專(zhuān)利名稱(chēng)：通過(guò)光纜遠(yuǎn)程激勵(lì)和測(cè)量電子信號(hào)的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及遠(yuǎn)程電子測(cè)試和測(cè)量，更具體而言，涉及通過(guò)光纜遠(yuǎn)程激勵(lì)和測(cè)量電子信號(hào)的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)正在發(fā)出或者檢測(cè)的電信號(hào)快速變化時(shí)，即當(dāng)它們包含高頻成分時(shí)，通常很難使用傳統(tǒng)裝置將這些信號(hào)傳送到遠(yuǎn)程位置或者從遠(yuǎn)程位置傳送過(guò)來(lái)。一般地，無(wú)論有沒(méi)有重發(fā)放大器的幫助，高頻信號(hào)都經(jīng)由同軸電纜或者其他輸電線傳送。傳統(tǒng)的輸送線都是頻率分散的，這意味著通過(guò)相對(duì)于信號(hào)的低頻成分削弱或者過(guò)度延遲信號(hào)的高頻成分，它們使得傳送的信號(hào)相對(duì)于發(fā)出或者檢測(cè)的信號(hào)失真。此外，傳統(tǒng)的輸送線可能通過(guò)由沿著輸送線的阻抗不均勻性引起的反射而使信號(hào)失真。在通信系統(tǒng)中可以容許一定程度的失真，但是在測(cè)量系統(tǒng)中信號(hào)失真必須被最小化。此外，在測(cè)試儀器和被測(cè)試的設(shè)備之間存在很大的直流電壓差的情況下，或者在諸如同軸電纜的導(dǎo)電元件的出現(xiàn)可能擾亂測(cè)量(例如天線測(cè)試)的情況下，諸如同軸電纜的連接是不可行的。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種光電系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括光學(xué)信號(hào)調(diào)制器、連接到所述光學(xué)信號(hào)調(diào)制器的輸入光波導(dǎo)和輸出光波導(dǎo)。該系統(tǒng)還包括在所述光學(xué)信號(hào)調(diào)制器中的反射光學(xué)元件，所述元件布置成將通過(guò)所述輸入光波導(dǎo)入射的輸入光束反射為通過(guò)所述輸出光波導(dǎo)的輸出光束。該系統(tǒng)還包括在所述光學(xué)信號(hào)調(diào)制器中的電端子。所述電端子配置成所述電端子上的電信號(hào)可以操作來(lái)與所述輸入光束互相作用。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種遠(yuǎn)程傳送調(diào)制信號(hào)的方法。所述方法包括使用光學(xué)信號(hào)調(diào)制來(lái)用電信號(hào)調(diào)制輸入光束，和將所述調(diào)制光束反射到不同于所述輸入光束方向的輸出光束方向。


圖1描繪了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用于通過(guò)光纜從被測(cè)試的遠(yuǎn)程電氣設(shè)備向電子測(cè)量?jī)x器傳送一份電響應(yīng)信號(hào)的系統(tǒng)；圖2描繪了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用于經(jīng)由光纖鏈接遠(yuǎn)程傳送用于激勵(lì)遠(yuǎn)程電氣設(shè)備的調(diào)制信號(hào)的系統(tǒng)；圖3描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，用于經(jīng)由光纖鏈接同時(shí)向遠(yuǎn)程電氣設(shè)備傳送激勵(lì)信號(hào)和從遠(yuǎn)程電氣設(shè)備傳送響應(yīng)信號(hào)兩者的系統(tǒng)；圖4A描繪了包括電吸收調(diào)制器(EAM)的調(diào)制器配置，其控制光束的發(fā)送強(qiáng)度與所施加控制電壓成比例；圖4B描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的反射模式EAM(REAM)，其將EAM與反射表面組合起來(lái)；圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在恒定入射功率下的典型REAM反射功率對(duì)電壓的傳遞曲線圖；圖6描繪了作為電吸收調(diào)制器(EAM)一個(gè)示例的量子阱調(diào)制器結(jié)構(gòu)；圖7A描繪了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，具有AC耦合輸入信號(hào)、偏置為線性操作的REAM配置；圖7B描繪了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的差分對(duì)REAM配置；圖8A-8E圖示了多種應(yīng)用的REAM配置。
具體實(shí)施例方式
通常需要或者期望在遠(yuǎn)離處理檢測(cè)數(shù)據(jù)的測(cè)量?jī)x器的位置處檢測(cè)電信號(hào)。類(lèi)似地，通常需要傳送電子信號(hào)到遠(yuǎn)離該信號(hào)源的位置。實(shí)際上，有時(shí)候需要遠(yuǎn)程地用同一物理裝置檢測(cè)和傳送信號(hào)，使得可以以有效的方式充分地表征正在被測(cè)試的設(shè)備。
在傳統(tǒng)上用于遠(yuǎn)程測(cè)試的距離(數(shù)米到數(shù)百米)上，單模光纜通常具有足夠低的頻散以達(dá)到可以忽略的信號(hào)失真。此外，光電探測(cè)器和反射模式電吸收調(diào)制器(REAM)可以被設(shè)計(jì)成在信號(hào)電平的有用范圍上具有低信號(hào)失真。因此，電子測(cè)量?jī)x器和被測(cè)試的遠(yuǎn)程設(shè)備的位置之間的距離可以增大到比利用諸如同軸電纜的傳統(tǒng)輸電線可以達(dá)到的距離大得多的值。
圖1描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，用于通過(guò)光纜從被測(cè)試的遠(yuǎn)程電氣設(shè)備向電子測(cè)量?jī)x器傳送一份電響應(yīng)信號(hào)的系統(tǒng)100。在圖1所示的遠(yuǎn)程檢測(cè)配置中，由連續(xù)波(CW)光源101發(fā)射的CW光束11穿過(guò)光學(xué)環(huán)行器102并且穿過(guò)光波導(dǎo)104成為CW光束12。CW光束12被遠(yuǎn)程電氣設(shè)備107產(chǎn)生的遠(yuǎn)程電信號(hào)13在遠(yuǎn)程檢測(cè)點(diǎn)處的光學(xué)信號(hào)調(diào)制器中調(diào)制，所述光學(xué)信號(hào)調(diào)制器例如是反射模式電吸收調(diào)制器(REAM)105。通常將偏置電壓106施加到REAM 105以提供線性操作。調(diào)制光束14然后被REAM105反射回來(lái)穿過(guò)光波導(dǎo)104、光學(xué)環(huán)行器102和光波導(dǎo)108成為調(diào)制光束15，調(diào)制光束15通常由光學(xué)放大器109放大以提供穿過(guò)光波導(dǎo)111的放大的光束16。此放大的調(diào)制光束16通常由光電探測(cè)器110所探測(cè)，其生成穿過(guò)電纜112的光電信號(hào)17。重現(xiàn)遠(yuǎn)程電信號(hào)13的光電信號(hào)17通常由電子測(cè)量?jī)x器113處理。
圖2描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，用于經(jīng)由光纖鏈接遠(yuǎn)程傳送用于激勵(lì)遠(yuǎn)程電氣設(shè)備的調(diào)制信號(hào)的系統(tǒng)200。來(lái)自調(diào)制光源201的調(diào)制光信號(hào)21穿過(guò)光纖鏈接103、光學(xué)環(huán)行器102，并作為調(diào)制光信號(hào)22穿過(guò)光纖鏈接104，并且入射到反射模式電吸收調(diào)制器(REAM)205上。REAM 205可以與圖1所描繪的REAM 105相同。通常被負(fù)壓206偏置的REAM 205將調(diào)制光信號(hào)22轉(zhuǎn)換成電信號(hào)23，其激勵(lì)正在被測(cè)試的電氣設(shè)備207。在此情況下，遠(yuǎn)程電氣設(shè)備207的響應(yīng)可以由其他裝置所監(jiān)視，這樣就不需要使用環(huán)行器102、光學(xué)放大器109、光電探測(cè)器110和電子測(cè)量?jī)x器113。這些元件被表示來(lái)證明以下事實(shí)，即相同的裝置可以被用于圖2所示的激勵(lì)測(cè)試，或者用于圖1所示的響應(yīng)測(cè)試，其不同之處在于光源是CW光源還是調(diào)制光源。
圖3描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，用于經(jīng)由光纖鏈接同時(shí)向遠(yuǎn)程電氣設(shè)備傳送激勵(lì)信號(hào)和從遠(yuǎn)程電氣設(shè)備傳送響應(yīng)信號(hào)兩者的系統(tǒng)300。來(lái)自調(diào)制光源201的調(diào)制光信號(hào)21穿過(guò)光纖鏈接103、光學(xué)環(huán)行器102，并作為調(diào)制光信號(hào)22穿過(guò)光纖鏈接104，并且入射到反射模式電吸收調(diào)制器(REAM)305上。REAM 305可以與圖2所描繪的REAM 205相同。通常被偏置電壓306偏置以提供線性操作的REAM 305將調(diào)制光信號(hào)22轉(zhuǎn)換成電信號(hào)33，其激勵(lì)正在被測(cè)試的電氣設(shè)備307。電氣設(shè)備307對(duì)激勵(lì)33的響應(yīng)34(由此修改其端子處的電壓)反過(guò)來(lái)調(diào)節(jié)REAM 305的反射系數(shù)。REAM 305的反射系數(shù)與入射光22相互作用，將響應(yīng)電壓34的調(diào)制光復(fù)制信號(hào)35反射穿過(guò)光波導(dǎo)104、光學(xué)環(huán)行器102和光學(xué)導(dǎo)向部分108成為調(diào)制光復(fù)制信號(hào)36，其接著通常由光學(xué)放大器109放大，并作為放大的調(diào)制光復(fù)制信號(hào)16被發(fā)送穿過(guò)光學(xué)導(dǎo)向部分111到光電探測(cè)器110，并由電子測(cè)量?jī)x器113處理。圖3所示配置的典型應(yīng)用是時(shí)域反射計(jì)，但也可以實(shí)現(xiàn)其他組合的激勵(lì)/響應(yīng)應(yīng)用，例如網(wǎng)絡(luò)分析(電子網(wǎng)絡(luò)的頻域測(cè)試)。
首字母簡(jiǎn)寫(xiě)REAM表示“反射模式電吸收調(diào)制器”。REAM實(shí)質(zhì)上是配置成在反射模式下運(yùn)行的電吸收調(diào)制器，例如通過(guò)將光入射到調(diào)制器的第一表面并且在調(diào)制器的相對(duì)表面上設(shè)置反射鏡。反射調(diào)制器已經(jīng)與自由空間光束一起被用來(lái)形成通信系統(tǒng)。
光信號(hào)調(diào)制器可以是任何類(lèi)型的反射模式調(diào)制器，包括電光(EOM)、機(jī)電(EMM)和電吸收(EAM)。使用電光調(diào)制器(EOM)將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成調(diào)制光，和使用光電探測(cè)器將調(diào)制光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)是許多光學(xué)通信系統(tǒng)中的標(biāo)準(zhǔn)作法。已經(jīng)有利地被開(kāi)發(fā)實(shí)用的電吸收調(diào)制器(EAM)被認(rèn)為是調(diào)制器類(lèi)型中唯一具有用作光調(diào)制器和光探測(cè)器兩者的能力的。例如圖2和3中描繪的應(yīng)用只適用于電吸收調(diào)制器類(lèi)型。
圖4A描繪了包括電吸收調(diào)制器(EAM)401的調(diào)制器配置400，其控制光束的發(fā)送強(qiáng)度與所施加的控制電壓402成比例。EAM 401調(diào)制所發(fā)送的光使得離開(kāi)右平面的調(diào)制光42是進(jìn)入左平面的光41的時(shí)變部分，該時(shí)變部分由時(shí)變電壓402所控制。圖4B描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的反射模式EAM(REAM)410，其將EAM 401與反射表面(例如反射鏡)403組合起來(lái)，其在調(diào)制器的左表面具有入射光束41和調(diào)制出射光束43。REAM幾何結(jié)構(gòu)在檢測(cè)和探測(cè)應(yīng)用中的優(yōu)點(diǎn)是只需要單條光路。例如，如果該光路是光纖，那么整個(gè)組件可以被做得更簡(jiǎn)單和更不復(fù)雜。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在恒定入射功率下典型REAM的反射功率對(duì)電壓的傳遞曲線圖。反射功率沿著縱軸502顯示為沿著橫軸501的控制電壓的函數(shù)。偏置電壓是控制電壓的選擇值。為了將該設(shè)備偏置在線性操作范圍的中點(diǎn)附近，需要施加負(fù)的直流偏置值，例如電壓505。這產(chǎn)生平衡反射功率值504。于是在以偏置點(diǎn)503為中心的附近獲得線性操作?？梢詫⒃O(shè)備制造為Vbias＝0，但是這樣的設(shè)備通常對(duì)調(diào)制電壓的變化的反射響應(yīng)很慢。
REAM根據(jù)波長(zhǎng)和特定的控制電壓值Vcontrol吸收光至不同程度。一般而言，如果Vcontrol是零伏特，REAM被認(rèn)為是“透明的”，并且所有光都被反射。如果Vcontrol被設(shè)置為Vbias，那么REAM在線性區(qū)域操作，并且所反射光的量與所施加電壓成線性比例。Vbias可以用于探測(cè)模式，即使探測(cè)效率沒(méi)有被最大化。如果REAM被偏置，例如Vbias＝-5V，那么幾乎全部進(jìn)入的光都被吸收。當(dāng)需要最大探測(cè)效率和帶寬時(shí)此Vbias值可以被用于探測(cè)模式操作。
當(dāng)REAM被偏置為Vcontrol＝負(fù)壓時(shí)，光被吸收，并且入射光的能量被用于建立移動(dòng)電荷的“空穴-電子對(duì)”。這些移動(dòng)的空穴和電子被清掃出REAM的電端子成為流動(dòng)電荷構(gòu)成的電流(光電流)。此光電流具有很快的響應(yīng)時(shí)間，因此如果入射光在強(qiáng)度上被調(diào)制，那么通過(guò)吸收此光而產(chǎn)生的光電流也被調(diào)制，由此產(chǎn)生調(diào)制光強(qiáng)度的有用的電復(fù)制信號(hào)。被稱(chēng)為光電效應(yīng)的此操作機(jī)制通常在光電探測(cè)器中使用，其使得REAM能夠被用作光電探測(cè)器。
可以在因特網(wǎng)上的以下網(wǎng)址獲得對(duì)一個(gè)電吸收調(diào)制器實(shí)例的操作的基本說(shuō)明http//www.bell-labs.com/project/oevlsi/tutorial/僅在量子阱中可見(jiàn)的一種特定電吸收機(jī)制被稱(chēng)為“量子約束的斯塔克效應(yīng)(quantum-confined Stark effect)”。與半導(dǎo)體中的其他電吸收機(jī)制一樣，此機(jī)制也非?？臁?duì)該機(jī)制自身沒(méi)有內(nèi)在的速度限制，直到時(shí)間標(biāo)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于皮秒。在實(shí)踐中，速度僅僅由向量子阱施加電壓所用的時(shí)間所限制，該時(shí)間通常由外部電路的RC時(shí)間常數(shù)所限制。40GHz的速度已經(jīng)得到證實(shí)。
圖6描繪了作為電吸收調(diào)制器(EAM)一個(gè)示例的量子阱調(diào)制器結(jié)構(gòu)600。量子阱601是非摻雜本征半導(dǎo)體層，夾在p摻雜頂部觸點(diǎn)602和n摻雜襯底604上的n摻雜底部觸點(diǎn)603之間。這形成了二極管結(jié)構(gòu)，其能夠通過(guò)觸點(diǎn)605、606被反向偏置，以施加垂直于量子阱層的調(diào)制電場(chǎng)。該電場(chǎng)調(diào)制輸入光束61以產(chǎn)生輸出調(diào)制光束62。結(jié)構(gòu)600使用砷化鎵和砷化鎵鋁制成，在約850nm的波長(zhǎng)處工作最佳，但是也可以使用其他半導(dǎo)體材料。例如在Optics and Photonics News 1990年2月第1期卷2第7-15頁(yè)D.A.B.Miller所著的“Optoelectronic applications of quantum wells(量子阱的光電應(yīng)用)”中進(jìn)一步說(shuō)明了量子阱結(jié)構(gòu)和操作。
電光調(diào)制器通常基于諸如鉀鉭鈮或者鈦酸鋇之類(lèi)的晶體所表現(xiàn)出的二次(克爾)電光效應(yīng)。其他電光調(diào)制器基于在諸如磷酸二氘鉀或者砷酸二氘銫之類(lèi)的晶體中所發(fā)生線性(普克耳)電光效應(yīng)。機(jī)電調(diào)制器基于應(yīng)力雙折射或者光彈性的原理，并包括一類(lèi)使用例如晶狀石英的材料的聲光調(diào)制器。在1987年Addison-Wesley出版公司出版的Hecht所著“Optics”第二版第314-321頁(yè)中對(duì)電光和機(jī)電調(diào)制進(jìn)行了概述。
圖7A描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，具有AC耦合的輸入信號(hào)、被偏置為線性操作的REAM配置700。基本的REAM設(shè)備701被圖示為電子二極管。通過(guò)偏置電阻703施加偏置電壓71，并且通過(guò)AC耦合電容702將電信號(hào)72耦合入/出。參考電壓73被供應(yīng)給REAM701。光束74、75調(diào)制電信號(hào)72/被電信號(hào)72調(diào)制。如同許多電子設(shè)備一樣，REAM通常如結(jié)合圖5所說(shuō)明的那樣被偏置，并且適當(dāng)?shù)钠秒妷翰槐嘏c所檢測(cè)的電壓一致。在許多情況下，需要REAM和被測(cè)試的電壓之間進(jìn)行AC耦合。
圖7B描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的差分對(duì)REAM配置710。配置DC耦合的REAM傳感器的一個(gè)方法是將基本的REAM設(shè)備701布置成以差分對(duì)方式操作。通過(guò)各自的偏置電阻703、704施加負(fù)偏置電壓71，通過(guò)偏置電阻705施加正偏置電壓70，在72、73處連接電信號(hào)。信號(hào)可以是調(diào)制電壓信號(hào)或者DC參考電壓。光束74-77調(diào)制電信號(hào)72、73/被電信號(hào)72、73調(diào)制。
圖8A-8E圖示了用于多種應(yīng)用的REAM配置。圖8A描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的REAM配置800，其中通過(guò)殼體808中的接觸探頭804、806將來(lái)自信號(hào)807和地805的電壓施加到REAM 801。輸入和輸出光束81、82通過(guò)光纖803和REAM 801之間的透鏡802耦合。REAM配置800具有高輸入阻抗，使得其對(duì)信號(hào)線表現(xiàn)出最小的電負(fù)載。
圖8B描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的REAM配置820，其中通過(guò)殼體808中的非接觸靜電耦合探頭809、811將電壓810、812施加到REAM801。輸入和輸出光束81、82通過(guò)光纖803和REAM 801之間的透鏡802耦合。REAM配置820具有高輸入阻抗，使得其對(duì)信號(hào)線表現(xiàn)出最小的電負(fù)載。
圖8C描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的REAM配置840，其中通過(guò)安裝到同軸連接器814的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)813將電壓施加到REAM 801。輸入和輸出光束81、82通過(guò)光纖803和REAM 801之間的透鏡802耦合。REAM配置840對(duì)同軸連接器表現(xiàn)出匹配負(fù)載(通常為50ohm)。
圖8D描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的REAM配置860，其中通過(guò)天線815的端子將電壓施加到REAM 801。傳統(tǒng)配置的天線815可以是具有至少兩個(gè)端子的單個(gè)天線，兩個(gè)端子中的一個(gè)可以被接地。匹配網(wǎng)絡(luò)813將REAM阻抗轉(zhuǎn)換成天線815的最佳負(fù)載。輸入和輸出光束81、82通過(guò)光纖803和REAM 801之間的透鏡802耦合。
圖8E描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的REAM配置880，其中通過(guò)電磁波定向耦合器816將電壓施加到REAM 801。電壓與電磁線817上的行波振幅成比例。輸入和輸出光束81、82和83、84通過(guò)光纖803和REAM 801之間的透鏡802耦合。
雖然已經(jīng)結(jié)合具體實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員很清楚的是，在上述說(shuō)明的啟示下，許多替代、修改和變化將是顯然的。因此，本發(fā)明意于包括落入所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的所有其他這樣的替代、修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種光電系統(tǒng)，包括光學(xué)信號(hào)調(diào)制器；連接到所述光學(xué)信號(hào)調(diào)制器的輸入光波導(dǎo)和輸出光波導(dǎo)；在所述光學(xué)信號(hào)調(diào)制器中的反射光學(xué)元件，所述元件布置成將通過(guò)所述輸入光波導(dǎo)入射的輸入光束反射為通過(guò)所述輸出光波導(dǎo)的輸出光束；和在所述光學(xué)信號(hào)調(diào)制器中的電端子，所述電端子配置成所述電端子上的電信號(hào)可以操作來(lái)與所述輸入光束互相作用。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述輸入光波導(dǎo)和所述輸出光波導(dǎo)是一個(gè)光波導(dǎo)。
3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述電信號(hào)可以操作來(lái)互相作用以調(diào)制所述輸出光束。
4.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述光學(xué)信號(hào)調(diào)制器是電吸收調(diào)制器。
5.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中所述輸入光束可以操作來(lái)互相作用以調(diào)制所述電信號(hào)。
6.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中所述電信號(hào)可以操作來(lái)互相作用以調(diào)制所述輸出光束。
7.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括以平衡并聯(lián)配置電互連的多個(gè)電吸收調(diào)制器。
8.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述電端子通過(guò)接觸探頭耦合到電壓源。
9.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述電端子通過(guò)非接觸探頭耦合到電壓源。
10.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述電端子通過(guò)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)耦合到電壓源。
11.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述電端子通過(guò)電磁波定向耦合器耦合到電壓源。
12.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)可以操作來(lái)經(jīng)由光纖從遠(yuǎn)程電氣設(shè)備向電子測(cè)量?jī)x器傳送一份電信號(hào)。
13.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)可以操作來(lái)經(jīng)由光纖傳送調(diào)制信號(hào)，用于激勵(lì)遠(yuǎn)程電氣設(shè)備。
14.如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)同時(shí)可以操作來(lái)經(jīng)由所述光纖從遠(yuǎn)程電氣設(shè)備向電子測(cè)量?jī)x器傳送一份電信號(hào)。
15.一種遠(yuǎn)程傳送調(diào)制信號(hào)的方法，所述方法包括使用光學(xué)信號(hào)調(diào)制來(lái)用電信號(hào)調(diào)制輸入光束；和將所述調(diào)制光束反射到不同于所述輸入光束方向的輸出光束方向。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括通過(guò)使用電吸收調(diào)制與所述輸入光束相互作用來(lái)同時(shí)調(diào)制所述電信號(hào)。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括與所述電信號(hào)同時(shí)地施加偏置電壓。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述輸出光束和所述輸入光束通過(guò)單條光纖在相反方向上傳播。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述輸入光束傳送電激勵(lì)信號(hào)的復(fù)制信號(hào)。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述輸出光束將來(lái)自遠(yuǎn)程電氣設(shè)備的電響應(yīng)信號(hào)的復(fù)制信號(hào)傳送到電子測(cè)量?jī)x器。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中所述輸入光束將電激勵(lì)信號(hào)的復(fù)制信號(hào)傳送到遠(yuǎn)程電氣設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種光電系統(tǒng)，其包括光學(xué)信號(hào)調(diào)制器、連接到所述光學(xué)信號(hào)調(diào)制器的輸入光波導(dǎo)和輸出光波導(dǎo)。該系統(tǒng)還包括在所述光學(xué)信號(hào)調(diào)制器中的反射光學(xué)元件，所述元件布置成將通過(guò)所述輸入光波導(dǎo)入射的輸入光束反射為通過(guò)所述輸出光波導(dǎo)的輸出光束。該系統(tǒng)還包括在所述光學(xué)信號(hào)調(diào)制器中的電端子。所述電端子配置成所述電端子上的電信號(hào)可以操作來(lái)與所述輸入光束互相作用。
文檔編號(hào)G08C23/04GK1658249SQ20041008995
公開(kāi)日2005年8月24日 申請(qǐng)日期2004年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月19日
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