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一種基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽的制作方法

文檔序號(hào):10017071閱讀:1179來(lái)源:國(guó)知局
一種基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子標(biāo)簽制造領(lǐng)域,尤其涉及一種基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽。
【背景技術(shù)】
[0002]目前使用的普通標(biāo)簽的環(huán)保性、完整性、可靠性、可追溯性極差,標(biāo)簽數(shù)據(jù)采集實(shí)時(shí)性差,人工采集環(huán)節(jié)較多,過(guò)期難以識(shí)別,標(biāo)簽易損毀、偽造,標(biāo)簽在使用的各個(gè)環(huán)節(jié)的采集信息效率較低,并在超低溫的情況下進(jìn)行凍存后的標(biāo)簽易脫落,在潮濕的情況下,標(biāo)簽上的內(nèi)容易污損。以溯源情況為例,如果出現(xiàn)問(wèn)題,要追溯責(zé)任人或者,以前需要到信息系統(tǒng)去查詢(xún),有了電子標(biāo)簽,只需要讀取設(shè)備直接讀取,就能追溯到具體環(huán)節(jié)。如果操作者忘記簽名,就很難溯源并追究責(zé)任人。以前出入庫(kù)需要人員逐個(gè)掃描信息,并且識(shí)別設(shè)備與標(biāo)簽之間不能有任何遮擋,掃描效率極其低下。
[0003]無(wú)線射頻識(shí)別技術(shù)是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù),它通過(guò)射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取數(shù)據(jù)信息、利用射頻方式進(jìn)行非接觸雙向通信以達(dá)到識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)。目前該技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于醫(yī)院的消毒供應(yīng)、護(hù)理、藥品配送、醫(yī)療垃圾跟蹤、醫(yī)療監(jiān)護(hù)等領(lǐng)域,這些領(lǐng)域的應(yīng)用要求抗低溫、耐腐蝕環(huán)境,但現(xiàn)有的電子標(biāo)簽無(wú)法承受低溫、潮濕、腐蝕的環(huán)境。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型提供了一種基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽,解決了現(xiàn)有技術(shù)中電子標(biāo)簽無(wú)法承受低溫、潮濕、腐蝕的技術(shù)問(wèn)題。
[0005]本實(shí)用新型的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0006]—種基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽,包括基材層1、泡沫材料層2、保護(hù)層3和粘結(jié)層4,所述粘結(jié)層4設(shè)于所述基材層I之下。
[0007]本實(shí)用新型的技術(shù)效果為:耐低溫、抗腐蝕,在低溫高濕表面具有優(yōu)異的粘貼效果,能夠滿足特殊場(chǎng)所的粘貼要求。層疊結(jié)合結(jié)構(gòu)緊湊,標(biāo)簽可以作的更薄,制造成本低廉,材料易回收,符合環(huán)保要求。
【附圖說(shuō)明】
[0008]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0009]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0011]如圖1所示,為本實(shí)用新型提供的一種基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽,包括基材層1、泡沫材料層2、保護(hù)層3和粘結(jié)層4,所述粘結(jié)層4設(shè)于所述基材層I之下。
[0012]其中,所述基材層I為聚酯薄膜PET。所述基材層I的厚度為0.l-2mm。所述保護(hù)層3分為上下兩部分,材質(zhì)為柔性硅橡膠,保護(hù)層3的上部分設(shè)于所述泡沫材料層2之上,所述保護(hù)層3的下部分緊貼所述基材層I之下,實(shí)現(xiàn)了標(biāo)簽的柔性功能。
[0013]所述粘結(jié)層4為丙烯酸酯類(lèi)壓敏膠粘劑,可粘結(jié)在血液袋之上。
[0014]芯料組件設(shè)置在泡沫材料層2中間;所述芯料組件由RFID裸芯片、標(biāo)簽天線、裸芯片鍵合凸點(diǎn)、異向性導(dǎo)電膠、合成膠和PET絕緣介質(zhì)(基材層I)構(gòu)成,裸芯片鍵合凸點(diǎn)設(shè)置在RFID裸芯片的電路表面,所述異向性導(dǎo)電膠鋪設(shè)在標(biāo)簽天線與裸芯片鍵合凸點(diǎn)之間。
[0015]使用方法是將基材層I在專(zhuān)用涂覆設(shè)備上,涂以適合于低溫高濕表面粘貼的丙烯酸酯類(lèi)壓敏膠粘劑為粘結(jié)層4,貼上保護(hù)層3。使用時(shí),只需要將粘結(jié)層4粘到所需地方即可。
[0016]本實(shí)用新型在低溫高濕表面具有優(yōu)異的粘貼效果,能夠滿足特殊場(chǎng)所的粘貼要求,層疊結(jié)合結(jié)構(gòu)緊湊,標(biāo)簽可以作的更薄,制造成本低廉,材料易回收,符合環(huán)保要求。
[0017]可以理解的是,圖中示出的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)并不構(gòu)成對(duì)系統(tǒng)的限定,可以包括比圖示更多或更少的設(shè)備,或者組合某些設(shè)備,或者不同的設(shè)備部署。
[0018]以上,僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)力要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽,其特征在于,包括基材層(I)、泡沫材料層(2)、保護(hù)層(3)和粘結(jié)層(4),所述粘結(jié)層(4)設(shè)于所述基材層(I)之下。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽,其特征在于,所述基材層(I)為聚酯薄膜PET。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽,其特征在于,所述基材層(I)的厚度為0.l-2mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽,其特征在于,所述保護(hù)層(3)分為上下兩部分,材質(zhì)為柔性硅橡膠,保護(hù)層(3)的上部分設(shè)于所述泡沫材料層(2)之上,所述保護(hù)層(3)的下部分緊貼所述基材層(I)之下。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽,其特征在于,所述粘結(jié)層(4)為丙烯酸酯類(lèi)壓敏膠粘劑。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及電子標(biāo)簽制造領(lǐng)域,公開(kāi)了一種基于耐超低溫、抗金屬、抗液體、柔性環(huán)保超高頻射頻電子標(biāo)簽,包括基材層1、泡沫材料層2、保護(hù)層3和粘結(jié)層4,所述粘結(jié)層4設(shè)于所述基材層1之下。本實(shí)用新型耐低溫、抗腐蝕,在低溫高濕表面具有優(yōu)異的粘貼效果,能夠滿足特殊場(chǎng)所的粘貼要求。層疊結(jié)合結(jié)構(gòu)緊湊,標(biāo)簽可以作的更薄,制造成本低廉,材料易回收,符合環(huán)保要求。
【IPC分類(lèi)】G06K19/07, G06K19/06
【公開(kāi)號(hào)】CN204926140
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520434394
【發(fā)明人】田川, 李鑫, 滕飛, 李鋒明, 肖玲玲, 張賀眉
【申請(qǐng)人】北京宏誠(chéng)創(chuàng)新科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年6月23日
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