加載軟件模塊的方法和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及信息技術(shù)領(lǐng)域，并且更具體地，涉及一種加載軟件模塊的方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在嵌入式設(shè)備領(lǐng)域，如智能手機(jī)的傳感器集線器(Sensor Hub)、可穿戴設(shè)備等內(nèi)存資源受限的設(shè)備，為了降低設(shè)備成本，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random AccessMemory, SRAM)的內(nèi)存空間都是非常小，一般都在8KB至100KB左右，為了支持更多的功能應(yīng)用，片上系統(tǒng)(System On Chip, S0C)上還須配置雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DoubleData Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, DDR SDRAM)，DDRSDRAM 也簡(jiǎn)稱為DDR，芯片中的軟件加載到SRAM上執(zhí)行時(shí)的功耗和性能比較理想，但是芯片的SRAM空間有限；加載到DDR上執(zhí)行，芯片的功耗將增大，而且性能也不如在SRAM上執(zhí)行的性能，因此，需要一種軟件加載方法，能夠在芯片SRAM內(nèi)存資源有限的情況下，提高芯片的性能和功耗的綜合水平。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實(shí)施例提供一種加載軟件模塊的方法和裝置，提高芯片的性能和功耗的綜合水平。
[0004]第一方面，提供了一種加載軟件模塊的方法，包括:根據(jù)以下信息中的至少一項(xiàng)，確定所述軟件模塊中的待加載段為第一待加載段或第二待加載段:所述待加載段的使用頻率、所述待加載段的功耗和所述待加載段占用的內(nèi)存大小，其中，所述第一待加載段為待加載到第一存儲(chǔ)區(qū)的待加載段，所述第二待加載段為待加載到第二存儲(chǔ)區(qū)的待加載段；若所述待加載段為所述第一待加載段，將所述待加載段加載到所述第一存儲(chǔ)區(qū)，或若所述待加載段為所述第二待加載段，將所述待加載段加載到所述第二存儲(chǔ)區(qū)。
[0005]結(jié)合第一方面，在第一方面的第一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述根據(jù)以下信息中的至少一項(xiàng)，確定所述軟件模塊中的待加載段為第一待加載段或第二待加載段:所述待加載段的使用頻率、所述待加載段的功耗和所述待加載段占用的內(nèi)存大小，包括:若所述加載段的使用頻率小于第一使用頻率閾值，或功耗小于第一功耗閾值，或占用的內(nèi)存大小大于第一內(nèi)存閾值，確定所述待加載段為所述第一待加載段；或若所述待加載段的使用頻率不小于所述第一使用頻率閾值，或功耗不小于所述第一功耗閾值，或占用的內(nèi)存大小不大于所述第一內(nèi)存閾值，確定所述待加載段為所述第二待加載段。
[0006]結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第二種實(shí)現(xiàn)方式中，在若所述待加載段為所述第一待加載段，將所述待加載段加載到所述第一存儲(chǔ)區(qū)，或若所述待加載段為所述第二待加載段，將所述待加載段加載到所述第二存儲(chǔ)區(qū)之前，所述方法還包括:給所述待加載段配置段屬性，所述段屬性用于指示所述待加載段為所述第一待加載段或所述第二待加載段。
[0007]結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第三種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一存儲(chǔ)區(qū)為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DDR的內(nèi)存區(qū)，所述第二存儲(chǔ)區(qū)為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的內(nèi)存區(qū)。
[0008]結(jié)合第一方面及其上述實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第四種實(shí)現(xiàn)方式中，所述待加載段為以下中的一種:
[0009]代碼段、數(shù)據(jù)段。
[0010]第二方面，提供了一種加載軟件模塊的裝置，該裝置包括執(zhí)行第一方面中的方法的各模塊。
[0011]第三方面，提供了一種加載軟件模塊的裝置，該裝置包括存儲(chǔ)器和與該存儲(chǔ)器連接的處理器，該存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)指令，該處理器用于執(zhí)行該存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的指令，當(dāng)該處理器執(zhí)行該存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的指令時(shí)，該處理器具體用于執(zhí)行第一方面中的方法。
[0012]基于上述技術(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例的加載軟件模塊的方法和裝置，能夠根據(jù)軟件模塊中的待加載段的使用頻率、功耗或內(nèi)存占用大小確定該待加載段待加載到哪個(gè)存儲(chǔ)區(qū)，因此，能夠根據(jù)待加載段的屬性實(shí)現(xiàn)對(duì)軟件模塊中的多個(gè)待加載段的分散加載，從而提高芯片的性能和功耗的綜合水平。
【附圖說(shuō)明】
[0013]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面所描述的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加載軟件模塊的方法的示意性流程圖。
[0015]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加載軟件模塊的裝置的示意性框圖。
[0016]圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的加載軟件模塊的裝置的示意性框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0018]用戶設(shè)備(UE，User Equipment)，也可稱之為移動(dòng)終端(Mobile Terminal)、移動(dòng)用戶設(shè)備等，可以經(jīng)無(wú)線接入網(wǎng)(例如，RAN，Rad1 Access Network)與一個(gè)或多個(gè)核心網(wǎng)進(jìn)行通信，用戶設(shè)備可以是移動(dòng)終端，如移動(dòng)電話(或稱為“蜂窩”電話)和具有移動(dòng)終端的計(jì)算機(jī)，例如，可以是便攜式、袖珍式、手持式、計(jì)算機(jī)內(nèi)置的或者車載的移動(dòng)裝置，它們與無(wú)線接入網(wǎng)交換語(yǔ)言和/或數(shù)據(jù)。
[0019]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加載軟件模塊的方法100的示意性流程圖，該方法可以由加載軟件模塊的裝置執(zhí)行，如圖1所示，該方法100包括:
[0020]S110，根據(jù)以下信息中的至少一項(xiàng)，確定該軟件模塊中的待加載段為第一待加載段或第二待加載段:該待加載段的使用頻率、該待加載段的功耗和該待加載段占用的內(nèi)存大小，其中，該第一待加載段為待加載到第一存儲(chǔ)區(qū)的待加載段，該第二待加載段為待加載到第二存儲(chǔ)區(qū)的待加載段；
[0021]S120，若該待加載段為該第一待加載段，將該待加載段加載到該第一存儲(chǔ)區(qū)，或若該待加載段為該第二待加載段，將該待加載段加載到該第二存儲(chǔ)區(qū)。
[0022]具體而言，待加載的軟件模塊包括多個(gè)待加載段，可選地，該多個(gè)待加載段可以為以下中的至少一種:代碼段、數(shù)據(jù)段、堆、桟或符號(hào)塊開(kāi)始(Block Started by Symbol,BSS)段，其中，該BSS為用來(lái)存放程序中未初始化的全局變量和靜態(tài)變量的一塊內(nèi)存區(qū)域。也就是，該多個(gè)待加載段可以為多個(gè)代碼段、多個(gè)數(shù)據(jù)段或多個(gè)代碼段和數(shù)據(jù)段的組合等，在這些待加載段中有的待加載段和該軟件模塊的初始化有關(guān)，也就是說(shuō)這些待加載段只在軟件模塊初始化的時(shí)候被調(diào)用，其他時(shí)間的使用頻率較低，如果將這些待加載段加載到SRAM的內(nèi)存區(qū)，就占用了有限的SRAM內(nèi)存資源，那么在其他的對(duì)性能要求比較高的待加載段需要加載到SRAM的內(nèi)存區(qū)執(zhí)行時(shí)，可能遇到SRAM內(nèi)存資源不足的問(wèn)題，從而影響芯片的整體性能。因此，在有限的SRAM內(nèi)存資源下，不能支持更多的軟件應(yīng)用，也可以理解為SRAM內(nèi)存資源的利用效率較低。此時(shí)，可選地，該加載軟件模塊的裝置可以根據(jù)以下信息中的至少一項(xiàng)，確定該軟件模塊中的待加載段為第一待加載段或第二待加載段:該待加載段的使用頻率、該待加載段的功耗和該待加載段占用的內(nèi)存大小，其中，該第一待加載段為加載到第一存儲(chǔ)區(qū)的待加載段，該第二待加載段為待加載到第二存儲(chǔ)區(qū)的待加載段。也就是本發(fā)明實(shí)施例的加載軟件模塊的方法不是將整個(gè)軟件模塊都加載到第一存儲(chǔ)區(qū)或第二存儲(chǔ)區(qū)，而是可以根據(jù)待加載段的屬性對(duì)軟件模塊中的多個(gè)待加載段進(jìn)行分散加載?？蛇x地，該第一存儲(chǔ)區(qū)可以為DDR的內(nèi)存區(qū)，該第二存儲(chǔ)區(qū)可以為SRAM的內(nèi)存區(qū)，因?yàn)镈DR的內(nèi)存資源相對(duì)比較豐富，可選地，根