專利名稱：高儲存密度光學記錄材料的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有優(yōu)異記錄和讀出質量，特別是在350nm至500nm的波長范圍內具有優(yōu)異記錄和讀出質量的新型光學記錄材料。在該波長范圍內可非常有利地進行記錄和讀出，并且獲得的儲存密度比已知材料的高得多。此外，即使是在苛刻的條件下，例如暴露在陽光或熒光燈，受熱和/或高濕度環(huán)境下，本發(fā)明的材料在記錄前后也具有非常好的儲存性能。此外，它們制造簡單并且用常規(guī)涂布法如旋轉涂布制造時具有良好的再現(xiàn)性。許多用于本發(fā)明材料的化合物還不含重金屬，因此顯然有利于對金屬反射層的金屬如白金、銀或鋁進行回收利用。
J.Inf.Recording，25期，69-86頁[2000年]公開了具有下式的步花青染料 該染料可由具有下式的原料制備 其中，例如R2＝Hex并且可用于光致發(fā)光和光致折變應用的復合塑料。根據(jù)該公開文獻，五元環(huán)上的位阻3，3-二甲基亞甲基在防止結晶和制備無定形玻璃態(tài)方面特別重要；但是，在電光應用方面，該染料不能適用已知的設計原理。
JP-A-10/273484公開了包括具有下式的偶氮甲堿金屬螯合物的光學記錄介質 例如包括在488nm處具有最大吸收λmax的下式的化合物的介質 這類介質在635nm進行記錄。
JP-A-11/334204公開了包括具有以下基礎結構式的單偶氮化合物的光學記錄介質 例如在439nm處具有最大吸收λmax的下式的化合物 這類介質在488nm處進行記錄。該波長仍然比所需的長；此外，這類光學介質靈敏度低并且它們較長波長吸收峰(flank)不夠窄，因而不能滿足高品質記錄的要求。
JP-A-2000/163799描述了包括下式的巴比妥酸衍生物的光學記錄介質 例如包括在339.5nm處具有最大吸收λmax的下式的化合物的介質
這類介質在420nm處進行記錄。但是，這類光學介質同樣靈敏度低并且它們較長波長吸收峰不夠窄，因而實際應用不能令人滿意。
EP-A-1 083 555描述了包括下式化合物的光學記錄介質 例如下式的化合物 這類介質在550nm或更短波長處進行記錄，但是這些化合物同樣不能完全令人滿意。
WO-01/75873公開了在360至460nm處進行記錄的光學記錄介質，但是沒有提供任何應用實施例。在所列的眾多化合物中還包括下式的化合物 因此，已知的光學記錄介質僅能部分滿足高的要求或者不能完全令人滿意地同時滿足所有要求。
Jp-A-11/34500公開了包含以下雜環(huán)化合物的金屬絡合物染料在光學記錄材料上的用途，但是該雜環(huán)化合物在高于500nm的最大吸收λmax非常低
本發(fā)明研究針對具有高信息密度和高數(shù)據(jù)可靠性的光學記錄介質。這種記錄介質應該牢固、耐用并且使用簡單。此外，它在大規(guī)模生產時應成本低，所需設備應盡可能小和便宜，并盡量不包括對環(huán)境有害的物質如揮發(fā)性物質或有毒金屬，或者至少能輕易地處理這類對環(huán)境有害的物質。
因此，本發(fā)明涉及一種光學記錄介質，所述光學記錄介質包括基材、記錄層和反射層，其中所述記錄層包括下式的化合物或其互變異構體或鹽，如果需要，可為帶抗衡離子的中和鹽的離子化形式
其中R1為氫或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亞烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亞烷基]m、C2-C24鏈烯基、C3-C24環(huán)烷基、C3-C24環(huán)烯基、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或C7-C12芳烷基，其中每個基團是非取代的或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代；R2和R3各自獨立地為氫、NO2、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10、CN、SO3R8或SO2NR9R10或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亞烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亞烷基]m、C2-C24鏈烯基、C3-C24環(huán)烷基、C3-C24環(huán)烯基、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或C7-C12芳烷基，其中每個基團是非取代的或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代；R3可連接至R2上形成5元或6元環(huán)；R4為氫或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亞烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亞烷基]m、C2-C24鏈烯基、C3-C24環(huán)烷基、C3-C24環(huán)烯基、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或C7-C12芳烷基，其中每個基團是非取代的或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代；R4可連接至R3上形成5元或6元環(huán)；R5為R6H、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或C7-C12芳烷基，其中每個基團是非取代的或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代；R5可連接至R4上形成5元或6元環(huán)；R6為選自以下的基團-N＝N-、-O-、-S-、-SO2-、-CH＝N-和 C1-C24亞烷基、C1-C4亞烷基-[O-C2-C4亞烷基]m、C1-C4亞烷基-[NH-C2-C4亞烷基]m、C2-C24亞烯基、C3-C24亞環(huán)烷基、C3-C24亞環(huán)烯基、C6-C12芳基、C4-C12亞雜芳基和C7-C12亞芳烷基，其中每個基團是非取代的或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代；或者為多個這類基團的序列；R7以及在適當?shù)胤匠霈F(xiàn)的彼此不同的多個R7基團為鹵素、OH、O-R8、O-CO-R8、S-R8、NH2、NH-R8、NR9R10、NR8-CO-R9、NR9COOR8、CHO、羧基、氨基甲酰基、脲基、NR9-CO-NHR10、磷酸根合(phosphato)、P9R10、POR8OR9、P(＝O)OR8OR9、OPR8R9、OPR8OR9、OP(＝O)R8OR9、OP(＝O)OR8OR9、OPO3R8、硫酸根合、磺基、NO2、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10、CN、SO3R8或SO2NR9R10，或者為C1-C12烷基，其中所述烷基為非取代的或者由羥基、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10或鹵素單取代或多取代；R8、R9和R10各自獨立地為C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或C7-C12芳烷基；或者R9和R10與其共有的氮結合在一起為非取代的或者被C1-C4烷基單取代或四取代的吡咯烷、哌啶、哌嗪或嗎啉；m為1至10的數(shù)；并且M為氫或堿金屬、堿土金屬或過渡金屬，它們可具有或可不具有一個或多個配位體。
當R5為C6-C12芳基時，1個或2個R7基團特別優(yōu)選處于鄰位；處于鄰位的R7基團特別優(yōu)選為鹵素、CHO、NO2、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10、CN或C1-C12烷基，更優(yōu)選為鹵素如氟、氯或溴，或非取代的或者由羥基、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10或鹵素單取代或多取代的C1-C12烷基。
當式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物為鹽時，所述抗衡離子最好為能化學計量地平衡電荷的無機、有機或有機金屬抗衡離子，例如無機酸的陰離子，例如醇根、酚根、羧酸根、磺酸根或膦酸根；有機酸的共軛堿或有機金屬絡合物的陰離子，例如氟離子、氯離子、溴離子、碘離子、高氯酸根、高碘酸根、氰化物、氰酸根、異氰酸根、硫氰酸根、異硫氰酸根、疊氮酸根、硝酸根、1/2碳酸根、碳酸氫根、C1-C4烷基硫酸根、1/2硫酸根、硫酸氫根、一堿金屬硫酸根(monoalkali metal sulfate)、甲烷磺酸根、三氟甲烷磺酸根、甲苯磺酸根、1/3磷酸氫根、1/2一堿金屬磷酸根(1/2monoalkali metalphosphate)、二堿金屬磷酸根(dialkali metal phosphate)、1/2磷酸氫根、磷酸二氫根、六氟合磷酸根、六氟合銻酸根、1/2 C1-C4烷烴膦酸根、C1-C4烷烴-C1-C12烷基膦酸根、二-C1-C4烷基次膦酸根、四苯基硼酸根、四氟硼酸根、苯磺酸根、對-氯苯磺酸根、對-硝基苯磺酸根、苯甲酸根、乙酸根、三氟乙酸根、七氟丁酸根、1/2草酸根或另一種羧酸根、醇根、酚根(例如苯酚根)或帶負電荷的金屬絡合物，或陽離子，例如H+、Li+、K+、Na+、Mg+2、Ca+2、Sr+2、Al+3或伯、仲、叔、季銨根，例如[NR11R12R13R14]+，其中各自獨立于R1至R4的R11至R14可為其它的R1至R4基團，優(yōu)選為氫或C1-C24烷基、C2-C24鏈烯基、C3-C24環(huán)烷基、C7-C24芳烷基或C6-C10芳基，其中每個基團可為非取代的或被羥基取代并且任選被以下基團間隔一次或多次氧、銨或鏻陽離子，例如銨、甲基銨、乙基銨、異丙基銨、十五烷基銨、二環(huán)己基銨、四甲基銨、四乙基銨、四丁基銨、芐基三甲基銨、芐基三乙基銨、甲基三辛基銨、三(十二烷基)甲基銨、四丁基鏻、四苯基鏻、丁基三苯基鏻或乙基三苯基鏻。
本領域已知也可用抗衡離子影響溶解性。例如可通過選擇四-正丁基銨或Primene81-R(Rohm&Haas)作為抗衡離子提高在低和中極性溶劑(例如醚、醇或酮)中的溶解性，并且可通過選擇三-2-羥乙基銨作為抗衡離子提高在非常高極性溶劑和親水溶劑中的溶解性。
酚根或羧酸根為例如C1-C12-烷基化的，特別是叔-C4-C8-烷基化的酚類或苯甲酸的陰離子，例如 或 本領域技術人員容易認識到也可使用其熟悉的其它抗衡離子。帶多電荷的抗衡離子可中和大量單電荷陽離子或陰離子或一個帶多電荷的陽離子或陰離子，根據(jù)情況不同也可能形成如二聚物。
金屬M可為，例如Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Al3+、Ce3+、Cu+、Cu2+、Ni2+、Fe2+、Fe3+、Co2+、Co3+、Co4+、Zn2+、Pt2+、Pd2+、Sn2+、Sn4+、La3+、Ag+、Au+、Au3+、Mn+、Mn2+、Ru2+、Ru3+、Os3+、Os3+、Si4+、Ti4+或V5+。M優(yōu)選Cu2+、Ni2+和Co3+，并且M為氫也特別有益。
當M為金屬時，應理解也可存在一種或多種其它配位體，例如水、氨或任何伯、仲或叔胺、醇、醚、硫醇、硫醇、雜環(huán)配體(如吡咯、咪唑、吡唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、吲哚、異吲哚、中氮茚、吲唑、嘌呤、喹嗪、喹啉、異喹啉、1，8-萘啶、2，3-二氮雜萘、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、喋啶、咔唑、β-咔啉、吖啶、菲啶、萘嵌間二氮雜苯、1，7-菲咯啉、吩嗪、吩砒嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、噁唑、異噁唑、膦雜吲哚、噻唑、異噻唑、呋咱、吡咯烷、哌啶、2-吡咯啉、3-吡咯啉、咪唑烷、2-咪唑啉、4-咪唑啉、吡唑烷、2-吡唑啉、3-吡唑啉、哌嗪、二氫吲哚、異二氫吲哚、奎寧環(huán)、嗎啉、1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、苯并三唑、膦雜喹啉和膦雜二氫茚，其中這些雜環(huán)配位體可為非取代或可被取代)或者任何其它需要的溶劑，所述配位體可為中性形式或單-或多-脫質子形式。成鍵性質根據(jù)配位體和金屬而改變，如Fe(III)Cl、Ti(IV)O和V(V)O中的情況。適用于該目的的金屬也可存在代替配位體的共價取代基，例如硅烷中C1-C24烷基、C6-C12芳基或C7-C12芳烷基的情況。
鹵素為氯、溴、氟或碘，優(yōu)選氟或氯，特別優(yōu)選在烷基上的氟(例如三氟甲基、α，α，α-三氟乙基或全氟烷基如七氟丙基)和在芳基、雜芳基或芳烷基的芳基部分上的氯。
烷基或鏈烯基(如C1-C20烷基或C2-C20鏈烯基)可為直鏈或支化的基團。環(huán)烷基或環(huán)烯基可為直鏈或支化的、單環(huán)或多環(huán)基團。因此，C1-C24烷基可為，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2，2-二甲基丙基、正己基、庚基、正辛基、1，1，3，3-四甲基丁基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基或二十四烷基。
取代烷基為例如被鹵素、羥基或烷氧基取代的烷基；可特別提及的是三氟甲基和3-異丙氧基-丙基及其同源基團。
因此，C3-C24環(huán)烷基可為，例如環(huán)丙基、環(huán)丙基甲基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)己基甲基、三甲基環(huán)己基、苧基、降冰片基、龍腦基、降蒈烷基(norcaryl)、蒈烷基、薄荷基、降蒎基(norpinyl)、pinyl、1-金剛烷基(1-adamantyl)、2-金剛烷基(2-adamantyl)、5α-gonyl、5ζ-孕甾基(5ζ-pregnyl)、(+)-1，3，3-三甲基雙環(huán)[2.2.1]庚基(葑基)或其旋光異構體(當存在時)。
C2-C20鏈烯基和C3-C20環(huán)烯基分別為C2-C20烷基和C3-C20環(huán)烷基，其中每個可為單-或多-不飽和的并且其中兩個或多個雙鍵可任選為隔開的或共軛的。因此，C2-C24鏈烯基為，例如乙烯基、烯丙基、2-丙烯-2-基、2-丁烯-1-基、3-丁烯-1-基、1，3-丁二烯-2-基、2-戊烯-1-基、3-戊烯-2-基、2-甲基-1-丁烯-3-基、2-甲基-3-丁烯-2-基、3-甲基-2-丁烯-1-基、1，4-戊二烯-3-基，或者己烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基、十二烯基、十四烯基、十六烯基、十八烯基、二十烯基、二十一烯基、二十二烯基、二十四烯基、己二烯基、辛二烯基、壬二烯基、癸二烯基、十二碳二烯基、十四碳二烯基、十六碳二烯基、十八碳二烯基或二十碳二烯基的任何異構體。C3-C24環(huán)烯基為，例如2-環(huán)丁烯-1-基、2-環(huán)戊烯-1-基、2-環(huán)己烯-1-基、3-環(huán)己烯-1-基、2，4-環(huán)己二烯-1-基、1-對薄荷烯-8-基、4(10)-苧烯-10-基、2-降冰片烯-1-基、2，5-降冰片二烯-1-基、7，7-二甲基-2，4-降蒈二烯-3-基或莰烯基。
C7-C18芳烷基為，例如芐基、2-芐基-2-丙基、β-苯基-乙基、9-芴基、α，α-二甲基芐基、ω-苯基-丁基、ω-苯基-辛基、ω-苯基-十二基或3-甲基-5-(1’，1’，3’，3’-四甲基丁基)-芐基。此外，C7-C24芳烷基也可為，例如2，4，6-三-叔丁基芐基或1-(3，5-二芐基苯基)-3-甲基-2-丙基。當C7-C18芳烷基為被取代的基團時，可在芳烷基的烷基部分或芳基部分進行取代，優(yōu)選后者。
C6-C14芳基為，例如苯基、萘基、聯(lián)苯基、2-芴基、菲基、蒽基或三聯(lián)苯基。
C4-C12雜芳基為具有4n+2個共軛π-電子的不飽和或芳族自由基，例如2-噻吩基、2-呋喃基、2-吡啶基、2-噻唑基、2-噁唑基、2-咪唑基、異噻唑基、三唑基或任何其它適合的環(huán)體系(包括噻吩、呋喃、吡啶、噻唑、噁唑、咪唑、異噻唑、三唑、吡啶和苯環(huán)，這些環(huán)體系為非取代的或由1至6個乙基、甲基、亞乙基和/或亞甲基取代)。
此外，芳基和芳烷基也可為與金屬鍵合的芳基，例如為本領域已知的過渡金屬的茂金屬形式，更優(yōu)選為
或 優(yōu)選式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物，其中R1為非取代的或單取代的C1-C12烷基，R2為COOR8、CONR9R10或者優(yōu)選為CN，R3為氫或者優(yōu)選為C1-C4烷基，R4為C1-C4烷基或者優(yōu)選為氫，和/或R5為非取代或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代的C6-C12芳基。特別優(yōu)選式(I)、(II)、(III)或(V)的化合物，其中R1為C1-C4烷基，特別是甲基或乙基，R2為CN，R3為甲基和R4為氫。更特別優(yōu)選式(I)或(II)的化合物，特別是以下各式的化合物 或 其中M’為過渡金屬。
當R6為多個基團時，其個數(shù)優(yōu)選為2或3，直接鍵合的基團優(yōu)選彼此不同。
所述記錄層優(yōu)選包括式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物或這些化合物的混合物作為主成份，例如占至少20％重量，優(yōu)選占至少50％重量，更優(yōu)選占至少80％重量。還可包括常規(guī)組分，例如其它生色團(例如在300至1000nm具有最大吸收的那些基團)、穩(wěn)定劑、自由基捕獲劑(例如捕捉1O2)、發(fā)光猝滅劑、降低熔點劑、分解加速劑或任何其它在光學記錄介質中描述的添加劑。
當所述記錄層包括其它生色團時，這些生色團原則上可為任何能在記錄期間被激光輻射分解或改性的染料，或者對激光輻射呈惰性的染料。當所述其它生色團被激光輻射分解或改性時，可通過吸收激光輻射直接發(fā)生或者通過如熱分解本發(fā)明式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物間接誘導發(fā)生。
應理解其它生色團或著色穩(wěn)定劑可影響記錄層的光學性能。因此在使用其它生色團或著色穩(wěn)定劑時，優(yōu)選使其光學性能盡可能與式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物的相同或不相同，否則保持其它生色團的含量在較低的水平。
其它生色團的例子有UV吸收劑(使式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)染料的吸收峰向藍移)或著色穩(wěn)定劑(使式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)染料的吸收峰向紅移)，并且最大吸收位于例如NIR或IR區(qū)。也可加入其它染料用于彩色標記鑒別、色掩蔽(“金剛染料”)或提高記錄層外觀的美感。
當使用與式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物具有盡可能相同光學性能的其它生色團時，優(yōu)選這些生色團應在最長波長吸收峰范圍內。優(yōu)選其它生色團和式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物的轉折點波長最大為40nm，特別優(yōu)選20nm。在這種情況下，其它生色團對激光輻射表現(xiàn)出與式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物相似的行為，因此可使用可被式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物協(xié)同增強或提高的已知記錄組合物作為其它生色團。
當使用具有與式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物盡可能不同的光學性能的其它生色團或著色穩(wěn)定劑時，它們的最大吸收波長相對于式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)染料最好是向藍移或紅移。在這種情況下，所述最大吸收波長優(yōu)選分別為至少50nm，特別優(yōu)選為至少100nm。
當加入另一種染料以改進式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物的光學性能時，其用量取決于需達到的光學性能。本領域技術人員可幾乎沒有困難地改變其它染料與式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物的比例，直到獲得需要的結果。
當生色團或著色穩(wěn)定劑用作其它目的時，其用量優(yōu)選非常低，這樣它們對記錄層在350至450nm范圍的總吸收的貢獻最大為20％，優(yōu)選最大為10％。在這種情況下，其它的染料或穩(wěn)定劑基于記錄層的用量最好為50％重量，優(yōu)選最大為10％重量。
但是，特別優(yōu)選不加入其它的生色團，除非這種生色團是著色穩(wěn)定劑。
除式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物外，可用于記錄層的其它生色團的例子有花青和花青金屬絡合物(US 5 958 650)、苯乙烯基化合物(US-6 103 331)、氧雜菁染料(EP-A-833 314)、偶氮染料和偶氮金屬絡合物(JP-A-11/028865)、酞菁(EP-A-232 427、 EP-A-337 209、EP-A-373 643、EP-A-463 550、EP-A-492 508、EP-A-509 423、EP-A-511 590、EP-A-513 370、EP-A-514 799、EP-A-518 213、EP-A-519 419、EP-A-519 423、EP-A-575 816、EP-A-600 427、EP-A-676 751、EP-A-712 904、WO-98/14520、WO-00/09522、CH-693/01)、卟啉、dipyrromethene染料及其金屬螯合化合物(EP-A-822 544、EP-A-903733)、呫噸染料及其金屬絡合物鹽(US-5 851 621)或方酸化合物(EP-A-568 877)，還有噁嗪、二噁嗪、二氮雜苯乙烯基、甲、蒽醌或吩噻嗪或其它紫菜嗪(EP-A-822 546、US-5 998 093、JP-A-2001/277723)；所列物質并非窮舉并且本領域技術人員會理解還包括如在CH 2001519/01或CH 2001 2102/01中公開的已知染料。
當所述記錄層包括其它生色團時，應優(yōu)選這些生色團的用量很低，使得其在整個固體層的最長波長吸收峰的轉折點的波長處的吸收占整個固體層中式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的純化合物在相同波長下吸收的分數(shù)最好不大于1/3，優(yōu)選不大于1/5，更優(yōu)選不大于1/10。所述最大吸收優(yōu)選大于425nm，特別優(yōu)選大于500nm。
穩(wěn)定劑或發(fā)光猝滅劑的例子有含N-或S-的烯醇化物、酚鹽、雙酚鹽、硫醇鹽或雙硫醇鹽的金屬絡合物；或者偶氮、偶氮甲堿或甲染料的金屬絡合物，如Irgalan Bordeaux EL(Ciba SpecialtyChemicals Inc.)、Cibafast N(Ciba Speciaty Chemicals Inc.)或類似的化合物；位阻酚及其衍生物(也任選作抗衡離子X)，如Cibafast AO；鄰羥基苯基-三唑或三嗪或其它UV吸收劑，例如Cibafast W或Cibafast P；或位阻胺(TEMPO或HALS，也就是硝基氧或NOR-HALS，同樣可任選作抗衡離子X)；以及作為陽離子的二亞銨、ParaquatTM或OrthoquatTM鹽，例如KayasorbIRG 022或KayasorbIRG040。Irgalan和Cibafast是Ciba Specialty Chemicals公司的商標，Kayasorb是Nippon Kayaku有限公司的商標。
許多這類結構是已知的，其中一些也與光學記錄介質有關，例如US-5 219 707、JP-A-06/199045、JP-A-07/76169或JP-A-07/262604中的結構。它們也可為，例如任何所需的陽離子(例如在US-5 851 621或US-6 228 911中公開的陽離子)與金屬絡合物陰離子的鹽。
CH 2001 519/01或CH 2001 2102/01中公開的中性金屬絡合物也適用，并且這些也通過引用結合到本文中。
可提及的這類金屬絡合物添加劑的具體例子有銅的絡合物，由下式的化合物舉例說明 或 還可具體提及的有雙酚根合鎳，例如下式的化合物所示
作為本發(fā)明式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物，以及在380nm至440nm進行寫和讀的光學介質中的任何其它染料也通用的添加劑，特別優(yōu)選下文的抗衡離子形式或鹽形式的式(IX)的偶氮金屬絡合物陰離子，所述陰離子在接近405至410nm處具有最小吸收。
因此，本發(fā)明也涉及包括基材、記錄層和反射層的光學記錄介質，其中所述光學記錄介質適合在380至440nm的波長范圍進行記錄和讀出，所述記錄層包括在380至440nm的波長范圍具有最大吸收的化合物以及式(IX)的化合物 所述化合物可為非取代或取代和/或可為異構體形式。
式(IX)中最好存在其它取代基和/或異構現(xiàn)象，條件是所討論的化合物具有等效的光學性能，例如其在二甲基甲酰胺中的最大吸收λmax與式(IX)的化合物的最大吸收λmax的差最大為±10nm，優(yōu)選最大為±5nm。然而，所述化合物更優(yōu)選為式(IX)的化合物。
本領域技術人員可從其它光學信息介質了解，或者易于認識到添加劑的濃度具體需與其使用目的良好對應?；谑?I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的記錄劑計算，添加劑的合適濃度為例如0.001至1000％重量，優(yōu)選1至50％重量。
本發(fā)明的光學記錄材料顯示出固態(tài)無定形記錄層的優(yōu)異光譜性能。由于這種固體材料具有低得令人驚奇的在固體材料中積聚的趨勢，所以吸收譜帶窄且強，在長波長一側的陡度特別大。意外且非常有利地是，該材料沒有形成或者僅形成了可忽略程度的二聚體。所述層在未寫入狀態(tài)時在寫和讀波長區(qū)域的反射率很高。
由于具有這些優(yōu)異的涂層性能，因此可得到具有高敏感度、高再現(xiàn)性和凹坑(pit)的幾何邊界非常精確的快速光學記錄材料，其折射率和反射率經(jīng)過充分改性，致使對比度很高。凹坑的長度和間距(“跳動”)的容許誤差非常小。由于較細的記錄光道具有較窄的光道間隔(“螺距”)，結果儲存密度很高。此外，記錄的數(shù)據(jù)可以令人驚奇的低錯誤率進行讀出，致使更正錯誤僅需要少量儲存空間。
由于溶解性優(yōu)異(即使在非極性溶劑中也是如此)，因此也可使用高濃度溶液而不會例如在儲存期間出現(xiàn)不符合需要的沉淀，這樣旋轉涂布過程中存在的問題大部分被消除了。
可在相同波長下進行記錄和讀出。最好使用具有單激光源的簡單透鏡，其中激光的波長范圍最好為350至500nm，尤其可高達480nm，優(yōu)選370至450nm。特別優(yōu)選波長在370至390nm的UV區(qū)，尤其是接近380nm，或者在390至430nm的可見光區(qū)邊緣，尤其是接近405±5nm。在配有高倍數(shù)字光圈透鏡的小型藍色或紫色激光二極管(例如nichia GaN 405nm)的能力范圍內，由于所述凹坑非常小并且光道非常窄，因此在120mm的光盤上每個記錄層可達到接近20至25Gb的存儲容量。在380nm處，也可使用銦-摻雜的UV-VCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser)；這種激光源為現(xiàn)有的主型號[Jung Han等，參見MRS Intemet J.Nitride Semicond.Res.5S1，W6.2(2000)]。此外，通過轉換更長波長的激光源(例如700至1000nm波長范圍的激光源)的二次諧波振蕩來產生350至500nm的波長也是已知的。
因此，本發(fā)明也涉及了記錄或讀出數(shù)據(jù)的方法，所述方法包括在350至550nm的波長下從本發(fā)明的光學記錄介質上記錄或讀出數(shù)據(jù)。
所述記錄介質基于已知記錄介質的結構并且可由例如以下幾部分構成透明基材；記錄層，包括式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物中的至少一種；反射層；和覆蓋層，其中寫和讀透過基材進行。
適合的基材包括，例如玻璃、礦物、陶瓷和熱固性或熱塑性塑料。優(yōu)選的載體為玻璃和均聚塑料或共聚塑料。適合的塑料包括，例如熱塑性聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯、聚氨酯、聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚酰亞胺、熱固性聚酯和環(huán)氧樹脂。特別優(yōu)選聚碳酸酯基材，所述基材可通過如注射成型的方法制備。所述基材可為單一的形式或者也可包括常規(guī)添加劑，例如UV吸收劑或染料，如JP-A-04/167239提出的適用于記錄層的光穩(wěn)定作用的UV吸收劑或染料。對于后一種情況，加入到承載基材中的染料最好在寫入波長(激光的發(fā)射波長)的范圍內，不顯示吸收或者至多有少量吸收，優(yōu)選最高可達接近20％的激光聚焦到所述記錄層上。
有利的是，當所述基材至少在350至500nm的一部分范圍內為透明時，至少在其上寫或讀入射波長的80％的光可以透過。所述基材最好具有10μm至2mm，優(yōu)選100至1200μm，更優(yōu)選600至1100μm的厚度，同時優(yōu)選在涂覆層一側具有螺旋形導向槽(光道)，槽深為10至200nm，優(yōu)選80至150nm，槽寬為100至400nm，優(yōu)選150至250nm，并且2個旋轉光道的間距為200至600nm，優(yōu)選350至450nm。已知凹槽的各種截面形狀，例如矩形、梯形或V-形。另外，與為人熟知的CD-R和DVD-R介質類似，所述導向槽要經(jīng)受小周期或準周期的橫向偏轉(“搖擺”)，使轉速和讀頭的絕對定位同步(“吸合(pick-up)”)?？赏ㄟ^在相鄰槽之間作記號(“預-燒蝕凹坑”)以代替或增補偏轉的功能。
如通過旋轉涂布溶液來施涂所述記錄組合物，試圖提供盡可能為非晶態(tài)的涂層，其在表面(“凸區(qū)”)上的厚度最好為0至40nm，優(yōu)選1至20nm，更優(yōu)選2至10nm，并且其在凹坑中的厚度(取決于凹坑的幾何形狀)最好為20至150nm，優(yōu)選50至120nm，更優(yōu)選60至100nm。
適用于反射層的反射材料優(yōu)選為易于反射用于記錄和讀出的激光輻射的金屬，例如化學元素周期表的第三、第四和第五主族和副族的金屬。以下金屬特別適用Al、In、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt和鑭系金屬Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu及其合金。
由于有高反射率并且易于制備，因此特別優(yōu)選鋁、銀、金或其合金的反射層，出于對經(jīng)濟和生態(tài)的考慮，更優(yōu)選鋁反射層。反射層的厚度最好為5至200nm，優(yōu)選10至100nm，更優(yōu)選40至60nm，但是也可使用較厚的如1μm或更厚的反射層。
適合的覆蓋層材料主要為塑料，該覆蓋層是一層直接或在增粘劑的輔助下涂到反射層上的薄層。最好選擇對機械和熱穩(wěn)定的塑料，其具有優(yōu)良的可修改(例如寫入)的表面性能。所述塑料可為熱固性或熱塑性塑料。如果是直接涂覆的覆蓋層，優(yōu)選輻射固化(例如使用UV輻射固化)的涂料，這樣生產特別簡單和經(jīng)濟。已知大量的輻射固化材料。輻射固化單體和低聚物的例子包括丙烯酸和甲基丙烯酸的二元醇酯、三元醇酯和四元醇酯，芳族四元羧酸和芳族二元胺的聚酰亞胺(在至少兩個與氨基相鄰的位置具有C1-C4烷基)，和具有二烷基順丁烯二酰亞氨基(如二甲基順丁烯二酰亞氨基)的低聚物。作為用增粘劑涂覆的覆蓋層，優(yōu)選使用與底層相同的材料，特別優(yōu)選聚碳酸酯。所述增粘劑同樣優(yōu)選輻射固化單體和低聚物。可用包括記錄層和反射層的第二種基材代替用增粘劑涂覆的覆蓋層，這樣記錄介質的兩側都可使用。優(yōu)選在反射面上直接通過增粘劑或中間層將兩部分彼此結合在一起以形成對稱結構。
在這種結構形式中，覆蓋層或覆蓋材料本身的光學性能除了用于固化(例如，可通過UV輻射適當?shù)貙嵤?外，基本上沒有其它作用。覆蓋層的主要作用是確保整個記錄介質的機械性能和薄反射層的機械性能(如果有必要)。當所述記錄介質足夠穩(wěn)定，例如存在厚反射層時，甚至可完全省去覆蓋層。覆蓋層的厚度取決于整個記錄介質的厚度(優(yōu)選最厚約為2mm)。所述覆蓋層的厚度優(yōu)選為10μm至1mm。
本發(fā)明的記錄介質也可有附加層，例如干擾層或屏蔽層。記錄介質也可由許多層(例如二至十層)記錄層構成。本領域技術人員熟知這類材料的結構和用途。在適當時，優(yōu)選在記錄層和反射層之間和/或在記錄層和基材之間設置干擾層，所述干擾層由例如EP-A-0 353393中描述的TiO2、Si3N4、ZnS或硅樹脂組成。
本發(fā)明的記錄介質可根據(jù)本領域已知的方法制備，可根據(jù)使用的材料和它們的操作模式而所用各種涂布方法。
適用的涂布方法包括例如浸涂、澆涂、刷涂、刮涂和旋轉-傾注涂布以及汽相淀積法(在高真空下實施)。例如，當使用澆涂法時，通常使用在有機溶劑中的溶液。當使用溶劑時，必須確保所用載體對這些溶劑不敏感。例如在EP.A-0 401 791中描述了適合的涂布方法和溶劑。
優(yōu)選通過旋轉涂布染料溶液來施涂記錄層，已證明特別適合的溶劑有醇類(例如2-甲氧基乙醇、異丙醇或正丁醇)、羥基酮(例如雙丙酮醇或3-羥基-3-甲基-2-丁酮)、羥基酯(例如乳酸甲酯或異丁酸甲酯)，或者優(yōu)選氟化醇(例如2，2，2-三氟乙醇或2，2，3，3-四氟-1-丙醇)及其混合物。在例如EP A-0 483 387中描述了其它適合的溶劑。
優(yōu)選通過在真空中原子化(濺射)或通過汽相淀積來鍍金屬反射層。這些技術是已知的并且在專業(yè)書籍中有描述(例如J.L.Vossen和W.Kern，″Thin Film Processes(薄膜加工)″，Academic Press，1978)。該方法可有利地連續(xù)實施，并且可獲得反射率優(yōu)良以及粘合水平高的金屬反射層。
所述記錄按照已知的方法實施，即通過已調的、聚焦的激光束在恒定或可變速率下在記錄層的表面寫出固定或可變長度的凹坑(標記)。根據(jù)本領域已知的方法讀取信息，即通過記錄在使用激光輻射記錄反射中的變化，如″CD-Player and R-DAT Recorder″中所述(ClausBiaesch-Wiepke，Vogel Buchverlag，Würzburg 1992)。其中的要求為本領域技術人員所熟知。
本發(fā)明的包含信息的介質特別可為WORM型光學信息材料。它可例如類似于CD-R(可記錄壓縮盤)或DVD-R(可記錄數(shù)字視頻盤)用于計算機中，并且也可用作身份證和安全卡的儲存材料或者用于制造衍射光學元件如全息圖。
但是，與CD-R或DVD-R相比，這種結構以薄得多的基材為原材料，使得制造工藝更需要技巧。為了制造具有高儲存密度和較小凹坑的記錄介質，現(xiàn)已證明需要精確聚焦。
因此，在反向層結構中，層的順序優(yōu)選為基材、反射層、記錄層和覆蓋層。因此，優(yōu)選記錄層位于反射層和覆蓋層之間。記錄和讀出沒有透過基材，但是要透過覆蓋層。因此，覆蓋層和基材各自的作用(具體指幾何和光學性能)與先前描述的結構相比是相反的。在Proceedings SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.1999，第3864頁的有關采用藍色GaN激光二極管的數(shù)視頻記錄技術中描述了許多相關設計裝置。
現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)反向層結構對記錄基材的要求要高得多，但令人驚奇地是使用本發(fā)明的化合物可很好地滿足這些要求。因此，可以在不明顯改變固體記錄層的情況下，在其上涂覆薄覆蓋層，以保護其下所述記錄物質不受摩擦、光氧化、指印、濕氣和其它環(huán)境作用的影響。
特別優(yōu)選在固體記錄層和/或承載材料和光學記錄層之間涂覆其它的金屬、交聯(lián)的有機金屬或介電無機材料或介電有機材料的薄隔離層，厚度為例如0.001至10μm，優(yōu)選0.005至1μm，更優(yōu)選0.01至0.1μm。為獲得高水平的反射率，金屬隔離層最好應具有最大0.03μm的厚度。
交聯(lián)的有機金屬或介電無機層為本領域所熟知，它們包括如氧化物、水合氧化物或鹵化物(尤其是氟化物)、電負性為1至2的金屬(例如氧化態(tài)為II至V的鋁、鋅、鋯、鈦、鉻、鐵、鈷、鎳并且更優(yōu)選硅，如CaF2、Fe2O3、CoO、CoTiO3、Cr2O3、Fe2TiO5或SiO2)。它們可根據(jù)已知的方法或類似的方法使用，例如通過陰極金屬噴鍍、氣相淀積、化學氣相淀積，或者對于某些層來說，也可通過用于該目的的濕法化學方法使用(例如在WO 93/08237和文中提及的其它參考文獻中有描述)。本領域技術人員熟知用于氣相淀積、陰極金屬噴鍍和化學氣相淀積的通用方法。這些方法可有利地在真空下實施，涂覆期間的壓力為10-8至10-1Pa。除二氧化硅外的金屬氧化物優(yōu)選在約10-3至2.10-2Pa的壓力下氣相淀積。
介電有機材料是已知的；例如它們可為聚合物。
應理解本領域技術人員也可使用其它熟知的涂覆技術。例如，可通過溶液/凝膠技術制備涂覆材料(見JP-A-07/207186、JP-A-08/175823、JP-A-09/239311和JP-A-10/204296)并且也可通過熱分解SiH4來制備二氧化硅涂覆材料。
二氧化硅可有利地通過在氧氣存在下的氣相淀積來涂覆。至于氣相淀積，是將硅(不必是純凈的)在減壓和存在氣態(tài)(分子)氧(也不必是純凈的)下靠近基材，通過感應或使用電子槍的方法加熱至高溫(例如500℃至2000℃)進行涂覆。根據(jù)氧的相對摩爾濃度，形成了程度更高或更低的黃色至深灰色的低氧化態(tài)的硅氧化物或者優(yōu)選的無色二氧化硅。
特別地，在基于金屬合金的可擦寫光學記錄介質(CD-RW)中的與隔離層相同或類似的各層上可使用如由SiO2和ZnS的混合物構成的物質。這樣可加速發(fā)展并且不需要對涂覆過程再投資。
在進一步涂覆之前用增粘劑(例如J.Amer.Chem.Soc.104，2031-4(1982)和Chemistry of Materials 2/2，399-402(1997)中提及的N-(3-(三甲氧基甲硅烷基)-丙基)吡咯)、鈦或鋯鹽(例如Ti(OiPr)4或Zr(acac)4)和/和酸或堿(例如氨或伯胺、仲胺或叔胺)處理記錄層可證明是有利的。優(yōu)選同時使用 的胺(其中R15為氫或R18；R16和R17各自獨立地為R18；而R18為[-1，2-C2-C3亞烷基-T-]n-H，其中T為O或NH并且n為1至3的數(shù))和 或 的有機金屬化合物(其中R19至R21為C1-C4烷基)。在這種情況下，優(yōu)選胺與有機金屬化合物的摩爾比為10∶1至1000∶1，溫度為-20至150℃(優(yōu)選20至80℃)，并且處理時間為1/4小時至100小時，特別優(yōu)選胺與有機金屬化合物的摩爾比為5∶1至250∶1，溫度為50至80℃并且處理時間為1小時至10小時。
如果有必要，在承載材料和金屬反射層之間或者在金屬反射層和光學記錄層之間可涂覆相同厚度的這種涂覆材料。在一些情況下，例如當銀反射層與含硫添加劑一起用于記錄層時，將會是有利的。
也可用聚合物層代替無機或交聯(lián)的有機金屬層或者額外使用聚合物層，可通過聚合(特別是通過光聚合)或者通過層壓來涂覆聚合物層。
通過聚合或層壓，在無機或交聯(lián)的有機金屬層上覆蓋具有上述厚度和光學性能的覆蓋層特別有利。
因此，本發(fā)明也涉及包括排列如下的各種物質的光學記錄介質(a)承載材料，由反射金屬組成或者優(yōu)選由含有反射金屬層的聚合物組成；(b)光學記錄層，包括式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物；
(c)隔離層，由金屬、交聯(lián)的有機金屬或介電的無機或有機材料組成；知(d)覆蓋層。
根據(jù)本發(fā)明使用的大部分化合物是已知的或者可根據(jù)已知方法由已知化合物制得，例如在Liebigs Ann.Chem647，11(1961)、LiebigsAnn.Chem663，96(1963)、Chimia20，318-323(1966)、J.Indian Chem.Soc.47/12，1121-1128(1970)、US-3 850 645、Liebigs Ann.Chem1975，373-386(1975)、Bull.Chem.Soc.Japan51/2，535-539(1978)或Helv.Chem.Acta67/3，770-773(1984)中公開或提及的方法制得。
但是，也可根據(jù)本領域已知的方法或類似的方法來制備可根據(jù)本發(fā)明而用于光學記錄介質中的新化合物。
因此，本發(fā)明也涉及除已知化合物外的式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物。
以下實施例舉例說明本發(fā)明，但并非限制其范圍。除非另外說明外，否則“％”總是表示％重量。
實施例1將3.00 gN-乙基-3-氰基-4-甲基-5-(亞甲基-二甲氨基)-6-羥基-2-吡啶酮與2.28g 2，6-二異丙基苯胺在100ml乙醇中一起攪拌并且加熱回流2小時。通過蒸發(fā)將黃綠色溶液濃縮至約1/3，在冷卻之后，抽吸濾出沉淀物，用甲醇洗滌兩次(每次20ml)，并且在60℃/1.2·104Pa下干燥。
得到3.41g淡黃色的產物
吸收λmax(DMF＝二甲基甲酰胺)＝367.6nm；ε＝42238。
實施例2將4.00g N-乙基-3-氰基-4-甲基-6-羥基-2-吡啶酮與3.33g原甲酸三乙酯、3.77g 2-甲氧基-4-硝基苯胺和100ml乙酸(100％)一起攪拌并且在回流下沸騰，然后保持2.5小時。冷卻后，抽吸濾出沉淀物，用乙醇洗滌并且在60℃/1.2·104Pa下干燥。
得到5.40g黃色產物 吸收λmax(DMF)＝439nm；ε＝50363。
實施例3-50與實施例1和2類似，以良好的收率和良好的純度得到以下化合物(各實施例的光學數(shù)據(jù)在DMF中獲得)






實施例51-53將1.56mmol實施例1的化合物溶于50ml二甲基甲酰胺中，加入0.78mmol乙酸酮(II)。在50℃下攪拌所述溶液4小時，然后冷卻。用水沉淀產物。類似地，通過用實施例30和48的化合物代替實施例1的化合物進行處理，以良好的收率和良好的純度得到式(IV)的化合物(各實施例的光學數(shù)據(jù)在DMF中獲得)
對照實施例1-3與本發(fā)明的實施例類似，可得到以下對應于JP-A-11/34500的實施例26和27的化合物(各實施例的光學數(shù)據(jù)在DMF中獲得)
實施例54-56除了用0.78mmol乙酸鎳(II)代替乙酸銅(II)之外，該方法與實施例51-53類似。
實施例57-59除了用0.52mmol乙酸鈷(II)代替乙酸銅(II)以及隨后用空氣流經(jīng)所述溶液之外，該方法與實施例51-53類似。得到式(V)的化合物，其中M為鈷(III)。
實施例60將1.5％實施例1的化合物溶于2，2，3，3-四氟-1-丙醇中，用0.2mm聚四氟乙烯的過濾器過濾所述溶液。然后，通過旋轉涂布法以250轉/分鐘的轉速將所述染料溶液涂到0.6mm厚的開槽聚碳酸酯盤上(直徑120mm，凹槽間距0.74μm，凹槽深度170nm，凹槽寬度340nm)，將轉速增大至1500轉/分鐘，使得過剩溶液被甩掉并形成均勻的固態(tài)層。在干燥后，所述固態(tài)層在368nm處具有0.68的吸收。在真空涂布裝置(TwisterTM，Balzers Unaxis)中，涂覆65nm厚的銀反射層。然后通過旋轉涂布涂上一層5μm厚的可UV固化的光聚合物(DSM 650-020)并且用UV光交聯(lián)。反射層在405nm處的反射率為49％。使用脈沖染料激光器(脈沖長度為15ns)，用0.5kJ/m2的能量密度，在405nm處在記錄層上燒蝕出凹坑，導致燒蝕部位的反射率由49％變成22％。
實施例61-118除了用實施例2至59的化合物代替實施例1的化合物之外，所述方法與實施例60類似。
權利要求
1.一種光學記錄介質，所述光學記錄介質包括基材、記錄層和反射層，其中所述記錄層包括下式的化合物或其互變異構體或鹽，如果需要，可為帶抗衡離子的中和鹽的離子化形式 或 其中R1為氫或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亞烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亞烷基]m、C2-C24鏈烯基、C3-C24環(huán)烷基、C3-C24環(huán)烯基、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或C7-C12芳烷基，其中每個基團是非取代的或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代；R2和R3各自獨立地為氫、NO2、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10、CN、SO3R8或SO2NR9R10或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亞烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亞烷基]m、C2-C24鏈烯基、C3-C24環(huán)烷基、C3-C24環(huán)烯基、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或C7-C12芳烷基，其中每個基團是非取代的或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代；R3可連接至R2上形成5元或6元環(huán)；R4為氫或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亞烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亞烷基]m、C2-C24鏈烯基、C3-C24環(huán)烷基、C3-C24環(huán)烯基、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或C7-C12芳烷基，其中每個基團是非取代的或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代；R4可連接至R3上形成5元或6元環(huán)；R5為R6H、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或C7-C12芳烷基，其中每個基團是非取代的或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代；R5可連接至R4上形成5元或6元環(huán)；R6為選自以下的基團-N＝N-、-O-、-S-、-SO2-、-CH＝N-和 C1-C24亞烷基、C1-C4亞烷基-[O-C2-C4亞烷基]m、C1-C4亞烷基-[NH-C2-C4亞烷基]m、C2-C24亞烯基、C3-C24亞環(huán)烷基、C3-C24亞環(huán)烯基、C6-C12芳基、C4-C12亞雜芳基和C7-C12亞芳烷基，其中每個基團是非取代的或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代；或者為多個這類基團的序列；R7以及在適當?shù)胤匠霈F(xiàn)的彼此不同的多個R7基團為鹵素、OH、O-R8、O-CO-R8、S-R8、NH2、NH-R8、NR9R10、NR8-CO-R9、NR9COOR8、CHO、羧基、氨基甲酰基、脲基、NR9CO-NHR10、磷酸根合、PR9R10、POR8OR9、P(＝O)OR8OR9、OPR8R9、OPR8OR9、OP(＝O)R8OR9、OP(＝O)OR8OR9、OPO3R8、硫酸根合、磺基、NO2、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10、CN、SO3R8或SO2NR9R10，或者為C1-C12烷基，其中所述烷基為非取代的或者由羥基、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10或鹵素單取代或多取代；R8、R9和R10各自獨立地為C1-C12烷基、C2-C12鏈烯基、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或C7-C12芳烷基；或者R9和R10與其共有的氮結合在一起為非取代的或者被C1-C4烷基單取代或四取代的吡咯烷、哌啶、哌嗪或嗎啉；m為1至10的數(shù)；并且M為氫或堿金屬、堿土金屬或過渡金屬，它們可具有或可不具有一個或多個配位體。
2.權利要求1的光學記錄介質，所述光學記錄介質包含式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物，其中R1為非取代的或單取代的C1-C12烷基，R2為COOR8、CONR9R10或CN，R3為氫或C1-C4烷基，R4為C1-C4烷基或氫和/或R5為非取代的或由一個或多個任選相同或不同的R7基團取代的C6-C12芳基。
3.權利要求1或權利要求2的光學記錄介質，所述光學記錄介質包含式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物，其中R1為C1-C4烷基，R2為CN，R3為甲基并且R4為氫。
4.權利要求1、2或3的光學記錄介質，其中所述反射層由鋁、銀、金或其合金組成。
5.一種記錄或讀出數(shù)據(jù)的方法，所述方法包括在350至500nm的波長范圍內在權利要求1的光學記錄介質上記錄或讀出數(shù)據(jù)。
6.一種光學記錄介質，所述光學記錄介質包括排列如下的物質(a)承載材料，由反射金屬組成或者優(yōu)選由含有反射金屬層的聚合物組成；(b)光學記錄層，包括式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物；(c)隔離層，由金屬、交聯(lián)的有機金屬或介電的無機或有機材料組成；和(d)覆蓋層。
7.一種記錄或讀出數(shù)據(jù)的方法，所述方法包括在350至500nm的波長范圍內在權利要求6的光學記錄介質上記錄或讀出數(shù)據(jù)。
8.一種式(I)、(II)、(III)、(Ⅳ)或(V)的化合物，優(yōu)選式(I)或(II)的化合物，但不包括在本申請的優(yōu)先權日前已知的化合物。
9.權利要求1的式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物在用于信息的光學儲存中的用途。
10.一種光學記錄介質，所述光學記錄介質包括基材、記錄層和反射層，其中所述光學記錄介質適合在380至440nm的波長范圍進行記錄和讀出并且所述記錄層包括在300至400nm的波長范圍具有最大吸收的化合物以及下式的化合物 其中該化合物可為非取代或取代和/或可為異構形式。
全文摘要
本發(fā)明涉及包括基材、記錄層和反射層的光學記錄介質，其中所述記錄層包括式(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)的化合物或其互變異構體或其鹽。其中各取代基的精確定義參見說明書。具體在350nm至500nm的波長范圍內例如用藍色激光進行記錄和讀出。記錄和讀出的質量優(yōu)異并且具有高的儲存密度。此外，還要求保護在380nm至440nm的范圍內進行記錄和讀出的光學記錄介質，該介質包括在300nm至400nm的波長范圍具有最大吸收的化合物和式(IX)的化合物。
文檔編號G11B7/247GK1620691SQ03802481
公開日2005年5月25日 申請日期2003年1月20日 優(yōu)先權日2002年1月25日
發(fā)明者L·費勒, B·施密哈特, J·-L·布德里, U·萊曼 申請人:西巴特殊化學品控股有限公司