本申請涉及單片集成電路設(shè)計，具體涉及一種mos器件版圖設(shè)計方法、mos器件版圖及mos器件。

背景技術(shù)：

1、對于設(shè)計一個mos器件版圖來說，需要大量的環(huán)柵版圖和條柵版圖。而對于版圖庫中只有環(huán)柵版圖或條柵版圖時，在同時需要環(huán)柵版圖和條柵版圖的情況下，需要對條柵版圖或環(huán)柵版圖進(jìn)行重新構(gòu)建，這樣在進(jìn)行mos器件版圖設(shè)計時需要花費額外的時間來構(gòu)建所需版圖，導(dǎo)致設(shè)計工作量增大，工作效率降低。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本申請?zhí)峁┮环Nmos器件版圖設(shè)計方法、mos器件版圖及mos器件，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的至少一個缺陷。

2、為實現(xiàn)上述目的以及其他目的，本申請?zhí)峁┮环Nmos器件版圖設(shè)計方法，包括：調(diào)用多個第一版圖；將所述多個第一版圖中的一個或多個轉(zhuǎn)換為第二版圖；其中，所述第一版圖與所述第二版圖為構(gòu)成mos器件的版圖。

3、于本發(fā)明一實施例中，所述第一版圖為具有條柵結(jié)構(gòu)的版圖，所述第二版圖為具有環(huán)柵結(jié)構(gòu)的版圖。

4、于本發(fā)明一實施例中，所述第一版圖為具有環(huán)柵結(jié)構(gòu)的版圖，所述第二版圖為具有條柵結(jié)構(gòu)的版圖。

5、于本發(fā)明一實施例中，所述第一版圖包括第一源端、第二源端、漏端、柵端、有源區(qū)、多晶硅層，第一源端、第二源端、漏端分別與所述有源區(qū)接觸，所述漏端設(shè)置在所述第一源端與所述第二源端之間；所述多晶硅層設(shè)置在所述有源區(qū)上并與所述有源區(qū)貼合，包圍所述漏端且不與所述漏端、所述第一源端、所述第二源端接觸；所述多晶硅層與所述有源區(qū)層存在間隙，使與有源區(qū)接觸的多晶硅層為條形結(jié)構(gòu)。

6、于本發(fā)明一實施例中，所述第一版圖包括第一源端、第二源端、漏端、柵端、有源區(qū)、多晶硅層，第一源端、第二源端、漏端分別與所述有源區(qū)接觸，所述漏端設(shè)置在所述第一源端與所述第二源端之間，所述多晶硅層設(shè)置在所述有源區(qū)上并與所述有源區(qū)貼合并包圍所述漏端且不與所述漏端、所述第一源端、所述第二源端接觸；所述多晶硅層與所述有源區(qū)層不存在間隙，使與有源區(qū)接觸的多晶硅層為環(huán)形結(jié)構(gòu)。

7、于本發(fā)明一實施例中，當(dāng)所述第一版圖為具有條柵結(jié)構(gòu)的版圖、所述第二版圖為具有環(huán)柵結(jié)構(gòu)的版圖時，將第一版圖轉(zhuǎn)換為第二版圖的步驟包括以下至少之一：減小多晶硅層的面積，使多晶硅層與有源區(qū)不具有間隙；增加有源區(qū)的面積，使多晶硅層與有源區(qū)不具有間隙。

8、于本發(fā)明一實施例中，當(dāng)所述第一版圖為具有環(huán)柵結(jié)構(gòu)的版圖、所述第二版圖為具有條柵結(jié)構(gòu)的版圖時，將第一版圖轉(zhuǎn)換為第二版圖的步驟包括以下至少之一：增加多晶硅層的面積，使多晶硅層與有源區(qū)之間形成間隙；減小有源區(qū)的面積，使多晶硅層與有源區(qū)之間形成間隙。

9、為實現(xiàn)上述目的以及其他目的，本申請?zhí)峁┮环Nmos器件版圖，采用所述的設(shè)計方法形成。

10、為實現(xiàn)上述目的以及其他目的，本申請?zhí)峁┮环Nmos器件，根據(jù)所述的mos器件版圖制成。

11、本申請的有益效果：

12、本申請的一種mos器件版圖設(shè)計方法，包括：調(diào)用多個第一版圖；將所述多個第一版圖中的一個或多個轉(zhuǎn)換為第二版圖；其中，所述第一版圖與所述第二版圖為構(gòu)成mos器件的版圖。本申請通過在無法調(diào)用新的版圖中將已經(jīng)調(diào)用的版圖進(jìn)行轉(zhuǎn)換，能同時滿足兩種版圖的需求，實現(xiàn)兩種版圖的高效轉(zhuǎn)換，減少了工作量，提高了工作效率，具有高效性。

13、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請。

技術(shù)特征：

1.一種mos器件版圖設(shè)計方法，其特征在于，所述設(shè)計方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mos器件版圖設(shè)計方法，其特征在于，所述第一版圖為具有條柵結(jié)構(gòu)的版圖，所述第二版圖為具有環(huán)柵結(jié)構(gòu)的版圖。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mos器件版圖設(shè)計方法，其特征在于，所述第一版圖為具有環(huán)柵結(jié)構(gòu)的版圖，所述第二版圖為具有條柵結(jié)構(gòu)的版圖。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mos器件版圖設(shè)計方法，其特征在于，所述第一版圖包括第一源端、第二源端、漏端、柵端、有源區(qū)、多晶硅層，第一源端、第二源端、漏端分別與所述有源區(qū)接觸，所述漏端設(shè)置在所述第一源端與所述第二源端之間；所述多晶硅層設(shè)置在所述有源區(qū)上并與所述有源區(qū)貼合，包圍所述漏端且不與所述漏端、所述第一源端、所述第二源端接觸；所述多晶硅層與所述有源區(qū)層存在間隙，使與有源區(qū)接觸的多晶硅層為條形結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mos器件版圖設(shè)計方法，其特征在于，所述第一版圖包括第一源端、第二源端、漏端、柵端、有源區(qū)、多晶硅層，第一源端、第二源端、漏端分別與所述有源區(qū)接觸，所述漏端設(shè)置在所述第一源端與所述第二源端之間，所述多晶硅層設(shè)置在所述有源區(qū)上并與所述有源區(qū)貼合并包圍所述漏端且不與所述漏端、所述第一源端、所述第二源端接觸；所述多晶硅層與所述有源區(qū)層不存在間隙，使與有源區(qū)接觸的多晶硅層為環(huán)形結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的mos器件版圖設(shè)計方法，其特征在于，當(dāng)所述第一版圖為具有條柵結(jié)構(gòu)的版圖、所述第二版圖為具有環(huán)柵結(jié)構(gòu)的版圖時，將第一版圖轉(zhuǎn)換為第二版圖的步驟包括以下至少之一：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的mos器件版圖設(shè)計方法，其特征在于，當(dāng)所述第一版圖為具有環(huán)柵結(jié)構(gòu)的版圖、所述第二版圖為具有條柵結(jié)構(gòu)的版圖時，將第一版圖轉(zhuǎn)換為第二版圖的步驟包括以下至少之一：

8.一種mos器件版圖，其特征在于，采用權(quán)利要求1-7任意一項所述的設(shè)計方法形成。

9.一種mos器件，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求8所述的mos器件版圖制成。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種MOS器件版圖設(shè)計方法、MOS器件版圖及MOS器件，所述設(shè)計方法包括：調(diào)用多個第一版圖；將所述多個第一版圖中的一個或多個轉(zhuǎn)換為第二版圖；其中，所述第一版圖與所述第二版圖為構(gòu)成MOS器件的版圖。本申請通過在無法調(diào)用新的版圖中將已經(jīng)調(diào)用的版圖進(jìn)行轉(zhuǎn)換，能同時滿足兩種版圖的需求，實現(xiàn)兩種版圖的高效轉(zhuǎn)換，減少了工作量，提高了工作效率，具有高效性。

技術(shù)研發(fā)人員：馬琦赟,雷郎成,高煒祺,詹勇,王忠焰,杜宇彬,胡永菲,劉林果,文薈麟
受保護(hù)的技術(shù)使用者：重慶吉芯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6