透明導(dǎo)電性薄膜的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電性薄膜的制造方法，其為在透明基材上依次形成有第1透明電介質(zhì)層及透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電性薄膜的制造方法，其具備以下工序：在透明基材上從該透明基材側(cè)開始依次形成第1透明電介質(zhì)層及透明導(dǎo)電層的工序；利用蝕刻液蝕刻所述透明導(dǎo)電層而進(jìn)行圖案化的工序；和對(duì)圖案化了的所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行熱處理，使該透明導(dǎo)電層結(jié)晶化的工序，所述第1透明電介質(zhì)層由無機(jī)物形成，所述透明導(dǎo)電層通過圖案化形成有圖案部和圖案開口部，在將對(duì)所述圖案部照射白色光時(shí)的反射光的色相a*值及色相b*值分別設(shè)為a*P及b*P、將對(duì)所述圖案開口部的正下方照射白色光時(shí)的反射光的色相a*值及色相b*值分別設(shè)為a*O及b*O時(shí)，滿足0≤|a*P-a*O|≤4.00的關(guān)系，且滿足0≤|b*P-b*O|≤5.00的關(guān)系。
【專利說明】透明導(dǎo)電性薄膜的制造方法
[0001] 本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2010年9月28日、申請(qǐng)?zhí)枮?01080042102. X、發(fā)明名稱為"透 明導(dǎo)電性薄膜及觸摸面板"的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電性薄膜及使用其的觸摸面板。

【背景技術(shù)】
[0003] 在可見光線區(qū)域透明且具有導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電性部件，除了用于液晶顯示器、場(chǎng) 致發(fā)光顯示器等顯示器、觸摸面板等的透明電極以外，還用于物品的防靜電、電磁波阻斷 等。
[0004] 以往，作為透明導(dǎo)電性部件，已知的是在玻璃上形成有氧化銦薄膜的所謂導(dǎo)電性 玻璃，但是導(dǎo)電性玻璃由于基材為玻璃，因此撓性、加工性差，根據(jù)用途的不同，有時(shí)使用困 難。因此，近年來，從撓性、加工性以及耐沖擊性優(yōu)異、輕量等優(yōu)點(diǎn)考慮，使用將以聚對(duì)苯二 甲酸乙二醇酯為首的各種塑料薄膜作為基材的透明導(dǎo)電性薄膜。
[0005] 作為觸摸面板等中用于檢測(cè)輸入位置的透明導(dǎo)電性薄膜，已知有具備具有規(guī)定的 圖案形狀的透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電性薄膜。但是，將透明導(dǎo)電層圖案化時(shí)，圖案部和圖案開 口部（非圖案部）的差異明確化，有顯示元件的外觀變差之虞。
[0006] 為了改善將透明導(dǎo)電層圖案化時(shí)的外觀，例如，在下述專利文獻(xiàn)1中提出了在透 明基材和透明導(dǎo)電層之間形成透明電介質(zhì)層的方案。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-76432號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 發(fā)明要解決的問是頁(yè)
[0011] 然而，在以往的透明導(dǎo)電性薄膜中，圖案部和圖案開口部的正下方之間的反射光 的色相的差異導(dǎo)致圖案部和圖案開口部的邊界明確化，其結(jié)果，有顯示元件的外觀變差之 虞。
[0012] 因此，本發(fā)明提供透明導(dǎo)電層進(jìn)行了圖案化的、可以抑制由圖案部和圖案開口部 的正下方之間的反射光的色相的差異導(dǎo)致的外觀惡化的透明導(dǎo)電性薄膜和使用其的觸摸 面板。
[0013] 用于解決問題的方案
[0014] 為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜的特征在于，其為在透明基材上 依次形成有第1透明電介質(zhì)層及透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電性薄膜，上述透明導(dǎo)電層通過圖 案化形成有圖案部和圖案開口部，在將對(duì)上述圖案部照射白色光時(shí)的反射光的色相？值 及色相b #值分別設(shè)為a#P及b#P、將對(duì)上述圖案開口部的正下方照射白色光時(shí)的反射光的 色相a#值及色相b#值分別設(shè)為 < 及K時(shí)，滿足O彡I a#p-a~ I彡4. OO的關(guān)系，且滿足 0彡|b#p-b、|彡5. 00的關(guān)系。需要說明的是，上述"反射光"是指，利用碘鎢燈，以10度入 射角從透明導(dǎo)電層側(cè)向圖案部或圖案開口部正下方照射白色光時(shí)的反射光。
[0015] 利用本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜，由于圖案部和圖案開口部正下方之間的反射光的 色相的差異得到抑制，因此難以辨別圖案部和圖案開口部，能夠提供外觀良好的透明導(dǎo)電 性薄膜。
[0016] 本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜優(yōu)選的是，進(jìn)一步具有配置在上述第1透明電介質(zhì)層和 上述透明導(dǎo)電層之間的、折射率與上述第1透明電介質(zhì)層不同的第2透明電介質(zhì)層。這是 因?yàn)椋軌蚪档蛨D案部和圖案開口部正下方之間的反射率差，從而可進(jìn)一步抑制圖案部和 圖案開口部的差異。
[0017] 本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜進(jìn)一步具有上述第2透明電介質(zhì)層時(shí)，優(yōu)選上述第1透 明電介質(zhì)層的光學(xué)厚度為3?45nm、優(yōu)選上述第2透明電介質(zhì)層的光學(xué)厚度為3?50nm、優(yōu) 選上述透明導(dǎo)電層的光學(xué)厚度為20?lOOnm，將上述第2透明電介質(zhì)層的折射率設(shè)為nl、 將上述透明導(dǎo)電層的折射率設(shè)為n2時(shí)，優(yōu)選滿足nl < n2的關(guān)系。這是因?yàn)椋迷摌?gòu)成， 可進(jìn)一步抑制圖案部和圖案開口部正下方之間的反射光的色相的差異。另外，由于能夠進(jìn) 一步降低圖案部和圖案開口部正下方之間的反射率差，因此可進(jìn)一步抑制圖案部和圖案開 口部的差異。需要說明的是，各層的"光學(xué)厚度"是指，各層的物理厚度（利用厚度計(jì)等測(cè) 定出的厚度）乘以該層的折射率所得的值。另外，本發(fā)明中的折射率是對(duì)波長(zhǎng)589. 3nm的 光的折射率。需要說明的是，本發(fā)明中，物理厚度僅稱為"厚度"。
[0018] 上述第2透明電介質(zhì)層優(yōu)選通過圖案化而形成圖案部和圖案開口部。這是因?yàn)椋?利用該構(gòu)成，可進(jìn)一步抑制圖案部和圖案開口部正下方之間的反射光的色相的差異。該情 況下，優(yōu)選上述透明導(dǎo)電層的圖案部和上述第2透明電介質(zhì)層的圖案部一致。這是因?yàn)椋?用該構(gòu)成，可進(jìn)一步抑制圖案部和圖案開口部正下方之間的反射光的色相的差異，而且可 進(jìn)一步降低圖案部和圖案開口部正下方之間的反射率差。
[0019] 本發(fā)明的觸摸面板為包含上述本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜的觸摸面板。利用本發(fā)明 的觸摸面板，可得到與上述本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜的效果同樣的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 圖1是表示本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜的一例的剖面圖。
[0021] 圖2是表示本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜的另外的一例的剖面圖。
[0022] 圖3中A?C是表示本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜的其他例的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023] 以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。需要說明的是，對(duì)于相同的構(gòu)成要 素附上相同的符號(hào)而省略重復(fù)的說明。
[0024] 圖1是表示本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜的一例的剖面圖。圖1所示的透明導(dǎo)電性薄 膜10包括：透明基材1、和在該透明基材1上依次形成的第1透明電介質(zhì)層2、第2透明電 介質(zhì)層3及透明導(dǎo)電層4。透明導(dǎo)電層4及第2透明電介質(zhì)層3進(jìn)行了圖案化，分別形成有 圖案部P和圖案開口部0。另外，透明導(dǎo)電層4的圖案部P和第2透明電介質(zhì)層3的圖案部 P-致。
[0025] 而且，關(guān)于透明導(dǎo)電性薄膜10,在將對(duì)透明導(dǎo)電層4的圖案部P照射白色光時(shí) 的反射光的色相^值及色相b #值分別設(shè)為a#P及b#P、將對(duì)透明導(dǎo)電層4的圖案開口部 〇的正下方照射白色光時(shí)的反射光的色相'值及色相b #值分別設(shè)為 < 及b'時(shí)，滿足 0彡IaVAI彡4. 00的關(guān)系，且滿足0彡Ib^AI彡5. 00的關(guān)系。由此，圖案部P和圖案 開口部〇的正下方之間的反射光的色相的差異得到抑制，從而難以辨別圖案部P和圖案開 口部0,能夠形成外觀良好的透明導(dǎo)電性薄膜10。需要說明的是，所謂"圖案開口部0的正 下方"，在圖1的情況下，是指面向圖案開口部0的第1透明電介質(zhì)層2的表面。為了進(jìn)一步 抑制透明導(dǎo)電性薄膜10中上述反射光的色相的差異，優(yōu)選的是，滿足〇彡|a #p-a^|彡3. 00 的關(guān)系，且滿足OS Ibip-I^l <4. 50的關(guān)系。從同樣的觀點(diǎn)考慮，|a#p-a^|的值更優(yōu)選為 0?2. 00、進(jìn)一步優(yōu)選為0?L 00、更進(jìn)一步優(yōu)選為0?0· 70。
[0026] 從進(jìn)一步抑制透明導(dǎo)電性薄膜10中圖案部P和圖案開口部0的正下方之間的反 射光的色相的差異的觀點(diǎn)、以及降低圖案部P和圖案開口部〇的正下方之間的反射率差從 而進(jìn)一步抑制圖案部P和圖案開口部〇的差異的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選透明導(dǎo)電性薄膜10滿足以 下的條件。即，優(yōu)選的是，透明導(dǎo)電性薄膜10中，第1透明電介質(zhì)層2的光學(xué)厚度為3? 45nm、第2透明電介質(zhì)層3的光學(xué)厚度為3?50nm、透明導(dǎo)電層4的光學(xué)厚度為20?IOOnm, 且在將第2透明電介質(zhì)層3的折射率設(shè)為nl、透明導(dǎo)電層4的折射率設(shè)為n2時(shí)，滿足nl < π2的關(guān)系。各層的光學(xué)厚度的更優(yōu)選的范圍是，第1透明電介質(zhì)層2為3?22nm、第2 透明電介質(zhì)層3為3?40nm、透明導(dǎo)電層4為20?75nm。
[0027] 作為透明基材1，沒有特別的限制，可使用具有透明性的各種塑料薄膜。例如，作為 其材料，可列舉出聚醋系樹脂、醋酸醋系樹脂、聚釀諷系樹脂、聚碳酸醋系樹脂、聚醜胺系樹 月旨、聚酰亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、（甲基）丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙 烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。其中，特 別優(yōu)選的是聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚烯烴系樹脂。
[0028] 另外，也可以使用日本特開2001-343529號(hào)公報(bào)（W001/37007)中記載的高分子薄 膜。例如，可例示出含有側(cè)鏈具有取代和/或非取代亞氨基的熱塑性樹脂、和側(cè)鏈具有取代 和/或非取代苯基以及腈基的熱塑性樹脂的樹脂組合物。具體而言，還可使用含有由異丁 烯和N-甲基馬來酰亞胺形成的交替共聚物、和丙烯腈-苯乙烯共聚物的樹脂組合物的高分 子薄膜。
[0029] 透明基材1的厚度優(yōu)選在2?200 μ m的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在2?100 μ m的范圍內(nèi)。 這是因?yàn)?，厚度在該范圍?nèi)時(shí)，確保了基材的機(jī)械強(qiáng)度，且易于透明導(dǎo)電性薄膜10的薄膜 化。
[0030] 也可以對(duì)透明基材1的表面預(yù)先實(shí)施濺射、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子射 線照射、化學(xué)轉(zhuǎn)化、氧化等蝕刻處理、底涂處理，提高設(shè)置在其上的第1透明電介質(zhì)層2對(duì)透 明基材1的密合性。另外，在設(shè)置第1透明電介質(zhì)層2之前，可以根據(jù)需要，通過溶劑清洗、 超聲波清洗等進(jìn)行除塵、清潔化。
[0031] 第1及第2透明電介質(zhì)層2、3可由無機(jī)物、有機(jī)物、或無機(jī)物和有機(jī)物的混合 物形成。例如，作為無機(jī)物，可列舉出 NaF(l. 3)、Na3AlF6(l. 35)、LiF(l. 36)、MgF2(l. 38)、 CaF2 (I. 4)、BaF2 (I. 3)、SiO2 (I. 46)、LaF3 (I. 55)、CeF3 (I. 63)、Al2O3 (I. 63)等無機(jī)物〔上述各 材料的括號(hào)內(nèi)的數(shù)值為折射率。〕。另外，除上述以外，也可以使用至少包含氧化銦及氧化鈰 的復(fù)合氧化物。另外，作為有機(jī)物，可列舉出丙烯酸樹脂、氨基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、 醇酸樹脂、硅氧烷系聚合物、有機(jī)硅烷縮合物及它們的混合物等。
[0032] 其中，第2透明電介質(zhì)層3優(yōu)選由無機(jī)物形成。這是因?yàn)?，利用該?gòu)成，可防止第2 透明電介質(zhì)層的光劣化，從而能夠提高透明導(dǎo)電性薄膜10的耐久性。該情況下，上述無機(jī) 物優(yōu)選為Si0 2。SiO2廉價(jià)且容易獲得，而且耐酸性高，因此利用酸蝕刻透明導(dǎo)電層4進(jìn)行圖 案化時(shí)，可防止第2透明電介質(zhì)層3的劣化。
[0033] 第1及第2透明電介質(zhì)層2、3被設(shè)置于透明基材1和透明導(dǎo)電層4之間，不具有作 為導(dǎo)電層的功能。即，第1及第2透明電介質(zhì)層2、3以透明導(dǎo)電層4的圖案部P，P之間能 夠絕緣的方式作為電介質(zhì)層設(shè)置。因此，第1及第2透明電介質(zhì)層2、3的表面電阻為例如 1Χ10 6Ω/ □以上、優(yōu)選為1Χ1〇7Ω/ □以上、更優(yōu)選為1Χ1〇8Ω/ □以上。需要說明的是， 第1及第2透明電介質(zhì)層2、3的表面電阻的上限沒有特別限定。通常，第1及第2透明電 介質(zhì)層2、3的表面電阻的上限為測(cè)定限界即I X IO13 Ω / □左右，也可以超過I X 1〇13 Ω / 口。
[0034] 透明導(dǎo)電層4的構(gòu)成材料沒有特別限定，例如可以使用選自由銦、錫、鋅、鎵、銻、 鈦、硅、鋯、鎂、鋁、金、銀、銅、鈀及鎢組成的組中的至少1種金屬（或半金屬）的氧化物。該 氧化物中，可以根據(jù)需要進(jìn)一步添加上述組中所示的金屬元素、其氧化物。優(yōu)選使用例如含 有氧化錫的氧化銦、含有銻的氧化錫等。
[0035] 第1透明電介質(zhì)層2的折射率（η0)優(yōu)選為1. 3?2. 5、更優(yōu)選為1. 4?2. 3。第2 透明電介質(zhì)層3的折射率（nl)優(yōu)選為1. 3?2. 0、更優(yōu)選為1. 3?1. 6。透明導(dǎo)電層4的 折射率（n2)優(yōu)選為1.9?2. 1。只要各層的折射率在上述范圍內(nèi)，則可確保透明性，且可有 效抑制圖案部P和圖案開口部〇的正下方之間的反射光的色相的差異。
[0036] 需要說明的是，從厚度的均勻性、防止龜裂的發(fā)生及提高透明性的觀點(diǎn)考慮，第1 透明電介質(zhì)層2的厚度優(yōu)選為2?30nm、更優(yōu)選為2?12nm。從同樣的觀點(diǎn)考慮，第2透明 電介質(zhì)層3的厚度優(yōu)選為2?30nm。從同樣的觀點(diǎn)考慮，透明導(dǎo)電層4的厚度優(yōu)選為10? 50nm、更優(yōu)選為10?40nm、進(jìn)一步優(yōu)選為10?30nm。
[0037] 作為透明導(dǎo)電性薄膜10的制造方法，例如，可例示出具有以下工序的方法：在透 明基材1的單面，從透明基材1側(cè)開始依次形成第1透明電介質(zhì)層2、第2透明電介質(zhì)層3 及透明導(dǎo)電層4的工序；和利用蝕刻液蝕刻透明導(dǎo)電層4而進(jìn)行圖案化的工序；和利用蝕 刻液蝕刻第2透明電介質(zhì)層3而進(jìn)行圖案化的工序。
[0038] 作為第1透明電介質(zhì)層2、第2透明電介質(zhì)層3及透明導(dǎo)電層4的形成方法，例如， 可列舉出真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、涂覆法等，可以根據(jù)材料的種類及所需的厚度采 用適宜的方法。
[0039] 蝕刻透明導(dǎo)電層4時(shí)，利用用于形成圖案的掩模覆蓋透明導(dǎo)電層4,并利用酸等蝕 刻液蝕刻透明導(dǎo)電層4即可。作為上述酸，可列舉出：氯化氫、溴化氫、硫酸、硝酸、磷酸等無 機(jī)酸，醋酸等有機(jī)酸，及這些酸的混合物以及這些酸的水溶液。
[0040] 蝕刻第2透明電介質(zhì)層3時(shí)，利用用于形成與蝕刻透明導(dǎo)電層4時(shí)同樣的圖案的 掩模覆蓋透明導(dǎo)電層4,并利用蝕刻液蝕刻第2透明電介質(zhì)層3即可。如上所述，第2透明 電介質(zhì)層3適宜使用SiO 2等無機(jī)物，因此，作為蝕刻液，適宜使用堿。作為堿，例如可以舉 出：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、四甲基氫氧化銨等的水溶液、及這些堿的混合物。
[0041] 需要說明的是，將透明導(dǎo)電層4圖案化后，還可以根據(jù)需要，對(duì)圖案化了的透明導(dǎo) 電層4進(jìn)行熱處理。這是因?yàn)?，通過熱處理，透明導(dǎo)電層4的構(gòu)成成分結(jié)晶化，能夠提高透 明性及導(dǎo)電性。此時(shí)的加熱溫度例如在100?150°C的范圍內(nèi)，加熱時(shí)間例如在15?180 分鐘的范圍內(nèi)。
[0042] 對(duì)于透明導(dǎo)電層4及第2透明電介質(zhì)層3的圖案的形態(tài)，沒有特別的限定，可以根 據(jù)透明導(dǎo)電性薄膜10所適用的用途，形成條紋（Stripe)狀等各種圖案。
[0043] 接著，參照?qǐng)D2對(duì)本發(fā)明的另外的一例的透明導(dǎo)電性薄膜進(jìn)行說明。如圖2所示， 透明導(dǎo)電性薄膜20在上述透明導(dǎo)電性薄膜10的透明基材1的圖中的下表面（S卩，透明基 材1的與第1透明電介質(zhì)層2處于相反側(cè)的面），介由透明粘合劑層5設(shè)置透明基體6。
[0044] 作為透明粘合劑層5的構(gòu)成材料，只要是具有透明性的材料就可以沒有特別限定 地使用。例如，可以適當(dāng)選擇以丙烯酸系聚合物、有機(jī)硅系聚合物、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚 乙烯醚、醋酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴、環(huán)氧系、氟系、天然橡膠、合成橡膠等橡 膠系等聚合物為基體聚合物的材料。特別是從光學(xué)透明性優(yōu)異；表現(xiàn)出適當(dāng)?shù)臐?rùn)濕性、聚集 性及粘接性等粘合特性；耐候性、耐熱性等也優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選使用丙烯酸系粘合劑。
[0045] 另外，透明粘合劑層5通常由使基體聚合物或其組合物溶解或分散在溶劑中而得 到的粘合劑溶液（固體成分濃度為10?50重量％左右）形成。作為上述溶劑，可以適當(dāng) 選擇甲苯、醋酸乙酯等有機(jī)溶劑、水等對(duì)應(yīng)粘合劑的種類的溶劑使用。
[0046] 透明基體6的厚度優(yōu)選為10?300 μ m、更優(yōu)選為20?250 μ m。另外，由多個(gè)基 體薄膜形成透明基體6時(shí)，各基體薄膜的厚度優(yōu)選為10?200 μ m、更優(yōu)選為20?150 μ m。 作為透明基體6、上述基體薄膜，可使用與上述透明基材1同樣的材料。
[0047] 對(duì)于透明基材1和透明基體6的貼合，可以預(yù)先在透明基體6側(cè)設(shè)置透明粘合劑 層5,然后將其與透明基材1貼合，相反，也可以預(yù)先在透明基材1側(cè)設(shè)置透明粘合劑層5， 然后將其與透明基體6貼合。利用后一種方法，可以對(duì)輥狀的透明基材1連續(xù)地形成透明 粘合劑層5,因此，在生產(chǎn)率方面是更有利的。另外，也可以對(duì)透明基材1利用透明粘合劑層 (未圖示）依次貼合多個(gè)基體薄膜從而形成透明基體6。需要說明的是，基體薄膜的層疊中 使用的透明粘合劑層可以使用與上述透明粘合劑層5同樣的層。
[0048] 透明粘合劑層5例如在粘接透明基體6后，因其緩沖效果，具有提高設(shè)置在透明基 材1的一個(gè)面上的透明導(dǎo)電層4的耐擦傷性、作為觸摸面板用的打點(diǎn)特性（所謂筆觸輸入 耐久性、面壓耐久性）的功能。從更有效地發(fā)揮該功能的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選將透明粘合劑層5 的彈性模量設(shè)定在1?lOON/cm 2的范圍、將厚度設(shè)定在1 μ m以上（更優(yōu)選為5?100 μ m) 的范圍。在該范圍內(nèi)時(shí)，可以充分發(fā)揮上述效果，并且透明基體6和透明基材1的密合力也 充分。
[0049] 經(jīng)由這樣的透明粘合劑層5貼合的透明基體6可以賦予透明基材1以良好的機(jī)械 強(qiáng)度，能夠提高筆觸輸入耐久性、面壓耐久性。
[0050] 另外，可以根據(jù)需要在透明基體6的外表面設(shè)置用于保護(hù)外表面的硬涂層（未圖 示）。作為該硬涂層，例如，優(yōu)選使用由三聚氰胺系樹脂、氨基甲酸酯系樹脂、醇酸系樹脂、丙 烯酸系樹脂、有機(jī)硅系樹脂等固化型樹脂形成的固化覆膜。作為上述硬涂層的厚度，從硬度 的觀點(diǎn)及防止龜裂、卷曲發(fā)生的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為〇. 1?30 μ m。
[0051] 以上對(duì)本發(fā)明的一例的透明導(dǎo)電性薄膜進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不受上述實(shí)施方式 的限定。例如，在上述實(shí)施方式中，例示了第2透明電介質(zhì)層進(jìn)行了圖案化的情況，但第2 透明電介質(zhì)層也可以不進(jìn)行圖案化。
[0052] 另外，在本發(fā)明中，也可以不設(shè)置第2透明電介質(zhì)層。在這種情況下，優(yōu)選以將第 1透明電介質(zhì)層的折射率設(shè)為nO、將透明導(dǎo)電層的折射率設(shè)為π2時(shí)，滿足n0 < n2的關(guān)系 的方式選擇構(gòu)成材料。
[0053] 另外，在本發(fā)明中，如圖3的A?C所示，第2透明電介質(zhì)層3和透明導(dǎo)電層4之 間也可以形成第3透明電介質(zhì)層7。該情況下，可以像圖3的A的透明導(dǎo)電性薄膜30那樣 各透明電介質(zhì)層不進(jìn)行圖案化，也可以像圖3的B、C那樣一部分的透明電介質(zhì)層進(jìn)行圖案 化。即，可以像圖3的B的透明導(dǎo)電性薄膜40那樣第3透明電介質(zhì)層7進(jìn)行圖案化，也可 以像圖3的C的透明導(dǎo)電性薄膜50那樣第2及3透明電介質(zhì)層3、7進(jìn)行圖案化。另外，雖 然沒有圖示，但也可以設(shè)置4層以上的透明電介質(zhì)層。
[0054] 另外，本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜中，也可以設(shè)置用于提高可視性的防眩處理層、防 反射層。特別是用于電阻膜方式的觸摸面板時(shí)，可以與上述硬涂層同樣地在透明基體的外 表面（與透明粘合劑層處于相反側(cè)的面）設(shè)置防眩處理層、防反射層。另外，也可以在硬涂 層上設(shè)置防眩處理層、防反射層。另一方面，用于靜電容量方式的觸摸面板時(shí)，防眩處理層、 防反射層有時(shí)也會(huì)設(shè)置在透明導(dǎo)電層上。
[0055] 上述防眩處理層的構(gòu)成材料沒有特別限定，例如可以使用電離輻射固化型樹脂、 熱固化型樹脂、熱塑性樹脂等。防眩處理層的厚度優(yōu)選為〇. 1?30 μ m。
[0056] 作為上述防反射層，可使用氧化鈦、氧化鋯、氧化硅、氟化鎂等。為了進(jìn)一步發(fā)揮防 反射功能，優(yōu)選使用氧化鈦層和氧化硅層的層疊體。上述層疊體優(yōu)選在透明基體、硬涂層上 形成折射率高的氧化鈦層（折射率：約2. 35)，然后在該氧化鈦層上形成折射率低的氧化硅 層（折射率：約1. 46)的2層層疊體。進(jìn)而，更優(yōu)選在該2層層疊體上依次形成氧化鈦層及 氧化硅層的4層層疊體。通過設(shè)置這樣的2層層疊體或4層層疊體的防反射層，能夠均勻 降低可見光線的波長(zhǎng)范圍（380?780nm)的反射。
[0057] 本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜可以適宜用于例如靜電容量方式、電阻膜方式等的觸摸 面板中。
[0058] 實(shí)施例
[0059] 以下，結(jié)合比較例對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明，但是本發(fā)明不被下述的實(shí)施例限 定性地解釋。需要說明的是，實(shí)施例及比較例中的評(píng)價(jià)利用下述所示的方法進(jìn)行。
[0060] <各層的折射率>
[0061] 對(duì)于各層的折射率，使用Atago corporation制造的阿貝折射率計(jì)，在25. (TC的 條件下，使測(cè)定光（波長(zhǎng)：589. 3nm)入射到各測(cè)定面，利用該折射計(jì)所示的規(guī)定的測(cè)定方法 進(jìn)行測(cè)定。
[0062] <各層的厚度>
[0063] 透明基材的厚度使用Mitutoyo Corporation制造的Microgage式厚度計(jì)進(jìn)行測(cè) 定。對(duì)其他的層的厚度，利用日立制作所制造的透射型電子顯微鏡H-7650觀察截面來測(cè) 定。
[0064] <可見光透射率>
[0065] 使用島津制作所制造的分光分析裝置UV-240,測(cè)定波長(zhǎng)550nm處的可見光的透射 率。
[0066] <反射率差>
[0067] 使用日立制作所制造的分光光度計(jì)U4100的積分球測(cè)定模式，以10度入射角測(cè) 定反射光譜，算出在波長(zhǎng)450?650nm的區(qū)域處的圖案部和圖案開口部正下方的平均反射 率。然后，由它們的平均反射率的值算出圖案部和圖案開口部正下方之間的反射率差的絕 對(duì)值。需要說明的是，上述測(cè)定在如下狀態(tài)下進(jìn)行，即，在透明導(dǎo)電性薄膜（樣品）的背面 側(cè)（透明基材側(cè)），使用黑色噴霧器形成遮光層，幾乎沒有來自樣品背面的反射、來自背面 側(cè)的光的入射的狀態(tài)。
[0068] <色相的差異>
[0069] 從透明導(dǎo)電層側(cè)以10度入射角向圖案部或圖案開口部正下方照射白色光，使用 日立制作所制造的分光光度計(jì)U4100,測(cè)定此時(shí)的波長(zhǎng)380?780nm的反射光的色相a#值 及l(fā)/值。利用以下的式子，由得到的測(cè)定值算出Af及Ab'反射色彩的計(jì)算采用JIS Z 8720中規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)的光D65,在2度視野的條件下進(jìn)行。需要說明的是，在以下的式子中， a#P及b#P分別是指對(duì)圖案部照射白色光時(shí)的反射光的色相a#值及色相b #值，&及K分別 是指對(duì)圖案開口部正下方照射白色光時(shí)的反射光的色相？值及色相b#值。
[0070] Aa*= I a*p-a*〇
[0071] Ab*= I b*p-b*〇
[0072] <外觀評(píng)價(jià)>
[0073] 在太陽(yáng)光下，將樣品放置在黑色的板上使透明導(dǎo)電層側(cè)朝上，以下述基準(zhǔn)，通過目 視進(jìn)行外觀的評(píng)價(jià)。
[0074] A :圖案部和圖案開口部的辨別困難。
[0075] B :能夠稍微辨別圖案部和圖案開口部。
[0076] C :能夠清晰辨別圖案部和圖案開口部。
[0077]〈實(shí)施例1 >
[0078](第1透明電介質(zhì)層的形成）
[0079] 在厚度125 μ m的由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜（以下稱為PET薄膜）形成的透明 基材（折射率nf = 1. 66)的一面涂覆三聚氰胺樹脂：醇酸樹脂：有機(jī)硅烷縮合物（重量比 為2:2 :1)的熱固化型樹脂組合物，使其固化，形成第1透明電介質(zhì)層（折射率n0 = 1.54、 厚度：4nm)。
[0080] (第2透明電介質(zhì)層的形成）
[0081] 接著，在第1透明電介質(zhì)層上，利用電子束加熱法以IX KT2?3X KT2Pa的真空度 真空蒸鍍SiO2 (折射率nl = 1. 46)，形成厚度為20nm的第2透明電介質(zhì)層。
[0082](透明導(dǎo)電層的形成）
[0083] 接著，在第2透明電介質(zhì)層上，在氬氣98%和氧氣2%的混合氣體（0.4Pa)的氣氛 中，使用氧化銦97重量％、氧化錫3重量％的燒結(jié)體材料，利用反應(yīng)性濺射法形成作為透明 導(dǎo)電層的厚度22nm的ITO層（折射率n2 = 2. 00)。
[0084] (IT0層的通過蝕刻進(jìn)行的圖案化）
[0085] 在上述ITO層上，形成圖案化為條紋狀的光致抗蝕劑膜后，將其在25°C、5重量％ 的鹽酸（氯化氫水溶液）中浸漬1分鐘，進(jìn)行ITO層的蝕刻。所得的ITO層的圖案寬為5mm、 圖案間距（pitch)為1mm。
[0086] (第2透明電介質(zhì)層的通過蝕刻進(jìn)行的圖案化）
[0087] 在上述ITO層的整個(gè)圖案部上形成光致抗蝕劑膜后，將其在50°C、2重量％的氫氧 化鈉水溶液中浸漬1分鐘，進(jìn)行ITO層的圖案開口部正下方的第2透明電介質(zhì)層的蝕刻。所 得的第2透明電介質(zhì)層的圖案寬為5mm、圖案間距為1mm。
[0088] <實(shí)施例2?6 >
[0089] 實(shí)施例1中，除了將第1透明電介質(zhì)層及第2透明電介質(zhì)層的厚度調(diào)整為表1所 示的數(shù)值以外，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作得到透明導(dǎo)電性薄膜。
[0090] 〈實(shí)施例7 >
[0091] 實(shí)施例1中，除了用下述所示的方法形成第1透明電介質(zhì)層，和將透明導(dǎo)電層（ΙΤ0 層）的厚度設(shè)為40nm以外，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作得到透明導(dǎo)電性薄膜。
[0092] (實(shí)施例7的第1透明電介質(zhì)層的形成方法）
[0093] 在厚度125 μ m的由PET薄膜形成的透明基材（折射率nf = L 66)的一面，在氬 氣50%和氧氣50%的混合氣體（0. 5Pa)的氣氛下，使用鈦靶，利用反應(yīng)性濺射法，形成由氧 化鈦形成的第1透明電介質(zhì)層（折射率n0 = 2. 35、厚度：8nm)。
[0094] <比較例1?4 >
[0095] 實(shí)施例1中，除了將第1透明電介質(zhì)層及第2透明電介質(zhì)層的厚度調(diào)整為表1所 示的數(shù)值以外，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作得到透明導(dǎo)電性薄膜。
[0096] <比較例5 >
[0097] 實(shí)施例7中，除了將透明導(dǎo)電層（IT0層）的厚度設(shè)為55nm以外，進(jìn)行與實(shí)施例7 同樣的操作得到透明導(dǎo)電性薄膜。
[0098] <比較例6 >
[0099] 實(shí)施例1中，除了將第1透明電介質(zhì)層的厚度設(shè)為35nm，和不設(shè)置第2透明電介質(zhì) 層以外，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作得到透明導(dǎo)電性薄膜。
[0100] 對(duì)上述實(shí)施例及比較例的透明導(dǎo)電性薄膜（樣品）進(jìn)行上述評(píng)價(jià)。結(jié)果示于表1。
[0101] 表 1
[0102]
[0103] 如表1所示，可知在實(shí)施例中，Aai

【權(quán)利要求】
1. 一種透明導(dǎo)電性薄膜的制造方法，其特征在于， 其為在透明基材上依次形成有第1透明電介質(zhì)層及透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電性薄膜的 制造方法， 所述制造方法具備以下工序： 在透明基材上從該透明基材側(cè)開始依次形成第1透明電介質(zhì)層及透明導(dǎo)電層的工序； 利用蝕刻液蝕刻所述透明導(dǎo)電層而進(jìn)行圖案化的工序；和 對(duì)圖案化了的所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行熱處理，使該透明導(dǎo)電層結(jié)晶化的工序， 所述第1透明電介質(zhì)層由無機(jī)物形成， 所述透明導(dǎo)電層通過圖案化形成有圖案部和圖案開口部， 在將對(duì)所述圖案部照射白色光時(shí)的反射光的色相a#值及色相b#值分別設(shè)為a#P及b #P、 將對(duì)所述圖案開口部的正下方照射白色光時(shí)的反射光的色相a#值及色相b#值分別設(shè)為a、 及13*。時(shí)，滿足0彡|&*廠&*。|彡4.00的關(guān)系，且滿足0彡|1/ 1^*。|彡5.00的關(guān)系。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電性薄膜的制造方法，其具有在所述第1透明電介質(zhì) 層和所述透明導(dǎo)電層之間進(jìn)一步形成折射率與所述第1透明電介質(zhì)層不同的第2透明電介 質(zhì)層的工序。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導(dǎo)電性薄膜的制造方法，其中， 所述第1透明電介質(zhì)層的光學(xué)厚度為3?45nm， 所述第2透明電介質(zhì)層的光學(xué)厚度為3?50nm， 所述透明導(dǎo)電層的光學(xué)厚度為20?lOOnm， 在將所述第2透明電介質(zhì)層的折射率設(shè)為nl、將所述透明導(dǎo)電層的折射率設(shè)為n2時(shí)， 滿足nl〈 n2的關(guān)系。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK104360765SQ201410594622
【公開日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2010年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2009年9月30日
【發(fā)明者】中島一裕, 菅原英男, 梨木智剛 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社