一種觸控顯示面板及其制作方法、觸控顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種觸控顯示面板及其制作方法、觸控顯示裝置，涉及顯示技術領域，以減少觸控顯示裝置的觸控不良率。所述觸控顯示面板包括依次層疊設置的薄膜晶體管、公共電極和像素電極，薄膜晶體管的柵極位于源極和漏極的下方，形成柵極的金屬對應的金屬氧化物為水溶性金屬氧化物；還包括觸控塊金屬和觸控過渡塊，觸控塊金屬與源極和漏極同層設置且互不相連；觸控過渡塊與柵極同層設置且互不相連；觸控過渡塊分別與公共電極和觸控塊金屬連接。觸控信號經(jīng)觸控過渡塊在公共電極和觸控塊金屬之間傳遞，減小觸控信號在公共電極與觸控塊金屬之間傳遞時阻力，減小觸控顯示裝置的觸控不良率。本發(fā)明提供的觸控顯示面板用于觸控顯示裝置中。
【專利說明】
一種觸控顯示面板及其制作方法、觸控顯示裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種觸控顯示面板及其制作方法、觸控顯示
目.0
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的飛速發(fā)展，觸控顯示裝置被人們廣泛地使用于智能手機、平板電腦、電視等電子產(chǎn)品中，以使人們的生活更加便捷。目前，觸控顯示裝置通常分為外掛式的觸控顯示裝置和內(nèi)嵌式的觸控顯示裝置，其中，內(nèi)嵌式的觸控顯示裝置包括觸控顯示面板，觸控顯示面板中集成有具有觸控功能的觸控電極，內(nèi)嵌式的觸控顯示裝置具有結構輕薄及窄邊框等優(yōu)點，是目前觸控顯示裝置的主要發(fā)展趨勢。
[0003]通常，在現(xiàn)有的內(nèi)嵌式的觸控顯示裝置中，其中一種觸控顯示面板包括依次層疊設置的薄膜晶體管(Th in Film Transistor，TFT)、公共電極和像素電極，薄膜晶體管的源極和漏極同層設置，薄膜晶體管的柵極位于源極和漏極的下方，通常，公共電極可充當觸控電極，上述觸控顯示面板還包括觸控塊金屬(Touch Pattern Metal，TPM)，觸控塊金屬與薄膜晶體管的源極和漏極同層設置，公共電極與觸控塊金屬連接，觸控信號(Touch信號)在觸控塊金屬和公共電極之間傳遞。
[0004]在上述觸控顯示面板中，薄膜晶體管的源極和漏極的材料通常為鈦-鋁-鈦(T1-Al-Ti)，因而觸控塊金屬的材料也為鈦-鋁-鈦，公共電極與觸控塊金屬中的鈦(Ti)連接，由于鈦在等離子環(huán)境或者由高溫切換至低溫的情況下容易發(fā)生氧化，且鈦的氧化物難以去除，因而導致公共電極與觸控塊金屬之間的電阻較大，進而引起觸控信號在公共電極與觸控塊金屬之間傳遞時發(fā)生延遲，導致觸控顯示裝置的觸控不良的現(xiàn)象的發(fā)生，觸控顯示裝置的觸控不良率較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種觸控顯示面板及其制作方法、觸控顯示裝置，用于減少觸控顯示裝置的觸控不良率。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案:
[0007]本發(fā)明的第一方面提供一種觸控顯示面板，包括依次層疊設置的薄膜晶體管、公共電極和像素電極，所述薄膜晶體管的源極和漏極同層設置且互不相連，所述漏極與所述像素電極連接;所述薄膜晶體管的柵極位于所述源極和所述漏極的下方，形成所述柵極的金屬對應的金屬氧化物為水溶性金屬氧化物；
[0008]所述觸控顯示面板還包括觸控塊金屬和觸控過渡塊，所述觸控塊金屬與所述源極和所述漏極同層設置且互不相連;所述觸控過渡塊與所述柵極同層設置且互不相連;所述觸控過渡塊分別與所述公共電極和所述觸控塊金屬連接。
[0009]基于上述觸控顯示面板的技術方案，本發(fā)明的第二方面提供一種觸控顯示裝置，所述觸控顯示裝置設置有如上述技術方案所述的觸控顯示面板。
[0010]基于上述觸控顯示面板的技術方案，本發(fā)明的第三方面提供一種觸控顯示面板的制作方法，用于制作如上述技術方案所述的觸控顯示面板，包括:
[0011]形成薄膜晶體管、觸控塊金屬和觸控過渡塊，其中，所述薄膜晶體管的源極和漏極同層設置且互不相連;所述薄膜晶體管的柵極位于所述源極和所述漏極的下方，形成所述柵極的金屬對應的金屬氧化物為水溶性金屬氧化物;所述觸控塊金屬與所述源極和所述漏極同層設置且互不相連;所述觸控過渡塊與所述柵極同層設置且互不相連，所述觸控過渡塊與所述觸控塊金屬連接；
[0012]在所述薄膜晶體管的上方形成公共電極，所述公共電極與所述觸控過渡塊連接；
[0013]在所述公共電極的上方形成像素電極，所述像素電極與所述漏極連接。
[0014]在本發(fā)明提供的觸控顯示面板中，柵極位于源極和漏極的下方，觸控過渡塊與柵極同層設置，觸控塊金屬與源極和漏極同層設置，觸控過渡塊分別與公共電極和觸控塊金屬連接，因此，在制作本發(fā)明提供的觸控顯示面板時，觸控過渡塊先于觸控塊金屬形成，而由于形成柵極的金屬對應的金屬氧化物為水溶性金屬氧化物，因而形成柵極的金屬對應的金屬氧化物容易去除，也就是說，形成觸控過渡塊的金屬對應的金屬氧化物容易去除，因此，觸控塊金屬和公共電極分別與觸控過渡塊連接時，可以對觸控過渡塊進行清理，以減少金屬氧化物的量，減小觸控塊金屬與觸控過渡塊之間、公共電極與觸控過渡塊之間的電阻，減小觸控信號在公共電極與觸控塊金屬之間傳遞時阻力，從而減小觸控顯示裝置的觸控不良的現(xiàn)象的發(fā)生，進而減小觸控顯示裝置的觸控不良率。
【附圖說明】
[0015]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中:
[0016]圖1為本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板的俯視圖；
[0017]圖2為本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板的截面圖；
[0018]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種觸控顯示面板的制作方法的流程圖；
[0019]圖4為本發(fā)明實施例提供的另一種觸控顯示面板的制作方法的流程圖。
[0020]附圖標記:
[0021]1-襯底基板，2-遮光層，
[0022]3_緩沖層，4_多晶娃有源層，
[0023]5-柵極絕緣層，6-柵極，
[0024]7-觸控過渡塊，8-第一層間絕緣層，
[0025]9_ 源極，10-漏極，
[0026]11-觸控塊金屬，12-第二層間絕緣層，
[0027]13-公共電極，14-第三層間絕緣層，
[0028]15-像素電極。
【具體實施方式】
[0029]為了進一步說明本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板及其制作方法、觸控顯示裝置，下面結合說明書附圖進行詳細描述。
[0030]請參閱圖1和圖2，本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板包括依次層疊設置的薄膜晶體管、公共電極13和像素電極15，薄膜晶體管的源極9和漏極10同層設置且互不相連，漏極10與像素電極15連接;薄膜晶體管的柵極6位于源極9和漏極10的下方，形成柵極6的金屬對應的金屬氧化物為水溶性金屬氧化物;所述觸控顯示面板還包括觸控塊金屬11和觸控過渡塊7，觸控塊金屬11與源極9和漏極10同層設置且互不相連;觸控過渡塊7與柵極6同層設置且互不相連;觸控過渡塊7分別與公共電極13和觸控塊金屬11連接。
[0031]具體實施時，請繼續(xù)參閱圖1和圖2，本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板包括:襯底基板I，以及形成在襯底基板I的上方的薄膜晶體管、公共電極13、像素電極15、觸控過渡塊7和觸控塊金屬11，其中，薄膜晶體管包括柵極6、源極9和漏極10，源極9和漏極10同層設置且互不相連，即形成源極9的金屬和形成漏極10的金屬相同，且源極9和漏極10通過一次構圖工藝同時形成，柵極6位于源極9和漏極10背向公共電極13的一側，即柵極6位于源極9和漏極10的下方，且形成柵極6的金屬對應的金屬氧化物為水溶性金屬氧化物，例如，形成柵極6的金屬可以為鉬或者鉬-鋁，鉬的氧化物通常為水溶性氧化物;觸控過渡塊7與柵極6同層設置，且觸控過渡塊7與柵極6不相連，即形成觸控過渡塊7的金屬和形成柵極6的金屬相同，且觸控過渡塊7和柵極6通過一次構圖工藝同時形成;觸控塊金屬11與源極9和漏極10同層設置，且觸控塊金屬11不與源極9和漏極10相互連接，即形成觸控塊金屬11的金屬與形成源極9和漏極10的金屬相同，且觸控塊金屬11、源極9和漏極10通過一次構圖工藝同時形成，觸控塊金屬11與觸控過渡塊7連接;公共電極13和像素電極15依次層疊設置在薄膜晶體管的上，公共電極13與觸控過渡塊7連接，像素電極15與漏極10連接。當上述觸控顯示面板工作時，觸控信號可以通過觸控過渡塊7在觸控塊金屬11和公共電極13之間傳遞，例如，觸控信號由觸控塊金屬11經(jīng)觸控過渡塊7傳遞至公共電極13，或者，觸控信號由公共電極13經(jīng)觸控過渡塊7傳遞至觸控塊金屬11。
[0032]在本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板中，柵極6位于源極9和漏極10的下方，觸控過渡塊7與柵極6同層設置，觸控塊金屬11與源極9和漏極10同層設置，觸控過渡塊7分別與公共電極13和觸控塊金屬11連接，因此，在制作本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板時，觸控過渡塊7先于觸控塊金屬11形成，而由于形成柵極6的金屬對應的金屬氧化物為水溶性金屬氧化物，因而形成柵極6的金屬對應的金屬氧化物容易去除，也就是說，形成觸控過渡塊7的金屬對應的金屬氧化物容易去除，因此，觸控塊金屬11和公共電極13分別與觸控過渡塊7連接時，可以對觸控過渡塊7進行清理，以減少金屬氧化物的量，減小觸控塊金屬11與觸控過渡塊7之間、公共電極13與觸控過渡塊7之間的電阻，減小觸控信號在公共電極13與觸控塊金屬11之間傳遞時阻力，從而減小觸控顯示裝置的觸控不良的現(xiàn)象的發(fā)生，進而減小觸控顯示裝置的觸控不良率。
[0033]另外，在本發(fā)明實施例中，觸控過渡塊7與柵極6同層設置，觸控塊金屬11與源極9和漏極10同層設置，即觸控過渡塊7和柵極6通過一次構圖工藝同時形成，觸控塊金屬11、源極9和漏極10通過一次構圖工藝同時形成，因此，與分別單獨形成觸控過渡塊7和觸控塊金屬11相比，可以減少掩膜板的使用數(shù)量，降低成本，并減少制作觸控顯示面板的工藝，節(jié)省時間。
[0034]在本發(fā)明實施例中，所述觸控顯示面板還包括黑矩陣，觸控過渡塊7在黑矩陣上的正投影落入黑矩陣內(nèi)；觸控塊金屬11在黑矩陣上的正投影落入黑矩陣內(nèi)。舉例來說，本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板可以包括與襯底基板I相對設置的透明基板，透明基板朝向襯底基板I的側面上設置有黑矩陣，黑矩陣與襯底基板I上的柵線和數(shù)據(jù)線對應，觸控過渡塊7在黑矩陣上的正投影落入黑矩陣內(nèi)，即觸控過渡塊7在襯底基板I上的正投影落入黑矩陣在襯底基板I上的正投影內(nèi)，或者，觸控過渡塊7在透明基板上的正投影落入黑矩陣在透明基板上的正投影內(nèi)；觸控塊金屬11在黑矩陣上的正投影落入黑矩陣內(nèi)，即觸控塊金屬11在襯底基板I上的正投影落入黑矩陣在襯底基板I上的正投影內(nèi)，或者，觸控塊金屬11在透明基板上的正投影落入黑矩陣在透明基板上的正投影內(nèi)。如此設計，可以避免觸控過渡塊7和觸控塊金屬11占據(jù)觸控顯示面板的像素區(qū)，從而可以防止觸控顯示面板的開口率降低。
[0035]上述實施例提供的觸控顯示面板中，薄膜晶體管的柵極6位于源極9和漏極10的下方，在實際應用中，薄膜晶體管可以為底柵型薄膜晶體管，或者，薄膜晶體管為多晶硅薄膜晶體管。
[0036]在本發(fā)明實施例中，請繼續(xù)參閱圖1和圖2，薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，低溫多晶硅薄膜晶體管包括:依次層疊設置的多晶硅有源層4、柵極絕緣層5、柵極6、第一層間絕緣層8，以及設置在第一層間絕緣層8上的源極9和漏極10，源極9和漏極10分別與多晶硅有源層4連接。具體地，上述觸控顯示面板包括襯底基板I，襯底基板I的上方依次層疊設置有多晶硅有源層4、柵極絕緣層5、柵極6、第一層間絕緣層8，源極9和漏極10設置在第一層間絕緣層8上，其中，柵極絕緣層5覆蓋多晶硅有源層4和多晶硅有源層4下面的結構層，第一層間絕緣層8覆蓋柵極6、柵極絕緣層5以及與柵極6同層設置的觸控過渡塊7，襯底基板I的上方還設置有分別依次貫穿第一層間絕緣層8、柵極絕緣層5的源極過孔和漏極過孔，以及貫穿第一層間絕緣層8的第一過孔，源極過孔和漏極過孔分別暴露出多晶硅有源層4，第一過孔暴露出觸控過渡塊7，源極9通過源極過孔與多晶硅有源層4連接，漏極10通過漏極過孔與多晶硅有源層4連接，觸控塊金屬11通過第一過孔與觸控過渡塊7連接。
[0037]請繼續(xù)參閱圖2，本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板還包括設置在多晶硅有源層4背向柵極絕緣層5的一側的遮光層2和緩沖層3，遮光層2與柵極6相對;緩沖層3位于遮光層2和多晶硅有源層4之間。具體地，本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板包括襯底基板I，襯底基板I上設置有遮光層2，遮光層2與柵極6相對，襯底基板I和遮光層2上覆蓋有緩沖層3。遮光層2的設置，可以防止背光源提供的背光對多晶硅有源層4和柵極6產(chǎn)生不良影響；緩沖層3的設置，可以將多晶硅有源層4與襯底基板I隔離，防止襯底基板I中的離子在背光源提供的背光的作用下移至多晶硅有源層4中，進而防止薄膜晶體管失效。
[0038]請繼續(xù)參閱圖2，在本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板中，公共電極13與薄膜晶體管之間設置有第二層間絕緣層12;像素電極15與公共電極13之間設置有第三層間絕緣層14。具體地，本發(fā)明實施例提供的觸控顯示面板包括襯底基板1，襯底基板I上依次層疊設置有遮光層2、緩沖層3、薄膜晶體管、第二層間絕緣層12、公共電極13、第三層間絕緣層14和像素電極15，薄膜晶體管為多晶硅薄膜晶體管，多晶硅薄膜晶體管包括依次層疊設置在緩沖層3上的多晶硅有源層4、柵極絕緣層5、柵極6、第一層間絕緣層8、源極9和漏極10，其中源極9和漏極10同層設置;襯底基板I的上方還設置有觸控過渡塊7和觸控塊金屬11，觸控過渡塊7與柵極6同層設置，觸控塊金屬11與源極9和漏極10同層設置;第二層間絕緣層12設置在源極9和漏極10上，且第二層間絕緣層12覆蓋源極9、漏極10、觸控塊金屬11以及第一層間絕緣層8;第三層間絕緣層14設置在公共電極13上，且第三層間絕緣層14覆蓋公共電極13和第二層間絕緣層12。
[0039]本發(fā)明實施例還提供一種觸控顯示裝置，所述觸控顯示裝置設置有如上述實施例所述的觸控顯示面板。
[0040]所述觸控顯示裝置與上述觸控顯示面板相對于現(xiàn)有技術所具有的優(yōu)勢相同，在此不再贅述。
[0041]請參閱圖3，本發(fā)明實施例還提供一種觸控顯示面板的制作方法，用于制作如上述實施例所述的觸控顯示面板，包括:
[0042]步驟100、形成薄膜晶體管、觸控塊金屬和觸控過渡塊，其中，薄膜晶體管的源極和漏極同層設置且互不相連;薄膜晶體管的柵極位于源極和漏極的下方，形成柵極的金屬對應的金屬氧化物為水溶性金屬氧化物;觸控塊金屬與源極和漏極同層設置且互不相連;觸控過渡塊與柵極同層設置且互不相連，觸控過渡塊與觸控塊金屬連接；
[0043 ]步驟300、在薄膜晶體管的上方形成公共電極，公共電極與觸控過渡塊連接；
[0044]步驟500、在公共電極的上方形成像素電極，像素電極與漏極連接。
[0045]本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。尤其，對于方法實施例而言，由于其基本相似于面板實施例，所以描述得比較簡單，相關之處參見面板實施例的部分說明即可。
[0046]請參閱圖4，薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，低溫多晶硅薄膜晶體管包括多晶硅有源層、柵極絕緣層、柵極、第一層間絕緣層、源極和漏極;步驟100、形成薄膜晶體管、觸控塊金屬和觸控過渡塊包括:
[0047]步驟110、形成多晶硅有源層；
[0048]步驟120、在多晶硅有源層上形成柵極絕緣層；
[0049]步驟130、在柵極絕緣層上形成柵極和觸控過渡塊；
[0050]步驟140、在柵極和觸控塊金屬上形成第一層間絕緣層；
[0051]步驟150、形成貫穿第一層間絕緣層和柵極絕緣層的源極過孔和漏極過孔，以及貫穿第一層間絕緣層的第一過孔，源極過孔和漏極過孔分別暴露出多晶硅有源層，第一過孔暴露出觸控過渡塊；
[0052]步驟160、在第一層間絕緣層上形成源極、漏極和觸控塊金屬，源極通過源極過孔與多晶硅有源層連接，漏極通過漏極過孔與多晶硅有源層連接，觸控塊金屬通過第一過孔與觸控過渡塊連接。
[0053]請繼續(xù)參閱圖4，觸控顯示面板還包括遮光層和緩沖層;在步驟100、形成薄膜晶體管、觸控塊金屬和觸控過渡塊之前，所述觸控顯示面板的制作方法還包括:
[0054]步驟10、形成遮光層，遮光層與柵極相對；
[0055]步驟20、在遮光層上形成緩沖層。
[0056]請繼續(xù)參閱圖4，公共電極與薄膜晶體管之間設置有第二層間絕緣層;像素電極與公共電極之間設置有第三層間絕緣層;在步驟160、在第一層間絕緣層上形成源極、漏極和觸控塊金屬之后，在步驟300、在薄膜晶體管的上方形成公共電極之前，所述觸控顯示面板的制作方法還包括:
[0057]步驟210、在源極、漏極和觸控塊金屬上形成第二層間絕緣層；
[0058]步驟220、形成貫穿第二層間絕緣層和第一層間絕緣層的第二過孔，第二過孔暴露出觸控過渡塊。
[0059]在薄膜晶體管的上方形成公共電極后，即在第二層間絕緣層上形成公共電極后，公共電極即可通過第二過孔與觸控過渡塊連接。
[0060]在步驟300、在薄膜晶體管的上方形成公共電極之后，在步驟500、在公共電極的上方形成像素電極之前，所觸控顯示面板的制作方法還包括:
[0061]步驟410、在公共電極上形成第三層間絕緣層；
[0062]步驟420、形成貫穿第三層間絕緣層和第二層間絕緣層的像素過孔，像素過孔暴露出漏極。
[0063]在公共電極的上方形成像素電極后，即在第三層間絕緣層上形成像素電極后，像素電極即可通過像素過孔與漏極連接。
[0064]在上述實施方式的描述中，具體特征、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。
[0065]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種觸控顯示面板，其特征在于，包括依次層疊設置的薄膜晶體管、公共電極和像素電極，所述薄膜晶體管的源極和漏極同層設置且互不相連，所述漏極與所述像素電極連接；所述薄膜晶體管的柵極位于所述源極和所述漏極的下方，形成所述柵極的金屬對應的金屬氧化物為水溶性金屬氧化物； 所述觸控顯示面板還包括觸控塊金屬和觸控過渡塊，所述觸控塊金屬與所述源極和所述漏極同層設置且互不相連;所述觸控過渡塊與所述柵極同層設置且互不相連;所述觸控過渡塊分別與所述公共電極和所述觸控塊金屬連接。2.根據(jù)權利要求1所述的觸控顯示面板，其特征在于，所述觸控顯示面板還包括黑矩陣，所述觸控過渡塊在所述黑矩陣上的正投影落入所述黑矩陣內(nèi)；所述觸控塊金屬在所述黑矩陣上的正投影落入所述黑矩陣內(nèi)。3.根據(jù)權利要求1所述的觸控顯示面板，其特征在于，所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括:依次層疊設置的多晶硅有源層、柵極絕緣層、所述柵極、第一層間絕緣層，以及設置在所述第一層間絕緣層上的所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極分別與所述多晶硅有源層連接。4.根據(jù)權利要求3所述的觸控顯示面板，其特征在于，所述觸控顯示面板還包括設置在所述多晶硅有源層背向所述柵極絕緣層的一側的遮光層和緩沖層，所述遮光層與所述柵極相對;所述緩沖層位于所述遮光層和所述多晶硅有源層之間。5.根據(jù)權利要求1所述的觸控顯示面板，其特征在于，所述公共電極與所述薄膜晶體管之間設置有第二層間絕緣層;所述像素電極與所述公共電極之間設置有第三層間絕緣層。6.一種觸控顯示裝置，其特征在于，所述觸控顯示裝置設置有如權利要求1-5任一所述的觸控顯示面板。7.—種觸控顯示面板的制作方法，用于制作如權利要求1-5任一所述的觸控顯示面板，其特征在于，包括: 形成薄膜晶體管、觸控塊金屬和觸控過渡塊，其中，所述薄膜晶體管的源極和漏極同層設置且互不相連;所述薄膜晶體管的柵極位于所述源極和所述漏極的下方，形成所述柵極的金屬對應的金屬氧化物為水溶性金屬氧化物;所述觸控塊金屬與所述源極和所述漏極同層設置且互不相連;所述觸控過渡塊與所述柵極同層設置且互不相連，所述觸控過渡塊與所述觸控塊金屬連接； 在所述薄膜晶體管的上方形成公共電極，所述公共電極與所述觸控過渡塊連接； 在所述公共電極的上方形成像素電極，所述像素電極與所述漏極連接。8.根據(jù)權利要求7所述的觸控顯示面板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括多晶硅有源層、柵極絕緣層、所述柵極、第一層間絕緣層、所述源極和所述漏極； 所述形成薄膜晶體管、觸控塊金屬和觸控過渡塊的步驟包括: 形成所述多晶硅有源層； 在所述多晶硅有源層上形成所述柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上形成所述柵極和所述觸控過渡塊； 在所述柵極和所述觸控塊金屬上形成所述第一層間絕緣層； 形成貫穿所述第一層間絕緣層和所述柵極絕緣層的源極過孔和漏極過孔，以及貫穿所述第一層間絕緣層的第一過孔，所述源極過孔和所述漏極過孔暴露出所述多晶硅有源層，所述第一過孔暴露出所述觸控過渡塊； 在所述第一層間絕緣層上形成所述源極、所述漏極和所述觸控塊金屬，所述源極通過所述源極過孔與所述多晶硅有源層連接，所述漏極通過所述漏極過孔與所述多晶硅有源層連接，所述觸控塊金屬通過所述第一過孔與所述觸控過渡塊連接。9.根據(jù)權利要求8所述的觸控顯示面板的制作方法，其特征在于，所述觸控顯示面板還包括遮光層和緩沖層； 在所述形成薄膜晶體管、觸控塊金屬和觸控過渡塊的步驟之前，所述觸控顯示面板的制作方法還包括: 形成所述遮光層，所述遮光層與所述柵極相對； 在所述遮光層上形成所述緩沖層。10.根據(jù)權利要求7所述的觸控顯示面板的制作方法，其特征在于，所述公共電極與所述薄膜晶體管之間設置有第二層間絕緣層;所述像素電極與所述公共電極之間設置有第三層間絕緣層； 所述在所述第一層間絕緣層上形成所述源極、所述漏極和所述觸控塊金屬的步驟之后，所述在所述薄膜晶體管的上方形成公共電極的步驟之前，所述觸控顯示面板的制作方法還包括: 在所述源極、所述漏極和所述觸控塊金屬上形成所述第二層間絕緣層； 形成貫穿所述第二層間絕緣層和所述第一層間絕緣層的第二過孔，所述第二過孔暴露出所述觸控過渡塊； 所述在所述薄膜晶體管的上方形成公共電極之后、所述在所述公共電極的上方形成像素電極之前，所述觸控顯示面板的制作方法還包括: 在所述公共電極上形成所述第三層間絕緣層； 形成貫穿所述第三層間絕緣層和所述第二層間絕緣層的像素過孔，所述像素過孔暴露出所述漏極。
【文檔編號】G06F3/041GK106020544SQ201610340601
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月19日
【發(fā)明人】徐海峰, 史大為, 王文濤, 楊璐, 黎文秀, 彭利滿, 陳志龍, 王磊
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司