一種消影結(jié)構(gòu)、觸摸屏和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示觸控領(lǐng)域，尤其涉及一種消影結(jié)構(gòu)、觸摸屏和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，電容式觸摸屏領(lǐng)域中所使用的主流結(jié)構(gòu)中多以ITO(氧化銦錫)層作為觸控電極層，即在玻璃上沉積一層ITO層，待光刻、蝕刻形成觸控所需ITO電極圖形后，再配上絕緣搭橋、金屬導(dǎo)電線路，保護(hù)層等形成觸控傳感器，如OGS結(jié)構(gòu)(即玻璃/絕緣邊框/ITO或玻璃/絕緣邊框/消影層/ΙΤ0)或G/G結(jié)構(gòu)(即一片玻璃作為觸摸傳感器，一片玻璃作為保護(hù)玻璃)。
[0003]但發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，ITO層待蝕刻形成圖案化區(qū)和非圖案化區(qū)后，由于二者的反射率差過大，使得蝕刻紋路較為明顯，從而造成了視覺效果上的損失。為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中多通過在基板和電極之間沉積單層的或多層的由五氧化二鈮膜和二氧化硅膜組成的結(jié)構(gòu)來解決此問題，但效果均不理想，并且，在這些解決方案的基礎(chǔ)上，如果需觀察消影結(jié)果，則必須在ITO層刻蝕成圖形后才能觀察，如此需耗費(fèi)較長的時間，若出現(xiàn)消影不良，還會產(chǎn)生較大的損失。
[0004]因此，提供一種能夠有效消除蝕刻紋的消影結(jié)構(gòu)是本領(lǐng)域技術(shù)人員所面臨的重要課題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種消影結(jié)構(gòu)、觸摸屏和顯示裝置，能夠有效消除氧化銦錫層刻蝕形成圖形后所形成的蝕刻紋。
[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]—種消影結(jié)構(gòu)，所述消影結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)在透明基板上的氮氧化硅層、氧化銦錫層和二氧化硅層。
[0008]可選的，所述氮氧化硅層的折射率在1.47-2.0范圍內(nèi)變化。
[0009]一種觸摸屏，包括如上述技術(shù)方案所述的消影結(jié)構(gòu)。
[0010]可選的，在所述消影結(jié)構(gòu)中的氧化銦錫層和二氧化硅層之間還包括依次設(shè)置的第一絕緣保護(hù)膠層、金屬層和第二絕緣保護(hù)膠層。
[0011]可選的，在所述消影結(jié)構(gòu)中還包括綁定區(qū)，所述綁定區(qū)中的綁定線通過貫穿所述二氧化硅層和所述第二絕緣保護(hù)膠層的過孔將所述金屬層與柔性電路板電連接。
[0012]一種顯示裝置，包括上述的觸摸屏。
[0013]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種消影結(jié)構(gòu)、觸摸屏和顯示裝置，所述消影結(jié)構(gòu)僅包括單層的由下至上依次包括的氮氧化硅層/氧化銦錫層/二氧化硅層結(jié)構(gòu)，由于二氧化硅層是在氧化銦錫層刻蝕形成圖案后沉積形成，所以可給氧化銦錫層多提供一層保護(hù)，可有效消除因氧化銦錫層刻蝕形成圖形后所導(dǎo)致的蝕刻紋路明顯的問題，并且，在沉積氧化銦錫層后還可直接觀察消影結(jié)構(gòu)的消影效果，從而可及時發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)中所帶來的消影不良。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的消影結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本實(shí)用新型具體實(shí)施例一提供的圖案化區(qū)和非圖案化區(qū)的反射率對比圖；
[0016]圖3為本實(shí)用新型具體實(shí)施例二提供的圖案化區(qū)和非圖案化區(qū)的反射率對比圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0018]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型實(shí)施例提供的消影結(jié)構(gòu)、觸摸屏及其制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0019]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的消影結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種消影結(jié)構(gòu)，所述消影結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)在透明基板I上的氮氧化硅層3、氧化銦錫層4和二氧化硅層8。
[0020]在本實(shí)施例中，氮氧化硅層3設(shè)置在氧化銦錫層4的下方，由于氮氧化硅層3的折射率具有浮動范圍，且其厚度可隨著氧化銦錫層4的厚度的變化而變化，從而可對氧化銦錫層中圖案化區(qū)和非圖案化區(qū)的反射率差進(jìn)行有效調(diào)節(jié)。而二氧化硅層9設(shè)置在氧化銦錫層4的上方，由于其可以給觸摸屏傳感器多提供一層保護(hù)，使得在沉積二氧化硅層8后即可直觀觀察到消影效果，并且可有效消除蝕刻紋所帶來的視覺效果不良。
[0021]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種消影結(jié)構(gòu)，所述消影結(jié)構(gòu)僅包括單層的由下至上依次包括的氮氧化硅層/氧化銦錫層/ 二氧化硅層結(jié)構(gòu)，由于二氧化硅層是在氧化銦錫層刻蝕形成圖案后沉積形成，所以可給氧化銦錫層多提供一層保護(hù)，可有效消除因氧化銦錫層刻蝕形成圖形后所導(dǎo)致的蝕刻紋路明顯的問題，并且，在沉積氧化銦錫層后還可直接觀察到消影結(jié)構(gòu)的消影效果，從而可及時發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)中所帶來的消影不良。
[0022]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，氮氧化硅層3的折射率在1.47-2.0范圍內(nèi)變化。在本實(shí)施例中，氮氧化硅層3可在沉積過程中通過調(diào)節(jié)氧和氮的比例來調(diào)節(jié)折射率。由于氮氧化硅層的折射率以及氮氧化硅層和二氧化硅層的厚度可隨氧化銦錫層厚度的變化而變化，使得氧化銦錫層蝕刻后所形成的圖案化區(qū)和非圖案化區(qū)的反射率可調(diào)整為非常接近，所以，可在有效消除因氧化銦錫層刻蝕形成圖形后所導(dǎo)致的蝕刻紋路明顯的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高觸摸屏的透過率?？梢岳斫獾氖?，氮氧化硅層3的薄膜折射率可以為1.47-2.0范圍內(nèi)的任意值，例如1.64,1.70等。另外，調(diào)節(jié)氧和氮比例的手段可使用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的常規(guī)技術(shù)手段，此處不再詳述。
[0023]需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的消影結(jié)構(gòu)不僅僅可適用于OGS結(jié)構(gòu)中，凡是采用ITO圖形作為導(dǎo)電電極的結(jié)構(gòu)，均可使用本實(shí)用新型實(shí)施例提供的消影結(jié)構(gòu)。
[0024]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種觸摸屏，包括如上述實(shí)施例所述的消影結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種觸摸屏，其中包含本實(shí)用新型所提供的消影結(jié)