一種高速大容量緩存存儲卡的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明特別涉及一種高速大容量緩存存儲卡。該高速大容量緩存存儲卡，包括存儲卡板卡，所述存儲卡板卡上設(shè)有SAS主控芯片，內(nèi)置SAS端口，DDR3內(nèi)存芯片和超級電容模塊接口，存儲卡板卡下方連接有PCIE接口；所述內(nèi)置SAS端口位于存儲卡板卡后端。該高速大容量緩存存儲卡，采用2GB大容量DDR3緩存，具備SAS12G多核控制器和PCIE8G高速數(shù)據(jù)接口，另外采用超級電容方式，能夠做到數(shù)據(jù)高效長期保存，有益于緩存數(shù)據(jù)的保護；而且支持磁盤陣列大，RAID盤位數(shù)最大支持256個；服務(wù)器使用本發(fā)明能夠大幅提升磁盤數(shù)據(jù)讀寫性能。
【專利說明】一種高速大容量緩存存儲卡

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及計算機服務(wù)器【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種高速大容量緩存存儲卡。

【背景技術(shù)】
[0002]RAID (Redundant Array of Independent Disks)即獨立磁盤冗余陣列，是實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲備份的主要技術(shù)。RAID技術(shù)將多個單獨的物理磁盤以不同的方式組合成一個邏輯磁盤，從而提高了磁盤的讀寫性能和數(shù)據(jù)安全性。根據(jù)不同的算法可以分為不同的RAID級:RaidO/l/2/3/4/5/6。同時采用兩種不同的RAID方式還能組合成新的RAID級，如Raidl0/50/60,以便滿足對磁盤容量、數(shù)據(jù)冗余、或者存儲系統(tǒng)性能等需要。
[0003]DDR3，即第三代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory, 一般稱為 DDR3 SDRAM),是一種電腦存儲器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲器產(chǎn)品，提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行性能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM (四倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器)的后繼者(增加至八倍)，也是現(xiàn)時流行的存儲器產(chǎn)品。
[0004]隨著互聯(lián)網(wǎng)、云計算技術(shù)的快速發(fā)展，信息時代進入一個大數(shù)據(jù)的時代，各行業(yè)各領(lǐng)域需要處理的數(shù)據(jù)越來越多，越來越重要。用戶對作為數(shù)據(jù)節(jié)點的存儲服務(wù)器，要求具備數(shù)據(jù)保護高可靠性和數(shù)據(jù)讀寫高可用性。
[0005]這些要求的實現(xiàn)都需要使用具備RaicKRedundantArray of Independent Disks,即獨立磁盤冗余陣列)功能的存儲卡，俗稱Raid卡。但不同規(guī)格的Raid存儲卡，由于使用不同的控制器，其所能支持端口速率不同，尤其是緩存容量不同導致對磁盤的讀寫性能結(jié)果差異很大。如目前市場上某款高端Raid卡，也支持IGB 1333MHz緩存。本發(fā)明正是針對這一需求，采用SAS12G多核控制器，設(shè)計開發(fā)了一種使用2GB大容量高速DDR3緩存、具備SAS12G和PCIE 8G高速數(shù)據(jù)接口、支持超級電容數(shù)據(jù)保護功能的Raid存儲卡。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明為了彌補現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種數(shù)據(jù)保護可靠性高的高速大容量緩存存儲卡。
[0007]本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
一種高速大容量緩存存儲卡，其特征在于:包括存儲卡板卡，所述存儲卡板卡上設(shè)有SAS主控芯片，內(nèi)置SAS端口，DDR3內(nèi)存芯片，超級電容模塊接口和Flash模塊接口，存儲卡板卡下方連接有PCIE接口 ；所述內(nèi)置SAS端口位于存儲卡板卡后端。
[0008]所述SAS 主控芯片為 12 G SAS RoC 芯片 PMC PM8060。
[0009]所述內(nèi)置SAS端口是I個內(nèi)置式1x2 SFF-8643連接器，支持SAS 12 Gbps速率的SSD和HDD，支持8個SAS/SATA設(shè)備。
[0010]所述PCIE接口為PCIE Gen3 x8，支持8 Gbps速率，采用金手指方式。
[0011]所述DDR3內(nèi)存芯片支持DDR3 1600MHz，SDRAM容量為2GB。
[0012]其RAID 級為 RAID 0，1，10，1E，5，6，50，60。
[0013]其RAID盤位數(shù)至多支持256個。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:該高速大容量緩存存儲卡，采用2GB大容量DDR3緩存，具備SAS 12 G多核控制器和PCIE 8 G高速數(shù)據(jù)接口，另外采用超級電容方式，能夠做到數(shù)據(jù)高效長期保存，有益于緩存數(shù)據(jù)的保護；而且支持磁盤陣列大，RAID盤位數(shù)最大支持256個；服務(wù)器使用本發(fā)明能夠大幅提升磁盤數(shù)據(jù)讀寫性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。
[0016]附圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]附圖2為本發(fā)明工作方法示意圖。
[0018]圖中，1、板卡，2、SAS主控芯片，3、SAS端口，4、PCIE接口，5、DDR3內(nèi)存芯片，6、超級電容模塊接口、7、Flash模塊接口。

【具體實施方式】
[0019]附圖為本發(fā)明的一種具體實施例。該高速大容量緩存存儲卡，包括存儲卡板卡1，所述存儲卡板卡I上設(shè)有SAS主控芯片2，內(nèi)置SAS端口 3，DDR3內(nèi)存芯片5，超級電容模塊接口 6和Flash模塊接口 7，存儲卡板卡I下方連接有PCIE接口 4 ;所述內(nèi)置SAS端口 3位于存儲卡板卡I后端。
[0020]所述SAS 主控芯片 2 為 12 G SAS RoC 芯片 PMC PM8060。
[0021]所述內(nèi)置SAS端口 3是I個內(nèi)置式1x2 SFF-8643連接器，支持SAS 12 Gbps速率的SSD和HDD，支持8個SAS/SATA設(shè)備。
[0022]所述PCIE接口 4為PCIE Gen3 x8，支持8 Gbps速率，采用金手指方式。
[0023]所述DDR3內(nèi)存芯片5支持DDR3 1600MHz, SDRAM容量為2GB。
[0024]其RAID 級為 RAID 0，1，10，1E，5，6，50，60。
[0025]其RAID盤位數(shù)至多支持256個。
[0026]在裝配機箱時，將PCIE接口 4插入服務(wù)器主板的PCIE槽中，通過SAS端口 3用線纜與服務(wù)器的磁盤陣列相連。超級電容模塊接口 6連接超級電容模塊。DDR3內(nèi)存芯片5通過Memory接口連接SAS主控芯片2。Flash模塊接口 7連接有Flash模塊。
[0027]服務(wù)器通過存儲卡板卡1，對與SAS端口 3相連的磁盤陣列做Raid算法，比如Raid5, RAID 10, RAID 10, RAID 6, RAID 50 或 RAID 60。
[0028]服務(wù)器正常工作時，會將數(shù)據(jù)寫入Raid卡。此時，Raid卡先將數(shù)據(jù)保存至DDR3內(nèi)存芯片5緩存。因磁盤陣列中磁盤多，Raid卡會將數(shù)據(jù)逐一寫入硬盤，DDR3內(nèi)存芯片5緩存容量越大，寫入磁盤數(shù)據(jù)的次數(shù)越少，效率越高。
[0029]服務(wù)器正常工作時，會將硬盤數(shù)據(jù)讀出，Raid卡會將數(shù)據(jù)暫存在DDR3內(nèi)存芯片5緩存中，待服務(wù)器空閑時上傳。
[0030]如果服務(wù)器出現(xiàn)意外斷電，Raid卡會啟用超級電容保護功能，將DDR3內(nèi)存芯片5緩存中的數(shù)據(jù)寫入Flash模塊，F(xiàn)lash保存數(shù)據(jù)不會丟失，待供電回復后，再將數(shù)據(jù)遷移會Raid 卡。
【權(quán)利要求】
1.一種高速大容量緩存存儲卡，其特征在于:包括存儲卡板卡(I)，所述存儲卡板卡(I)上設(shè)有SAS主控芯片(2)，內(nèi)置SAS端口(3)，DDR3內(nèi)存芯片(5)，超級電容模塊接口(6)和Flash模塊接口( 7 )，存儲卡板卡(I)下方連接有PCIE接口( 4);所述內(nèi)置SAS端口( 3 )位于存儲卡板卡(I)后端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速大容量緩存存儲卡，其特征在于:所述SAS主控芯片(2)為 12 G SAS RoC 芯片 PMC PM8060。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速大容量緩存存儲卡，其特征在于:所述內(nèi)置SAS端口(3)是I個內(nèi)置式1x2 SFF-8643連接器，支持SAS 12 Gbps速率的SSD和HDD，支持8個SAS/SATA設(shè)備。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速大容量緩存存儲卡，其特征在于:所述PCIE接口(4)為PCIE Gen3 x8，支持8 Gbps速率，采用金手指方式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速大容量緩存存儲卡，其特征在于:所述DDR3內(nèi)存芯片(5)支持 DDR3 1600MHz, SDRAM 容量為 2GB。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速大容量緩存存儲卡，其特征在于:其RAID級為RAID0，1，10，1E，5，6，50，60。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速大容量緩存存儲卡，其特征在于:其RAID盤位數(shù)至多支持256個。
【文檔編號】G06F1/16GK104375578SQ201410678107
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年11月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月24日
【發(fā)明者】楊明濤 申請人:浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司