專利名稱：磁光存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲介質(zhì)，包括用于存儲信息的信息層。
本發(fā)明還涉及一種裝置，用于讀取保存在所述存儲介質(zhì)上的信息。
本發(fā)明可以使用在例如光數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域中。
背景技術(shù)：
如今光學(xué)存儲的使用已經(jīng)廣泛滲入到例如在基于DVD(數(shù)字通用光盤)標(biāo)準(zhǔn)的存儲系統(tǒng)中的內(nèi)容分配。傳統(tǒng)的光學(xué)存儲系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)在于存儲介質(zhì)相對容易地并且便宜地復(fù)制。
然而，傳統(tǒng)的光學(xué)存儲系統(tǒng)需要CCD(電荷耦合器件)或CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器來讀取信息層中的數(shù)據(jù)。所述傳感器是傳統(tǒng)的光學(xué)存儲系統(tǒng)中最昂貴的部件之一。
發(fā)明概要本發(fā)明的目的是提供一種比現(xiàn)有技術(shù)更加廉價的存儲系統(tǒng)。
為此，根據(jù)本發(fā)明的存儲介質(zhì)的特征在于包括-一信息層，其包括透明區(qū)域和存儲信息的不透明區(qū)域，和-一可磁化層，其至少包含一個可磁化區(qū)域，當(dāng)光點(diǎn)通過信息層對應(yīng)的透明區(qū)域被傳輸時暫時產(chǎn)生該磁化區(qū)域。
本發(fā)明還涉及一種用于從此存儲介質(zhì)中讀取信息的裝置，所述裝置包括-一光學(xué)元件，用于產(chǎn)生來自輸入光束的一組光點(diǎn)，當(dāng)光點(diǎn)經(jīng)過信息層對應(yīng)的透明區(qū)域時被用于在可磁化層中暫時產(chǎn)生磁化區(qū)域，和-一磁性傳感器，包括用于檢測至少一個磁化區(qū)域的一組傳感元件。
因此，與傳統(tǒng)的光學(xué)存儲系統(tǒng)相比，由于采用磁性傳感器代替了CMOS或CCD圖象傳感器，根據(jù)本發(fā)明的存儲系統(tǒng)更加簡單和便宜。
根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施方式
，存儲介質(zhì)進(jìn)一步包括分離層，以使得磁化區(qū)域大于對應(yīng)的透明區(qū)域。因此，由于此增強(qiáng)的效果，磁性傳感器可以采用比信息層分辨率更低的分辨率。
根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實施方式
，信息層是傳統(tǒng)的信息層，包括透明區(qū)域和其中存儲信息的不透明區(qū)域，對應(yīng)的讀取裝置包括-一光學(xué)元件，用于產(chǎn)生來自輸入光束的一組光點(diǎn)，-一可磁化層包含至少一個磁化區(qū)域，當(dāng)光點(diǎn)通過信息層對應(yīng)的透明區(qū)域被傳輸時暫時產(chǎn)生該磁化區(qū)域，和-一磁性傳感器，包括用于檢測至少一個磁化區(qū)域的一組傳感元件。
在該情況下，可磁化層是讀取裝置的一部分，而不再是存儲介質(zhì)的一部分，這使得存儲系統(tǒng)具有更高的性價比。
通過參考在下文中描述的具體實施方式
，本發(fā)明這些和其它方面將更加明顯并且將作進(jìn)一步解釋。
附圖簡介通過舉例并參考附圖，現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述本發(fā)明其中-

圖1表示根據(jù)本發(fā)明的存儲介質(zhì)，-圖2表示根據(jù)本發(fā)明用于讀取存儲介質(zhì)上的信息的讀取裝置，-圖3描繪被用于根據(jù)本發(fā)明的存儲系統(tǒng)中的宏單元掃描的部件詳圖，和-圖4圖解根據(jù)本發(fā)明的宏單元掃描的原理。
發(fā)明詳述替換傳統(tǒng)光學(xué)存儲系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)是目前正開發(fā)研究的。如同人們所預(yù)期的，固態(tài)存儲介質(zhì)對于內(nèi)容分配不會變得足夠便宜，人們相信將來新的專用技術(shù)將替換傳統(tǒng)的光學(xué)存儲。
國際的專利申請NOIB03/04312(代理摘要PHNL021405)揭示了一種磁存儲系統(tǒng)。所述系統(tǒng)例如是磁性只讀存儲器MROM系統(tǒng)。該存儲系統(tǒng)包括圖案磁存儲介質(zhì)和讀取裝置。存儲介質(zhì)是一卡片，包括信息層，也就是說裝備有由一組比特組成的電磁性物質(zhì)的圖案。
所述電子磁性材料的存在或不存在代表比特的值。對應(yīng)的讀取裝置包括用于配合信息層的交界面，其中此分界面具有一組電磁傳感器元件，也就是說對電子磁性材料的存在敏感，和校準(zhǔn)裝置，用于把接近比特位置的傳感元件定位在傳感元件和對應(yīng)比特之間的近場工作距離內(nèi)。
然而，由于比特尺寸很小，傳感器和信息層之間的間隙必須很小。換句話說，信息層和傳感器之間的間隙應(yīng)該與比特尺寸相同，例如小于500nm。這使得系統(tǒng)對于污染物很敏感。為了解決此問題，在此提出一種新的存儲系統(tǒng)。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的存儲介質(zhì)10的詳圖。所述存儲介質(zhì)包括信息層11、可磁化層12和它們之間的分離層16。
信息被編碼在信息層11中。例如，信息層由聚合材料組成，并且用于存儲根據(jù)一組數(shù)據(jù)比特組成的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。存儲在信息載體中的二進(jìn)制數(shù)據(jù)的狀態(tài)由透明或半透明區(qū)域和非透明區(qū)域(例如光吸收區(qū)域)表示。信息層根據(jù)所屬技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)人員所知的原理來復(fù)制或印模。
信息層包括例如布置在宏單元中的一組數(shù)據(jù)比特，宏單元將通過單一光點(diǎn)來讀取，這將在下文中更詳細(xì)地描述。
被用于可磁化層的技術(shù)是例如與使用在MAMMOS(磁性放大磁光系統(tǒng))超分辨率系統(tǒng)中的技術(shù)相同的技術(shù)。所述技術(shù)在H.Awano et al.，Appl.Phys.Lett.69 27(1996)4257-4259中描述。
可磁化層12包括鐵磁性材料，以致在室溫下的磁化接近于零，同時在較高溫度下，該層得以磁化。此物質(zhì)例如是鐵磁性稀土過渡金屬(RE-TM)合金比如GdFeCo。當(dāng)信息層的數(shù)據(jù)比特是透明時，所傳輸?shù)墓恻c(diǎn)17加熱可磁化層并且誘發(fā)磁化。熱剖面由曲線13描繪，表示與縱軸x有關(guān)的磁化強(qiáng)度IM的演變。最終的磁化由磁化區(qū)域14表示。應(yīng)當(dāng)注意，光的衍射引起可磁化層上的光點(diǎn)17大于信息層的對應(yīng)透明區(qū)域15。所以，在可磁化層中的磁化區(qū)域14的尺寸大于信息層11的對應(yīng)透明區(qū)域15的尺寸。
通過入射光在可磁化層中產(chǎn)生的磁化區(qū)域可以具有在平面上或垂直的磁性異向。通常最好是其中磁化區(qū)域具有垂直磁化的可磁化層。
分離層16由適合光傳播的材料制成，例如透明的或半透明的聚合物。分離層的厚度取決于所要實現(xiàn)的放大倍數(shù)(例如磁化區(qū)域尺寸與透明區(qū)域尺寸的比率)。
應(yīng)當(dāng)注意，分離層對于本發(fā)明不是必須的，而且信息層可以與可磁化層接觸，使得磁化區(qū)域的尺寸基本上與透明區(qū)域的尺寸相同。
圖2是根據(jù)本發(fā)明用于讀取存儲在存儲介質(zhì)上數(shù)據(jù)的讀取裝置的簡圖。
讀取裝置包括光學(xué)元件23，用于產(chǎn)生來自由光源提供的相干輸入光束的一組光點(diǎn)，所述一組光點(diǎn)用于掃描存儲介質(zhì)10。此特征使得能夠并行讀取數(shù)據(jù)。輸入光束21可以通過例如用于擴(kuò)展輸入激光光束的波導(dǎo)管來實現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的具體實施方式
(未表示)，光學(xué)元件相當(dāng)于微透鏡的二維數(shù)組。微透鏡系列被平行放置并遠(yuǎn)離存儲介質(zhì)，以致光點(diǎn)聚焦在所述存儲介質(zhì)上。微透鏡的數(shù)值孔徑和質(zhì)量確定光點(diǎn)的尺寸。
根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實施方式
，光學(xué)元件相當(dāng)于孔徑的二維數(shù)組。例如孔徑對應(yīng)于具有1μm或更小直徑的圓孔。在該情況下，通過一系列孔徑利用塔耳波特效應(yīng)產(chǎn)生一系列光點(diǎn)，該效應(yīng)是如下工作的衍射現(xiàn)象。當(dāng)相同波長的大量相干光發(fā)射器，比如輸入光束被輸入到具有周期性衍射結(jié)構(gòu)的目標(biāo)，比如一組孔徑時，在位于離衍射結(jié)構(gòu)預(yù)定間距z0的平面處，衍射光重新結(jié)合成與發(fā)射器相同的圖像。此間距z0叫做塔耳波特間距。塔耳波特間距z0表示為關(guān)系式z0＝2.n.d2/λ，其中d是光發(fā)射器的周期間隔，X是輸入光束的波長，n是傳播間隔的折射率。一般地說，再成像發(fā)生在遠(yuǎn)離發(fā)射器的其它間距z(m)處，其中從間距是塔耳波特間距z的倍數(shù)，以使得z(m)＝2.n.m.d2/λ，其中m是整數(shù)。同樣對于m＝1/2+整數(shù)，也發(fā)生此再成像，但是此時圖像移動半個周期。同樣對于m＝1/4+整數(shù)和m＝3/4+整數(shù)，也發(fā)生再成像，但是圖像具有倍頻，這意味著根據(jù)一組孔徑的周期性，孔徑的周期性被二等分。
利用塔耳波特效應(yīng)能夠在距離一組孔徑相對較遠(yuǎn)的位置產(chǎn)生(幾百μm，由z(m)表示)一組高質(zhì)量的光點(diǎn)，而不需要光學(xué)透鏡。這允許在一組孔徑和信息層之間插入例如覆蓋層，用于防止后者被污染(例如灰塵、指紋)。此外，與使用一組微透鏡相比，這樣便于實現(xiàn)，并且能夠提高性價比，和增加被用于信息層的光點(diǎn)密度。
問題在于當(dāng)前的MAMMOS系統(tǒng)中，單一斑點(diǎn)的用于寫的激光功率是5至8mW(對于脈沖狀態(tài)工作，平均功率的峰值下降到2至3mW)，用于讀取的激光功率是1至2mW。對于在此提出的平行的讀取系統(tǒng)，總功率分散于所有平行光點(diǎn)上，因此每一斑點(diǎn)的激光功率得以限制。
讀取裝置進(jìn)一步包括放置在輸入光束21光徑上的調(diào)相器22。因此通過應(yīng)用由調(diào)相器22定義的相位輪廓到輸入光束21，并且通過改變相位輪廓，能夠?qū)崿F(xiàn)非機(jī)械掃描。調(diào)相器22根據(jù)橫向距離來改變輸入光束21的相位。注意到，調(diào)相器22還可以被放置在光學(xué)元件23和存儲介質(zhì)10之間。
當(dāng)只要根據(jù)橫向位置x，相位φ(x)在直線性方面有變化，調(diào)相器22就起作用時，這就導(dǎo)致一組光點(diǎn)沿著橫軸x橫向位移Δx。相位φ(x)定義如下φ(x)=2πb·xλ...(1)]]>其中X是輸入光束21的波長，而b是變量參數(shù)。
如果如等式(1)所定義的相位輪廓由調(diào)相器22執(zhí)行，那么一組光點(diǎn)的橫向位移x定義如下Δx＝b.Z (2)其中Z是有利的對應(yīng)于塔耳波特間距z0的定值，是所述塔耳波特間距z0的倍數(shù)或分?jǐn)?shù)。
鑒于改變橫向位移Δx，參數(shù)b允許改變相位輪廓的線性系數(shù)。對于參數(shù)b的每一個值，定義不同的相位輪廓。參數(shù)b的變化導(dǎo)致斑點(diǎn)在X方向上的移動。
為了掃描存儲介質(zhì)10所有表面，信息層的每一個宏單元必須通過一組斑點(diǎn)的光點(diǎn)來掃描。因此宏單元的掃描相當(dāng)于二維掃描。執(zhí)行此二維掃描，以便根據(jù)第一軸x和第二軸y來同時定義線性相位調(diào)制，所定義的相位輪廓由根據(jù)X軸的線性相位輪廓和根據(jù)y軸的線性相位輪廓的線性組合產(chǎn)生。在下文中將更詳細(xì)地描述宏單元掃描。
調(diào)相器22包括與一組微透鏡相關(guān)的可控制液晶(LC)單元是比較有利的。例如，使用直線性向列型LC單元，以致一組孔徑的各孔徑具有自身的LC單元，并且能夠給與自身的相位φ(x)。因此，調(diào)相器對應(yīng)于LC單元的二維數(shù)組。向列型物質(zhì)可以通過電磁場來校直，導(dǎo)致相位變化。
由光學(xué)元件23產(chǎn)生的一組光點(diǎn)投射到存儲介質(zhì)10的信息層11。如圖1所述，當(dāng)信息層是透明時，透射光根據(jù)由曲線13表示的熱剖面來加熱可磁化層，這引起在可磁化層中相對大的磁化區(qū)域的磁化。
根據(jù)本發(fā)明的讀取裝置最終包括磁性傳感器24，其中此磁性傳感器包括用于讀取磁化區(qū)域的一組傳感元件。所述磁性傳感器是例如TMR(用于通道磁致電阻)傳感器GMR(用于巨型磁致電阻)傳感器。
對于這樣的傳感器，由電阻測定來執(zhí)行讀取，這將消除在多層組中檢測到的磁致電阻現(xiàn)象。巨型磁致電阻GMR效應(yīng)具有大的磁電阻效應(yīng)(5至15％)，因此具有高的輸出信號。磁性通道接合點(diǎn)使用大的通道磁致電阻TMR效應(yīng)，并且已經(jīng)顯示直到50％的電阻變化。
圖3顯示被用于根據(jù)本發(fā)明的存儲系統(tǒng)中的宏單元掃描的部件詳圖。
描述了磁性傳感器24，它響應(yīng)于通過信息層11的透明區(qū)域傳輸?shù)墓馑鸬募訜?，用來檢測來自于在擴(kuò)展層12上產(chǎn)生的磁化區(qū)域的數(shù)據(jù)。傳感器包括傳感元件241至243，為了便于理解，限制圖3中的傳感器的數(shù)目以便于理解。信息層被組織在宏單元中。各個宏單元包括一組基本數(shù)據(jù)。例如，宏單元111包括4比特111a至111b。
特別地，傳感元件241被用來檢測在信息層的宏單元111中所存儲的數(shù)據(jù)，傳感元件242被用來檢測在宏單元112中所存儲的數(shù)據(jù)，并且傳感元件243被用來檢測在宏單元113中所存儲的數(shù)據(jù)。在此具體實施方式
中，一個傳感元件被用來檢測宏單元的數(shù)據(jù)，所述宏單元的各個比特通過光學(xué)元件23所產(chǎn)生的單一光點(diǎn)來連續(xù)讀取。
圖4表示存儲介質(zhì)進(jìn)行宏單元掃描的非限制方式。
存儲在信息層11上的數(shù)據(jù)具有由或者黑色區(qū)域(例如不透明)或白色區(qū)域(例如半透明或者透明)所指示的兩個狀態(tài)。例如，黑色區(qū)域相當(dāng)于″0″二進(jìn)制狀態(tài)，同時白色區(qū)域相當(dāng)于″1″二進(jìn)制狀態(tài)。
當(dāng)傳感器24的傳感元件檢測可磁化層12中的磁化區(qū)域(例如所述可磁化層由經(jīng)過信息層11的透明區(qū)域所傳輸?shù)妮敵龉馐痪植空丈?時，磁化區(qū)域和傳感元件由交叉陰影區(qū)域表示。在那種情況下，傳感元件提供具有第一狀態(tài)的電輸出信號。相反地，當(dāng)傳感器24的傳感元件沒有檢測到可磁化層12中的磁化區(qū)域時，此時所述可磁化層沒有被局部照射，傳感元件由白色區(qū)域表示。在那種情況下，傳感元件提供具有第二狀態(tài)的電輸出信號。
在圖4的實例中，各個宏單元包括四比特，并且單一光點(diǎn)同時應(yīng)用于各個宏單元。通過光點(diǎn)40例如從左至右執(zhí)行信息層11的掃描，同時伴隨著增加橫向位移，此橫向位移等于兩個比特位之間的間距。
在位置A，所有的光點(diǎn)被應(yīng)用于不透明區(qū)域，以致磁性傳感器的傳感元件處于第二狀態(tài)。
在位置B，在光點(diǎn)第一次位移到右側(cè)之后，移向左側(cè)的光點(diǎn)被應(yīng)用于透明區(qū)域，以致在可磁化層中產(chǎn)生磁化區(qū)域，并且對應(yīng)的傳感元件處于第一狀態(tài)。兩個其它的光點(diǎn)被應(yīng)用于不透明區(qū)域，以致兩個對應(yīng)的傳感元件處于第二狀態(tài)。
在位置C，在光點(diǎn)第二次位移到右側(cè)之后，移向左側(cè)的光點(diǎn)被應(yīng)用于不透明區(qū)域，對應(yīng)的傳感元件處于第二狀態(tài)，同時兩個其它的光點(diǎn)被應(yīng)用于透明區(qū)域，以致兩個對應(yīng)的傳感元件處于第一狀態(tài)。
在位置D，在光點(diǎn)第三次位移到右側(cè)之后，中心光點(diǎn)被應(yīng)用于不透明區(qū)域，對應(yīng)的傳感元件處于第第二狀態(tài)，同時兩個其它的光點(diǎn)被應(yīng)用于透明區(qū)域，以致兩個對應(yīng)的傳感元件處于第一狀態(tài)。
當(dāng)光點(diǎn)已經(jīng)被應(yīng)用于面向傳感器傳感元件的宏單元的所有比特時，信息層的宏單元就完成掃描。由于被應(yīng)用于信息層的光點(diǎn)形成二維數(shù)組，所以面向傳感器的傳感元件被連續(xù)地逐行讀取，并且對于每一行進(jìn)行逐比特讀取。此表示信息層的二維掃描。
應(yīng)當(dāng)注意，磁化區(qū)域并不總是準(zhǔn)確地面向?qū)?yīng)的傳感元件，并且可能有時位于另一個傳感元件的檢測區(qū)域中。這通常不成問題，因為傳感元件適應(yīng)于檢測比預(yù)定閾值更高的磁化，所述閾值的設(shè)定滿足以下條件，即面向所給予宏單元的傳感元件對于所給予宏單元的透明比特能被激化，而對于鄰近所給予宏單元的宏單元的透明比特不被激化。因此傳感元件的檢測閾值被調(diào)到檢測對應(yīng)于面向所述傳感元件的宏單元比特的磁化區(qū)域，并且不會檢測對應(yīng)于除了面向所述傳感元件之外的宏單元比特的磁化區(qū)域。
換句話說，一些間隔可以被插入到宏單元和對應(yīng)于傳感元件之間。此外，在比特檢測誤差方面的某一概率可以通過適當(dāng)?shù)腻e誤校正方案來接收和糾正。
還應(yīng)當(dāng)注意，傳感元件的尺寸可以小于磁化區(qū)域，這允許介質(zhì)和傳感器之間存在一定的偏心誤差。磁性傳感器可以對于磁化的平行或正交分量敏感，其中此磁化在磁化區(qū)域中并取決于磁化方向。
在本發(fā)明的另一個具體實施方式
中，可磁化層與數(shù)據(jù)存儲媒體物理上相分離，并且被嵌入到讀取裝置中。在該情況下，存儲介質(zhì)是包括信息層的傳統(tǒng)介質(zhì)，并且讀取裝置包括可磁化層?？纱呕瘜踊蛘呤欠蛛x部件或者是集成在磁性傳感器內(nèi)部。即使要求進(jìn)一步增強(qiáng)魯棒性和抗污染能力，這種實施方案也可以提供。
與MROM系統(tǒng)相比，本發(fā)明對污染物減小了敏感度，同時信息層和傳感器之間的間隙是磁化區(qū)域的尺寸級別，而代替原始的比特級別。換句話說，可磁化層允許增加傳感器和信息層之間的間隙。
與光學(xué)系統(tǒng)相比，本發(fā)明更簡單并且更便宜，同時使用磁性傳感器來代替CMOS或CCD圖象傳感器。此外，不需要光學(xué)器件使信息層成像到傳感器上。
在存儲介質(zhì)上的信息可以被復(fù)制，使得該存儲系統(tǒng)適合于內(nèi)容分配。
不應(yīng)當(dāng)把在以下權(quán)利要求中的任何參考符號看作是限制權(quán)利要求。很明顯地，使用動詞″包括″及其結(jié)合不會排除除了在任何權(quán)利要求中所規(guī)定之外的任何其它步驟或元件的存在。在元素或步驟之前的字″一″不會排除多個此元件或步驟的存在。
權(quán)利要求
1.一種存儲介質(zhì)(10)包括-一信息層(11)，其包括透明區(qū)域和存儲信息的不透明區(qū)域，和-一可磁化層(12)，其至少包含一個磁化區(qū)域(14)，當(dāng)光點(diǎn)(17)通過信息層對應(yīng)的透明區(qū)域(15)被傳輸時暫時產(chǎn)生該磁化區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲介質(zhì)(10)，進(jìn)一步包括一分離層(16)，以致所述磁化區(qū)域(14)大于對應(yīng)的透明區(qū)域(15)。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲介質(zhì)(10)，其中信息層(11)包括被放置在宏單元中的一組數(shù)據(jù)比特，每個宏單元規(guī)定為通過單一光點(diǎn)被讀取。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲介質(zhì)(10)，其中可磁化層(14)由鐵磁性材料組成，以致在室溫下所述物質(zhì)的磁化接近于零，而在較高溫度下就得以磁化。
5.一種用于讀取來自如權(quán)利要求1所述存儲介質(zhì)(10)的信息的讀取裝置，所述讀取裝置包括-一光學(xué)元件(23)，用于產(chǎn)生來自輸入光束(21)的一組光點(diǎn)，當(dāng)光點(diǎn)(17)穿過信息層(11)的對應(yīng)透明區(qū)域(15)時，光點(diǎn)被用于在可磁化層(12)中暫時產(chǎn)生磁化區(qū)域(14)，和-一磁性傳感器(24)，包括用于檢測至少一個磁化區(qū)域的一組傳感元件。
6.如權(quán)利要求5所述的讀取裝置，進(jìn)一步包括調(diào)相器(22)，用于通過應(yīng)用相位輪廓到輸入光束(21)和通過改變相位輪廓來掃描存儲介質(zhì)。
7.如權(quán)利要求6所述的讀取裝置，其中調(diào)相器(22)位于輸入光束21的光徑上。
8.如權(quán)利要求6所述的讀取裝置，其中調(diào)相器(22)被放置在光學(xué)元件(23)和存儲介質(zhì)(10)之間。
9.如權(quán)利要求5所述的讀取裝置，其中磁性傳感器是通道磁致電阻傳感器或巨型磁致電阻傳感器。
10.一種用于從存儲介質(zhì)讀取信息的讀取裝置，所述存儲介質(zhì)包括一信息層，其中該信息層包括透明區(qū)域和其中存儲信息的不透明區(qū)域，所述讀取裝置包括-一光學(xué)元件(23)，用于產(chǎn)生來自輸入光束(21)的一組光點(diǎn)，-一可磁化層，可包含至少一個磁化區(qū)域，當(dāng)光點(diǎn)經(jīng)過信息層的對應(yīng)透明區(qū)域被傳輸時，暫時產(chǎn)生該磁化區(qū)域，和-一磁性傳感器(24)，包括用于檢測至少一個磁化區(qū)域的一組傳感元件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種存儲介質(zhì)(10)，包括一信息層(11)，其中該信息層包括透明區(qū)域和存儲信息的不透明區(qū)域，和一可磁化層(12)，其至少包含一個磁化區(qū)域(14)，當(dāng)光點(diǎn)(17)通過信息層對應(yīng)的透明區(qū)域(15)被傳輸時暫時產(chǎn)生該磁化區(qū)域。本發(fā)明還涉及一種讀取裝置，用于讀取在此存儲介質(zhì)(10)上的信息。所述讀取裝置包括一光學(xué)元件(23)，用于產(chǎn)生來自輸入光束(21)的一組光點(diǎn)，當(dāng)光點(diǎn)經(jīng)過信息層(11)的對應(yīng)透明區(qū)域時被用于在可磁化層(12)中暫時產(chǎn)生磁化區(qū)域，和一磁性傳感器(24)，包括用于檢測至少一個磁化區(qū)域的一組傳感元件。
文檔編號G11B13/04GK1886802SQ200480035111
公開日2006年12月27日 申請日期2004年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月28日
發(fā)明者R·亨德里克斯, G·菲利普斯, J·盧伊格洛克, F·彭寧, F·齊普 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司