本發(fā)明屬于器件集約模型參數(shù)提取技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種soimosfet總劑量模型參數(shù)確定方法。

背景技術(shù)：

隨著空間技術(shù)的不斷發(fā)展，信息社會(huì)使用的電子產(chǎn)品被越來(lái)越廣泛地應(yīng)用于空間探測(cè)與太空航行。而太空中存在的各類(lèi)射線(xiàn)，將對(duì)電子產(chǎn)品產(chǎn)生不可逆破壞，從而使空間儀器失靈。soi(silicon-on-insulator)是一種絕緣體上硅技術(shù)，其很好地降低地空間粒子對(duì)電路造成的單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子閂鎖等輻射效應(yīng)，但由于其仍然存在大量的硅、二氧化硅界面(淺槽隔離場(chǎng)氧、埋氧)，使得輻射粒子在這些界面產(chǎn)生大量的冗余電荷，進(jìn)一步導(dǎo)致電子器件不能工作在正常工作區(qū)。從而對(duì)基于soi器件的電路進(jìn)行輻射工藝加固與設(shè)計(jì)加固成為必要。

mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)集約模型是一種將mosfet器件物理效應(yīng)描述為數(shù)學(xué)方程，并通過(guò)參數(shù)提取形成可供電路大規(guī)模eda仿真的模型。soimosfet集約模型是一種可以用于仿真soi器件的集約模型。高精度與高速度的集約模型可以縮小電路設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)與流片成品之間的差異，可以大大提高設(shè)計(jì)準(zhǔn)確度，縮短開(kāi)發(fā)周期。

soimosfet總劑量集約模型是一種可以反映出總劑量在soimosfet中影響，并能通過(guò)仿真準(zhǔn)確地反映在電路電學(xué)特性的變化上。通過(guò)這種模型可以為電路設(shè)計(jì)者提供可行可靠的輻射加固電路設(shè)計(jì)方案，減少輻射測(cè)試次數(shù)，大幅縮短設(shè)計(jì)周期與研發(fā)資金投入。

現(xiàn)有的soimosfet總劑量集約模型是基于在主晶體管外圍加子電路的基本思路而建立的宏模型。而宏模型的建立必須通過(guò)參數(shù)提取才能得到對(duì)應(yīng)工藝的可用于仿真的集約模型。其包含器件輻照測(cè)試數(shù)據(jù)采集與參數(shù)提取兩大部分。現(xiàn)有的soimosfet總劑量集約模型存在參數(shù)提取過(guò)程復(fù)雜的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種soimosfet總劑量模型參數(shù)確定方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中soimosfet總劑量集約模型參數(shù)提取過(guò)程復(fù)雜、精確度不高的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種soimosfet總劑量模型參數(shù)確定方 法，包括如下步驟：

s1：獲取soimosfet在不同劑量輻照下開(kāi)、關(guān)兩種工作狀態(tài)下的轉(zhuǎn)移特性數(shù)據(jù)與傳輸特性數(shù)據(jù)；

s2：篩選步驟s1得到的數(shù)據(jù)，并導(dǎo)入測(cè)試數(shù)據(jù)到參數(shù)提取軟件；

s3：提取上邊角等效晶體管參數(shù)及場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)；

s4：導(dǎo)出總劑量集約模型卡文件；

s5：導(dǎo)入各個(gè)單點(diǎn)的總劑量模型到所述參數(shù)提取軟件，生成全區(qū)域的總劑量bin模型卡文件。

可選地，于所述步驟s1中，所述mosfet為pmos或nmos。

可選地，于所述步驟s1中，采用鈷60輻照源進(jìn)行輻照測(cè)試。

可選地，于所述步驟s1中，輻射劑量范圍是0～1000krad/sio2。

可選地，于所述步驟s1中，至少采用兩種輻射劑量進(jìn)行輻照測(cè)試。

可選地，于所述步驟s1中，在開(kāi)工作狀態(tài)下，施加在各端口的電壓為v_drain＝v_source＝v_body＝v_substrate＝0v，v_gate＝vdd，在關(guān)工作狀態(tài)下，施加在各端口電壓為v_drain＝v_source＝v_body＝v_substrate＝v_gate＝0v，其中，v_drain為漏極電壓，v_source為源極電壓，v_body為體區(qū)電壓，v_substrate為基底電壓，v_gate為柵極電壓，vdd為工作電壓。

可選地，于所述步驟s2中，篩選步驟s1得到的數(shù)據(jù)包括如下步驟：計(jì)算每組測(cè)試數(shù)據(jù)各個(gè)劑量點(diǎn)的閾值電壓，如果該組數(shù)據(jù)的閾值電壓變化為隨劑量增大而單調(diào)減小，則選取該組數(shù)據(jù)。

可選地，于所述步驟s2中，所述參數(shù)提取軟件為tidfit。

可選地，于所述步驟s2中，還包括設(shè)置器件的工藝參數(shù)、幾何參數(shù)及類(lèi)型參數(shù)的步驟。

可選地，還包括仿真沒(méi)有輻照前的器件轉(zhuǎn)移特性，并根據(jù)得到的亞閾值斜率值對(duì)所述工藝參數(shù)中的亞閾值斜率參數(shù)進(jìn)行修正的步驟，修正之后重新仿真本底電流。

可選地，于所述步驟s3中，還包括調(diào)節(jié)上邊角等效晶體管參數(shù)及場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)以修正曲線(xiàn)的擬合細(xì)節(jié)的步驟。

可選地，于所述步驟s3中，所述上邊角等效晶體管參數(shù)包括上邊角柵氧厚度、上邊角閾值電壓、上邊角閾值電壓偏移、上邊角遷移率、上邊角劑量飽和因子、上邊角飽和速度及上邊角寬度中的一種或多種；所述場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)包括場(chǎng)氧側(cè)壁柵氧厚度、場(chǎng)氧側(cè)壁閾值電壓、場(chǎng)氧側(cè)壁閾值電壓偏移、場(chǎng)氧側(cè)壁遷移率、場(chǎng)氧側(cè)壁劑量飽和因子、場(chǎng)氧側(cè)壁飽和速度、場(chǎng)氧側(cè)壁寬度及弱反型系數(shù)中的一種或多種。

可選地，于所述步驟s4中，導(dǎo)出至少四種不同尺寸的soimosfet的單點(diǎn)模型。

可選地，還包括步驟s6，采用總劑量物理模型描述文件、電路網(wǎng)表文件及所述總劑量bin模型卡文件進(jìn)行器件轉(zhuǎn)移特性仿真。

可選地，于所述步驟s6中，仿真不同劑量輻照下，soimosfet的漏電流隨前柵電壓的變化曲線(xiàn)。

如上所述，本發(fā)明的soimosfet總劑量模型參數(shù)確定方法，具有以下有益效果：(1)與傳統(tǒng)的參數(shù)提取方法相比，本發(fā)明采用了與主晶體管分離的方式進(jìn)行參數(shù)提取(主晶體管的參數(shù)提取可以采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)流程進(jìn)行參數(shù)提取，總劑量模型參數(shù)提取不會(huì)對(duì)主晶體管模型參數(shù)產(chǎn)生影響，兩者是獨(dú)立的)，細(xì)化了物理模型中各個(gè)區(qū)域的敏感參數(shù)，提高了參數(shù)擬合的準(zhǔn)確度；(2)本發(fā)明可以準(zhǔn)確地?cái)M合出soimosfet受總劑量輻射效應(yīng)影響時(shí)在亞閾值區(qū)產(chǎn)生的hump效應(yīng)；(3)模型以bin模型卡的形式存在，可以仿真全區(qū)域尺寸器件(即各個(gè)尺寸的器件)總劑量效應(yīng)。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為本發(fā)明的soimosfet總劑量模型參數(shù)確定方法的流程圖。

圖2顯示為淺槽隔離柵氧區(qū)的參數(shù)調(diào)整與曲線(xiàn)擬合圖。

圖3顯示為上邊角區(qū)的參數(shù)調(diào)整與曲線(xiàn)擬合圖。

圖4顯示為器件轉(zhuǎn)移特性仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果對(duì)比。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

s1～s5步驟

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖1至圖4。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

如圖1所示，顯示為本發(fā)明的soimosfet總劑量模型參數(shù)確定方法的流程圖，包括如下步驟：

步驟s1：獲取soimosfet在不同劑量輻照下開(kāi)、關(guān)兩種工作狀態(tài)下的轉(zhuǎn)移特性數(shù)據(jù)與傳輸特性數(shù)據(jù)。

具體的，所述mosfet為pmos或nmos。其中，轉(zhuǎn)移特性數(shù)據(jù)包括前柵電壓與源漏電流關(guān)系，傳輸特性數(shù)據(jù)包括源漏電壓與源漏電流關(guān)系。

具體的，可選用至少四種尺寸的mosfet進(jìn)行測(cè)試。尺寸參數(shù)包括寬度w及長(zhǎng)度l，其中，寬度w指的是柵垂直于溝道方向長(zhǎng)度，長(zhǎng)度l指的是溝道長(zhǎng)度。

本步驟中，選用多種尺寸的soimosfet進(jìn)行測(cè)試，可以得到全區(qū)域的總劑量模型。對(duì)于每種尺寸的mosfet，至少采用兩種輻射劑量進(jìn)行輻照測(cè)試，輻射劑量范圍是0～1000krad/sio2。此處，每單位物質(zhì)質(zhì)量所接受的輻射能量稱(chēng)為劑量，常用拉德(rad)或者戈瑞(gray)作為計(jì)量單位，它們與其它常用能量單位之間的關(guān)系為：1rad＝100erg/g＝6.24×1013ev/g，1gray＝1j/kg＝100rad。在輻射強(qiáng)度一定的情況下，所接受到的輻射劑量與材料本身的原子密度有關(guān)；密度大者，接受的劑量大，密度小者，接受的劑量小。例如，對(duì)于常見(jiàn)的幾種微電子材料，其劑量之間的關(guān)系為：1rad/si＝0.58rad/sio2＝0.94rad/gaas。整個(gè)材料或者器件所接受到的輻射劑量的總和，即稱(chēng)為總劑量(tid)。本實(shí)施例中，器件接受的總輻射劑量以rad/sio2為單位。

步驟s2：篩選步驟s1得到的數(shù)據(jù)，并導(dǎo)入測(cè)試數(shù)據(jù)到參數(shù)提取軟件。

具體的，篩選步驟s1得到的數(shù)據(jù)包括如下步驟：

1)采用行業(yè)通用方法計(jì)算每組測(cè)試數(shù)據(jù)各個(gè)劑量點(diǎn)的閾值電壓；

2)如果該組數(shù)據(jù)的閾值電壓變化隨劑量增大而單調(diào)減小，則選取該組數(shù)據(jù)。

所述參數(shù)提取軟件包括但不限于tidfit等軟件。其中，tidfit為專(zhuān)用于soimosfet總劑量建模而開(kāi)發(fā)的參數(shù)提取軟件。

本步驟中，還包括設(shè)置器件的工藝參數(shù)、幾何參數(shù)及類(lèi)型參數(shù)的步驟。

進(jìn)一步的，本步驟還包括仿真沒(méi)有輻照前的器件轉(zhuǎn)移特性，并根據(jù)得到的亞閾值斜率值對(duì)所述工藝參數(shù)中的亞閾值斜率參數(shù)進(jìn)行修正的步驟，修正之后重新仿真本底電流。

步驟s3：提取上邊角等效晶體管參數(shù)及場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)。

具體的，所述上邊角等效晶體管參數(shù)包括上邊角柵氧厚度、上邊角閾值電壓、上邊角閾值電壓偏移、上邊角遷移率、上邊角劑量飽和因子、上邊角飽和速度及上邊角寬度中的一種或多種；所述場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)包括場(chǎng)氧側(cè)壁柵氧厚度、場(chǎng)氧側(cè)壁閾值電壓、場(chǎng)氧側(cè)壁閾值電壓偏移、場(chǎng)氧側(cè)壁遷移率、場(chǎng)氧側(cè)壁劑量飽和因子、場(chǎng)氧側(cè)壁飽和速度、場(chǎng)氧側(cè)壁 寬度及弱反型系數(shù)中的一種或多種。

步驟s4：導(dǎo)出總劑量集約模型卡文件。

具體的，分別導(dǎo)出不同尺寸的soimosfet的單點(diǎn)模型。此處，單點(diǎn)模型是指對(duì)應(yīng)單一一種尺寸的模型。

步驟s5：導(dǎo)入各個(gè)單點(diǎn)的總劑量模型到所述參數(shù)提取軟件，生成全區(qū)域的總劑量bin模型卡文件。

具體的，bin模型卡使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模型bsim3.3中的bin模型生成方法得到。

本發(fā)明解決了現(xiàn)有總劑量模型存在參數(shù)提取過(guò)程復(fù)雜的現(xiàn)狀，提供了一種簡(jiǎn)化的參數(shù)提取流程，并保證了模型的準(zhǔn)確度。模型以bin模型卡的形式存在，可以仿真全區(qū)域尺寸器件總劑量效應(yīng)。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的的soimosfet總劑量模型參數(shù)確定方法還包括步驟s6：采用總劑量物理模型描述文件、電路網(wǎng)表文件及所述總劑量bin模型卡文件進(jìn)行器件轉(zhuǎn)移特性仿真。

具體的，仿真不同劑量輻照下，soimosfet的漏電流idrain隨前柵電壓vfrontgate的變化曲線(xiàn)。其中，總劑量物理模型描述文件是通過(guò)verilog-a語(yǔ)言表述的，是根據(jù)物理模型編寫(xiě)的，這個(gè)文件在提取參數(shù)的整個(gè)流程中并不需要修改，是一個(gè)給定的文件，與參數(shù)提取無(wú)關(guān)，但最終將參數(shù)提取完成后進(jìn)行電路仿真是需要這個(gè)文件的。電路網(wǎng)表文件是電路設(shè)計(jì)者編寫(xiě)的文件，這個(gè)文件用spice語(yǔ)言編寫(xiě)，包含了要仿真的電路的全部信息，該文件與參數(shù)提取也沒(méi)有關(guān)系，但電路仿真需要用到。

作為示例，以0.13微米soicmos工藝中1.2vnmos為例，進(jìn)行soimosfet總劑量模型參數(shù)提取，包括如下過(guò)程：

1)選取寬長(zhǎng)比w/l＝10/10、10/0.13、0.15/10、0.15/0.13(單位均為微米)四種尺寸的nmos器件進(jìn)行封裝，將drain(漏極)、gate(柵極)、source(源極)、body(體區(qū))、substrate(基底)六端全部用金線(xiàn)引出。

本實(shí)施例中，選用了四種尺寸的nmos器件進(jìn)行測(cè)試，在其它實(shí)施例中，也可以根據(jù)需要選用更多種尺寸的器件進(jìn)行測(cè)試。

2)采用鈷60輻照源進(jìn)行輻照測(cè)試，全部器件使用on(開(kāi))、off(關(guān))兩種測(cè)試偏置狀態(tài)。on偏置時(shí)，各端口電壓為v_drain＝v_source＝v_body＝v_substrate＝0v，v_gate＝1.2v(工作電壓)，off偏置時(shí)，各端口電壓為v_drain＝v_source＝v_body＝v_substrate＝v_gate＝0v，輻射的時(shí)間根據(jù)不同的劑量率而確定，保證器件接受的總輻射劑量為100k、400k、700k、1000k(單位均為rad/sio2)。

3)將輻照達(dá)到指定劑量的器件取下，使用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀測(cè)量器件的轉(zhuǎn)移特性與傳輸 特性?xún)山M數(shù)據(jù)。其中，轉(zhuǎn)移特性數(shù)據(jù)包括前柵電壓與源漏電流關(guān)系，傳輸特性數(shù)據(jù)包括源漏電壓與源漏電流關(guān)系。

4)重復(fù)步驟2)-3)采集下一個(gè)劑量點(diǎn)的數(shù)據(jù)，直至總劑量達(dá)到1000krad/sio2。

5)將篩選出來(lái)的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)?shù)提取軟件tidfit。然后設(shè)置器件的工藝參數(shù)、幾何參數(shù)及類(lèi)型參數(shù)，其中，器件的工藝參數(shù)包括體因子開(kāi)關(guān)(isgammaset)、主晶體管柵氧厚度(toxref)、亞閾值斜率(ss)、體區(qū)摻雜濃度(nsub)、有效源漏電壓參數(shù)(delta)等參數(shù)中的一種或多種；所述幾何參數(shù)包括柵垂直于溝道方向長(zhǎng)度(w)及溝道長(zhǎng)度(l)；所述類(lèi)型參數(shù)包括工作電壓(vdd)。

6)仿真沒(méi)有輻照前的器件轉(zhuǎn)移特性(前柵電壓與源漏電流關(guān)系)，并根據(jù)得到的亞閾值斜率值對(duì)ss參數(shù)進(jìn)行修正，修正之后重新仿真本底電流。

7)調(diào)節(jié)場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)使得曲線(xiàn)(場(chǎng)氧側(cè)壁區(qū)電流隨電壓的變化曲線(xiàn))對(duì)場(chǎng)氧側(cè)壁區(qū)(淺槽隔離柵氧區(qū))測(cè)試數(shù)據(jù)擬合較好。作為示例，所述場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)包括場(chǎng)氧側(cè)壁柵氧厚度(toxsti2)、場(chǎng)氧側(cè)壁閾值電壓(vth0sti2)、場(chǎng)氧側(cè)壁閾值電壓偏移(voffsti2)、場(chǎng)氧側(cè)壁遷移率(usti2)、場(chǎng)氧側(cè)壁劑量飽和因子(taosti2)、場(chǎng)氧側(cè)壁飽和速度(satsti2)、場(chǎng)氧側(cè)壁寬度(wsti2)及弱反型系數(shù)(minv)。

如圖2所示，顯示為場(chǎng)氧側(cè)壁區(qū)的參數(shù)調(diào)整與曲線(xiàn)擬合圖，其中，縱坐標(biāo)為對(duì)數(shù)電流(a)、橫坐標(biāo)為電壓(v)，實(shí)心點(diǎn)表示測(cè)試數(shù)據(jù)，實(shí)心線(xiàn)表示擬合曲線(xiàn)。場(chǎng)氧側(cè)壁區(qū)的參數(shù)會(huì)影響器件的關(guān)態(tài)漏電流。

8)調(diào)節(jié)上邊角等效晶體管參數(shù)使得曲線(xiàn)(上邊角區(qū)電流隨電壓的變化曲線(xiàn))對(duì)上邊角區(qū)測(cè)試數(shù)據(jù)擬合較好。作為示例，所述上邊角等效晶體管參數(shù)包括上邊角柵氧厚度(toxsti1)、上邊角閾值電壓(vth0sti1)、上邊角閾值電壓偏移(voffsti1)、上邊角遷移率(usti1)、上邊角劑量飽和因子(taosti1)、上邊角飽和速度(satsti1)及上邊角寬度(wsti1)。

如圖3所示，顯示為上邊角區(qū)的參數(shù)調(diào)整與曲線(xiàn)擬合圖，其中，實(shí)心點(diǎn)表示測(cè)試數(shù)據(jù)，實(shí)心線(xiàn)表示擬合曲線(xiàn)。此處，上邊角區(qū)指的是主晶體管與場(chǎng)氧側(cè)壁區(qū)交界的拐角，這個(gè)區(qū)域的參數(shù)影響hump效應(yīng)。其中，hump效應(yīng)指的是mosfet在輻照之后除了關(guān)態(tài)漏電流變大之外，亞閾值區(qū)也會(huì)出現(xiàn)一個(gè)“鼓包”，現(xiàn)有的總劑量模型無(wú)法表述這個(gè)效應(yīng)，只能表述關(guān)態(tài)漏電流變大。

9)重復(fù)步驟7)-8)以修正曲線(xiàn)的擬合細(xì)節(jié)。

需要指出的是，在重復(fù)步驟7)-8)的過(guò)程中，不需要整個(gè)曲線(xiàn)都吻合得很好，只要最終疊加的總電流與測(cè)試結(jié)果吻合即可。其中步驟7)調(diào)整的是側(cè)壁區(qū)的電流，步驟8)是邊角區(qū)的，在分別調(diào)整這兩個(gè)區(qū)域的電流時(shí)，可能一個(gè)區(qū)域的電流吻合精度提高了，但加上另一個(gè) 區(qū)域的電流之后精度卻下降了，所以要反復(fù)操作7)-8)，使總電流精度提高，從而確定如下參數(shù)：(1)上邊角等效晶體管參數(shù)，包括上邊角柵氧厚度、上邊角閾值電壓、上邊角閾值電壓偏移、上邊角遷移率、上邊角劑量飽和因子、上邊角飽和速度及上邊角寬度等參數(shù)中的一種或多種；(2)場(chǎng)氧側(cè)壁等效晶體管參數(shù)：包括場(chǎng)氧側(cè)壁柵氧厚度、場(chǎng)氧側(cè)壁閾值電壓、場(chǎng)氧側(cè)壁閾值電壓偏移、場(chǎng)氧側(cè)壁遷移率、場(chǎng)氧側(cè)壁劑量飽和因子、場(chǎng)氧側(cè)壁飽和速度、場(chǎng)氧側(cè)壁寬度及弱反型系數(shù)等參數(shù)中的一種或多種。

10)導(dǎo)出經(jīng)過(guò)以上步驟得到的各個(gè)尺寸soimosfet的單點(diǎn)模型(總劑量集約模型卡文件)，并導(dǎo)入軟件生成全區(qū)域的總劑量bin模型卡文件。其中，每個(gè)單點(diǎn)模型僅對(duì)應(yīng)一種尺寸，而全區(qū)域的總劑量bin模型可涵蓋各個(gè)尺寸器件，可以仿真全區(qū)域尺寸器件總劑量效應(yīng)。

11)調(diào)用經(jīng)過(guò)以上步驟生成的總劑量模型卡bin文件與已有的總劑量物理模型描述文件、電路網(wǎng)表文件進(jìn)行器件轉(zhuǎn)移特性仿真。

作為示例，圖4顯示為尺寸為w/l＝0.15/0.13的器件轉(zhuǎn)移特性仿真結(jié)果(實(shí)線(xiàn))與測(cè)試結(jié)果(實(shí)心點(diǎn))的對(duì)比結(jié)果?？梢?jiàn)，本發(fā)明的soimosfet總劑量模型參數(shù)確定方法具有很高的參數(shù)擬合準(zhǔn)確度。同時(shí)，從圖4中-0.2v-0.1v區(qū)域可看出，本發(fā)明可以準(zhǔn)確地?cái)M合出soimosfet受總劑量輻射效應(yīng)影響時(shí)在亞閾值區(qū)產(chǎn)生的hump效應(yīng)。

綜上所述，本發(fā)明的soimosfet總劑量模型參數(shù)確定方法，采用了與主晶體管分離的方式進(jìn)行參數(shù)提取，細(xì)化了物理模型中各個(gè)區(qū)域的敏感參數(shù)，提高了參數(shù)擬合的準(zhǔn)確度；本發(fā)明可以準(zhǔn)確地?cái)M合出soimosfet受總劑量輻射效應(yīng)影響時(shí)在亞閾值區(qū)產(chǎn)生的hump效應(yīng)；本發(fā)明中，模型以bin模型卡的形式存在，可以仿真全區(qū)域尺寸器件總劑量效應(yīng)。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。