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一種基于ddr接口的固態(tài)硬盤裝置制造方法

文檔序號:6644078閱讀:511來源:國知局
一種基于ddr接口的固態(tài)硬盤裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種固態(tài)硬盤裝置,特別涉及一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置。其結(jié)構(gòu)包括閃存控制器,閃存控制器上行線路通過DDR接口連接CPU,下行線路通過閃存總線連接閃存顆粒。本實用新型的一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置,其將硬盤可以直接安裝在CPU的內(nèi)存插槽上,可以大幅縮減延遲,進一步提高數(shù)據(jù)傳輸效率。
【專利說明】—種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種固態(tài)硬盤裝置,特別涉及一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著Flash技術(shù)的發(fā)展,越來越多的Flash SSD (閃存硬盤)被當(dāng)作硬盤應(yīng)用到計算機存儲上,目前主流的Flash SSD接口包括SATA接口(Serial Advanced TechnologyAttachment——串行高級技術(shù)附件,一種基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行硬件驅(qū)動器接口)、SAS接口、PC1-E 接口(PC1-Express)這幾種,一般連接在 PC1-E、PCH 或 ICH (I/O controller hub 意思是“輸入/輸出控制器中心)設(shè)備上,用來提高計算機系統(tǒng)的存取速度,但是這種傳統(tǒng)接口方式的硬盤由于離CPU的距離遠,訪存延遲一般較大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題,本實用新型提供了一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置,其將硬盤可以直接安裝在CPU的內(nèi)存插槽上,可以大幅縮減延遲,進一步提高數(shù)據(jù)傳輸效率。
[0004]本實用新型所采用的技術(shù)方案如下:
[0005]一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置,包括閃存控制器,閃存控制器上行線路通過DDR接口連接CPU,下行線路通過閃存總線連接閃存顆粒。
[0006]閃存控制器通過DDR接口連接電源電路。
[0007]閃存控制器通過DDR接口連接時鐘信號電路。
[0008]DDR 接口為 DDR3 接口或 DDR4 接口。
[0009]本實用新型的一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置由I個Flash (閃存)控制器和若干個Flash顆粒組成,其中Flash控制器的上行通過DDR總線接口(可以是DDR3或DDR4)與CPU相連,下行通過Flash總線與Flash顆粒相連,其主要作用是將DDR協(xié)議轉(zhuǎn)換成Flash協(xié)議,與傳統(tǒng)Flash SSD連接在PCH或ICH下相比,可以實現(xiàn)CPU對Flash SSD的直接訪問,從而可以減少系統(tǒng)訪問延遲,提高存儲速率。
[0010]另外,本實用新型中固態(tài)硬盤裝置所必需的電源和時鐘信號也由標(biāo)準(zhǔn)DDR接口提供,從而可以減少設(shè)計的復(fù)雜度以及降低了設(shè)計成本。
[0011]綜上,本實用新型提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0012]系統(tǒng)存儲的低延時、增加系統(tǒng)存儲容量、較低的設(shè)計成本,可用在多個服務(wù)器平臺上使用。使得固態(tài)硬盤可以直接安裝在內(nèi)存插槽上,一方面可以提高系統(tǒng)存儲的容量,另一方面CPU可以直接訪問,從而可以提高硬盤讀寫性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1為本實用新型的一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置的結(jié)構(gòu)框圖。

【具體實施方式】
[0015]為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本實用新型實施方式作進一步地詳細描述。
[0016]實施例一
[0017]如圖1所示,一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置由I個Flash控制器和四個Flash顆粒組成,其中Flash控制器的上行通過DDR總線(可以是DDR3或DDR4)與CPU相連,下行通過Flash總線與Flash顆粒相連,其主要作用是將DDR協(xié)議轉(zhuǎn)換成Flash協(xié)議,與傳統(tǒng)Flash SSD連接在PCH或ICH下相比,可以實現(xiàn)CPU對Flash SSD的直接訪問,從而可以減少系統(tǒng)訪問延遲,提高存儲速率。
[0018]另外,本實施例中固態(tài)硬盤裝置所必需的電源和時鐘信號也由標(biāo)準(zhǔn)DDR接口提供,從而可以減少設(shè)計的復(fù)雜度以及降低了設(shè)計成本。
[0019]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例,并不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置,包括閃存控制器,其特征在于,所述的閃存控制器上行線路通過DDR接口連接CPU,下行線路通過閃存總線連接閃存顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置,其特征在于,所述的閃存控制器通過DDR接口連接電源電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置,其特征在于,所述的閃存控制器通過DDR接口連接時鐘信號電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種基于DDR接口的固態(tài)硬盤裝置,其特征在于,所述的DDR接口為DDR3接口或DDR4接口。
【文檔編號】G06F13/16GK203838697SQ201420274731
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年5月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月27日
【發(fā)明者】貢維, 張磊 申請人:浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
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