專(zhuān)利名稱(chēng)：磁復(fù)錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于向大容量、高記錄密度的磁記錄再生裝置用的磁記錄介質(zhì)進(jìn)行情報(bào)記錄的磁復(fù)錄方法，特別是關(guān)于向大容量、高記錄密度的磁記錄介質(zhì)，使用伺服信號(hào)、地址信號(hào)、其它通常的映像信號(hào)、聲音信號(hào)、數(shù)字信號(hào)等記錄的磁復(fù)錄方法。
隨著數(shù)字圖像應(yīng)用的發(fā)展，用個(gè)人計(jì)算機(jī)等處理情報(bào)量也飛速地增加，隨著情報(bào)量的增加，要求以大容量、廉價(jià)地記錄情報(bào)、而且記錄、讀取時(shí)間短的磁記錄介質(zhì)。
在硬盤(pán)等高密度記錄介質(zhì)和ZIP(IOMEGA)等大容量的可讀取型磁記錄介質(zhì)中，與軟盤(pán)相比，情報(bào)記錄區(qū)是由狹窄的磁道構(gòu)成，磁頭準(zhǔn)確地在狹窄磁道寬度內(nèi)進(jìn)行掃描，為了以較高的S/N比進(jìn)行信號(hào)記錄和再生，要求使用跟蹤伺服技術(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確的掃描。
在像這種硬盤(pán)、可讀取型磁記錄介質(zhì)的大容量磁記錄介質(zhì)中，對(duì)于磁盤(pán)的1周，需要以一定的角度間隔設(shè)置跟蹤用伺服信號(hào)和地址情報(bào)信號(hào)、再生時(shí)鐘信號(hào)等記錄區(qū)，磁頭通過(guò)以一定間隔再生這些信號(hào)，一邊確認(rèn)磁頭位置進(jìn)行修正，一邊準(zhǔn)確地在磁道上進(jìn)行掃描，采用的方法是在制造磁記錄介質(zhì)時(shí)，予先將這些信號(hào)記錄在磁記錄介質(zhì)上，稱(chēng)作予格式化。
對(duì)于跟蹤用伺服信號(hào)和地址情報(bào)信號(hào)、再生時(shí)鐘信號(hào)等的記錄，由于要求準(zhǔn)確的位置決定精度，所以將磁記錄介質(zhì)組合到驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)中后，使用專(zhuān)用的伺服記錄裝置，利用嚴(yán)格位置控制的磁頭進(jìn)行予格式化記錄。
然而，在利用磁頭進(jìn)行伺服信號(hào)和地址情報(bào)信號(hào)、再生時(shí)鐘信號(hào)的予格式化記錄中，使用專(zhuān)用的伺服記錄裝置，為了使磁頭一邊能?chē)?yán)格進(jìn)行位置控制，一邊進(jìn)行記錄，所以在予格式化記錄時(shí)需要很長(zhǎng)的時(shí)間，伴隨著磁記錄密度的增大，予格式化記錄的整個(gè)信號(hào)量會(huì)增多，從而需要更長(zhǎng)的時(shí)間。因此，在制造磁記錄介質(zhì)時(shí)，伺服信號(hào)等在予格式化記錄工程所需費(fèi)用中的制造費(fèi)用，所占比率也會(huì)增大，所以在該工程中渴望低費(fèi)用化。
另一方面，有人提出一種方式，即，不在每一個(gè)個(gè)磁道中記錄予格式化情報(bào)，而是將予格式化情報(bào)從主載體上向從屬介質(zhì)上進(jìn)行磁復(fù)錄。例如，特開(kāi)昭63-183623號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平10-40544號(hào)公報(bào)和特開(kāi)平10-269566號(hào)公報(bào)中，對(duì)復(fù)錄技術(shù)作了介紹。
特開(kāi)昭63-183623號(hào)公報(bào)和特開(kāi)平10-40544號(hào)公報(bào)中記載的方法，是作為磁復(fù)錄用主載體，在基板的表面上形成與情報(bào)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的凹凸形狀，至少在凹凸形狀的凸部表面上形成強(qiáng)磁性薄膜，使這樣的磁復(fù)錄用主載體的表面，與由強(qiáng)磁性薄膜或含有強(qiáng)磁性粉的組合物形成涂布層的片狀或盤(pán)狀磁記錄介質(zhì)的表面相接觸，或進(jìn)一步施加交流偏置磁場(chǎng)或直流磁場(chǎng)，將構(gòu)成凸部表面的強(qiáng)磁性材料進(jìn)行激勵(lì)，使與凹凸形狀相對(duì)應(yīng)的磁化圖形記錄到磁記錄介質(zhì)上。
這種方法是將磁復(fù)錄用的主載體凸部表面與進(jìn)行予格式化的整個(gè)磁記錄介質(zhì)，即從屬介質(zhì)緊密接觸，通過(guò)對(duì)構(gòu)成凸部的強(qiáng)磁性材料進(jìn)行激磁，在從屬介質(zhì)上形成規(guī)定予格式化情報(bào)記錄的復(fù)錄方法。所具有的特征是不改變磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)的相對(duì)位置，可以靜態(tài)方式進(jìn)行記錄，可準(zhǔn)確地進(jìn)行予格式化記錄，并且，記錄所用時(shí)間也是極其短的時(shí)間。
這種磁復(fù)錄方法，由于磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)兩者以靜止?fàn)顟B(tài)接觸進(jìn)行復(fù)錄的方式，所以在伺服信號(hào)記錄過(guò)程中，磁復(fù)錄用主載體、從屬介質(zhì)都很少發(fā)生損壞，是所期望的高耐久性的方式。
作為磁復(fù)錄用主載體上使用的磁性體，可使用軟磁性材料。這樣，一開(kāi)始就要考慮到磁性層的透磁率會(huì)對(duì)復(fù)錄特性產(chǎn)生很大的影響，在選擇材料時(shí)，對(duì)高透磁率優(yōu)先進(jìn)行考慮。然而，信號(hào)品位是有邊緣的區(qū)域，所以更需要提高信號(hào)品位。要實(shí)現(xiàn)良好的磁復(fù)錄信號(hào)質(zhì)量，復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域需非常狹窄，就設(shè)備面上又存在實(shí)用上的問(wèn)題。
本發(fā)明的課題是在將記錄在磁復(fù)錄用主載體上的記錄情報(bào)向從屬介質(zhì)復(fù)錄時(shí)，提供一種可提高復(fù)錄信號(hào)的品位，復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域?qū)挼拇艔?fù)錄方法。
本發(fā)明的課題可按如下方式解決，即，在向磁記錄介質(zhì)上進(jìn)行磁復(fù)錄的方法中，將磁復(fù)錄用主載體磁性材料的飽和磁化(MA)和磁性層厚(δ)之積(Ms·δ)定在0.025T·μm(20G·μm)以上，2.3T·μm(1830G·μm)以下。
在將具有記錄著磁記錄情報(bào)的磁性層的磁復(fù)錄用主載體和接受復(fù)錄的從屬介質(zhì)緊密接觸，使磁復(fù)錄用主載體的磁記錄情報(bào)復(fù)錄到從屬介質(zhì)上的磁復(fù)錄方法中，沿著磁道方向使從屬介質(zhì)的磁化，予先形成初期直流磁化后，再將磁復(fù)錄用主載體和初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，在與從屬面的初期直流磁化方向相反的方向上施加復(fù)錄用磁場(chǎng)進(jìn)行磁復(fù)錄，是上述的磁復(fù)錄方法。
磁記錄介質(zhì)是利用上述方法，記錄了伺服信號(hào)的磁記錄介質(zhì)。
即，本發(fā)明中，發(fā)現(xiàn)在向磁記錄介質(zhì)上進(jìn)行磁復(fù)錄的方法中，將磁復(fù)錄用主載體磁性材料的飽和磁化(Ms)和磁性層厚(δ)之積(Ms·δ)定在0.025T·μm(20G·μm)以上，2.3T·μm(1830G·μm)以下的磁性材料，形成磁復(fù)錄用主載體的磁性層，用于記錄時(shí)，可提高復(fù)錄信號(hào)的品位，同時(shí)也能改善磁復(fù)錄時(shí)復(fù)錄磁場(chǎng)區(qū)域的狹窄。
作為磁復(fù)錄用主載體的磁性材料，可使用軟磁性材料，一開(kāi)始就要考慮到使磁場(chǎng)容易進(jìn)入磁性層，即，透磁率對(duì)復(fù)錄特性付與很大的影響，進(jìn)行磁性材料選擇時(shí)，優(yōu)先考慮高透磁率的。信號(hào)品位是邊緣的區(qū)域，更需要提高信號(hào)品位。要想實(shí)現(xiàn)良好的磁復(fù)錄信號(hào)質(zhì)量，復(fù)錄磁場(chǎng)區(qū)域非常狹窄，就設(shè)備面上存在實(shí)用上的問(wèn)題。
因此，在將磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)和接受復(fù)錄的從屬介質(zhì)緊密接觸，使磁復(fù)錄用主載體的磁記錄情報(bào)向從屬介質(zhì)進(jìn)行復(fù)錄的磁復(fù)錄方法中，使磁復(fù)錄用主載體上記錄情報(bào)圖形上的磁場(chǎng)收縮在圖形之內(nèi)，在圖形端處放出，通過(guò)將圖形部分之外從屬介質(zhì)的磁化進(jìn)行反轉(zhuǎn)，相對(duì)于從屬介質(zhì)進(jìn)行記錄情報(bào)的復(fù)錄。
在這種復(fù)錄方法中，由于磁復(fù)錄用主載體的磁化狀態(tài)是在飽和區(qū)域，所以必須考慮在不飽和區(qū)域內(nèi)的透磁率、比透磁率等磁性層的特性，對(duì)復(fù)錄特性付與很大影響的可能性很小。在飽和區(qū)域內(nèi)，支配磁復(fù)錄用主載體磁性層特性的是飽和磁化等的大小。
每單位體積的磁束收縮量與磁性材料的飽和磁化成比例，在磁復(fù)錄中，實(shí)際上從圖形發(fā)出的磁束量對(duì)復(fù)錄特性產(chǎn)生影響。為此，不僅要考慮飽和磁化(Ms)，而且還要考慮磁性層厚(δ)，也對(duì)特性產(chǎn)生影響。因此，將以飽和磁化(Ms)、膜厚(δ)之積(Ms·δ)表現(xiàn)的面磁矩作為參量，進(jìn)行復(fù)錄磁場(chǎng)范圍、信號(hào)品位評(píng)價(jià)時(shí)，發(fā)現(xiàn)Ms·δ存在著最佳的范圍。
而且知道，Ms·δ在低于0.025T·μm(20G·μm)區(qū)域內(nèi)，復(fù)錄磁場(chǎng)不會(huì)收縮在主圖形以?xún)?nèi)，信號(hào)間的磁化反轉(zhuǎn)境界區(qū)域很寬，其結(jié)果，信號(hào)品位降低，復(fù)錄磁場(chǎng)區(qū)域變得狹窄。
另一方面，Ms·δ超過(guò)2.3T·μm(1830G·μm)區(qū)域中，雖然提高了復(fù)錄磁場(chǎng)區(qū)域、信號(hào)品位，但，在磁復(fù)錄中使用的電磁鐵磁極，由于殘留磁化，即使沒(méi)有施加復(fù)錄磁場(chǎng)時(shí)，多少也能產(chǎn)生復(fù)錄磁場(chǎng)使從屬介質(zhì)形成磁化。為此，在磁復(fù)錄后取出從屬介質(zhì)時(shí)，可知復(fù)錄信號(hào)紊亂、信號(hào)品位降低。
根據(jù)以上分析結(jié)果，發(fā)現(xiàn)將磁復(fù)錄用主磁性材料的飽和磁化(Ms)和磁性層厚(δ)之積(Ms·δ)定在0.025T·μm(20G·μm)以上，2.3T·μm(1830G·μm)以下的磁性材料用作磁復(fù)錄用主載體，可提高記錄信號(hào)的品位，擴(kuò)大復(fù)錄磁場(chǎng)區(qū)域。
本發(fā)明磁復(fù)錄方法中使用的磁復(fù)錄用主載體可按以下方法制作。
作為磁復(fù)錄用主載體的基板可使用硅、鋁、玻璃、合成樹(shù)脂等表面平滑的部件。
首先，在這些基板上涂布光致抗蝕膜，利用圖形曝光或直接劃線，形成與利用磁復(fù)錄形成的圖形一致的抗蝕膜圖形。
圖形曝光時(shí)，通過(guò)利用反應(yīng)性腐蝕、或氬氣等離子體等物理腐蝕，或利用液體腐蝕，在基板上形成圖形。
接著，在規(guī)定的部分，以規(guī)定的厚度，利用噴濺形成磁性層膜。隨后用去除法除去光致抗蝕膜。也可以利用光制作法制作磁復(fù)錄時(shí)僅與從屬介質(zhì)進(jìn)行接觸的凸?fàn)畲判詫印?br> 作為細(xì)加工的方法，可使用噴射成形法。
當(dāng)對(duì)噴射成形法進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，一邊旋轉(zhuǎn)涂布了光致抗蝕膜的玻璃基板，一邊對(duì)應(yīng)伺服信號(hào)調(diào)節(jié)照射激光，在整個(gè)玻璃面上對(duì)光致抗蝕膜進(jìn)行曝光。使該抗蝕膜顯像，使玻璃基板進(jìn)行顯像，在玻璃上形成凹凸?fàn)睢＝又?，除去抗蝕膜，在形成凹凸?fàn)畹牟ＡЩ迳线M(jìn)行電鍍，制作成形成凹凸?fàn)畹碾婂冊(cè)P(pán)。
作為電鍍板材料，可使用鎳或鎳合金，為了提高電度原盤(pán)的耐久性，也可利用噴濺法形成金剛石狀碳等碳膜。
使用電鍍?cè)P(pán)，利用噴射成形等方法，制作形成圖形的樹(shù)脂基板，作為樹(shù)脂材料可使用聚碳酸酯、聚甲基甲基丙烯酸酯等丙烯酸樹(shù)脂、聚氯乙烯·氯乙烯共聚物等氯化乙烯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、非晶聚烯烴和聚酯等。從耐濕性、尺寸穩(wěn)定性和價(jià)格等方面考慮最好是聚碳酸酯。在形成電鍍?cè)P(pán)上有毛刺時(shí)，可用拋光器或帕里士合劑去除，圖形的溝深最好50-1000nm，更好200-500nm。
作為磁性材料可使用Co、Co合金(CoNi、CoNiZr、CoNbTaZr等)、Fe、Fe合金(FeCo、FeCo、Ni、FeNiMo、FeAlSi、FeAl、FeTaN)、Ni、Ni合金(NiFe)，最好是FeCo、FeCoNi。
在形成本發(fā)明磁復(fù)錄方法中使用的磁復(fù)錄用主載體磁性層之前，最好設(shè)置非磁性的底層，底層的結(jié)晶構(gòu)造和晶格常數(shù)最好和磁性層的一致。
作為形成底層的材料可用Cr、CrTi、CoCr、CrTa、CrMo、NiAl、Ru等。
在磁性層上也可設(shè)置金剛石狀碳(DLC)等保護(hù)膜，也可設(shè)置潤(rùn)滑劑層。
作為保護(hù)膜最好形成5-30nm的金剛石狀碳膜和潤(rùn)滑劑。
當(dāng)存在潤(rùn)滑劑時(shí)，在磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)的接觸過(guò)程中，修正產(chǎn)生滑動(dòng)時(shí)，即使產(chǎn)生磨擦仍能提高耐久性。
作為磁復(fù)錄用主載體的磁性材料，磁復(fù)錄用主載體的磁性材料，其飽和磁化(Ms)和磁性層厚之積(Ms·δ)，最好在定在0.025T·μm(20G·μm)以上，2.3T·μm(1830G·μm)以下。更好在0.05T·μm(40G·μm)以上，2.0T·μm(1591G·μm)以下的范圍?？筛鶕?jù)磁性層材料飽和磁化、磁性層厚、制作溫度、噴濺時(shí)使用氣體種類(lèi)等的調(diào)整，進(jìn)行主磁性層Ms·δ的調(diào)整。
可通過(guò)Cr、Ti等非磁性元素的添加量來(lái)調(diào)整Ms，以調(diào)整制作溫度，來(lái)調(diào)整主磁性層的均勻性，也可調(diào)整Ms。
在使用FeCo(原子比65∶35)時(shí)，將制作溫度設(shè)定在20-200℃之間?？蓪s調(diào)整在2.0-200℃之間，可將Ms調(diào)整在2.0-2.3T之間。
通過(guò)在氬和氧、氮等混合環(huán)境中制作磁性層，使磁性層氧化或氮化，調(diào)整磁性層的Ms，可以氧·氮的分壓調(diào)整Ms的大小。
最好的磁性層厚在50nm以上，800nm以下，更好在100nm以上、500nm以下。
以下對(duì)本發(fā)明中使用的從屬介質(zhì)進(jìn)行說(shuō)明。
作為從屬介質(zhì)，可使用在結(jié)合劑中分散了強(qiáng)磁性金屬粒子的涂布型磁記錄介質(zhì)，或在基板上形成強(qiáng)磁性金屬薄膜的金屬薄膜型磁記錄介質(zhì)。
作為涂布型磁記錄介質(zhì)，有ZiP(IOMEGA)用記錄介質(zhì)，叫作Zip100、Zip250、或HiFD的高密度軟盤(pán)等磁記錄介質(zhì)。
從屬介質(zhì)的保磁力Hc最好103KA/m(1300 Oe)以上，313KA/m(4000 Oe)以下，更好在127KA/m(1600 Oe)以上，239KA/m(3000 Oe)以下。從屬介質(zhì)的保磁力Hc低于103KA/m時(shí)，在每6.45cm2上不能保持1Gb(1吉比特/平方英寸)以上的高密度記錄情報(bào)。反之，高于313KA/m時(shí)，不存在能在從屬介質(zhì)上進(jìn)行記錄的磁記錄頭。
作為金屬薄膜型磁記錄介質(zhì)，作為磁性材料可用Co、Co合金(CoPtCr、CoCr、CoPtCrTa、CoPtCrNbTa、CoCrB、CoNi等)、Fe、Fe合金(FeCo、FePt、FeCoNi)。具有大磁束密度、和磁復(fù)錄用主載體的磁性層同方向，即形成面內(nèi)記錄的面內(nèi)方向，形成垂直的垂直方向，具有磁異向性的磁性材料最好，能進(jìn)行清晰的復(fù)錄。
為了在磁性層的下部，即基板側(cè)形成所需要的磁異向性，最好設(shè)置非磁性的底層，最好使結(jié)晶構(gòu)造和晶格常數(shù)與磁性層一致。
作為形成底層用的材料，具有可舉出有Cr、CrTi、CoCr、CrTa、CrMo、Ni、Ru等。
以下以實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例1對(duì)于3.5型磁復(fù)錄用主載體，使用硅片圓盤(pán)作基板，形成由FeCo(原子比Fe∶Co＝70∶30)形成的200nm厚磁性層。圖形是從圓盤(pán)中心到半徑方向20-40mm的位置，是5μm寬的等間距放射狀線、線間距在半徑方向20mm的最內(nèi)周位置形成8μm間距。
形成磁性層，使用噴濺裝置(阿奈魯巴)使用直流噴濺法，制作溫度為25℃、氬氣噴濺壓為5.0×10-4Pa(0.36毫托)，使用電力為2.80W/cm2.
膜厚的調(diào)整，在實(shí)施劃線的硅基板上，進(jìn)行10分鐘的磁性材料成膜，將這種試料用丙酮洗干凈，除去劃線部分。用接觸式段差計(jì)測(cè)定出該部分上產(chǎn)生的膜厚段差，并測(cè)定出膜厚，由膜厚和噴濺時(shí)間的關(guān)系計(jì)算出噴濺速度。接著由噴濺速度計(jì)算出達(dá)到目標(biāo)膜厚的所需要的時(shí)間，作為成膜的必要時(shí)間。
對(duì)于從屬介質(zhì)，可使用市售的(IOMEGA)Zip250用涂布型磁介質(zhì)(富士寫(xiě)真膠片株式會(huì)社)。從屬介質(zhì)的保磁力為199KA/m(2500 Oe)。
以398KA/m(5000 Oe)將從屬介質(zhì)進(jìn)行初期直流磁化后，使磁復(fù)錄用主載體和從屬介質(zhì)緊密接觸，以和初期直流磁化相反的方向，施加199KA/m(2500Oe)強(qiáng)度的復(fù)錄磁場(chǎng)，向從屬介質(zhì)復(fù)錄記錄情報(bào)，所得從屬介質(zhì)按以下評(píng)價(jià)方法評(píng)價(jià)，并進(jìn)行磁復(fù)錄情報(bào)的評(píng)價(jià)。
實(shí)施例2除了將實(shí)施例1記載的磁復(fù)錄用主載體的磁性層厚變更為400nm外，其它和實(shí)施例1一樣，制作實(shí)施例2的磁復(fù)錄用主載體，并和實(shí)施例1一樣，進(jìn)行磁復(fù)錄，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。
實(shí)施例3除了將實(shí)施例1記載的磁復(fù)錄用主載體磁性層變更為CoFeNi(原子比65∶22∶13)外，和實(shí)施例1一樣制作實(shí)施例3的磁復(fù)錄用主載體，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。
實(shí)施例4除了將實(shí)施例1記載的磁復(fù)錄用主載體磁性層變更為Ni外，其它和實(shí)施例1一樣，制作實(shí)施例4的磁復(fù)錄用主載體，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄，并按以下評(píng)價(jià)方法進(jìn)行評(píng)價(jià)。
實(shí)施例5除了將實(shí)施例1記載的磁復(fù)錄用主載體磁性層的噴濺環(huán)境氣，變更為氬分壓為5.0×10-4Pa(0.36毫托)、氧分壓3.0×10-5Pa(0.022毫托)外，其它和實(shí)施例1一樣，制作實(shí)施例5的磁復(fù)錄用主載體，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。
實(shí)施例6除了將實(shí)施例1記載的磁復(fù)錄用主載體磁性層的噴濺環(huán)境氣，變更為氬分壓為5.0×10-4Pa(0.36毫托)、氮分壓3.0×10-5Pa(0.022毫托)外，其它和實(shí)施例1一樣，制作實(shí)施例6的磁復(fù)錄用主載體，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。
比較例1除了將實(shí)施例4記載的磁復(fù)錄用主載體磁性層的厚度變更為100nm外，其它和實(shí)施例4一樣，制作比較例1的磁復(fù)錄用主載體，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。
比較例2除了將實(shí)施例1記載的磁復(fù)錄用主載體磁性層的厚度變更為30nm外，其它和實(shí)施例1一樣，制作比較例2的磁復(fù)錄用主載體，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。
比較例3除了將實(shí)施例1記載的磁復(fù)錄用主載體磁性層的厚度變更為800nm外，其它和實(shí)施例1一樣，制作比較例3的磁復(fù)錄用主載體，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。
比較例4除了將實(shí)施例1記載的磁復(fù)錄用主載體磁性層的厚度變更為1000nm外，其它和實(shí)施例1一樣，制作比較例4的磁復(fù)錄用主載體，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。
比較例5除了將實(shí)施例3記載的磁復(fù)錄用主載體磁性層的噴濺環(huán)境氣變更為氧外，其它和實(shí)施例3一樣，制作比較例5的磁復(fù)錄用主載體，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。
比較例6除了將實(shí)施例1記載的磁復(fù)錄用主載體磁性層的噴濺環(huán)境氣變更為氧外，其它和實(shí)施例1一樣，制作比較例6的磁復(fù)錄用主載體，和實(shí)施例1一樣進(jìn)行磁復(fù)錄，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。
※評(píng)價(jià)方法1、飽和磁化的測(cè)定和Ms·δ的演算利用試料振動(dòng)型磁力計(jì)(VSM)進(jìn)行測(cè)定磁性層的飽和磁化Ms。將試料切成8mm×6mm的大小，從該面積和噴濺速度計(jì)算出磁性層厚δ，再計(jì)算出體積、飽和磁化。
由利用上述方法求出的Ms和δ之積，計(jì)算出Ms·δ。
2、復(fù)錄磁場(chǎng)區(qū)域?qū)挾鹊臏y(cè)定對(duì)磁復(fù)錄后的從屬載體，將磁顯像液(西格馬哈依開(kāi)米卡魯社制Q體)稀釋15倍，滴加在從屬介質(zhì)上，進(jìn)行干燥，顯像。用目測(cè)確認(rèn)顯像后的磁復(fù)錄像，將信號(hào)產(chǎn)生。消失的各磁場(chǎng)強(qiáng)度間的差作為復(fù)錄磁場(chǎng)區(qū)域。
3、電磁變換特性的測(cè)定利用電磁變換特性測(cè)定裝置(協(xié)同電子制SS-60)進(jìn)行評(píng)價(jià)從屬介質(zhì)復(fù)錄信號(hào)的品位。將裝置的再生信號(hào)輸入到數(shù)字示波器內(nèi)(雷庫(kù)勞以社制LC334AM)、根據(jù)信號(hào)的半值寬度(PW50)進(jìn)行評(píng)價(jià)，PW50低于300nm為良好，高于此值為不好。
表1Ms·δ 復(fù)錄磁場(chǎng)區(qū)域 信號(hào)品位 PW50面磁矩(T·μm) (kA/m) (nm)實(shí)施例10.4 200 良好 288實(shí)施例20.8 223 良好 274實(shí)施例30.42 179 良好 282實(shí)施例40.1 143 良好 299實(shí)施例50.06 210 良好 276實(shí)施例60.04 203 良好 277比較例10.01564 不好 315比較例20.02 81 不好 319比較例32.4 223 不好 304比較例43.2 227 不好 309比較例50.01 21 不好 412比較例60.00616 不好 395
如上所述，根據(jù)使用本發(fā)明磁復(fù)錄用主載體的磁復(fù)錄方法，可在硬盤(pán)大容量可取盤(pán)介質(zhì)、大容量柔軟性介質(zhì)等盤(pán)狀介質(zhì)上，可對(duì)跟蹤用伺服信號(hào)的地址情報(bào)信號(hào)和再生時(shí)鐘信號(hào)等予格式化記錄，進(jìn)行穩(wěn)定的磁復(fù)錄，不會(huì)導(dǎo)致復(fù)錄信號(hào)的品位降低，而且時(shí)間短，生產(chǎn)效率高。
權(quán)利要求
1.一種磁復(fù)錄方法，特征是在磁記錄介質(zhì)上進(jìn)行磁復(fù)錄方法中，磁復(fù)錄用主載體的磁性材料，飽和磁化(Ms)和磁性層厚之積(Ms·δ)，最好在定在0.25T·μm(20G·μm)以上，2.3T·μm(1830G·μm)以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁復(fù)錄方法，其特征在于在將具有記錄了磁記錄情報(bào)磁性層的磁復(fù)錄用主載體和接受復(fù)錄的從屬介質(zhì)緊密接觸，使磁復(fù)錄用主載體的磁記錄情報(bào)復(fù)錄到從屬介質(zhì)上的磁復(fù)錄方法中，沿磁道方向予先將從屬介質(zhì)的磁化形成初期直流磁化后，使磁復(fù)錄用主載體和初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸，沿與從屬面的初期直流磁化方向相反的方向，施加復(fù)錄用磁場(chǎng)，進(jìn)行磁復(fù)錄。
3.一種磁記錄介質(zhì)，特征是該磁記錄介質(zhì)是按照權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)記載的方法，記錄了伺服信號(hào)的磁記錄介質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種在將具有記錄了磁記錄情報(bào)磁性層的磁復(fù)錄用主載體和接受復(fù)錄的從屬介質(zhì)緊密接觸,將磁復(fù)錄用主載體的磁記錄情報(bào)復(fù)錄到從屬介質(zhì)上的磁復(fù)錄方法中,是沿著磁道方向,預(yù)先使從屬介質(zhì)進(jìn)行初期直流磁化,作為磁復(fù)錄用主載體,使用飽和磁化Ms和磁性層厚δ之積Ms·δ定在0.025T·μm(20G·μm)以上,2.3T·μm(1830G·μm)以下的磁性材料,和初期直流磁化的從屬介質(zhì)緊密接觸,沿著和從屬面的初期直流磁化方向相反方向施加復(fù)錄用磁場(chǎng),進(jìn)行磁復(fù)錄的磁復(fù)錄方法。本發(fā)明可以提高復(fù)錄信號(hào)的品位,復(fù)錄磁場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域?qū)挕?br> 文檔編號(hào)G11B5/86GK1321970SQ0111026
公開(kāi)日2001年11月14日 申請(qǐng)日期2001年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月28日
發(fā)明者西川正一 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社