專利名稱：帶有最佳功率校準(zhǔn)區(qū)的多層可寫光學(xué)記錄載體、以及用于在這種記錄載體上形成最佳功 ...的制作方法
以及用于在這種記錄載體上形成最佳功率校準(zhǔn)區(qū)的方法和設(shè)備本發(fā)明涉及一種可寫光學(xué)記錄載體，更加具體地說，涉及一種可記錄WORM或RW盤，其包括由一種間隔材料分隔開的多個(gè)記錄層，每個(gè)記錄層包括最佳功率校準(zhǔn)(OPC)區(qū)。本發(fā)明還涉及一種用于在這種可寫光學(xué)記錄載體上形成最佳功率校準(zhǔn)區(qū)的方法和設(shè)備。
對數(shù)據(jù)存儲容量的日益增長的需求已經(jīng)導(dǎo)致開發(fā)高密度光學(xué)記錄介質(zhì)，例如一次寫入或可重寫DVD盤和藍(lán)光盤(BD)。在這些情況中，已經(jīng)通過增大物鏡的數(shù)值孔徑(NA)和通過減小記錄/讀取激光的波長，使得數(shù)據(jù)容量得到了提高。
用于獲得高存儲容量的一種補(bǔ)充方案是增加記錄層的數(shù)量。例如，通過引入n個(gè)信息存儲層，可使數(shù)據(jù)容量提高n倍。對于DVD+R、DVD+RW、BD-R和BD-RW介質(zhì)，當(dāng)前正是沿用的后一方案。兩倍增加(在雙層盤中)是已知的，而四倍增加(在四層盤中)正處在研究階段。
目前已知有兩種主要不同的寫入原理在一次寫入介質(zhì)(例如，CD-R、DVD+R和DVD-R)的情況下是染料記錄，在可重寫介質(zhì)(例如CD-RW、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW和BD-RW)的情況下是相變記錄。
相變記錄層通常包括一種相變材料，其典型的為夾在兩個(gè)介電ZnS-SiO2層之間的疊層中的具有持久多晶結(jié)構(gòu)的合金。由記錄信號調(diào)制的用其照射記錄載體的寫入激光束的能量將被相變材料最大程度的吸收，由此引起從晶相到非晶相的相變。而晶相(基態(tài))具有較高的反射率，非晶相(寫入狀態(tài))具有減小的反射率。因此，取決于讀取光束是撞擊在寫入?yún)^(qū)(標(biāo)記)還是未寫入?yún)^(qū)(脊)上，記錄層以不同的強(qiáng)度反射聚焦在所述記錄疊層上的讀取光束。
染料記錄層典型的由包括染料材料(類似，例如青藍(lán)、酞菁或金屬化偶氮物)的有機(jī)染料層和反射金屬層構(gòu)成，所述反射金屬層典型的由金、銀或鋁構(gòu)成。寫入激光束將被記錄層部分地吸收，從而持久和不可逆地漂白和分解染料材料。照到以那樣的方式寫入的標(biāo)記上的讀取光束將被那個(gè)標(biāo)記部分地散射。因此，在反射金屬層上反射的光的強(qiáng)度取決于讀取光束是照到一個(gè)標(biāo)記上還是幾乎不受干擾的通過記錄層。
這樣，層的記錄狀態(tài)包括該層平均反射的變化，并且還影響其透射。在多層盤的情況下，這意味著在一個(gè)指定(焦點(diǎn)對準(zhǔn)(in-focus))層上進(jìn)行的讀取和寫入一般受盤中存在另外的(焦點(diǎn)未對準(zhǔn)(out-of-focus))層的影響。在物鏡的NA范圍內(nèi)，接著根據(jù)標(biāo)記(代表數(shù)據(jù))在那個(gè)區(qū)域中的焦點(diǎn)未對準(zhǔn)層中的存在情況，在焦點(diǎn)未對準(zhǔn)層處產(chǎn)生的雜散光與它們的平均反射成比例。另外，焦點(diǎn)未對準(zhǔn)層中存在數(shù)據(jù)會(huì)導(dǎo)致那些層的透射性質(zhì)不同。因此，當(dāng)激光束通過一個(gè)或多個(gè)層時(shí)，由焦點(diǎn)對準(zhǔn)層接收的光學(xué)功率被改變，并且根據(jù)在物鏡的NA范圍內(nèi)周圍層是否包含數(shù)據(jù)可獲得不同的最佳條件(即，寫入功率，焦點(diǎn)偏移等)。
眾所周知為了在光盤上獲得最好質(zhì)量的記錄數(shù)據(jù)，驅(qū)動(dòng)器在記錄處理之前執(zhí)行最佳功率校準(zhǔn)過程(OPC)。通過該OPC過程，驅(qū)動(dòng)器確定用于記錄數(shù)據(jù)的最佳功率。通常，無論何時(shí)將盤(空的或部分記錄的)插入到驅(qū)動(dòng)器中都執(zhí)行該OPC過程。對于多層光盤來說，對于一層進(jìn)行OPC過程的結(jié)果可能取決于是否在另外的層中存在數(shù)據(jù)。
為了避免在多層光盤中獲得差質(zhì)量的記錄數(shù)據(jù)，則必須要解決這些影響。在歐洲專利申請1244096中，提出了一種具有多個(gè)記錄層每個(gè)記錄層都具有OPC測試區(qū)的盤。這些OPC測試區(qū)包括具有最佳功率傳遞路徑的部分和具有最低功率傳遞路徑的部分。然而，在這種盤中，由這些OPC測試區(qū)占據(jù)的空間非常大。
本發(fā)明的目的是提供一種具有多個(gè)記錄層的可寫光盤，其中配備有最佳功率校準(zhǔn)區(qū)，其對于用于最優(yōu)寫入策略的最佳寫入功率的校準(zhǔn)是有效的，因此要求最小的空間。另一個(gè)目的是提供一種用于在這種可寫光學(xué)記錄載體上形成最佳功率校準(zhǔn)區(qū)的方法和設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，該目的是通過在具有孔徑為NA的物鏡的記錄裝置中使用的可寫光盤實(shí)現(xiàn)的，所述盤包括每次由間隔材料分開的多個(gè)記錄層L0，......，Ln-1，每個(gè)記錄層包括最佳功率校準(zhǔn)區(qū)，其中至少層L0，......，Ln-2，或L1，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第一部分，其具有代表已記錄層的平均反射值，每個(gè)記錄層L0，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第二部分，其具有代表未記錄層的平均反射值，并且所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)部分地重疊使得每對相繼的記錄層Lk、Lk+1的第一部分形成一個(gè)臺階，其最小臺階尺寸wk，k+1為wk,k+1=2ϵ+NAnm2-NA2·Δk,k+1,----(1)]]>其中ε代表每個(gè)記錄層的最大半徑偏差(misalignment)，Δk，k+1代表相繼層Lk和Lk+1之間的間隔材料的厚度，nm為間隔材料的折射系數(shù)，并且其中所述多個(gè)記錄層的第一部分具有階梯的形態(tài)。
本發(fā)明考慮了在一次寫入多層介質(zhì)中，優(yōu)選地記錄將是逐層進(jìn)行的。該寫入順序也可應(yīng)用于可重寫多層盤中。對于逐層記錄最合理的實(shí)現(xiàn)方式是從頂部到底部或從底部到頂部。通過定義階梯形部分，可在OPC過程中模仿位于較高的層(higher-lying layer)中的數(shù)據(jù)影響和位于較低的層中的數(shù)據(jù)缺失，反之亦然。其優(yōu)點(diǎn)是，每次(在OPC期間和在用戶數(shù)據(jù)記錄期間)在連續(xù)層的測試和記錄期間都會(huì)遇到從位于較高和較低的層進(jìn)行反射和/或透射的相同情形，因此在盤上占據(jù)最小的空間。
根據(jù)各層將要進(jìn)行記錄的優(yōu)選順序，選擇階梯中臺階的寬度以便確保在OPC過程中，關(guān)于入射光束來自位于較高的層的雜散光總是來自代表記錄區(qū)域的部分，而來自位于較低的層的雜散光總是來自代表未記錄區(qū)的部分，或者反之亦然。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，其構(gòu)成第一方面的進(jìn)一步發(fā)展，所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)被設(shè)置成靠近所述盤的中心，所述第一部分形成同心圓。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，其構(gòu)成第一方面的進(jìn)一步發(fā)展，所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)被設(shè)置成靠近所述盤的外周，所述第一部分形成同心圓。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，其構(gòu)成第二或第三方面的進(jìn)一步發(fā)展，在遠(yuǎn)離所述盤的光束入射側(cè)的方向觀看，所述同心圓的半徑從記錄層到記錄層減小。
根據(jù)本發(fā)明的第五方面，其構(gòu)成第二或第三方面的進(jìn)一步發(fā)展，在遠(yuǎn)離所述盤的光束入射側(cè)的方向觀看，所述同心圓的半徑從記錄層到記錄層增加。
另外，根據(jù)本發(fā)明的第六方面，本發(fā)明的上述目的是通過一種在可寫光盤上形成最佳功率校準(zhǔn)區(qū)的方法實(shí)現(xiàn)的，所述記錄盤包括每次由間隔材料分開的多個(gè)記錄層L0，......，Ln-1，其中借助具有孔徑為NA的物鏡的寫入記錄裝置在所述記錄層上寫入標(biāo)記，由此在每個(gè)記錄層上形成最佳功率校準(zhǔn)區(qū)，使得至少層L0，......，Ln-2，或L1，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第一部分，其具有代表已記錄層的平均反射值，每個(gè)記錄層L0，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第二部分，其具有代表未記錄層的平均反射值，并且所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)部分地重疊使得每對相繼的記錄層Lk、Lk+1的第一部分形成一個(gè)臺階，其最小臺階尺寸為wk,k+1=2ϵ+NAnm2-NA2·Δk,k+1,]]>其中ε代表每個(gè)記錄層的最大半徑偏差，Δk，k+1代表相繼層Lk和Lk+1之間的間隔材料的厚度，nm為間隔材料的折射系數(shù)，并且其中所述多個(gè)記錄層的第一部分具有階梯的形態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的第七方面，其構(gòu)成第六方面的進(jìn)一步發(fā)展，靠近所述盤的中心寫入所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)，所述第一部分形成同心圓。
根據(jù)本發(fā)明的第八方面，其構(gòu)成第六方面的進(jìn)一步發(fā)展，靠近所述盤的外周寫入所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)，所述第一部分形成同心圓。
根據(jù)本發(fā)明的第九方面，其構(gòu)成第七或第八方面的進(jìn)一步發(fā)展，寫入所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)使得在遠(yuǎn)離所述盤的光束入射側(cè)的方向觀看，所述同心圓的半徑從記錄層到記錄層減小。
根據(jù)本發(fā)明的第十方面，其構(gòu)成第七或第八方面的進(jìn)一步發(fā)展，以這樣一種方式寫入所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)使得在遠(yuǎn)離所述盤的光束入射側(cè)的方向觀看，所述同心圓的半徑從記錄層到記錄層增加。
另外，根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，上述目的是通過被設(shè)置成用于在可寫光盤上記錄數(shù)據(jù)的設(shè)備實(shí)現(xiàn)的，所述盤包括多個(gè)記錄層L0，......，Ln-1，它們具有最大半徑偏差ε，并且由位于每兩個(gè)連續(xù)層Lk、Lk+1之間的具有厚度Δk，k+1并具有折射系數(shù)nm的間隔材料分隔開，所述設(shè)備包括具有孔徑為NA的物鏡的寫入單元，所述寫入單元被設(shè)置成用于在所述記錄層上寫入標(biāo)記；控制單元，其被設(shè)置成用于控制所述寫入單元，使得在所述記錄層的預(yù)定位置處寫入標(biāo)記，由此在每個(gè)記錄層上形成最佳功率校準(zhǔn)區(qū)，其中至少層L0，......，Ln-2，或L1，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第一部分，其具有代表已記錄層的平均反射值，每個(gè)記錄層L0，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第二部分，其具有代表未記錄層的平均反射值，并且所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)部分地重疊使得每對相繼的記錄層Lk、Lk+1的第一部分形成一個(gè)臺階，其最小臺階尺寸為wk,k+1=2ϵ+NAnm2-NA2·Δk,k+1,]]>并且其中所述多個(gè)記錄層的第一部分具有階梯的形態(tài)。
可在記錄載體本身上存儲與每個(gè)記錄層的最大半徑偏差ε、兩個(gè)連續(xù)層Lk、Lk+1之間的間隔材料的厚度Δk，k+1和間隔材料的折射系數(shù)nm相應(yīng)的信息。例如，在標(biāo)準(zhǔn)WORM或可重寫CD或DVD的情況下可將信息的一部分存儲為盤的預(yù)制凹槽中的調(diào)制擺動(dòng)信號?？蛇x擇地，可在盤上的導(dǎo)入軌跡或其它地方將信息存儲為(預(yù))記錄的數(shù)據(jù)。
在本情況中，根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，其構(gòu)成第十一方面的進(jìn)一步發(fā)展，所述設(shè)備還包括用于從所述可寫光盤獲得與每個(gè)記錄層的最大半徑偏差ε、兩個(gè)連續(xù)層Lk、Lk+1之間的間隔材料的厚度Δk，k+1和間隔材料的折射系數(shù)nm相應(yīng)的信息的裝置。
根據(jù)本發(fā)明的第十三方面，其構(gòu)成第十一方面的進(jìn)一步發(fā)展，所述控制單元被進(jìn)一步設(shè)置成用于存儲與在OPC過程期間記錄在任何一層的第二部分中的軌跡的最大數(shù)量相應(yīng)的信息，并且另外還用于在另外的層上寫入標(biāo)記使得在所有層的OPC區(qū)域的第二部分中記錄相同數(shù)量的軌跡。
本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)通過下述結(jié)合附圖的對優(yōu)選實(shí)施例的說明將變得顯而易見，其中

圖1為在OPC操作期間具有階梯形OPC區(qū)域的多層盤的截面示意圖；圖2為在一不同狀態(tài)下在OPC操作期間具有階梯形OPC區(qū)域的多層盤的截面示意圖；圖3為多層盤中的兩個(gè)記錄層的最大偏差的示意平面圖；圖4為具有n個(gè)記錄層的多層盤的剖面圖案，其示出了第一層L0和最后層Ln-1；和圖5為具有n個(gè)記錄層的多層盤的剖面圖案，其示出了一對連續(xù)層Li和Li-1。
圖1表示根據(jù)本發(fā)明的可寫光學(xué)記錄載體的第一實(shí)施例的剖面圖。所述可寫光學(xué)記錄載體在本情況中為包括四個(gè)記錄層L0至L3的多層盤100，其中相對于入射光束，L0是第一層或最外層，而L3是最深層。換句話說，L0定義了盤的光束入射側(cè)。每層L0至L3都分別包括一個(gè)OPC區(qū)101、111、121和131。除了最深層L3的OPC區(qū)之外，每個(gè)OPC區(qū)都分別具有第一部分102、112和122，其具有代表未記錄層的平均反射值。另外，每個(gè)記錄層L0至L3包括用于存儲控制數(shù)據(jù)或用戶數(shù)據(jù)的未寫入數(shù)據(jù)區(qū)104、114、124、134。在圖1中示出了從所述入射側(cè)進(jìn)入盤的OPC測試激光束106。箭頭105、115、125表示在焦點(diǎn)未對準(zhǔn)層L0至L2的OPC區(qū)的第一部分處反射的雜散光，而光束106聚焦在最深層L3上。在本情況中，只給層L0、L1、L2層提供第一部分就足夠了。然而，也可以給層L3提供具有代表記錄層的平均反射值的第一部分。
圖2表示4層盤200的相同實(shí)施例。OPC測試激光束206在本情況中被聚焦在盤200的第二層L1上，而箭頭205、225、235表示在焦點(diǎn)未對準(zhǔn)層L0、L2和L3處反射的光。更精確地，光分別在L0的OPC區(qū)域的第一(寫入)部分212和L2與L3的OPC區(qū)域的第二(未寫)部分223、233處進(jìn)行反射。
從圖1和2都能看出OPC區(qū)被設(shè)置成部分重疊，以致使得每對相繼記錄層的OPC區(qū)的第一部分形成一個(gè)臺階，并且所述多個(gè)記錄層的OPC區(qū)具有階梯的形態(tài)。由于其形狀，這些區(qū)域也被稱作為階梯區(qū)域。
階梯區(qū)域的方向由對各層進(jìn)行記錄的順序(從頂部到底部或從底部到頂部)定義。在圖1和2所示的實(shí)施例中，記錄的順序是從頂部到底部(L0到L3)。如果記錄的相反順序(從底部到頂部)是優(yōu)選的，則只給層L1、L2、L3提供第一部分就將是足夠的。
一般，由通用光盤記錄器在實(shí)際的記錄處理之前執(zhí)行OPC過程，因?yàn)槔缭趯?shí)時(shí)記錄影片期間，層跳躍需要執(zhí)行新的OPC過程是不可接受的，其將導(dǎo)致部分影片損失。因此，OPC區(qū)域應(yīng)在OPC過程開始之前就已存在。例如當(dāng)將“空白”盤首次安裝在記錄器上時(shí)，可借助記錄器本身通過寫入適當(dāng)標(biāo)記來產(chǎn)生所述OPC區(qū)域，或者它們已經(jīng)被預(yù)先記錄(ROM)在現(xiàn)成的盤上。在前者的情況中，可在記錄器中提供控制單元，其被設(shè)置成用于在記錄器檢測到?jīng)]有OPC區(qū)域存在時(shí)在OPC過程開始之前執(zhí)行OPC區(qū)域?qū)懭脒^程。因此，例如將要由寫入單元寫入的“偽數(shù)據(jù)”可被存儲在記錄器的表或存儲器中。所述控制單元可進(jìn)一步被設(shè)置成用于控制寫入單元以產(chǎn)生按照所存儲的偽數(shù)據(jù)調(diào)制的寫入光束。然后，在盤的層(在圖1和2所示的例子中，僅在層L0、L1、L2上)上的預(yù)定位置處寫入標(biāo)記，由此在這些層的每一個(gè)上形成最佳功率校準(zhǔn)區(qū)的第一部分，其具有代表記錄層的平均反射值。
注意，通過記錄器寫入的或預(yù)先記錄的OPC區(qū)域中的數(shù)據(jù)質(zhì)量并不重要，只要它能產(chǎn)生代表記錄層的平均反射值，例如未寫入初始態(tài)層的反射率為75％，而寫入(漂白或非晶)區(qū)域的反射率為25％。
在下面，我們考慮靠近盤的內(nèi)側(cè)半徑Rmin(中心)的OPC區(qū)和相對于盤的激光入射側(cè)進(jìn)行從頂部到底部記錄的情況。本發(fā)明也可應(yīng)用于底部到頂部記錄。另外，下列論述可以以直接的方式擴(kuò)展至任何其它半徑，優(yōu)選的擴(kuò)展至靠近盤的外徑Rmax(外周)的OPC區(qū)域。
為了確保在OPC期間和在用戶數(shù)據(jù)記錄期間遇到相同的情形(由/通過上面和下面層的反射/透射)，接下來要確定最小階梯寬度。考慮了兩種影響各層的偏差或偏心率以及入射激光束的錐形光束的頂角。
入射讀取或?qū)懭牍馐捎涗浧鞯淖x取/寫入單元的物鏡進(jìn)行聚焦。這就產(chǎn)生一個(gè)具有由物鏡的數(shù)值孔徑NA定義的頂角θ的錐形光束。它是NA＝nm×sin(Θ)， (2)其中nm是通過其傳播的介質(zhì)的折射系數(shù)，所述介質(zhì)例如是將記錄層分隔開的間隔材料。
在位于距離Δ處的焦點(diǎn)未對準(zhǔn)層上，產(chǎn)生的光點(diǎn)半徑R為R=Δ×sin2(Θ)1-sin2(Θ)=Δ×NAnm2-NA2----(3)]]>通過該半徑R確定階梯區(qū)域的最小寬度以便保證OPC測試光束總是通過具有代表已記錄層的平均反射的位于較高的層(頂部到底部記錄)。
到現(xiàn)在為止，還未考慮各層的可能偏差的情況。多層盤中的層應(yīng)關(guān)于一個(gè)參考點(diǎn)，例如盤的重力的理想幾何中心對齊。相對于該參考點(diǎn)，各個(gè)層定位的公差，換句話說各層的預(yù)制凹槽螺旋的偏心距為ε。這意味著多層盤中的任何層對相對于彼此都幾乎偏移+2ε或-2ε，參見圖3。示出了兩個(gè)典型層的OPC區(qū)域的內(nèi)部半徑Rmin302和312。它們的中心304、314偏移+2ε(向右)或-2ε(向左)。為了校正最大可能的偏差或偏心率，將考慮對連續(xù)層的階梯區(qū)域的寬度額外增加2ε，如下所示。
N疊層的盤的最深層Ln-1上的OPC區(qū)的開始位置被定義為ROPC，Ln-1。當(dāng)Ln-1處于焦點(diǎn)對準(zhǔn)時(shí)，第一層L0上相對于入射光的光點(diǎn)的寬度wLn-1，L0可從上面給出的等式(3)計(jì)算得到。為了保證在Ln-1中的未寫入第二部分433上執(zhí)行OPC時(shí)錐形光束406全部由L0中的寫入第一部分402捕獲，Ln-1中的OPC區(qū)域的第二部分應(yīng)開始于Rmin,Ln-1+2ϵ+Δtot×NAnm2-NA2,----(4)]]>其中Δtot為Ln-1和L0之間的總的垂直距離(所有間隔的厚度和)，參見圖4。
另外，為了保證在Lk+1中的未寫入第二部分523上執(zhí)行OPC時(shí)聚焦在層Lk+1上的光束的光錐506全部通過下一個(gè)較高層Lk中的已記錄第一部分502，兩個(gè)連續(xù)層Lk和Lk+1之間的階梯尺寸應(yīng)為wk,k+1=2ϵ+NAnm2-NA2·Δk,k+1]]>其中Δk，k+1為相繼層間的間隔厚度，參見圖5。注意，不同層之間的Δk，k+1可發(fā)生變化。
這些考慮意味著在n層盤中，對于每層Li(i＝0......n-1)的OPC區(qū)的第一部分的最小寬度wi都應(yīng)該遵守下列等式wt=2ϵ+NAnm2-NA2·Σk=0n-2Δk,k+1]]>+(1-δi,n-1)·Σk=1n-2[2ϵ+NAnm2-NA2·Δk,k+1]----(6)]]>其中，Δk，k+1為層k+1和k之間的間隔厚度。注意第一個(gè)求和項(xiàng)相當(dāng)于Ln-1和L0之間的總的間隔厚度Δtot，并且由于Kronecker德爾塔函數(shù)δi，n-1，對于i＝n-1，最后的求和項(xiàng)將趨于零。注意，最深層Ln-1并不需要具有與已記錄層相應(yīng)的平均反射值的第一部分，因?yàn)闆]有將要對其進(jìn)行聚焦的更深的層。因此，也可將wn-1設(shè)為零。另外，第一層L0并不需要具有與未記錄層相應(yīng)的平均反射值的第二部分，因?yàn)槿绻枰部梢栽诘谝粚拥挠脩魯?shù)據(jù)區(qū)中執(zhí)行OPC過程。因此，可將OPC區(qū)的最大寬度限制為w0。
通過用軌跡間距除階梯寬度來獲得需要包含(偽)數(shù)據(jù)的OPC區(qū)的第一部分中的軌跡數(shù)量。
OPC區(qū)的第二部分，即在層中發(fā)生OPC過程的地方總是被定義為鄰近其第一部分。這確保對于單盤上執(zhí)行的多OPC過程來說，在較高(較低)位于焦點(diǎn)未對準(zhǔn)層中需要有數(shù)據(jù)(沒有數(shù)據(jù))的要求被滿足，尤其是當(dāng)每層上的每個(gè)OPC使用相同數(shù)量的軌跡時(shí)。對于OPC區(qū)可用的總長度可通過其它要求來設(shè)置。
當(dāng)在OPC過程中新的測試數(shù)據(jù)被寫入到任一層的OPC區(qū)的第二部分中時(shí)，最小階梯尺寸的條件可能不再被滿足。因此，在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，用于記錄的設(shè)備被設(shè)置成用于(臨時(shí))存儲與在OPC過程期間在該層上記錄的軌跡(或數(shù)據(jù)塊)的最大數(shù)量相應(yīng)的信息。另外，它被設(shè)置成用于在其它的層上記錄導(dǎo)致代表已記錄層的平均反射值的數(shù)據(jù)或標(biāo)記，使得相同數(shù)量的軌跡(數(shù)據(jù)塊)被記錄在所有層上的OPC區(qū)的第二部分中。
例如，在NA＝0.65、nm＝1.55、Δ＝50μm、2ε＝70μm并且根據(jù)等式(6)OPC區(qū)在盤的內(nèi)徑的雙層DVD+R中，我們得到下列結(jié)果L1(最深層)中的OPC區(qū)的第二部分的第一部分內(nèi)徑開始于在從Rmin，L1處的L1軌跡的開端(內(nèi)徑)計(jì)算起的下述寬度w1＝70+0.46*50＝93μm＝126軌跡對于L0(第一層)，OPC區(qū)的第一部分的寬度從在Rmin，L0處的L0軌跡的開端計(jì)算w0＝70+0.46*50+70+0.46*50＝186mm＝251軌跡L0中的OPC區(qū)的第二部分緊跟在w0后面開始。
在NA＝0.65、nm＝1.55、Δ＝50μm、2ε＝70μm的四層DVD+R中，根據(jù)等式(6)，對在盤的內(nèi)徑上的OPC區(qū)，我們得到下列結(jié)果w3＝70+0.46*150+70+0.46*50＝139mm＝282軌跡w2＝70+0.46*150+70+0.46*50+70+0.46*50＝232mm＝314軌跡w1＝70+0.46*150+70+0.46*50+70+0.46*50+70+0.46*50＝325mm＝439軌跡，和
w0＝70+0.46*150+70+0.46*50+70+0.46*50+70+0.46*50+70+0.46*50＝418mm＝565軌跡。
每個(gè)寬度wi都是從在Rmin，Li處的相應(yīng)軌跡的開端(內(nèi)徑)開始計(jì)算的。
OPC區(qū)的第二部分再次開始于與其第一部分連續(xù)。
在除了OPC區(qū)在盤的外徑上之外其余與上述相同的實(shí)施例中，對于wi我們會(huì)得到具有相同絕對值的結(jié)果，但是具有負(fù)號。因此，每個(gè)寬度wi都是從在Rmax，Li處的相應(yīng)軌跡的末端(外徑)開始計(jì)算的。在這種情況中，優(yōu)選的應(yīng)該從外徑朝向內(nèi)徑執(zhí)行OPC。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在階梯區(qū)域中寫入的結(jié)果包含控制信息。
應(yīng)該注意本發(fā)明并不局限于包括2或4層的光學(xué)記錄載體，而是也可應(yīng)用于包括3、5或更多層的記錄載體。另外也不限制于內(nèi)徑或外徑OPC區(qū)，而是也可以應(yīng)用于任何其它OPC區(qū)的設(shè)置方式。
權(quán)利要求
1.在具有孔徑為NA的物鏡的記錄裝置中使用的可寫光盤，包括每次由間隔材料分開的多個(gè)記錄層L0，......，Ln-1，每個(gè)記錄層包括最佳功率校準(zhǔn)區(qū)，其中至少層L0，......，Ln-2，或L1，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第一部分，其具有代表已記錄層的平均反射值，每個(gè)記錄層L0，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第二部分，其具有代表未記錄層的平均反射值，并且所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)部分地重疊使得每對相繼的記錄層Lk、Lk+1的第一部分形成一個(gè)臺階，其最小臺階尺寸wk，k+1為wk,k+1=2ϵ+NAnm2-NA2·Δk,k+1,]]>其中ε代表每個(gè)記錄層的最大半徑偏差，Δk，k+1代表相繼層Lk和Lk+1之間的間隔材料的厚度，nm為間隔材料的折射系數(shù)，并且其中所述多個(gè)記錄層的第一部分具有階梯的形態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可寫光盤，其特征在于所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)被設(shè)置成靠近所述盤的中心，所述第一部分形成同心圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可寫光盤，其特征在于所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)被設(shè)置成靠近所述盤的外周，所述第一部分形成同心圓。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的可寫光盤，其特征在于在遠(yuǎn)離所述盤的光束入射側(cè)觀看，所述同心圓的半徑從記錄層到記錄層減小。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的可寫光盤，其特征在于在遠(yuǎn)離所述盤的光束入射側(cè)觀看，所述同心圓的半徑從記錄層到記錄層增加。
6.在可寫光盤上形成最佳功率校準(zhǔn)區(qū)的方法，所述盤包括由間隔材料分開的多個(gè)記錄層L0，......，Ln-1，其中借助具有孔徑為NA的物鏡的寫入記錄裝置在所述記錄層上寫入標(biāo)記，由此在每個(gè)記錄層上形成最佳功率校準(zhǔn)區(qū)，使得至少層L0，......，Ln-2，或L1，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第一部分，其具有代表已記錄層的平均反射值，每個(gè)記錄層L0，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第二部分，其具有代表未記錄層的平均反射值，并且所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)部分地重疊使得每對相繼的記錄層Lk、Lk+1的第一部分形成一個(gè)臺階，其最小臺階尺寸為wk,k+1=2ϵ+NAnm2-NA2·Δk,k+1,]]>其中ε代表每個(gè)記錄層的最大半徑偏差，Δk，k+1代表相繼層Lk和Lk+1之間的間隔材料的厚度，nm為間隔材料的折射系數(shù)，并且其中所述多個(gè)記錄層的第一部分具有階梯的形態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于靠近所述盤的中心寫入所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)，所述第一部分形成同心圓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于靠近所述盤的外周寫入所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)，所述第一部分形成同心圓。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于寫入所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)使得在遠(yuǎn)離所述盤的光束入射側(cè)觀看，所述同心圓的半徑從記錄層到記錄層減小。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于寫入所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)使得在遠(yuǎn)離所述盤的光束入射側(cè)觀看，所述同心圓的半徑從記錄層到記錄層增加。
11.被設(shè)置成用于在可寫光盤上記錄數(shù)據(jù)的設(shè)備，所述盤包括多個(gè)記錄層L0，......，Ln-1，它們具有最大半徑偏差ε，并且由位于每兩個(gè)相繼層Lk、Lk+1之間的具有厚度Δk，k+1并具有折射系數(shù)nm的間隔材料分隔開，所述設(shè)備包括具有孔徑為NA的物鏡的寫入單元，所述寫入單元被設(shè)置成用于在所述記錄層上寫入標(biāo)記；控制單元，其被設(shè)置成用于控制所述寫入單元，使得在所述記錄層的預(yù)定位置處寫入標(biāo)記，由此在每個(gè)記錄層上形成最佳功率校準(zhǔn)區(qū)，其中至少層L0，......，Ln-2，或L1，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第一部分，其具有代表已記錄層的平均反射值，每個(gè)記錄層L0，......，Ln-1的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第二部分，其具有代表未記錄層的平均反射值，并且所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)部分地重疊使得每對相繼的記錄層Lk、Lk+1的第一部分形成一個(gè)臺階，其最小臺階尺寸為wk,k+1=2ϵ+NAnm2-NA2·Δk,k+1,]]>并且其中所述多個(gè)記錄層的第一部分具有階梯的形態(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其特征在于所述設(shè)備還包括用于從所述可寫光盤獲得與每個(gè)記錄層的最大半徑偏差ε、兩個(gè)連續(xù)層Lk、Lk+1之間的間隔材料的厚度Δk，k+1和間隔材料的折射系數(shù)nm相應(yīng)的信息的裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其特征在于所述控制單元被進(jìn)一步設(shè)置成用于存儲與在OPC過程期間記錄在任何一層的第二部分中的軌跡的最大數(shù)量相應(yīng)的信息，并且另外還用于在另外的層中寫入標(biāo)記使得在所有層的OPC區(qū)域的第二部分中記錄相同數(shù)量的軌跡。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種可寫光學(xué)記錄載體(100)，一種方法和一種用于在這種可寫光學(xué)記錄載體上形成最佳功率校準(zhǔn)區(qū)的設(shè)備，所述可寫光學(xué)記錄載體包括由間隔材料分開的多個(gè)記錄層L0，......，Ln－1，每個(gè)記錄層包括最佳功率校準(zhǔn)區(qū)(101，111，121，131)，所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第一部分(102，112，122)，其具有代表已記錄層的平均反射值，并且所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)具有第二部分(113，123，133)，其具有代表未記錄層的平均反射值。所述最佳功率校準(zhǔn)區(qū)部分地重疊使得每對連續(xù)的記錄層的最佳功率校準(zhǔn)區(qū)形成一個(gè)臺階，并且所述多個(gè)記錄層的第一部分具有階梯的形態(tài)。通過一對相繼的記錄層k、k+1形成的每個(gè)臺階具有優(yōu)選的最小臺階尺寸。
文檔編號G11B7/125GK1813291SQ200480017861
公開日2006年8月2日 申請日期2004年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月26日
發(fā)明者H·C·F·馬坦斯, W·R·科佩斯, R·J·A·范登奧特拉亞爾, P·H·沃爾里 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司