專利名稱：磁記錄介質(zhì)，初始化和信號傳送方法，信號處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及初始化磁記錄介質(zhì)的方法，向磁記錄介質(zhì)傳送信號的方法，處理磁記錄介質(zhì)的信號的裝置，和雙面垂直磁記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
雙面垂直磁記錄介質(zhì)(此后也簡稱為″介質(zhì)″)是已知的，其中雙面垂直磁記錄介質(zhì)將信息記錄成基底兩面上形成的各個磁薄膜中的垂直磁化。這種介質(zhì)被用于諸如硬盤的大容量存儲器。
圖1A和1B的視圖示出了傳統(tǒng)介質(zhì)的磁化狀態(tài)。圖1A示出了初始化介質(zhì)的磁化狀態(tài)，圖1B示出了其中記錄有信號的介質(zhì)的磁化狀態(tài)。在圖1A和1B中，介質(zhì)1由基底10、第一磁薄膜11和第二磁薄膜12組成?；?0由非磁材料組成，并且具有平坦表面。基底10的材料可以是例如玻璃，諸如聚碳酸酯的合成樹脂，諸如鋁的金屬，硅，碳等等。在基底10的第一表面上形成第一磁薄膜11，同時在基底10的位于第一表面另一面的第二表面上形成第二磁薄膜12。從各種磁材料，例如TbFeCo、TbFe、TbCo、GdFeCo、DyFeCo、FePt、Co/Fe和Co/Pd中選擇第一磁薄膜11和第二磁薄膜12的材料。應(yīng)當(dāng)注意，第一磁薄膜11和第二磁薄膜12具有垂直磁性各向異性，其中其磁化方向與基底10的垂直方向一致。
圖1A中的箭頭H1i和H2i分別指示初始化的第一磁薄膜11的磁化和初始化的第二磁薄膜12的磁化，即第一和第二磁薄膜11和12的初始化磁化。箭羽(fletching)標(biāo)記H1和H2分別指示當(dāng)從介質(zhì)1外部觀察表面時，第一磁薄膜11表面的磁化方向和第二磁薄膜12表面的磁化方向。如表面磁化方向H1和H2所示，當(dāng)從介質(zhì)1外部觀察介質(zhì)1表面時，初始化磁化H1i和H2i的磁化方向從介質(zhì)1的外部到內(nèi)部穿過(垂直)基底10表面，并且彼此一致。換言之，對于與基底10表面垂直的方向，第一磁薄膜11的初始化磁化H1i的方向與第二磁薄膜12的初始化磁化H2i的方向相反。
圖1B中空心箭頭(arrow relieved in white)H1m和H2m(標(biāo)記磁化H1m和H2m)分別指示信號(此后也被稱作標(biāo)記)被記錄在第一磁薄膜11中的狀態(tài)，和信號(標(biāo)記)被記錄在第二磁薄膜12中的狀態(tài)。換言之，標(biāo)記磁化H1m和H2m指示這樣的狀態(tài)，其中通過產(chǎn)生方向與初始化磁化H1i和H2i相反的磁化來記錄標(biāo)記。對于表面磁化方向H1和H2，標(biāo)記磁化H1m和H2m也指向與初始化磁化H1i和H2i相反的方向。
圖2示出了初始化介質(zhì)的常規(guī)方法。類似的附圖標(biāo)記被用來表示與圖1A和1B中部件類似的部件，并且這里省略了有關(guān)描述。在圖2中，磁體MG產(chǎn)生磁力線ML，磁力線ML只磁化磁體所面對的磁薄膜。
當(dāng)磁體MG沿著箭頭A指示的方向掃描介質(zhì)1表面時，磁力線ML分別初始化第一磁薄膜11和第二磁薄膜12，從而分別在第一磁薄膜11和第二磁薄膜12中形成初始化磁化H1i和H2i。圖2示出了完成第二磁薄膜12的初始化以形成初始化磁化H2i的狀態(tài)，并且該狀態(tài)處于初始化第一磁薄膜11以形成初始化磁化H1i的過程的中間。通過這種初始化方法，形成初始化磁化H1i和H2i以便指向相對基底10的垂直方向彼此相反的方向。這種分別初始化介質(zhì)1的第一磁薄膜11和第二磁薄膜12的傳統(tǒng)初始化方法需要大量時間進(jìn)行初始化。應(yīng)當(dāng)注意，初始化磁化H1i和H2i指向不同方向，但是具有相同量級。
如上所述，傳統(tǒng)介質(zhì)的問題是其初始化困難并且耗時。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，提出了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種方法，其中初始化磁記錄介質(zhì)，使得相對穿過基底表面的方向，基底一面上形成的初始化磁化的方向與基底另一面上形成的初始化磁化的方向彼此一致。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種方法，用于初始化磁記錄介質(zhì)，使得可以同時初始化多個雙面垂直磁記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種方法，用于向磁記錄介質(zhì)傳送信號，使得信號模式(例如預(yù)格式化信號)可以方便和精確地被傳送到從介質(zhì)。
本發(fā)明的另一個目的是提供處理磁記錄介質(zhì)信號的裝置，該裝置可以方便地針對雙面垂直磁記錄介質(zhì)寫/讀信號，其中相對穿過基底表面的方向，基底一面上形成的磁薄膜的初始化磁化的方向與基底另一面上形成的磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。
本發(fā)明的另一個目的是提供雙面垂直磁記錄介質(zhì)，其中相對其垂直方向，其一面上形成的磁薄膜的初始化磁化的方向與其另一面上形成的磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。
本發(fā)明的初始化磁記錄介質(zhì)的方法是初始化雙面垂直磁記錄介質(zhì)的方法，所述雙面垂直磁記錄介質(zhì)包括基底；基底第一表面上形成的第一磁薄膜；和基底中位于第一表面的另一面的第二表面上形成的第二磁薄膜。在這種初始化磁記錄介質(zhì)的方法中，在穿過基底表面的方向上施加初始化磁場，以便同時初始化第一磁薄膜和第二磁薄膜。相對穿過基底表面的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。
通過這種初始化磁記錄介質(zhì)的方法可以同時初始化第一磁薄膜和第二磁薄膜，其中在穿過基底表面的方向上施加初始化磁場，使得相對穿過基底的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向與第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。因此，可以方便和精確地初始化雙面垂直磁記錄介質(zhì)，可以減少初始化所需的時間，并且可以提高介質(zhì)初始化效率。
在本發(fā)明的初始化磁記錄介質(zhì)的方法中，可以疊加多個雙面垂直磁記錄介質(zhì)，并且可以在疊加方向上施加初始化磁場，以便同時初始化雙面垂直磁記錄介質(zhì)。
通過這種初始化磁記錄介質(zhì)的方法，可以方便地初始化雙面垂直磁記錄介質(zhì)，可以減少初始化所需的時間，并且可以顯著提高介質(zhì)初始化效率。
本發(fā)明的向磁記錄介質(zhì)傳送信號的方法是向雙面垂直磁記錄介質(zhì)傳送信號模式的方法，其中雙面垂直磁記錄介質(zhì)包括基底；基底第一表面上形成的第一磁薄膜；和基底中位于第一表面的另一面的第二表面上形成的第二磁薄膜。這種向磁記錄介質(zhì)傳送信號的方法包括將具有對應(yīng)于要傳送的信號模式的磁材料區(qū)的第一主介質(zhì)布置成與第一磁薄膜接觸或接近，并且將具有對應(yīng)于要傳送的信號模式的磁材料區(qū)的第二主介質(zhì)布置成與第二磁薄膜接觸或接近的步驟；和在穿過第一主介質(zhì)、雙面垂直磁記錄介質(zhì)與第二主介質(zhì)的方向上施加用于信號傳送的磁場，以便將第一主介質(zhì)的信號模式傳送到第一磁薄膜，并且將第二主介質(zhì)的信號模式傳送到第二磁薄膜的步驟。
在本發(fā)明的向磁記錄介質(zhì)傳送信號的方法中，可以事先對雙面垂直磁記錄介質(zhì)進(jìn)行初始化，使得相對穿過基底表面的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。
在本發(fā)明的向磁記錄介質(zhì)傳送信號的方法中，磁材料區(qū)可以由軟磁材料或垂直鐵磁體材料組成。
在本發(fā)明的向磁記錄介質(zhì)傳送信號的方法中，第一主介質(zhì)的信號模式和第二主介質(zhì)的信號模式中的每一個均可以是另一個的鏡象。
在本發(fā)明的向磁記錄介質(zhì)傳送信號的方法中，要傳送的信號模式可以是雙面垂直磁記錄介質(zhì)的預(yù)格式化信號的模式。
在本發(fā)明的向磁記錄介質(zhì)傳送信號的這些方法中，同時執(zhí)行第一主介質(zhì)的信號模式(標(biāo)記模式)到第一磁薄膜的初始化，和第二主介質(zhì)的信號模式(標(biāo)記模式)到第二磁薄膜的初始化，其中在用于信號傳送的磁場被施加到穿過雙面垂直磁記錄介質(zhì)(從介質(zhì))表面的方向上之前，第一主介質(zhì)被布置成面對從介質(zhì)的第一磁薄膜，第二主介質(zhì)被布置成面對從介質(zhì)的第二磁薄膜。因此，可以方便和精確地從主介質(zhì)向從介質(zhì)傳送信號。
本發(fā)明的處理磁記錄介質(zhì)的信號的裝置包括至少一個信號寫入裝置和信號讀取裝置，其中信號寫入裝置在形成于雙面垂直磁記錄介質(zhì)各面的第一磁薄膜和第二磁薄膜中寫入信號，而信號讀取裝置從第一磁薄膜和第二磁薄膜讀取信號。在雙面垂直磁記錄介質(zhì)中，相對穿過基底表面的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。信號寫入裝置包含反相電路，用于反轉(zhuǎn)被寫入第一磁薄膜的信號和被寫入第二磁薄膜的信號中的任何一個的極性，而信號讀取裝置包含反相電路，用于反轉(zhuǎn)從第一磁薄膜讀取的信號和從第二磁薄膜讀取的信號中的任何一個的極性。
在這種處理磁記錄介質(zhì)的信號的裝置中，信號讀取裝置包含反相電路，用于反轉(zhuǎn)從第一磁薄膜讀取的信號和從第二磁薄膜讀取的信號中的任何一個的極性，信號寫入裝置包含反相電路，用于反轉(zhuǎn)被寫入第一磁薄膜的信號和被寫入第二磁薄膜的信號中的任何一個的極性。因此可以針對雙面垂直磁記錄介質(zhì)方便和精確地寫/讀信號，其中相對穿過基底的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。
本發(fā)明的雙面垂直磁記錄介質(zhì)包括基底；基底第一表面上形成的第一磁薄膜；和基底中位于第一表面的另一面的第二表面上形成的第二磁薄膜。相對穿過基底表面的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。
對于這種相對穿過基底的方向，其第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致的雙面垂直磁記錄介質(zhì)，可以減少初始化所需的時間和工作，從而可以通過較小的成本制備介質(zhì)。
通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述可以更加全面地理解本發(fā)明的上述和其它目的與特性。


圖1A和1B的視圖示出了傳統(tǒng)介質(zhì)的磁化狀態(tài)；圖2示出了初始化介質(zhì)的常規(guī)方法；圖3A和3B示出了本發(fā)明的初始化介質(zhì)的方法和磁化狀態(tài)；圖4示出了本發(fā)明的初始化介質(zhì)的方法；圖5A-5C示出了本發(fā)明的向介質(zhì)傳送信號的方法；圖6A-6C示出了本發(fā)明的向介質(zhì)傳送信號的另一個方法，以便和圖5A-5C中示出的向介質(zhì)傳送信號的方法相比較；圖7A-7C示出了使用本發(fā)明的磁盤上柱面號的傳送狀態(tài)；而圖8是本發(fā)明的處理介質(zhì)的信號的裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照圖解一些實(shí)施例的附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。
第一實(shí)施例圖3A和3B示出了本發(fā)明的初始化介質(zhì)的方法和磁化狀態(tài)。圖3A示出了初始化介質(zhì)的磁化狀態(tài)，圖3B示出了其中記錄有信號的介質(zhì)的磁化狀態(tài)。在圖3A和3B中，介質(zhì)1由基底10、第一磁薄膜11和第二磁薄膜12組成?；?0由諸如現(xiàn)有技術(shù)中使用的材料的非磁材料組成，并且具有平坦表面?；?0的厚度為100μm至1mm。通過傳統(tǒng)的薄膜形成方法，在基底10的第一表面上形成第一磁薄膜11，同時在基底10的位于第一表面另一面的第二表面上形成第二磁薄膜12。第一磁薄膜11和第二磁薄膜12由諸如現(xiàn)有技術(shù)中使用的材料的磁材料組成，并且其厚度為例如幾納米到數(shù)十納米。應(yīng)當(dāng)注意，第一磁薄膜11和第二磁薄膜12具有垂直磁性各向異性，其中其磁化方向與基底10的垂直方向一致。
在圖3A中，沿著穿過(垂直)配置在N極部分和S極部分之間的基底10表面的方向施加作為外部磁場的初始化磁場Hi，從而初始化介質(zhì)1。沿著穿過介質(zhì)1表面的方向施加初始化磁場Hi以穿過介質(zhì)1。因此，相對穿過基底10的方向，第一磁薄膜11和第二磁薄膜12被同時初始化到相同方向。箭頭H1i和H2i分別指示初始化的第一磁薄膜11的磁化和初始化的第二磁薄膜12的磁化，即第一和第二磁薄膜11和12的初始化磁化。箭羽標(biāo)記H1和H2分別指示當(dāng)從介質(zhì)1外部觀察表面時，第一磁薄膜11表面的磁化方向和第二磁薄膜12表面的磁化方向。初始化磁化H1i的磁化方向從介質(zhì)1的外部到內(nèi)部垂直穿過基底10表面。當(dāng)從介質(zhì)1外部觀察介質(zhì)1表面(第一磁薄膜11)時，初始化磁化H1i的磁化方向從介質(zhì)1的前面指向背面，并且通過附圖中表面磁化方向H1指示的帶x圓圈圖解。初始化磁化H2i的磁化方向從介質(zhì)1的內(nèi)部到外部垂直穿過基底10表面。當(dāng)從介質(zhì)1外部觀察介質(zhì)1表面(第二磁薄膜12)時，初始化磁化H2i的磁化方向從介質(zhì)1的背面指向前面，并且通過附圖中表面磁化方向H2指示的帶點(diǎn)圓圈圖解。換言之，在初始化介質(zhì)1的方法中，相對基底10的垂直方向，在相同方向中同時形成第一磁薄膜11的初始化磁化H1i，和第二磁薄膜12的初始化磁化H2i。因此，可以減少初始化所需的時間和工作。
圖3B中空心箭頭H1m和H2m分別指示信號(標(biāo)記)被記錄在第一磁薄膜11中的狀態(tài)，和信號(標(biāo)記)被記錄在第二磁薄膜12中的狀態(tài)(標(biāo)記磁化H1m和H2m)。換言之，標(biāo)記磁化H1m和H2m指示這樣的狀態(tài)，其中通過產(chǎn)生方向分別與初始化磁化H1i和H2i相反的磁化來記錄信號。對于表面磁化方向H1和H2，標(biāo)記磁化H1m和H2m也指向分別與初始化磁化H1i和H2i相反的方向。因此，相對基底10的垂直方向，第一磁薄膜11的標(biāo)記磁化H1m的方向與第二磁薄膜12的標(biāo)記磁化H2m的方向彼此一致。
第二實(shí)施例圖4示出了本發(fā)明的初始化介質(zhì)的方法。多個介質(zhì)1疊置在N極部分NP和S極部分SP之間，其中各個介質(zhì)1均由基底10、第一磁薄膜11和第二磁薄膜12組成。接著在基底10的基底垂直方向(疊加方向)施加作為外部磁場的初始化磁場Hi，以執(zhí)行初始化。通過這種方法，可以同時初始化多個疊加介質(zhì)1，此外可以按照高精度統(tǒng)一各個介質(zhì)1的初始化磁化(H1i和H2i)的狀態(tài)。因此，可以實(shí)現(xiàn)介質(zhì)1的顯著高效的初始化。這里，由于各個介質(zhì)被如此初始化，使得相對基底10的垂直方向，第一磁薄膜11的初始化磁化H1i的方向和第二磁薄膜12的初始化磁化H2i的方向彼此一致，因此實(shí)現(xiàn)了同時初始化多個介質(zhì)1的方法。此外，相對基底10的垂直方向，標(biāo)記磁化H1m(圖3B中)的方向和標(biāo)記磁化H2m(圖3B中)的方向彼此一致，其中標(biāo)記磁化H1m指示第一磁薄膜11中的信號的磁化，而標(biāo)記磁化H2m指示第二磁薄膜12中的信號的磁化。
第三實(shí)施例圖5A-5C示出了本發(fā)明的向介質(zhì)傳送信號的方法。圖5A示出了初始化的介質(zhì)的磁化狀態(tài)，圖5B示出了在從主介質(zhì)傳送信號時的磁化狀態(tài)，而圖5C示出了信號傳送之后的介質(zhì)的磁化狀態(tài)。
圖5A示出了介質(zhì)1的磁化狀態(tài)，其中介質(zhì)1經(jīng)過第一實(shí)施例中描述的方法的初始化。在第一磁薄膜11上沿著基底10的垂直方向形成初始化磁化H1i，并且在第二磁薄膜12上沿著基底10的垂直方向形成初始化磁化H2i。如上所述，初始化磁化H1i的方向和初始化磁化H2i的方向彼此一致。應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)同時初始化多個介質(zhì)1時，可以高效制造介質(zhì)1。
接著，通過將初始化的介質(zhì)1用作從介質(zhì)，從主介質(zhì)21和22將信號模式(標(biāo)記模式)記錄在(傳送到)從介質(zhì)。圖5B示出了這樣的狀態(tài)，其中第一主介質(zhì)21和第二主介質(zhì)22分別面對第一磁薄膜11的表面和第二磁薄膜12的表面，并且用于信號傳送的磁場Hm作為外部磁場提供，以便向初始化的介質(zhì)1傳送信號。第一主介質(zhì)21被布置成與第一磁薄膜11接觸或接近，使得足夠量值的磁力線通過第一磁薄膜。同樣地，第二主介質(zhì)22被布置成與第二磁薄膜12接觸或接近。為第一主介質(zhì)21提供用于信號傳送、被形成為面對介質(zhì)1的磁材料區(qū)21m，其中區(qū)域21m對應(yīng)于被傳送到和寫在基底21b的表面上的信號模式，而基底21b由與基底10相同的非磁材料組成。與第一主介質(zhì)21類似，為第二主介質(zhì)22提供用于信號傳送、被形成為面對介質(zhì)1的磁材料區(qū)22m，其中區(qū)域22m對應(yīng)于被傳送到和寫在基底22b的表面上的信號模式。第一主介質(zhì)21和第二主介質(zhì)22中形成的信號模式(用于信號傳送的磁性區(qū)域21m和22m)分別被傳送到各個主介質(zhì)面對的第一磁薄膜11和第二磁薄膜12。
通過用于信號傳送的磁材料區(qū)21m和22m，例如由具有垂直磁化的鐵磁體材料或軟磁材料組成的磁材料區(qū)，由用于信號傳送的磁場產(chǎn)生的磁力線Hm以聚合(converged)方式行進(jìn)。因此，用于信號傳送的磁材料區(qū)21m和22m分別形成如附圖中空心箭頭所示的、用于信號傳送的磁材料磁化Hm21和Hm22。用于信號傳送的磁材料磁化Hm21和Hm22允許磁力線沒有功率減少地通過它們，以到達(dá)被布置成與它們接觸或接近的第一磁薄膜11和第二磁薄膜12，使得在第一磁薄膜11和第二磁薄膜12中分別形成如空心箭頭所示的標(biāo)記磁化H1m和H2m，即執(zhí)行信號傳送。由于用于信號傳送的磁材料區(qū)21m和22m由鐵磁體材料或軟磁材料組成，所以磁力線以聚合方式通過它們。因此可以實(shí)現(xiàn)精確信號傳送。在不存在用于信號傳送的磁材料區(qū)21m和22m的區(qū)域中，不存在強(qiáng)度足夠進(jìn)行信號傳送的磁力線，并且初始化磁化H1i和H2i的強(qiáng)度保持與初始化時產(chǎn)生的強(qiáng)度相同。
例如，被傳送的信號模式包含用于循軌控制、諸如磁盤中柱面號和扇區(qū)號的伺服信號，以及諸如安全信號的預(yù)格式化信號。具體地，當(dāng)傳送預(yù)格式化信號時，磁盤一面上的預(yù)格式化信號是磁盤另一面上的預(yù)格式化信號的鏡象。因此，第一主介質(zhì)21的信號模式可以被設(shè)置成第二主介質(zhì)22的信號模式的鏡象，使得數(shù)據(jù)中的任何一個的鏡象可以被用作另一個數(shù)據(jù)。換言之，可以使用具有這樣的模式的主介質(zhì)(第一主介質(zhì)21和第二主介質(zhì)22)，所述模式中的每一個均是另一個的鏡象。即使在提高位密度，并且需要精確信號傳送根據(jù)周圍標(biāo)記(即信號)，周圍標(biāo)記的尺寸或到達(dá)周圍標(biāo)記的距離精細(xì)調(diào)節(jié)主介質(zhì)上的標(biāo)記(用于信號傳送的磁材料區(qū)21m和22m)的尺寸時，第一主介質(zhì)21和第二主介質(zhì)22中任何一個的所產(chǎn)生的校正數(shù)據(jù)的鏡象可以被用作另一個主介質(zhì)的校正數(shù)據(jù)。因此，只需要產(chǎn)生一次校正數(shù)據(jù)，從而主介質(zhì)的制造可以是簡單和容易的。換言之，信號可以方便地傳送到介質(zhì)。
圖5C示出了信號傳送之后介質(zhì)的磁化狀態(tài)。相對基底10的垂直方向，第一磁薄膜11的標(biāo)記磁化H1m的方向與第二磁薄膜12的標(biāo)記磁化H2m的方向彼此一致。相對基底10的垂直方向，初始化磁化H1i的方向與初始化磁化H2i的方向彼此一致，并且與標(biāo)記磁化H1m和H2m的方向相反。
圖6A-6C示出了本發(fā)明的向介質(zhì)傳送信號的另一個方法，以便和圖5A-5C中示出的向介質(zhì)傳送信號的方法相比較。圖6A示出了初始化的介質(zhì)的磁化狀態(tài)，圖6B示出了在從主介質(zhì)傳送信號時的磁化狀態(tài)，而圖6C示出了信號傳送之后的介質(zhì)的磁化狀態(tài)。由于圖6A示出的磁化狀態(tài)與圖5A的相同，這里省略了有關(guān)描述。
圖6B示出的磁化狀態(tài)與圖5B的相同，例外之處是從第一主介質(zhì)21傳送信號模式(標(biāo)記模式)，同時從第二主介質(zhì)22傳送空白(space)模式(除了標(biāo)記模式之外的區(qū)域)。在第一主介質(zhì)21中，在正對介質(zhì)1、對應(yīng)于傳送和寫入的信號(標(biāo)記)的表面上形成用于信號傳送的磁材料區(qū)21m，同時在第二主介質(zhì)22中，在正對介質(zhì)1、對應(yīng)傳送和寫入的空白的表面上形成用于信號傳送的磁材料區(qū)22s。換言之，第一主介質(zhì)21被用于傳送信號(標(biāo)記)，而第二主介質(zhì)22被用于傳送空白。通過用于信號傳送的磁材料區(qū)21m和22s，例如由具有垂直磁化的鐵磁體材料或軟磁材料組成的磁材料區(qū)，由用于信號傳送的磁場產(chǎn)生的磁力線Hm以聚合方式行進(jìn)。因此，用于信號傳送的磁材料區(qū)21m和22s分別形成用于信號傳送的磁材料磁化Hm21和Hm22。由于用于信號傳送的磁材料磁化Hm21和Hm22允許磁力線沒有功率減少地通過它們，以到達(dá)被布置成與它們接觸或接近的第一磁薄膜11和第二磁薄膜12，在第一磁薄膜11上形成標(biāo)記磁化H1m，并且在第二磁薄膜12上形成空白磁化H2s，即執(zhí)行信號傳送。
通過聚合在用于信號傳送的磁材料區(qū)21m和22s上的磁力線執(zhí)行信號傳送。具體地，當(dāng)軟磁材料被用于這些區(qū)域時，窄傳送區(qū)域?qū)τ诒３执帕€密度是最好的。然而，對于例如在磁盤中記錄柱面號的凹坑位置記錄(pit position recording)，空白保持大于標(biāo)記的尺寸。因此，對于這種記錄，由于傳送區(qū)域較寬，將標(biāo)記傳送到介質(zhì)一面并且將空白傳送到介質(zhì)另一面的上述方法不是最好的。此外，通過該方法，第一主介質(zhì)21的模式和第二主介質(zhì)22的模式(用于信號傳送的磁材料區(qū)21m和22s的位置和尺寸)彼此不同。結(jié)果，當(dāng)需要標(biāo)記的精細(xì)調(diào)節(jié)時，必須首先針對各個第一主介質(zhì)21和第二主介質(zhì)22產(chǎn)生精細(xì)校正數(shù)據(jù)，因此主介質(zhì)的制造變得更加復(fù)雜。因此，與圖5A-5C示出的第三實(shí)施例相比，這個方法不是最好的。
除了以下不同點(diǎn)之外，圖6C示出的狀態(tài)與圖5C的相同。相對基底10的垂直方向，第一磁薄膜11的初始化磁化H1i的方向和第二磁薄膜12的對應(yīng)空白磁化H2s的方向彼此相反。同樣地，相對基底10的垂直方向，第一磁薄膜11的標(biāo)記磁化H1m的方向和第二磁薄膜12的對應(yīng)初始化磁化H2i的方向彼此相反。如前面參照圖6B提到的，由于傳送區(qū)域較寬，這個方式不是最好的。
圖7A-7C示出了使用本發(fā)明的磁盤上柱面號的傳送狀態(tài)。圖7A示出了通過格雷碼表示、作為介質(zhì)表面上的模式的代碼，圖7B示出了主介質(zhì)的標(biāo)記模式(信號模式)，用于傳送作為標(biāo)記模式的柱面號，圖7C示出了主介質(zhì)的空白模式，用于傳送作為空白模式的柱面號。
圖7A示出了對應(yīng)于柱面號0-7的格雷碼。格雷碼″000″被提供給柱面號0，格雷碼″001″被提供給柱面號1，格雷碼″011″被提供給柱面號2，...，格雷碼″100″被提供給柱面號7。當(dāng)這些被表示成介質(zhì)上的信號模式時，由于通過凹坑位置記錄來記錄柱面號，信號模式包含如柱面號模式3所示的標(biāo)記和空白。換言之，柱面號模式3由對應(yīng)于信號″1″的標(biāo)記模式3ms，包含對應(yīng)于信號″0″的區(qū)域的標(biāo)記區(qū)域3m和空白模式3s組成。對應(yīng)于信號″0″的區(qū)域的磁化方向和空白模式3s的磁化方向彼此一致，因此在信號傳送時這些區(qū)域可以一起作為空白模式3s來處理。
圖7B示出了柱面號作為標(biāo)記模式(信號模式)來傳送的狀態(tài)。其中傳送的標(biāo)記3ms的尺寸小于空白模式3s。圖7C示出了柱面號作為空白模式來傳送的狀態(tài)。圖中標(biāo)記模式3ms的反相區(qū)域(空白模式3s)的尺寸大于標(biāo)記模式3ms。如前所述，可用來減少傳送尺寸的標(biāo)記模式傳送比空白模式傳送更優(yōu)。
第四實(shí)施例圖8是本發(fā)明處理介質(zhì)的信號的裝置的示意圖。在處理介質(zhì)的信號的裝置中，介質(zhì)(雙面垂直磁體記錄介質(zhì))1被固定在旋轉(zhuǎn)軸5上，并且被主軸電機(jī)6驅(qū)動旋轉(zhuǎn)。滑動磁頭7a和7b分別被布置成面對介質(zhì)1的各面，以便針對第一磁薄膜11和第二磁薄膜12寫/讀磁化(參見圖3A和3B)，其中在介質(zhì)1的各面上形成第一磁薄膜11和第二磁薄膜12。尋道機(jī)構(gòu)8控制滑動磁頭7a和7b在介質(zhì)1表面上的位置。為各個滑動磁頭7a和7b提供寫磁頭和讀磁頭(附圖中沒有圖解)。寫磁頭與寫電路9w相連，讀磁頭與讀電路9r相連，以便分別構(gòu)成信號寫入裝置和信號讀取裝置。
寫信號線Lwa連接寫電路9w和滑動磁頭7a中的寫磁頭，寫信號線Lwb連接寫電路9w和滑動磁頭7b中的寫磁頭。通過寫信號線Lwa和Lwb從寫電路9w向相應(yīng)寫磁頭發(fā)送要寫入的信號，以便在介質(zhì)1(第一磁薄膜11和第二磁薄膜12)中寫入信號。讀信號線Lra連接讀電路9r和滑動磁頭7a中的讀磁頭，讀信號線Lrb連接讀電路9r和滑動磁頭7b中的讀磁頭。通過讀信號線Lra和Lrb從相應(yīng)讀磁頭向讀電路9r發(fā)送讀取信號，以便從介質(zhì)1(第一磁薄膜11和第二磁薄膜12)讀取信號。
當(dāng)從外部觀察表面時，如第一實(shí)施例(圖3A和3B)等等所述，介質(zhì)1的各面(第一磁薄膜11和第二磁薄膜12)上的信號(標(biāo)記)的磁化方向彼此不同。因此，通過將反相電路4w與寫信號線Lwa和Lwb中的任何一個，例如寫信號線Lwb相連，反轉(zhuǎn)通過寫信號線Lwb發(fā)送以寫入介質(zhì)1(第二磁薄膜12)的標(biāo)記(寫入信號)的極性，以便與通過寫信號線Lwa發(fā)送以寫入介質(zhì)1(第一磁薄膜11)的標(biāo)記(寫入信號)的極性一致。同樣地，通過將反相電路4r與讀信號線Lra和Lrb中的任何一個，例如讀信號線Lrb相連，反轉(zhuǎn)從介質(zhì)1(第二磁薄膜12)讀取并且通過讀信號線Lrb發(fā)送的標(biāo)記(讀取信號)的極性，以便與從介質(zhì)1(第一磁薄膜11)讀取并且通過讀信號線Lra發(fā)送的標(biāo)記(讀取信號)的極性一致。當(dāng)從外部觀察時，如果介質(zhì)1兩面上具有彼此不同極性的信號如上所述被轉(zhuǎn)換成具有相同極性，寫電路9w和讀電路9r可以使用相同的信號處理，因而可以方便地讀寫信號。應(yīng)當(dāng)注意，盡管上述描述說明了反相電路4w和4r被布置在對應(yīng)于介質(zhì)1下面的寫信號線Lwb和讀信號線Lrb中的狀態(tài)，然而反相電路4w和4r可以被布置在對應(yīng)于介質(zhì)上面(第一磁薄膜11)的寫信號線Lwa和讀信號線Lra中。換言之，可以針對介質(zhì)的任何一面執(zhí)行極性反相，只要從介質(zhì)1兩面檢測出相同極性。應(yīng)當(dāng)注意，可以只為處理介質(zhì)的信號的裝置提供信號寫入裝置和信號讀取裝置中的一個。此外應(yīng)當(dāng)理解，類似反相電路可以被合并在處理多個介質(zhì)1的信號的裝置中。
權(quán)利要求
1.初始化雙面垂直磁記錄介質(zhì)的方法，所述雙面垂直磁記錄介質(zhì)包含基底；基底第一表面上形成的第一磁薄膜；和基底中位于第一表面的另一面的第二表面上形成的第二磁薄膜，其特征在于，在穿過基底表面的方向上施加初始化磁場，以同時初始化第一磁薄膜和第二磁薄膜，使得相對穿過基底表面的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。
2.如權(quán)利要求1所述的初始化磁記錄介質(zhì)的方法中，其特征在于疊加多個雙面垂直磁記錄介質(zhì)，并且接著在介質(zhì)的疊加方向上施加初始化磁場，以同時初始化雙面垂直磁記錄介質(zhì)。
3.向雙面垂直磁記錄介質(zhì)傳送信號模式的方法，所述雙面垂直磁記錄介質(zhì)包含基底；基底第一表面上形成的第一磁薄膜；和基底中位于第一表面的另一面的第二表面上形成的第二磁薄膜，其特征在于包括步驟將具有對應(yīng)于要傳送的信號模式的磁材料區(qū)的第一主介質(zhì)布置成與第一磁薄膜疊加接觸或接近，并且將具有對應(yīng)于要傳送的信號模式的磁材料區(qū)的第二主介質(zhì)布置成與第二磁薄膜疊加接觸或接近；和在穿過第一主介質(zhì)、雙面垂直磁記錄介質(zhì)與第二主介質(zhì)的方向上施加用于信號傳送的磁場，以便將第一主介質(zhì)的信號模式傳送到第一磁薄膜，并且將第二主介質(zhì)的信號模式傳送到第二磁薄膜。
4.如權(quán)利要求3所述的向磁記錄介質(zhì)傳送信號的方法，其特征在于事先對雙面垂直磁記錄介質(zhì)進(jìn)行初始化，使得相對穿過基底表面的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。
5.如權(quán)利要求3所述的向磁記錄介質(zhì)傳送信號的方法，其特征在于磁材料區(qū)可以由軟磁材料或垂直鐵磁體材料組成。
6.如權(quán)利要求3所述的向磁記錄介質(zhì)傳送信號的方法，其特征在于第一主介質(zhì)的信號模式和第二主介質(zhì)的信號模式中每一個均是另一個的鏡象。
7.如權(quán)利要求書3-6中任何一個所述的向磁記錄介質(zhì)傳送信號的方法，其特征在于傳送的信號模式是雙面垂直磁記錄介質(zhì)的預(yù)格式化信號的模式。
8.處理雙面垂直磁記錄介質(zhì)的信號的裝置，包括以下裝置中的至少一個信號寫入裝置，在形成于雙面垂直磁記錄介質(zhì)的基底的各面的第一磁薄膜和第二磁薄膜中寫入信號；和信號讀取裝置，從第一磁薄膜和第二磁薄膜讀取信號，其特征在于相對穿過基底表面的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致；信號寫入裝置包含反相電路，用于反轉(zhuǎn)被寫入第一磁薄膜的信號和被寫入第二磁薄膜的信號中的任何一個的極性；并且信號讀取裝置包含反相電路，用于反轉(zhuǎn)從第一磁薄膜讀取的信號和從第二磁薄膜讀取的信號中的任何一個的極性。
9.一種雙面垂直磁記錄介質(zhì)，包括基底；基底第一表面上形成的第一磁薄膜；和基底中位于第一表面的另一面的第二表面上形成的第二磁薄膜，其特征在于，相對穿過基底表面的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。
全文摘要
沿著穿過(垂直)基底(10)表面的方向施加作為外部磁場的初始化磁場(Hi)以便初始化介質(zhì)(1)，使得可以同時初始化第一磁薄膜(11)和第二磁薄膜(12)。在這個初始化介質(zhì)的方法中，相對穿過基底(10)的方向，第一磁薄膜(11)的初始化磁化(H1i)的磁化方向與第二磁薄膜(12)的初始化磁化(H2i)的磁化方向彼此一致。
文檔編號G11B5/66GK1467710SQ03107700
公開日2004年1月14日 申請日期2003年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月14日
發(fā)明者濱口慎吾, 尾崎一幸, 口慎吾, 幸 申請人:富士通株式會社