智能卡及智能卡的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及智能卡技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種智能卡及智能卡的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 智能卡廣泛應(yīng)用于生活中，行業(yè)內(nèi)生產(chǎn)智能卡的中料時(shí)，一般通過(guò)超聲波產(chǎn)生的 能量將天線除兩端外的部分蝕刻到中料PVC上使之固定；具有導(dǎo)電區(qū)域的芯片固定于中料 PVC上；然后將天線兩端與芯片兩端的導(dǎo)電區(qū)域直接焊接導(dǎo)通，使天線與芯片形成一閉合 回路，再進(jìn)一步封裝為智能卡成品，但是，目前智能卡生產(chǎn)主要是上述形式，其智能卡結(jié)構(gòu) 過(guò)于單一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的主要目的是提供一種智能卡，旨在解決智能卡結(jié)構(gòu)單一的問(wèn)題。
[0004] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種智能卡，所述智能卡包括絕緣基材、天線和芯 片，所述天線設(shè)于所述絕緣基材上，所述芯片設(shè)置于所述絕緣基材上或所述絕緣基材上的 芯片孔內(nèi)；所述芯片包括分別位于芯片兩端部的第一導(dǎo)電區(qū)與第二導(dǎo)電區(qū)；所述智能卡上 對(duì)應(yīng)所述第一導(dǎo)電區(qū)設(shè)有第一導(dǎo)電片，所述智能卡上對(duì)應(yīng)所述第二導(dǎo)電區(qū)設(shè)有第二導(dǎo)電 片；所述天線的第一端與所述第一導(dǎo)電片接觸，所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第一導(dǎo)電片接觸； 所述天線的第二端與所述第二導(dǎo)電片接觸，所述第二導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電片接觸。
[0005] 優(yōu)選地，所述天線的第一端與所述第一導(dǎo)電片接觸形成第一接觸點(diǎn)，所述芯片的 第一導(dǎo)電區(qū)與所述第一導(dǎo)電片除了所述第一接觸點(diǎn)以外的部分接觸；所述天線的第二端與 所述第二導(dǎo)電片接觸形成第二接觸點(diǎn)，所述芯片的第二導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電片除了所述 第二接觸點(diǎn)以外的部分接觸。
[0006] 優(yōu)選地，所述第一接觸點(diǎn)為第一焊接點(diǎn)，所述第二接觸點(diǎn)為第二焊接點(diǎn)。
[0007] 優(yōu)選地，所述芯片的第一導(dǎo)電區(qū)與所述第一導(dǎo)電片的背離所述第一接觸點(diǎn)的一面 接觸；所述芯片的第二導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電片的背離所述第二接觸點(diǎn)的一面接觸。
[0008] 優(yōu)選地，所述芯片還包括將所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)間隔開(kāi)的集成電路 模塊，所述集成電路模塊具有相對(duì)的第一面與第二面，其中第一面與第一導(dǎo)電區(qū)及第二導(dǎo) 電區(qū)的其一表面相平齊，第二面凸出于所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)的另一表面；所 述第一導(dǎo)電片與第二導(dǎo)電片部分設(shè)于所述芯片孔兩側(cè)的絕緣基材上，所述芯片設(shè)于所述芯 片孔內(nèi)，且所述集成電路模塊的第二面背離所述第一導(dǎo)電片以及第二導(dǎo)電片方向；所述第 一導(dǎo)電片一部分與所述芯片的第一導(dǎo)電區(qū)接觸，另一部分與絕緣基材接觸；所述第二導(dǎo)電 片一部分與所述芯片的第二導(dǎo)電區(qū)接觸，另一部分與絕緣基材接觸。
[0009] 優(yōu)選地，所述芯片還包括將所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)間隔開(kāi)的集成電路 模塊，所述集成電路模塊具有相對(duì)的第一面與第二面，其中第一面與第一導(dǎo)電區(qū)及第二導(dǎo) 電區(qū)的其一表面相平齊，第二面凸出于所述第一導(dǎo)電區(qū)以及所述第二導(dǎo)電區(qū)的另一表面； 所述芯片設(shè)于所述絕緣基材上且集成電路模塊的第二面背離所述絕緣基材，所述第一導(dǎo)電 片與第一導(dǎo)電區(qū)的另一表面接觸，所述第二導(dǎo)電片與第二導(dǎo)電區(qū)的另一表面接觸。
[0010] 優(yōu)選地，所述芯片還包括將所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)間隔開(kāi)的集成電路 模塊，所述集成電路模塊具有相對(duì)的第一面與第二面，其中第一面與第一導(dǎo)電區(qū)及第二導(dǎo) 電區(qū)的其一表面相平齊，第二面凸出于所述第一導(dǎo)電區(qū)以及所述第二導(dǎo)電區(qū)的另一表面； 所述第一導(dǎo)電片與第二導(dǎo)電片設(shè)于所述芯片孔兩側(cè)的絕緣基材上，所述芯片集成電路模塊 的厚于第一導(dǎo)電區(qū)及第二導(dǎo)電區(qū)的部分設(shè)置于所述芯片孔內(nèi)，所述天線的第一端、第二端 設(shè)置于絕緣基材上，所述第一導(dǎo)電區(qū)的另一表面與所述第一導(dǎo)電片接觸，所述第二導(dǎo)電區(qū) 的另一表面與所述第二導(dǎo)電片接觸。
[0011] 優(yōu)選地，所述芯片還包括將所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)間隔開(kāi)的集成電路 模塊，所述集成電路模塊具有相對(duì)的第一面與第二面，其中第一面與第一導(dǎo)電區(qū)及第二導(dǎo) 電區(qū)的其一表面相平齊，第二面凸出于所述第一導(dǎo)電區(qū)以及所述第二導(dǎo)電區(qū)的另一表面； 所述第一導(dǎo)電片以及第二導(dǎo)電片設(shè)于所述絕緣基材上，所述芯片設(shè)置于第一導(dǎo)電片以及第 二導(dǎo)電片上且所述集成電路模塊的第二面背離絕緣基材，所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第一導(dǎo)電 片接觸，所述第二導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電片接觸；所述天線的第一端、第二端設(shè)置于絕緣基 材上。
[0012] 優(yōu)選地，所述芯片還包括將所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)間隔開(kāi)的集成電路 模塊，所述集成電路模塊具有相對(duì)的第一面與第二面，其中第一面與第一導(dǎo)電區(qū)及第二導(dǎo) 電區(qū)的其一表面相平齊，第二面凸出于所述第一導(dǎo)電區(qū)以及所述第二導(dǎo)電區(qū)的另一表面； 所述第一導(dǎo)電片與第二導(dǎo)電片部分設(shè)于所述芯片孔兩側(cè)的絕緣基材上，所述芯片設(shè)于所述 芯片孔內(nèi)，且所述集成電路模塊的第二面面向所述第一導(dǎo)電片以及第二導(dǎo)電片方向；所述 第一導(dǎo)電片一部分與所述芯片的第一導(dǎo)電區(qū)的另一表面接觸，另一部分與絕緣基材接觸； 所述第二導(dǎo)電片一部分與所述芯片的第二導(dǎo)電區(qū)的另一表面接觸，另一部分與絕緣基材接 觸。
[0013] 優(yōu)選地，所述芯片的第一導(dǎo)電區(qū)與第一導(dǎo)電片的具有第一接觸點(diǎn)的一面，除第一 接觸點(diǎn)以外的部分接觸；所述芯片的第二導(dǎo)電區(qū)與第二導(dǎo)電片的具有第二接觸點(diǎn)的一面， 除第二接觸點(diǎn)以外的部分接觸。
[0014] 優(yōu)選地，所述芯片還包括將所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)間隔開(kāi)的集成電路 模塊，所述集成電路模塊具有相對(duì)的第一面與第二面，其中第一面與第一導(dǎo)電區(qū)及第二導(dǎo) 電區(qū)的其一表面相平齊，第二面凸出于所述第一導(dǎo)電區(qū)以及所述第二導(dǎo)電區(qū)的另一表面； 所述第一導(dǎo)電區(qū)以及所述第二導(dǎo)電區(qū)與所述絕緣基材接觸，以使所述集成電路模塊的厚于 第一導(dǎo)電區(qū)以及所述第二導(dǎo)電區(qū)的部分設(shè)置于所述芯片孔內(nèi)；所述第一導(dǎo)電片設(shè)于第一導(dǎo) 電區(qū)的其一表面上，所述第二導(dǎo)電片設(shè)于第二導(dǎo)電區(qū)的其一表面上。
[0015] 優(yōu)選地，所述芯片還包括將所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)間隔開(kāi)的集成電路 模塊，所述集成電路模塊具有相對(duì)的第一面與第二面，其中第一面與第一導(dǎo)電區(qū)及第二導(dǎo) 電區(qū)的其一表面相平齊，第二面凸出于所述第一導(dǎo)電區(qū)以及所述第二導(dǎo)電區(qū)的另一表面； 所述第一導(dǎo)電片與第二導(dǎo)電片設(shè)于所述芯片孔兩側(cè)的絕緣基材上，所述集成電路模塊的厚 于第一導(dǎo)電區(qū)以及所述第二導(dǎo)電區(qū)的部分設(shè)置于所述芯片孔內(nèi)，所述第一導(dǎo)電區(qū)的另一表 面與所述第一導(dǎo)電片接觸，所述第二導(dǎo)電區(qū)的另一表面與所述第二導(dǎo)電片接觸。
[0016] 優(yōu)選地，所述芯片還包括將所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)間隔開(kāi)的集成電路 模塊，所述集成電路模塊具有相對(duì)的第一面與第二面，其中第一面與第一導(dǎo)電區(qū)及第二導(dǎo) 電區(qū)的其一表面相平齊，第二面凸出于所述第一導(dǎo)電區(qū)以及所述第二導(dǎo)電區(qū)的另一表面； 所述第一導(dǎo)電片以及第二導(dǎo)電片設(shè)于所述絕緣基材上，所述芯片設(shè)置于第一導(dǎo)電片以及第 二導(dǎo)電片上，且第二面背離所述絕緣基材，所述第一導(dǎo)電區(qū)與所述第一導(dǎo)電片接觸，所述第 二導(dǎo)電區(qū)與所述第二導(dǎo)電片接觸。
[0017] 優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電片與所述第二導(dǎo)電片的上下表面均有鍍錫層。
[0018] 優(yōu)選地，所述智能卡包括智能卡中料及保護(hù)膜，所述智能卡中料包括所述絕緣基 材、所述天線、所述芯片、所述第一導(dǎo)電片以及所述第二導(dǎo)電片；所述保護(hù)膜包裹所述智能 卡中料。
[0019] 優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電片的大小大于所述第一導(dǎo)電區(qū)的大小，所述第二導(dǎo)電片的 大小大于所述第二導(dǎo)電區(qū)的大小。
[0020] 本發(fā)明還提出一種智能卡的制造方法，所述制造方法包括如下步驟：
[0021] 將芯片設(shè)于絕緣基材上或絕緣基材上的芯片孔內(nèi)；
[0022] 第一導(dǎo)電片與芯片的第一導(dǎo)電區(qū)接觸，第二導(dǎo)電片與芯片的第二導(dǎo)電區(qū)接觸；
[0023] 將具有第一端與第二端的天線除了所述第一端與所述第二端以外的部分設(shè)于絕 緣基材上；
[0024] 將所述天線的第一端與第一導(dǎo)電片接觸，將所述天線的第二端與所述第二導(dǎo)電片 接觸。
[0025] 本發(fā)明通過(guò)采用在所述智能卡結(jié)構(gòu)以及制造方法中增加第一導(dǎo)電片以及第二導(dǎo) 電片，將天線的第一端與第一導(dǎo)電片接觸，天線的第二端與第二導(dǎo)電片接觸，再將芯片的第 一導(dǎo)電區(qū)與第一導(dǎo)電片接觸，第二導(dǎo)電區(qū)與第二導(dǎo)電片接觸，使得天線與芯片通過(guò)第一導(dǎo) 電片以及第二導(dǎo)電片間接連接形