對干擾的抵抗，預留區(qū)被設置在最內周的導入?yún)^(qū)和最外周的導出區(qū)的兩個區(qū)中。這些區(qū)彼此被物理地間隔開，并且兩者都分別設置有備用DMA管理器區(qū)(見圖9、10)。兩個DMA管理器區(qū)的每一個具有多個預留區(qū)，并且區(qū)以與DMA預留區(qū)中相同的方式被移位。作為轉換方法，如相對于DMA預留區(qū)描述的，假定如下方法，其中預留區(qū)，在被判斷為有缺陷時轉換，被線性使用，或者假定如下方法，其中，基準值被相對于重寫次數(shù)或錯誤率設置，并且區(qū)，在被判斷為超過基準值時轉換，被以環(huán)形形式使用。
圖9是示出了多個DMA管理器和DMA中每一個的存儲位置(信息存儲介質的物理扇區(qū)號)的圖。有10個存儲在圖1的導入?yún)^(qū)中的DMA管理器1，有100個存儲在導入?yún)^(qū)中的DMA 1或2，并且多個預留區(qū)被插入在各個DMA管理器1之間和DMA 1、2之間。有10個存儲在圖1的導出區(qū)中的DMA管理器2，有100個存儲在導入?yún)^(qū)中的DMA 3或4，并且多個預留區(qū)被插入在各個DMA管理器2之間以及DMA 3、4之間。一塊的物理分段被分配給每一個DMA管理器和每一個DMA的信息，并且兩塊的物理分段被分配給每一個預留區(qū)。一塊的物理分段包括16個扇區(qū)(或32個扇區(qū))，并且一塊的物理分段中每一個都具有32KB(或64KB)的大小。
導入?yún)^(qū)和導出區(qū)中至少一個(兩者都在圖9的實例中示出)具有以離散形式存在的多個預留區(qū)。這些預留區(qū)中至少一個可以被用作用于存儲基于其DMA被移位(替換和記錄)的條件或閾值(重寫次數(shù)是否達到P，錯誤率是否超過在其中錯誤可以通過ECC等被校正的范圍內的預定率)的條件存儲位置。只要條件或閾值的信息的量很少，用于使用的預留區(qū)的數(shù)量就很小(最小為1)。但是，當信息量增加時，預留區(qū)被與信息同樣多地使用。當替換條件被寫入以如圖9中所示地離散方式存儲的多個預留區(qū)中時，替換條件等的存儲位置沒有局部集中，ECC校正容易進行，并且區(qū)對由于劃痕等產生的錯誤有抵抗力。
圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例在信息存儲介質中DMA管理器存儲區(qū)(DMA_Man#1DMA_Man#10)的排列的圖。如圖10所示，DMA 1、2被設置在設置于信息存儲介質最內周的導入?yún)^(qū)中，DMA 3、4被設置在設置于信息存儲介質最外周的導出區(qū)中。DMA(DMA 1、2、3和4)中每一個設置有多個DMA預留區(qū)(DMA設置#1-1到#1-N、DMA設置#2-1到#2-N、DMA設置#3-1到#3-N、DMA設置#4-1到#4-N)。在初始狀態(tài)下，當前(最新的)缺陷管理信息被存儲在包含于每一個DMA中的第一DMA預留區(qū)(DMA設置#1-1、#2-1、#3-1、#4-1)中。
當包含在某個DMA(例如DMA設置組1)中的第一DMA預留區(qū)(例如，DMA設置#1-1)滿足轉換條件時，在DMA(DMA 1到4)中或者單獨在轉換條件被應用于其中的DMA(DMA 1到4中任何一個)中，存儲在第一DMA預留區(qū)(例如，DMA設置#1-1到#4-1)中的缺陷管理信息被移位到DMA(DMA 1到4)或者DMA(DMA 1到4中任何一個)中每一個的第二DMA預留區(qū)(DMA設置#1-2到#4-2)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，正被使用的DMA預留區(qū)在信息存儲介質中轉換。因此，DMA管理器被引入以在短時間內在多個DMA預留區(qū)中搜索正被使用的DMA預留區(qū)。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，如圖10所示，信息存儲介質被設置有管理器存儲區(qū)(Man 1、Man 2)，DMA管理器被存儲在其中。DMA管理器管理正被使用的DMA預留區(qū)的地址。換句話說，管理器存儲區(qū)是用于存儲正被使用DMA預留區(qū)的位置信息的位置信息區(qū)。
例如，在圖6或8中示為“正被使用的DMA”的地址(盤中的存儲位置)從存儲在DMA管理器中的位置信息中立刻看到，而不進行上述增量搜索。
此外，DMA管理器存儲區(qū)(Man 1、Man 2)中每一個都設置有多個管理器預留區(qū)。這是針對DMA管理器缺陷的措施。如圖10所示，一個管理器存儲器(Man 1)設置有例如10個管理器預留區(qū)(DMA_Man#1到DMA_Man#10)。類似地，其它管理器存儲區(qū)(Man2)也設置有10個管理器預留區(qū)(DMA_Man#1到DMA_Man#10)。
例如，在初始階段，指示正被使用DMA預留區(qū)的位置信息被存儲在包含于每一個管理器存儲區(qū)(Man 1、Man 2)中的第一管理器預留區(qū)(DMA_Man#1)中。伴隨覆蓋，當包含在某個管理器存儲器(Man1)中的第一管理器預留區(qū)(DMA_Man#1)滿足轉換條件時，存儲在管理器存儲區(qū)(Man 1、Man 2)中每一個的第一管理器預留區(qū)(DMA_Man#1)中的位置信息被移位(寫)到管理器存儲區(qū)(Man 1、Man 2)中每一個的第二管理器預留區(qū)(DMA_Man#2)。
在這種情況下，作為DMA管理器轉換的條件，如相對于用于移位DMA預留區(qū)的條件所描述的，假定有其中區(qū)被判斷為是有缺陷的情況，其中覆蓋次數(shù)超過閾值的情況，其中錯誤率超過閾值的情況，等等。關于轉換條件，假定其中預留區(qū)被線性使用的方法，或者如下方法，其中，轉換閾值在第一次時被設置為很寬松，預留區(qū)被以環(huán)形形式使用，并且轉換閾值在第二次或隨后將信息寫入預留區(qū)中時被設置為逐漸嚴格。
DMA管理器具有與DMA相比更新的重寫頻率。與DMA相比，用于存儲DMA管理器的管理器存儲區(qū)(Man 1、Man 2)在區(qū)由于覆蓋而變?yōu)橛腥毕莘矫嬗锌尚〉目赡苄浴５?，DMA管理器由于劃痕、指印等在一些情況下不能從管理器預留區(qū)中讀取。因此，一個DMA管理器被設置有具有相同內容(正被使用的DMA的位置信息)的多個區(qū)(在該實例中為Man 1、Man 2的兩個區(qū))。也就是說，相同內容被復用并寫入到管理器預留區(qū)中。結果，即使當錯誤不能在ECC塊中被校正時，正被使用的DMA的位置信息也可以讀取。此外，DMA管理器(Man 1、Man 2)中每一個都設置有10個備用區(qū)(DMA_Man#1到DMA_Man#10)以增加耐久性。
此外，一個DMA管理器被存儲在一個管理器預留區(qū)中。管理器預留區(qū)包括一個ECC塊。相同的內容每64個字節(jié)被復用并寫入到構成管理器預留區(qū)的一個ECC塊中。例如，正被使用DMA預留區(qū)的位置信息被每64個字節(jié)地復用和寫下。假定一個ECC塊包括32個扇區(qū)。還假定一個扇區(qū)具有2048個字節(jié)的大小。也就是說，一個ECC塊的大小假定為是2048字節(jié)×32個扇區(qū)。在這種情況下，相同的內容被存儲在每一個扇區(qū)中32次。也就是說，32×32的內容被重復記錄在一個ECC塊中。結果是，即使在其中有許多缺陷已經(jīng)到了任何ECC塊都不能被校正的程度的情況下，也可能有相當?shù)目赡苄宰x取校正信息(正被使用的DMA的位置信息)，只要ECC塊可以被部分校正就行。
這里，已經(jīng)描述了對64個字節(jié)的復寫，但是本發(fā)明不限于該實例。如果一個ECC塊中的一個數(shù)據(jù)線具有172字節(jié)的大小，那么錯誤有時可以在172字節(jié)的數(shù)據(jù)線中被校正，不過錯誤不能在整個ECC塊中被校正。這一方面被提到，并且相同的信息被以比172字節(jié)小很多的數(shù)據(jù)大小(例如64個字節(jié))復用和寫下。結果是，即使錯誤不能在整個ECC塊中被校正，錯誤也被每條數(shù)據(jù)線地校正，并且可以得到校正數(shù)據(jù)。
圖11是示出了管理當前所用DMA的頭部物理扇區(qū)號等的DMA管理器的數(shù)據(jù)結構的圖。如圖11所示，DMA管理器管理正被使用的四個DMA預留區(qū)的地址。例如，假定正被使用的DMA預留區(qū)是DMA設置組1，那么DMA管理器管理各個DMA設置#1-1、#2-1、#3-1、#4-1的各個地址(頭部物理扇區(qū)號PSN)。如果正被使用的DMA預留區(qū)的位置可以被唯一指定，那么不僅DMA預留區(qū)的地址而且區(qū)號(在圖2的實例中是1到N)可以在DMA管理器中被描述。
如圖11所示，DMA管理器(Man 1、Man 2)存在于信息存儲介質(光盤)的導入?yún)^(qū)和導出區(qū)的至少一個中(該實施例中，管理器存在于兩個區(qū)中)。管理器包括指示多個DMA(替換區(qū))和一個或多個預留區(qū)中一個當前所用DMA(例如包括DMA設置#1-1到#1-4的DMA設置組1)的頭部位置的信息。預留區(qū)的至少一個可以被用作用于存儲指示在DMA之間進行轉換(替換記錄)的時刻的條件或閾值(重寫次數(shù)是否達到P，錯誤率是否超過錯誤可以通過ECC等被校正所在范圍中的閾值率)的條件存儲位置。
圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例在信息存儲介質(光盤)的盤定義結構中字節(jié)分配的圖。圖12示出了在包含于DMA中的DDS/PDL塊的頭部扇區(qū)中描述的內容的一個實例。在DDS/PDL塊的預定區(qū)(盤定義結構)中，設置了4-字節(jié)DDS/PDL更新計數(shù)器、一個或多個預留區(qū)等。DDS/PDL更新計數(shù)器是在DDS/PDL塊的內容每次被更新時都增加1(+1)的計數(shù)器。多個預留區(qū)中至少一個可以用作用于存儲指示在DMA之間進行轉換(替換記錄)的時刻的條件或閾值(重寫次數(shù)是否達到P，錯誤率是否超過錯誤可以通過ECC等被校正所在范圍中的閾值率)的條件存儲位置。
圖13是示出了主缺陷列表(PDL)內容的圖。PDL可以具有多個PDL入口。圖14是示出了PDL中每一個PDL入口的數(shù)據(jù)結構的圖。每一個PDL入口包括入口類型、預留區(qū)和例如缺陷物理扇區(qū)號的信息。這里，入口類型是用于標識由介質(盤)生產商描述的缺陷扇區(qū)的信息(P-list)的信息，預留，在驗證步驟中找到的缺陷扇區(qū)的信息(G1-list)，以及沒有進行任何認證從SDL轉發(fā)(或轉錄)的缺陷扇區(qū)的信息(G2-list)。缺陷物理扇區(qū)號的信息包括具有缺陷的物理分段塊的物理扇區(qū)號。此外，針對許多PDL存在的預留區(qū)中的至少一個或者沒有被注冊的PDL入口區(qū)，可以被用作用于存儲指示在DMA之間進行轉換(替換記錄)的時刻的條件或閾值(重寫次數(shù)是否達到P，錯誤率是否超過錯誤可以通過ECC等被校正所在范圍中的閾值率)的條件存儲位置。
圖15是示出了次級缺陷列表(SDL)的內容的圖。SDL可以具有多個SDL入口。圖16是示出了SDL中每一個SDL的數(shù)據(jù)結構的圖。每一個SDL入口包括例如8個字節(jié)。一個SDL入口包括SLR標記位，指示缺陷物理分段塊是否用備用物理分段塊替換；其中缺陷物理分段塊中的第一物理扇區(qū)的物理扇區(qū)號被描述的信息；其中被替換物理分段塊中的第一物理扇區(qū)的物理扇區(qū)號被描述的信息；以及多個預留區(qū)。這里，針對許多SDL存在的預留區(qū)中的至少一個或者由圖6中“預留”示出的預留區(qū)(BP 2到3、21等)可以用作用于存儲指示在DMA之間進行轉換(替換記錄)的時刻的條件或閾值(重寫次數(shù)是否達到P，錯誤率是否超過錯誤可以通過ECC等被校正所在范圍中的閾值率)的條件存儲位置。
圖17是示出了DMA更新過程的一個實例的流程圖。該流程圖的過程可以通過包含在后面描述的圖18的微處理單元20中的固件(DMA控制程序)執(zhí)行。
首先，檢查正被使用的DMA是否將被移位(或被改變)到另一個DMA，也就是說，當前情況是否落在定義值(轉換的閾值)內(在圖5的實例中檢查相對于相應DMA的重寫次數(shù)是否小于作為預定次數(shù)的P，或者相應DMA的錯誤率是否超過其中ECC校正為可能的范圍中的預定等級)。當DMA在該情況下沒有被移位(在步驟ST102中為是)時，DMA的替換不進行(步驟ST104)，過程返回到第一步驟。
在當前年個超過轉換的定義值(例如，當相對于相應DMA的重寫次數(shù)達到P)(在步驟ST102中為是)時，檢查正被使用的DMA是否是最后的DMA(在圖5的實例中檢查DMA是否是DMA設置組N)。當DMA不是最后的DMA(在步驟ST106中為否)時，DMA被替換為下一個DMA(步驟ST108)。在圖5的實例中，例如，當DMA設置組1被覆蓋P次時，DMA設置組1的缺陷管理信息被寫入并移位到下一個DMA設置組2，同時DMA設置組1仍舊完全可用(步驟ST108)。
當正被使用的DMA時最后的DMA(在步驟ST106中為是)時，檢查最后的DMA(在圖5的實例中為DMA設置組N)是否仍舊落在寫入結束的定義值內(即，DMA仍可被覆蓋)。當最后的DMA(DMA設置組N)仍舊落在寫入結束的定義值內(在步驟ST110中為是)時，DMA的轉換(移位)的定義值(閾值)被再次設置(步驟ST112)，過程返回到步驟ST102。
作為再次設置定義值(閾值)的方法，還假定了如下方法，其中，DMA轉換的速度被設置為中、高，或者被設置為經(jīng)常被防止隨著覆蓋次數(shù)的增加而改變。速度以這種方式根據(jù)情況改變。例如，當覆蓋次數(shù)很小時，錯誤率很小。因此，DMA轉換以中等速度進行，并且閾值通過覆蓋次數(shù)的增加而被校正。
當類似的過程在此之后以環(huán)形(循環(huán))形式重復時，并且最后的DMA(DMA設置組N)超過寫入結束的定義值(在ST110步驟為否)時，寫入操作在那里結束。之后，信息存儲介質(光盤)被處理，使得信息可以被復制，但是進一步的重復記錄(覆蓋)不能進行。
將注意到，在步驟ST108中的下一個DMA設置組不限于相鄰設置于正被使用的DMA設置組右側的組，跳過一個或多個組之后的DMA設置組也可以使用。在這種情況下，當在一個環(huán)中有偶數(shù)個DMA設置組(第一設置組包括DMA設置#1-1到#4-1；第N個設置組包括DMA設置#1-N到#4-N)時，零個或偶數(shù)個DMA設置組在替換中可以被跳過。當在一個環(huán)中有奇數(shù)個DMA設置組時，奇數(shù)個DMA設置組可以在替換中被跳過。
圖18是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的信息記錄/復制裝置的示意構造的圖。該信息記錄/復制裝置記錄相對于上述信息存儲介質(光盤)1的用戶數(shù)據(jù)，或者復制記錄在介質1中的用戶數(shù)據(jù)。如果需要，該信息記錄/復制裝置執(zhí)行替換處理。
如圖18所示，信息記錄/復制裝置包括調制電路2；激光器控制電路3；激光器單元4；準直透鏡5；極化分束器(以下簡稱為PBS)6；1/4波長板7；物鏡8；匯聚透鏡9；光檢測器10；信號處理電路11；解調電路12；焦距誤差信號產生電路13；跟蹤誤差信號產生電路14；焦距控制電路16；跟蹤控制電路17；以及微處理單元(MPU)20。MPU 20包括ROM、工作RAM等，用于執(zhí)行例如記錄控制、復制控制和DMA控制(包括參照圖1到17描述的環(huán)形DMA替換過程的控制)的控制的固件被寫在ROM中。
MPU 20控制驅動部分等。驅動部分包括調制電路2、激光器控制電路3、激光器單元4、準直透鏡5、極化分束器(PBS)6、1/4波長板7、物鏡8、匯聚透鏡9、光檢測器10、信號處理電路11、解調電路12、焦距誤差信號產生電路13；跟蹤誤差信號產生電路14；焦距控制電路16和跟蹤控制電路17。
首先，將描述通過該信息記錄/復制裝置的數(shù)據(jù)的記錄。數(shù)據(jù)的記錄由MPU 20控制。記錄數(shù)據(jù)(數(shù)據(jù)符號)被調制電路2調制到預定的信道位序列中。對應于記錄數(shù)據(jù)的信道位序列被激光器控制電路3轉換成激光器驅動波形。激光器控制電路3脈沖驅動激光器單元4，并且相應于期望位序列的數(shù)據(jù)被記錄在介質1中。從激光器單元4輻射出的用于記錄的光束通過準直透鏡5形成平行光，并進入和通過PBS 6。傳送通過PBS 6的光束經(jīng)過1/4波長板7，并且通過物鏡8被匯聚在介質1的信息記錄表面上。被匯聚的光束被保持在這樣的狀態(tài)，其中，通過焦距控制電路16的焦距控制以及跟蹤控制電路17的跟蹤控制在記錄表面上得到微斑。
隨后，將描述通過信息記錄/復制裝置的數(shù)據(jù)的復制。數(shù)據(jù)的復制由MPU 20控制。激光器單元4基于來自MPU 20的數(shù)據(jù)復制指令輻射出用于復制的光束。從激光器單元4輻射出的用于復制的光束通過準直透鏡5形成平行光，并進入和通過PBS 6。傳送通過PBS 6的光束經(jīng)過1/4波長板7，并且通過物鏡8被匯聚在介質1的信息記錄表面上。被匯聚的光束被保持在這樣的狀態(tài)，其中，通過焦距控制電路16的焦距控制以及跟蹤控制電路17的跟蹤控制在記錄表面上得到微斑。在這種情況下，輻射介質1的用于復制的光束被信息記錄表面中的反射膜或反射記錄膜反射。反射光在相反方向上經(jīng)過物鏡8，并再次形成平行光。反射光經(jīng)過1/4波長板7，具有垂直于入射光的極化光。光束被PBS 6反射。由PBS 6反射的光束通過匯聚透鏡9形成為會聚光，并進入光檢測器10。光檢測器10包括例如四分光檢測器。已經(jīng)進入光檢測器10的光束被光電轉換為電信號，并被放大。放大后的信號在信號處理電路11中被均衡和二元化，并被發(fā)送到解調電路12。在解調電路12中，信號被根據(jù)預定的調制系統(tǒng)解調，并且所復制的數(shù)據(jù)被輸出。
此外，焦距錯誤信號由焦距錯誤信號產生電路13基于從光檢測器10輸出的部分電信號產生。類似地，跟蹤錯誤信號由跟蹤錯誤信號產生電路14基于從光檢測器10輸出的部分電信號產生。焦距控制電路16基于焦距錯誤信號控制光斑的焦距。跟蹤控制電路17基于跟蹤錯誤信號控制光斑的跟蹤。
這里，將描述通過MPU 20的替換處理。當介質1被格式化時，驗證被執(zhí)行。這時，MPU 20檢測介質中的缺陷。這時檢測出的缺陷即有關初始缺陷的缺陷管理信息通過MPU 20被記錄在介質DMA中的PDL中。缺陷管理信息包括替換扇區(qū)的地址和被替換扇區(qū)的地址。即使在通常的記錄時刻，MPU 20檢測介質中的缺陷。這時檢測到的缺陷，即有關次級缺陷的缺陷管理信息通過MPU 20被記錄在介質DMA中的SDL中。缺陷管理信息包括替換ECC塊的頭部扇區(qū)的地址，以及被替換ECC塊的頭部扇區(qū)的地址。對替換區(qū)的訪問被看作是基于PDL和SDL對被替換區(qū)的訪問。
要注意，本發(fā)明不限于上述實施例，而是可以進行各種修改而不脫離基于當前或未來實現(xiàn)階段中可用技術的范圍。如果可能，各個實施例可以被適當組合。在這種情況下，得到組合效果。此外，上述實施例包括本發(fā)明的各種階段，并且某個發(fā)明可以通過這里所述的多個構成單元的適當組合而被抽象化。例如，即使一些構成單元被從實施例中描述的所有構成單元中去除，其中已經(jīng)去除了構成單元的構造也可以被抽象為本發(fā)明。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的某些實施例，但是這些實施例只是以實例方式展示的，而非意于限制本發(fā)明的范圍。實際上，這里描述的新穎的方法和系統(tǒng)可以以許多其它形式實現(xiàn)；此外，這里描述的方法和系統(tǒng)形式中的各種省略、替換和改變都可以進行而不脫離本發(fā)明的精神。所附權利要求和它們的等同替換意于覆蓋這種形式或改變，只要其將落在本發(fā)明的范圍和精神內。
權利要求
1.一種信息存儲介質，其特征在于包括可重寫區(qū)，該可重寫區(qū)包括用于存儲用戶數(shù)據(jù)的用戶區(qū)，以及用于存儲與可重寫區(qū)中的缺陷區(qū)相關聯(lián)的缺陷管理信息的缺陷管理區(qū)；所述缺陷管理區(qū)包括多個替換區(qū)；存儲在正被替換的多個替換區(qū)的一個中的缺陷管理信息的至少一部分在該一個替換區(qū)變?yōu)椴豢捎弥氨挥涗浽诙鄠€替換區(qū)的另一個中；并且其中，替換區(qū)之間的至少一個記錄重復使用先前的替換區(qū)。
2.權利要求1的信息存儲介質，其特征在于，替換區(qū)之間的記錄在替換區(qū)之間以環(huán)形形式進行。
3.權利要求2的信息存儲介質，其特征在于，一旦最后的替換區(qū)已經(jīng)被使用，環(huán)形形式就重復使用第一替換區(qū)。
4.權利要求1的信息存儲介質，其特征在于還包括用于存儲指示在替換區(qū)之間進行替換記錄的時刻的條件或閾值的條件存儲位置。
5.權利要求4的信息存儲介質，其特征在于還包括可重寫光盤，其在內周具有導入?yún)^(qū)，在外周具有導出區(qū)；其中，導入?yún)^(qū)和導出區(qū)中的至少一個具有以離散形式存在的多個預留區(qū)；并且其中，多個預留區(qū)中至少一個正被用作條件存儲位置。
6.權利要求4的信息存儲介質，其特征在于還包括可重寫光盤，其在內周具有導入?yún)^(qū)，在外周具有導出區(qū)；其中，導入?yún)^(qū)和導出區(qū)中的至少一個具有缺陷管理信息管理器；所述缺陷管理信息管理器包括指示在多個替換區(qū)以及一個或多個預留區(qū)中一個當前所用的頭部位置的信息；并且其中，預留區(qū)中至少一個正被用作條件存儲位置。
7.權利要求4的信息存儲介質，其特征在于還包括可重寫光盤，其在內周具有導入?yún)^(qū)，在外周具有導出區(qū)；其中，光盤具有用于記錄有關缺陷管理區(qū)中盤定義結構的信息的盤定義結構區(qū)；所述盤定義結構區(qū)包括一個或多個預留區(qū)；并且其中，預留區(qū)中至少一個正被用作條件存儲位置。
8.權利要求4的信息存儲介質，其特征在于還包括可重寫光盤，其在內周具有導入?yún)^(qū)，在外周具有導出區(qū)；其中，光盤具有用于記錄缺陷管理區(qū)中主缺陷列表的信息的主缺陷列表區(qū)；主缺陷列表區(qū)包括一個或多個預留區(qū)；并且其中，預留區(qū)中至少一個正被用作條件存儲位置。
9.權利要求4的信息存儲介質，其特征在于還包括可重寫光盤，其在內周具有導入?yún)^(qū)，在外周具有導出區(qū)；其中，光盤具有用于記錄缺陷管理區(qū)中次級缺陷列表的信息的次級缺陷列表區(qū)；次級缺陷列表區(qū)包括一個或多個預留區(qū)；并且其中，預留區(qū)中至少一個正被用作條件存儲位置。
10.一種使用包括可重寫區(qū)的信息存儲介質的方法，所述可重寫區(qū)包括用于存儲用戶數(shù)據(jù)的用戶區(qū)；以及用于存儲與可重寫區(qū)中的缺陷區(qū)相關聯(lián)的缺陷管理信息的缺陷管理區(qū)，所述缺陷管理區(qū)包括多個替換區(qū)，該方法特征在于包括以替換方式將存儲于多個替換區(qū)的一個中的缺陷管理信息的至少一部分在該一個替換區(qū)變?yōu)椴豢捎弥坝涗浀蕉鄠€替換區(qū)的另一個中；以及其中，在替換區(qū)之間記錄缺陷管理信息的至少一部分重復使用以前的替換區(qū)。
11.權利要求10的方法，其特征在于，替換區(qū)之間的記錄在替換區(qū)之間以環(huán)形形式進行。
12.權利要求11的方法，其特征在于，一旦最后的替換區(qū)已經(jīng)被使用，環(huán)形形式就重復使用第一替換區(qū)。
13.權利要求10的方法，其特征在于，另一個替換區(qū)被設置為相鄰于多個替換區(qū)中的所述一個。
14.權利要求10的方法，其特征在于，另一個替換區(qū)被設置為與多個替換區(qū)中的所述一個相隔預定間距。
15.權利要求10的方法，其特征在于還包括在將缺陷管理信息記錄在另一個替換區(qū)中之后用FFh填充所述一個替換區(qū)。
16.權利要求10的方法，其特征在于還包括將FFh存儲在多個替換區(qū)中除其中存儲有最新缺陷管理信息的替換區(qū)之外的替換區(qū)中。
17.權利要求10的方法，其特征在于還包括，對于多個替換區(qū)序列中的每一個序列，以替換方式將存儲于多個替換區(qū)的一個中的缺陷管理信息在所述一個替換區(qū)變?yōu)椴豢捎弥坝涗浽诹硪粋€替換區(qū)中。
18.一種通過使用信息存儲介質來記錄或復制信息的裝置，所述信息存儲介質包括可重寫區(qū)，該可重寫區(qū)包括用于存儲用戶數(shù)據(jù)的用戶區(qū)以及用于存儲與可重寫區(qū)中的缺陷區(qū)相關聯(lián)的缺陷管理信息的缺陷管理區(qū)，所述缺陷管理區(qū)包括多個替換區(qū)，該裝置的特征在于包括第一單元，被配置用來從信息存儲介質的用戶區(qū)和缺陷管理區(qū)的多個替換區(qū)中讀取信息，以及將信息寫入其中；第二單元，被配置用來將存儲于多個替換區(qū)的一個中的缺陷管理信息的至少一部分在所述一個替換區(qū)變?yōu)椴豢捎弥坝涗浽诙鄠€替換區(qū)中的不同一個中；以及第三單元，被配置用來將替換區(qū)之間的缺陷管理信息的至少一部分記錄在以前的替換區(qū)中。
19.權利要求18的裝置，其特征在于，該裝置被配置成具有用于存儲指示何時在替換區(qū)之間替換缺陷管理信息的條件或閾值的條件存儲位置。
20.權利要求18的裝置，其特征在于，替換區(qū)之間的記錄在替換區(qū)之間以環(huán)形形式進行。
全文摘要
本發(fā)明提供了存儲缺陷管理信息的信息存儲介質、替換缺陷管理信息的方法以及替換缺陷管理信息的裝置。多個缺陷管理區(qū)(DMA設置組1到N)被以環(huán)形形式以這樣的方式使用，使得DMA的缺陷管理信息替換并被記錄在下一個備用區(qū)中，同時DMA被假定為仍舊可被完全重寫(例如，當前使用的DMA設置#1－1到#4－1被替換為下一個DMA設置#1－2到#4－2)，并且當缺陷管理信息直到最后備用區(qū)(DMA設置#1－N到#4－N)的轉換結束時，過程再次返回到第一缺陷管理區(qū)。
文檔編號G11B20/12GK1797583SQ20051010395
公開日2006年7月5日 申請日期2005年9月16日 優(yōu)先權日2004年12月27日
發(fā)明者森尾美菜子, 立澤之康, 兼重敏彥, 宇野徹, 三原直人, 森野浩明 申請人:株式會社東芝