一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法和裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法和裝置，其中，所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法應(yīng)用于包括至少兩種Nand Flash存儲(chǔ)器的混合固態(tài)硬盤(pán)，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器中包括若干塊，所述方法包括：在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊；當(dāng)所述回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)達(dá)到第一搬運(yùn)閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。本發(fā)明能夠提高存儲(chǔ)速度，節(jié)約存儲(chǔ)成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法和裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)，尤其涉及一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法和裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Drives，SSD)采用Flash存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)介質(zhì)，Nand-Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，因?yàn)镹and Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛用于SSD。依據(jù)單元(Cell)的多少，Nand Flash存儲(chǔ)器的類(lèi)型分為單層單兀(Single Layer Cell, SLC)、多層單兀(Mult1-Level Cell, MLC)和三層單兀(Tr1-Layer Cell，TLC)。SLC的Nand Flash存儲(chǔ)器具有成本高、容量小、壽命長(zhǎng)(可反復(fù)讀寫(xiě)的次數(shù)多)的特點(diǎn)；MLC的Nand Flash存儲(chǔ)器具有成本較低、容量較大、壽命較短(可反復(fù)讀寫(xiě)的次數(shù)較少)的特點(diǎn)；TLC的Nand Flash存儲(chǔ)器具有成本更低、容量更大、壽命更短(可反復(fù)讀寫(xiě)的次數(shù)更少)的特點(diǎn)。
[0003]目前，為克服不同類(lèi)型Nand Flash存儲(chǔ)器的缺點(diǎn)，SSD包括兩種或多種NandFlash存儲(chǔ)器，稱(chēng)為混合(hybrid) SSD。對(duì)于混合SSD，需要向SSD中的不同類(lèi)型的NandFlash存儲(chǔ)器分配數(shù)據(jù)。通常，需要在SSD中增加數(shù)據(jù)分配模塊，所述數(shù)據(jù)分配模塊用于根據(jù)讀寫(xiě)次數(shù)將數(shù)據(jù)分為熱數(shù)據(jù)和冷數(shù)據(jù)，將熱數(shù)據(jù)分配給SLC的Nand Flash存儲(chǔ)器，將冷數(shù)據(jù)分配給MLC和/或TLC的Nand Flash存儲(chǔ)器。所述熱數(shù)據(jù)是指讀寫(xiě)次數(shù)大于等于閾值的數(shù)據(jù)；所述熱數(shù)據(jù)是指讀寫(xiě)次數(shù)小于閾值的數(shù)據(jù)。但是，在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)之前判斷數(shù)據(jù)是熱數(shù)據(jù)還是冷數(shù)據(jù)會(huì)降低存儲(chǔ)速度，而且數(shù)據(jù)分配模塊的功能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜、成本高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例的主要目的在于提供一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法和裝置，能夠提高存儲(chǔ)速度，節(jié)約存儲(chǔ)成本。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]本發(fā)明提供的一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，應(yīng)用于包括至少兩種Nand Flash存儲(chǔ)器的混合固態(tài)硬盤(pán)，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器中包括若干塊，所述方法包括:
[0007]在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊；
[0008]當(dāng)所述回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)達(dá)到第一搬運(yùn)閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
[0009]較佳地，所述方法還包括:
[0010]當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第一搬運(yùn)閾值但達(dá)到第二搬運(yùn)閾值時(shí)，且當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的使用率達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的NandFlash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
[0011]較佳地，所述方法還包括:
[0012]當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第二閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)移動(dòng)到當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的非回收塊中，并將所述有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)加權(quán)。
[0013]較佳地，所述方法還包括:
[0014]將覆寫(xiě)的頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)減權(quán)。
[0015]較佳地，所述方法還包括:
[0016]將初次保存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在壽命較長(zhǎng)且空閑率滿足預(yù)設(shè)存儲(chǔ)閾值的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
[0017]本發(fā)明提供的一種混合固態(tài)硬盤(pán)，所述混合固態(tài)硬盤(pán)包括閃存轉(zhuǎn)換層FTL和至少兩種Nand Flash存儲(chǔ)器，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器中包括若干塊；其中，
[0018]所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL，用于在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊；當(dāng)所述回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)達(dá)到第一搬運(yùn)閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的NandFlash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
[0019]較佳地，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL，還用于當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第一搬運(yùn)閾值但達(dá)到第二搬運(yùn)閾值時(shí)，且當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的使用率達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
[0020]較佳地，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL，還用于當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第二閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)移動(dòng)到當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的非回收塊中，并將所述有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)加權(quán)。
[0021]較佳地，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL，還用于將覆寫(xiě)的頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)減權(quán)。
[0022]較佳地，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL，還用于將初次保存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在壽命較長(zhǎng)且空閑率滿足預(yù)設(shè)存儲(chǔ)閾值的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
[0023]由上可知，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案包括:所述方法應(yīng)用于包括至少兩種NandFlash存儲(chǔ)器的混合固態(tài)硬盤(pán)，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器中包括若干塊，所述方法包括:在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊；當(dāng)所述回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)達(dá)到第一搬運(yùn)閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。由此，通過(guò)在垃圾回收過(guò)程中將不經(jīng)常被操作的數(shù)據(jù)(冷數(shù)據(jù))搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中，這樣既空閑出性能好的存儲(chǔ)空間(成本高、容量小、壽命長(zhǎng)的Nand Flash存儲(chǔ)器)，又充分利用了性能較差的存儲(chǔ)空間(成本低、容量大、壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器)，而且能夠提高存儲(chǔ)速度，節(jié)約存儲(chǔ)成本。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為本發(fā)明數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的第一實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的第二實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0026]圖3為本發(fā)明數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的第三實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0027]圖4為本發(fā)明數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的第四實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0028]圖5為本發(fā)明數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的第五實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；
[0029]圖6為本發(fā)明混合固態(tài)硬盤(pán)的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030]本發(fā)明提供的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的第一實(shí)施例，應(yīng)用于包括至少兩種Nand Flash存儲(chǔ)器的混合固態(tài)硬盤(pán)，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器中包括若干塊；如圖1所示，所述方法包括:
[0031]步驟101、在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊。
[0032]步驟102、當(dāng)所述回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)達(dá)到第一搬運(yùn)閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
[0033]由此，本實(shí)施例利用在垃圾回收過(guò)程中將不經(jīng)常被操作的數(shù)據(jù)(在沒(méi)有被修改的情況下被搬移的次數(shù)越多越是不經(jīng)常被操作的數(shù)據(jù))搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中，這樣既空閑出性能好的存儲(chǔ)空間(成本高、容量小、壽命長(zhǎng)的Nand Flash存儲(chǔ)器)，又充分利用了性能較差的存儲(chǔ)空間(成本低、容量大、壽命短的NandFlash存儲(chǔ)器)，而且能夠提高存儲(chǔ)速度，節(jié)約存儲(chǔ)成本。
[0034]本發(fā)明提供的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的第二實(shí)施例，應(yīng)用于包括至少兩種Nand Flash存儲(chǔ)器的混合固態(tài)硬盤(pán)，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器中包括若干塊；如圖2所示，所述方法包括:
[0035]步驟201、在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊。
[0036]步驟202、當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第一搬運(yùn)閾值但達(dá)到第二搬運(yùn)閾值時(shí)，且當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的使用率達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
[0037]這里，所述預(yù)設(shè)值可以設(shè)為80%至90%等數(shù)值，在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)NandFlash存儲(chǔ)器的具體情況設(shè)置。
[0038]由此，本實(shí)施例在搬運(yùn)回收塊中的有效頁(yè)時(shí)，還考慮當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的使用率，在回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第一搬運(yùn)閾值但達(dá)到第二搬運(yùn)閾值時(shí)，依然搬運(yùn)回收塊中的有效頁(yè)，這樣能夠合理分布存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，進(jìn)而更合理使用混合固態(tài)硬盤(pán)中的各種Nand Flash存儲(chǔ)器。
[0039]本發(fā)明提供的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的第三實(shí)施例，應(yīng)用于包括至少兩種Nand Flash存儲(chǔ)器的混合固態(tài)硬盤(pán)，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器中包括若干塊；如圖3所示，所述方法包括:
[0040]步驟301、在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊。
[0041]步驟302、當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第二閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)移動(dòng)到當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的非回收塊中，并將所述有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)加權(quán)。
[0042]由此，本實(shí)施例通過(guò)將移動(dòng)到當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的非回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)進(jìn)行加權(quán)來(lái)統(tǒng)計(jì)有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)，這樣能夠得到準(zhǔn)確的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)。
[0043]本發(fā)明提供的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的第四實(shí)施例，應(yīng)用于包括至少兩種Nand Flash存儲(chǔ)器的混合固態(tài)硬盤(pán)，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器中包括若干塊；如圖4所示，所述方法包括:
[0044]步驟401、在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊。
[0045]步驟402、當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第二閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)移動(dòng)到當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的非回收塊中，并將所述有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)加權(quán)。
[0046]步驟403、將覆寫(xiě)的頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)減權(quán)。
[0047]這里，步驟403不限于在步驟402之后執(zhí)行，在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)處理過(guò)程中隨時(shí)進(jìn)行。
[0048]由此，本實(shí)施例通過(guò)將覆寫(xiě)的頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)減權(quán)，這樣能夠更準(zhǔn)確的確定頁(yè)的使用情況。
[0049]本發(fā)明提供的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法的第五實(shí)施例，應(yīng)用于包括至少兩種Nand Flash存儲(chǔ)器的混合固態(tài)硬盤(pán)，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器中包括若干塊；如圖5所示，所述方法包括:
[0050]步驟501、將初次保存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在壽命較長(zhǎng)且空閑率滿足預(yù)設(shè)存儲(chǔ)閾值的NandFlash存儲(chǔ)器中。
[0051]步驟502、在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊。
[0052]步驟503、判斷當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)是否達(dá)到第一搬運(yùn)閾值，當(dāng)沒(méi)有達(dá)到第一搬運(yùn)閾值時(shí)，進(jìn)入步驟504 ;當(dāng)達(dá)到第一搬運(yùn)閾值時(shí)，進(jìn)入步驟506。
[0053]步驟504、判斷當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)是否達(dá)到第二搬運(yùn)閾值，當(dāng)達(dá)到第二搬運(yùn)閾值時(shí)，進(jìn)入步驟505 ;當(dāng)沒(méi)有達(dá)到第二搬運(yùn)閾值時(shí)，進(jìn)入步驟507。
[0054]這里，所述第一搬運(yùn)閾值大于第二搬運(yùn)閾值。
[0055]步驟505、判斷當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的使用率是否達(dá)到預(yù)設(shè)值，當(dāng)達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，進(jìn)入步驟506 ;當(dāng)沒(méi)有達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，進(jìn)入步驟507。
[0056]步驟506、將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中，結(jié)束本次流程。
[0057]步驟507、將所述有效頁(yè)移動(dòng)到當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的非回收塊中，并將所述有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)加權(quán)。
[0058]步驟508、將覆寫(xiě)的頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)減權(quán)或清零。
[0059]這里，步驟509不限于在步驟508之后執(zhí)行，在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)處理過(guò)程中隨時(shí)進(jìn)行。
[0060]由此，本實(shí)施例將初次保存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在壽命較長(zhǎng)且空閑率滿足預(yù)設(shè)存儲(chǔ)閾值的Nand Flash存儲(chǔ)器中，能夠減少存儲(chǔ)數(shù)據(jù)搬運(yùn)的次數(shù)，而且針對(duì)不同的情況作出相應(yīng)的處理，能夠合理分布存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，進(jìn)而更合理使用混合固態(tài)硬盤(pán)中的各種Nand Flash存儲(chǔ)器。
[0061]本發(fā)明提供的混合固態(tài)硬盤(pán)的實(shí)施例，如圖6所示，所述混合固態(tài)硬盤(pán)包括閃存轉(zhuǎn)換層FTL601和至少兩種Nand Flash存儲(chǔ)器602，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器602中包括若干塊；其中，
[0062]所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL601，用于在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊；當(dāng)所述回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)達(dá)到第一搬運(yùn)閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器602壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器602中。
[0063]這樣，利用在垃圾回收過(guò)程中將不經(jīng)常被操作的數(shù)據(jù)(在沒(méi)有被修改的情況下被搬移的次數(shù)越多越是冷數(shù)據(jù))搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器602壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中，既空閑出性能好的存儲(chǔ)空間(成本高、容量小、壽命長(zhǎng)的Nand Flash存儲(chǔ)器)，又充分利用了性能較差的存儲(chǔ)空間(成本低、容量大、壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器)，而且能夠提高存儲(chǔ)速度，節(jié)約存儲(chǔ)成本。
[0064]優(yōu)選地，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL601，還用于當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第一搬運(yùn)閾值但達(dá)到第二搬運(yùn)閾值時(shí)，且當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的使用率達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
[0065]這樣，在搬運(yùn)回收塊中的有效頁(yè)時(shí)，還考慮當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的使用率，在回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第一搬運(yùn)閾值但達(dá)到第二搬運(yùn)閾值時(shí)，依然搬運(yùn)回收塊中的有效頁(yè)，能夠合理分布存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，進(jìn)而更合理使用混合固態(tài)硬盤(pán)中的各種NandFlash存儲(chǔ)器。
[0066]優(yōu)選地，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL601，還用于當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第二閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)移動(dòng)到當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器602的非回收塊中，并將所述有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)加權(quán)。
[0067]這樣，通過(guò)將移動(dòng)到當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器602的非回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)進(jìn)行加權(quán)來(lái)統(tǒng)計(jì)有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)，能夠得到準(zhǔn)確的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)。
[0068]優(yōu)選地，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL601，還用于將覆寫(xiě)的頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)減權(quán)。
[0069]這樣，通過(guò)將覆寫(xiě)的頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)減權(quán)，能夠更準(zhǔn)確的確定頁(yè)的使用情況。
[0070]優(yōu)選地，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL601，還用于將初次保存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在壽命較長(zhǎng)且空閑率滿足預(yù)設(shè)存儲(chǔ)閾值的Nand Flash存儲(chǔ)器602中。
[0071]這樣，將初次保存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在壽命較長(zhǎng)且空閑率滿足預(yù)設(shè)存儲(chǔ)閾值的NandFlash存儲(chǔ)器602中，能夠減少存儲(chǔ)數(shù)據(jù)搬運(yùn)的次數(shù)，而且能夠合理分布存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，進(jìn)而更合理使用混合固態(tài)硬盤(pán)中的各種Nand Flash存儲(chǔ)器602。
[0072]在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的設(shè)備和方法，可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。以上所描述的設(shè)備實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，如:多個(gè)單元或組件可以結(jié)合，或可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另外，所顯示或討論的各組成部分相互之間的耦合、或直接耦合、或通信連接可以是通過(guò)一些接口，設(shè)備或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性的、機(jī)械的或其它形式的。
[0073]上述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是、或也可以不是物理上分開(kāi)的，作為單元顯示的部件可以是、或也可以不是物理單元；既可以位于一個(gè)地方，也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上；可以根據(jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。
[0074]另外，在本發(fā)明各實(shí)施例中的各功能單元可以全部集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各單元分別單獨(dú)作為一個(gè)單元，也可以?xún)蓚€(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中；上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用硬件加軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。
[0075]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)程序指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備、只讀存儲(chǔ)器(ROM, Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM, Random Access Memory)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0076]或者，本發(fā)明上述集成的單元如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷(xiāo)售或使用時(shí)，也可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM, Random Access Memory)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0077]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，應(yīng)用于包括至少兩種Nand Flash存儲(chǔ)器的混合固態(tài)硬盤(pán)，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器中包括若干塊；其特征在于，所述方法包括: 在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊； 當(dāng)所述回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)達(dá)到第一搬運(yùn)閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第一搬運(yùn)閾值但達(dá)到第二搬運(yùn)閾值時(shí)，且當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的使用率達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí),將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第二閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)移動(dòng)到當(dāng)前的NandFlash存儲(chǔ)器的非回收塊中，并將所述有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)加權(quán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 將覆寫(xiě)的頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)減權(quán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 將初次保存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在壽命較長(zhǎng)且空閑率滿足預(yù)設(shè)存儲(chǔ)閾值的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
6.一種混合固態(tài)硬盤(pán)，其特征在于，所述混合固態(tài)硬盤(pán)包括閃存轉(zhuǎn)換層FTL和至少兩種Nand Flash存儲(chǔ)器，每個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)器中包括若干塊；其中， 所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL，用于在垃圾回收過(guò)程中，選擇部分所述塊作為回收塊；當(dāng)所述回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)達(dá)到第一搬運(yùn)閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的NandFlash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的混合固態(tài)硬盤(pán)，其特征在于，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL，還用于當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第一搬運(yùn)閾值但達(dá)到第二搬運(yùn)閾值時(shí)，且當(dāng)前的NandFlash存儲(chǔ)器的使用率達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，將所述有效頁(yè)搬運(yùn)至比當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器壽命短的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的混合固態(tài)硬盤(pán)，其特征在于，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL，還用于當(dāng)回收塊中的有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)未達(dá)到第二閾值時(shí)，將所述有效頁(yè)移動(dòng)到當(dāng)前的Nand Flash存儲(chǔ)器的非回收塊中，并將所述有效頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)加權(quán)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的混合固態(tài)硬盤(pán)，其特征在于，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL，還用于將覆寫(xiě)的頁(yè)的移動(dòng)次數(shù)減權(quán)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的混合固態(tài)硬盤(pán)，其特征在于，所述閃存轉(zhuǎn)換層FTL，還用于將初次保存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在壽命較長(zhǎng)且空閑率滿足預(yù)設(shè)存儲(chǔ)閾值的Nand Flash存儲(chǔ)器中。
【文檔編號(hào)】G06F12/02GK104375944SQ201310354161
【公開(kāi)日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2013年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月14日
【發(fā)明者】郭琦, 李洪偉, 陸見(jiàn)微, 馬立俊 申請(qǐng)人:聯(lián)想(北京)有限公司