專利名稱：電容式觸控面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種觸控面板，特別指一種電容式觸控面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
近幾年來，隨著科技的快速成長，觸控感測(cè)技術(shù)已廣泛地應(yīng)用于日常生活之中，使得觸控輸入接口已逐漸地成為人們用來 進(jìn)行輸入數(shù)據(jù)的人機(jī)接口。而目前在各種觸控感測(cè)技術(shù)的發(fā)展中，又以電容式觸控感測(cè)技術(shù)蔚為主流。在電容式觸控面板的架構(gòu)上，大致可分為兩種形態(tài)。第一種形態(tài)如圖I所示，為現(xiàn)有技術(shù)雙層式電容式觸控面板的剖視示意圖。其是在一基板80的兩個(gè)表面上，分別制作多個(gè)相互平行的第一軸向(如Y軸)感測(cè)電極81以及多個(gè)相互平行的第二軸向(如X軸)感測(cè)電極82。使得第一軸向感測(cè)電極81與第二軸向感測(cè)電極82之間隔著基板80而形成交叉。如此一來，在運(yùn)作時(shí)，通過獲得第一軸向感測(cè)電極81與第二軸向感測(cè)電極82之間的耦合電荷的前后差異，得以判斷出是否有觸碰條件產(chǎn)生，并且計(jì)算出實(shí)際觸碰點(diǎn)的位置。第二種形態(tài)則如圖2所示，為現(xiàn)有技術(shù)單層式電容式觸控面板的剖視示意圖。其是在一基板90的同一表面上制作多個(gè)相互平行的第一軸向(如Y軸)感測(cè)電極(圖未示)及多個(gè)相互平行的第二軸向(如X軸)感測(cè)電極92。其中，每一第一軸向感測(cè)電極包含多個(gè)第一軸向?qū)щ娊M件(圖未示)，并且相鄰的第一軸向?qū)щ娊M件之間是通過一第一軸向?qū)Ь€912進(jìn)行連接；同樣的，每一第二軸向感測(cè)電極92包含多個(gè)第二軸向?qū)щ娊M件921，并且相鄰的第二軸向?qū)щ娊M件921之間是通過一第二軸向?qū)Ь€922進(jìn)行連接。此外，每一第一軸向?qū)Ь€912與第二軸向?qū)Ь€922之間是進(jìn)一步布設(shè)有一絕緣材質(zhì)93，借以形成跨接導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(Jumper)的形態(tài),并且通過跨接導(dǎo)電結(jié)構(gòu)使得第一軸向感測(cè)電極91與第二軸向感測(cè)電極92得以相互絕緣。由此，在運(yùn)作時(shí)，通過獲得第一軸向感測(cè)電極與第二軸向感測(cè)電極92之間的耦合電荷的前后差異，得以判斷出是否有觸碰條件產(chǎn)生，并且計(jì)算出實(shí)際觸碰點(diǎn)的位置。然而，上述傳統(tǒng)的電容式觸控面板的架構(gòu)較為復(fù)雜，在制作不同軸向的感測(cè)電極時(shí)，皆需分別重復(fù)經(jīng)過多道制程，例如濺鍍、噴涂、蝕刻等步驟才能完成，并且在制程精確度上亦十分要求。如此將導(dǎo)致產(chǎn)品制造成本過高以及生產(chǎn)良率不易提升等問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于針對(duì)電容式觸控面板中的觸控傳感器結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良，將已涂布于觸控面板的基板一表面上的單層導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化，以成為平面矩陣形態(tài)的感測(cè)陣列來獲得感測(cè)軸向上的信號(hào)變化量。根據(jù)本發(fā)明所提出的一個(gè)技術(shù)方案是，提供一種電容式觸控面板包括一基板，以及一在基板的同一表面上由多個(gè)導(dǎo)電組件排列成一感測(cè)陣列的觸控傳感器，用以產(chǎn)生該感測(cè)陣列在一第一軸向及一第二軸向上的感測(cè)信號(hào)。進(jìn)一步的，所述的多個(gè)導(dǎo)電組件彼此在該第一軸向及該第二軸向上形成一第一寄生電容，并且每一所述的多個(gè)導(dǎo)電組件進(jìn)一步與一接地面形成一第二寄生電容。進(jìn)一步的，該觸控傳感器進(jìn)一步包括一輸入總線，電性連接該感測(cè)陣列在該第一軸向上的一端；及一輸出總線，電性連接該感測(cè)陣列在該第二軸向上的一端。進(jìn)一步的，該輸出總線進(jìn)一步電性連接該感測(cè)陣列在該第一軸向上的另一端。進(jìn)一步的，該輸入總線進(jìn)一步電性連接該感測(cè)陣列在該第二軸向上的另一端。進(jìn)一步的，所述的電容式觸控面板進(jìn)一步包含一控制單元，電性連接該輸入總線及該輸出總線，該控制單元產(chǎn)生一驅(qū)動(dòng)信號(hào)給該輸入總線，并且通過該輸出總線來接收該感測(cè)信號(hào)。 進(jìn)一步的，所述的多個(gè)導(dǎo)電組件的形狀為菱形、圓形、橢圓形、多邊形或十字形。根據(jù)本發(fā)明所提出的另一個(gè)技術(shù)方案是，提供一種電容式觸控面板的制造方法，其步驟包括形成一由多個(gè)導(dǎo)電組件所排列成的感測(cè)陣列于一基板的一表面。接下來，電性連接一輸入總線于感測(cè)陣列在一第一軸向上的一端，并且電性連接一輸出總線于感測(cè)陣列
在一第二軸向上的一端。進(jìn)一步的，該輸出總線進(jìn)一步電性連接該感測(cè)陣列在該第一軸向上的另一端。進(jìn)一步的，該輸入總線進(jìn)一步電性連接該感測(cè)陣列在該第二軸向上的另一端。進(jìn)一步的，所述的電容式觸控面板的制造方法進(jìn)一步包含設(shè)置一控制單元以電性連接該輸入總線及該輸出總線。進(jìn)一步的，所述形成感測(cè)陣列的步驟進(jìn)一步包含涂布一導(dǎo)電薄膜于該基板的表面；及圖案化該導(dǎo)電薄膜。進(jìn)一步的，所述形成感測(cè)陣列的步驟以一印刷技術(shù)印刷所述的多個(gè)導(dǎo)電組件于該基板的表面。由此，本發(fā)明所能達(dá)到的有益效果在于，不僅能夠有效地簡(jiǎn)化觸控面板的整體架構(gòu)，以減少制程步驟來加快生產(chǎn)速度，同時(shí)更可以大幅地降低制造成本以及提升產(chǎn)品良率。以上的概述與接下來的詳細(xì)說明及附圖，皆是為了能進(jìn)一步說明本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的方式、手段及功效。而有關(guān)本發(fā)明的其他目的及優(yōu)點(diǎn)，將在后續(xù)的說明及附圖中加以闡述。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)雙層式電容式觸控面板的剖視示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)單層式電容式觸控面板的剖視示意圖；圖3為本發(fā)明電容式觸控面板的實(shí)施例示意圖；圖4為本發(fā)明電容式觸控面板的實(shí)施例剖視示意圖；圖5為本發(fā)明觸控傳感器的寄生電容的實(shí)施例等效電路圖；圖6為本發(fā)明觸控傳感器的實(shí)施例信號(hào)變化量示意圖；圖7為本發(fā)明電容式觸控面板的制造方法的第一實(shí)施例流程圖；及圖8為本發(fā)明電容式觸控面板的制造方法的第二實(shí)施例流程圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明上述的和另外的技術(shù)特征和優(yōu)點(diǎn)作更詳細(xì)的說明。
本發(fā)明是針對(duì)電容式觸控面板中的觸控傳感器結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良，設(shè)計(jì)為單層式感測(cè)陣列，直接將已涂布于觸控面板的基板一表面上的單層導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化(Patterning)，以成為平面矩陣形態(tài)的感測(cè)陣列。如此一來，本發(fā)明直接通過設(shè)計(jì)的單層式感測(cè)陣列即可用來獲得感測(cè)軸向上的信號(hào)變化量，進(jìn)而判斷出使用者實(shí)際在電容式觸控面板上觸碰的觸碰點(diǎn)位置。本發(fā)明的觸控傳感器的結(jié)構(gòu)可適用于以下幾種驅(qū)動(dòng)感測(cè)運(yùn)作形態(tài)I、單一軸向(如X軸)的驅(qū)動(dòng)搭配另一軸向(如Y軸)的感測(cè)。2、單一軸向(如X軸)的驅(qū)動(dòng)搭配不同軸向(X軸 及Y軸)的感測(cè)。3、不同軸向(X軸及Y軸)的驅(qū)動(dòng)搭配不同軸向(X軸及Y軸)的感測(cè)。其中，第一種運(yùn)作形態(tài)是在感測(cè)陣列中的其中一軸向上進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并由另一軸向來進(jìn)行感測(cè)，其運(yùn)作原理較容易理解。在實(shí)際應(yīng)用上，若為了能更精確地判斷觸碰點(diǎn)的位置，則可采用第二種或第三種運(yùn)作形態(tài)的設(shè)計(jì)，以進(jìn)一步通過不同兩軸向上的感測(cè)來計(jì)算出觸碰點(diǎn)的位置。以下實(shí)施例便是以觸控傳感器搭配第二種運(yùn)作形態(tài)來進(jìn)行描述及說明。請(qǐng)參考圖3，為本發(fā)明電容式觸控面板的實(shí)施例示意圖。如圖所示，本實(shí)施例提供一種電容式觸控面板I，其包括一基板10、一觸控傳感器11及一控制單兀12。其中,基板10是例如采用透明玻璃的材質(zhì)，用來做為電容式觸控面板I的承載基底。觸控傳感器11是設(shè)置于基板10，在實(shí)際設(shè)計(jì)上可以是設(shè)置于基板10的一上表面或一下表面，在此并無加以限制。附帶說明的是，本實(shí)施例中所稱的“上”及“下”方位，僅是用來表示相對(duì)的位置關(guān)系，對(duì)于本說明書的附圖而言，基板10的上表面是較接近觀看者，而下表面則是較遠(yuǎn)離觀看者。此外，就觸控傳感器11的結(jié)構(gòu)來看，其是進(jìn)一步包括多個(gè)導(dǎo)電組件110、一輸入總線111及一輸出總線112。導(dǎo)電組件110是在基板10的同一表面上排列成一感測(cè)陣列。依據(jù)電氣特性原理來看，一般的兩個(gè)導(dǎo)體之間即會(huì)形成一寄生電容，屬于非實(shí)體的電容。因此，在本實(shí)施例的感測(cè)陣列中，所述的導(dǎo)電組件110彼此在第一軸向及第二軸向上即會(huì)分別形成一第一寄生電容113，使得原本相互獨(dú)立的導(dǎo)電組件110，因第一寄生電容113的作用而形成串接的網(wǎng)狀形態(tài)。另一方面，每一導(dǎo)電組件110亦會(huì)進(jìn)一步與一接地面形成一第二寄生電容114。此外，導(dǎo)電組件110的材質(zhì)在設(shè)計(jì)上可例如是采用銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鎵氧化物(GZO)、導(dǎo)電性高分子、碳納米管(CarbonNanotube-basedThin Films(CNT))、銦錫氧化物納米粒子、納米金屬(Nanowires)、氫氧化鎂嵌入碳元素(Mg(OH) 2:C)、石墨烯(Graphene)或氧化鋅(ZnO)。并且,本實(shí)施例中的導(dǎo)電組件110的形狀是設(shè)計(jì)為菱形的形態(tài)，當(dāng)然亦可采用其他如圓形、橢圓形、多邊形或十字形的形狀。然而，不管導(dǎo)電組件110的材質(zhì)或形狀，在設(shè)計(jì)上皆非為本發(fā)明所限制。輸入總線111是電性連接感測(cè)陣列在一第一軸向(如X軸)上的一端；輸出總線112則是電性連接感測(cè)陣列在第一軸向上的另一端，并且電性連接感測(cè)陣列在一第二軸向(如Y軸)上的一端。借以讓感測(cè)陣列是形成由第一軸向上的一端進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，而由第一軸向上的另一端與第二軸向上的一端(共兩端)進(jìn)行感測(cè)的運(yùn)作形態(tài)。而如圖3所示，本實(shí)施例的感測(cè)陣列是例如簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)為5*4的矩陣，換句話說，輸入總線111是至少包含四條導(dǎo)線信道來分別電性連接第一軸向上由導(dǎo)電組件110所串接而成的四列導(dǎo)電組件群組的一端；而輸出總線112則是至少包含九條導(dǎo)線信道來分別電性連接第一軸向上由導(dǎo)電組件110所串接而成的四列導(dǎo)電組件群組的另一端以及第二軸向上由導(dǎo)電組件110所串接而成的五行導(dǎo)電組件群組的一端。承上所述的架構(gòu)，輸入總線111的連接架構(gòu)除了本實(shí)施例所示之外，在實(shí)際設(shè)計(jì)上，輸入總線111亦可進(jìn)一步電性連接感測(cè)陣列在第二軸向上的另一端，讓感測(cè)陣列是形成由不同軸向(X軸及Y軸)上的兩端進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且再分別由不同軸向(X軸及Y軸)上的另外兩端進(jìn)行感測(cè)的運(yùn)作形態(tài)。控制單元12是電性連接輸入總線111及輸出總線112。其中，控制單元12是用來產(chǎn)生一驅(qū)動(dòng)信號(hào)DriVe_Sig給輸入總線111，并且通過輸出總線112來接收至少一感測(cè)信號(hào)Sense_Sig。更具體來看，控制單元12至少包含二多 任務(wù)器121、122，其中之一多任務(wù)器121是電性連接輸入總線111，用來依序切換輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)Drive_Sig至輸入總線111的不同導(dǎo)線信道；其中之另一多任務(wù)器122則是電性連接輸出總線112，用來依序切換接收由輸出總線112不同導(dǎo)線信道所傳遞的感測(cè)信號(hào)Sense_Sig。請(qǐng)同時(shí)參考圖4，為本發(fā)明電容式觸控面板的實(shí)施例剖視示意圖，并且圖4僅是進(jìn)一步針對(duì)基板10及導(dǎo)電組件110之間的層迭關(guān)系來說明。如圖4所示，由導(dǎo)電組件110排列而成的感測(cè)陣列是以同屬一層的架構(gòu)來直接設(shè)置于基板10的上表面。由此，本實(shí)施例即可在簡(jiǎn)化的電容式觸控面板I架構(gòu)下，通過單層式的感測(cè)陣列來獲得第一軸向及第二軸向上的信號(hào)變化量。接下來，為了進(jìn)一步說明本實(shí)施例的觸控傳感器的運(yùn)作，請(qǐng)基于圖3的架構(gòu)來參考圖5，為本發(fā)明觸控傳感器的寄生電容的實(shí)施例等效電路圖。如圖5所示，感測(cè)陣列中所形成的每一第一寄生電容113可等效為一電阻-電容(RC)串行電路，而每一第二寄生電容114可等效為一 RC并聯(lián)電路。進(jìn)一步舉例說明，假設(shè)本實(shí)施例的控制單元12是產(chǎn)生IOMHz的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Drive_Sig給輸入總線111，使得觸控傳感器11是運(yùn)作在IOMHz的工作頻率下，而所述的驅(qū)動(dòng)信號(hào)DriVe_Sig的頻率大小是用來決定信號(hào)穿透的能力，在此依實(shí)際應(yīng)用而設(shè)計(jì)，并無加以限制。當(dāng)無任何觸碰點(diǎn)存在的狀態(tài)下，第一寄生電容113所等效的RC串行電路可例如為50Ω電阻串聯(lián)IpF電容；而第二寄生電容114所等效的RC并聯(lián)電路可例如為100ΜΩ電阻并聯(lián)IpF電容。當(dāng)使用者進(jìn)行觸碰操作而產(chǎn)生至少一觸碰點(diǎn)時(shí)，由于觸碰點(diǎn)及其周圍上所對(duì)應(yīng)的第一寄生電容113及第二寄生電容114的電荷皆會(huì)受到吸收，使得等效電容值下降。就仿真數(shù)據(jù)來看，觸碰點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的第一寄生電容113及第二寄生電容114的等效電容值大約會(huì)從IpF減少至O. 8pF,并且越遠(yuǎn)離觸碰點(diǎn)，電荷被吸收的越少,等效電容值的減少幅度也就越低。當(dāng)然實(shí)際電容值的變化是會(huì)隨環(huán)境因素影響而有所誤差，在此僅是舉例來說明。承上所述，通過量測(cè)觸碰點(diǎn)產(chǎn)生前后的感測(cè)陣列各行列的電壓變化，即可至少獲得電壓變化量最大的一行及一列，于是計(jì)算該變化量最大的行及列的交集即可判定為觸碰點(diǎn)的位置。請(qǐng)?jiān)偻瑫r(shí)參考圖6，為本發(fā)明觸控傳感器的實(shí)施例信號(hào)變化量示意圖。如圖所示，本實(shí)施例的感測(cè)陣列在X軸向(列)上的一端是用來接收驅(qū)動(dòng)信號(hào)Drive_Sig的輸入；在￥軸向(行)上的一端及X軸向上的另一端是用來分別輸出感測(cè)信號(hào)Sense_Sigl及Sense_Sig2。此外，本實(shí)施例是假設(shè)利用一 M*N的感測(cè)陣列中的第一感測(cè)行Coll、第二感測(cè)行Col2、第三感測(cè)行Col3、第一感測(cè)列Rowl、第二感測(cè)列Row2及第三感測(cè)列Row3來進(jìn)行信號(hào)變化量的差異比較的說明。首先，以比較感測(cè)信號(hào)Sense_Sig I來進(jìn)行說明，如下表一所示，由于本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)信號(hào)DriVe_Sig是由圖6中感測(cè)陣列的左側(cè)進(jìn)入，因此基于信號(hào)衰減的電氣原理，第一感測(cè)行ColI、第二感測(cè)行Col2及第三感測(cè)行Col3的信號(hào)衰減量是越來越大，在尚未有觸碰點(diǎn)產(chǎn)生的狀態(tài)下，假設(shè)分別可量測(cè)到的信號(hào)大小為_32dBm、-36dB及_41dBm ;而當(dāng)有觸碰點(diǎn)產(chǎn)生時(shí)，假設(shè)在第一感測(cè)行Coll、第二感測(cè)行Col2及第三感測(cè)行Col3上所量測(cè)信號(hào)大小已分別衰減為-33dBm、-44dBm及-44dBm。如此 一來,便可獲得第一感測(cè)行Coll、第二感測(cè)行Col2及第三感測(cè)行Col3各自在觸碰點(diǎn)產(chǎn)生前后的信號(hào)變化量(衰減量)，其中以第二感測(cè)行Col2的信號(hào)變化量最大。
第一感測(cè)行第二感測(cè)行第三感測(cè)行
__(Coll)__(Col2)__(Col3)
未產(chǎn)生觸碰點(diǎn)__-32__-36__-41_
產(chǎn)生觸碰點(diǎn)__-33__-44__-44_
信號(hào)變化量 -I -8 -3_單位dBm表一另一方面,再以比較感測(cè)信號(hào)Sense_Sig2來說明，同樣由于驅(qū)動(dòng)信號(hào)Drive_Sig是由圖6中感測(cè)陣列的左側(cè)進(jìn)入，因此如下表二所示，理論上，第一感測(cè)列Rowl、第二感測(cè)列Row2及第三感測(cè)列Row3在尚未有觸碰點(diǎn)產(chǎn)生的狀態(tài)下，應(yīng)分別可量測(cè)到相同的信號(hào)大小，假設(shè)皆為-34dBm。而當(dāng)有觸碰點(diǎn)產(chǎn)生時(shí)，假設(shè)在第一感測(cè)列Rowl、第二感測(cè)列Row2及第三感測(cè)列Row3上所量測(cè)信號(hào)大小已分別衰減為-40dBm、-45dBm及-40dBm。如此一來，便可獲得第一感測(cè)列Rowl、第二感測(cè)列Row2及第三感測(cè)列Row3各自在觸碰點(diǎn)產(chǎn)生前后的信號(hào)變化量，其中以第二感測(cè)列Ro 2的信號(hào)變化量最大。
第一感測(cè)列第二感測(cè)列第三感測(cè)列 (Rowl)(Row2)(Ro w3)
未產(chǎn)生觸碰點(diǎn)__-34__-34__-34_
產(chǎn)生觸碰點(diǎn)__-40__-45__-40_
信號(hào)變化量 -6 -11 -6_單位dBm表二如此一來，在獲得各行列的信號(hào)變化量的情況下，便可進(jìn)一步計(jì)算該變化量最大的第二感測(cè)行Col2及第二感測(cè)列Row2的交集來判斷出實(shí)際觸碰點(diǎn)(即圖6中虛線所圈設(shè))的位置。最后，請(qǐng)參考圖7，為本發(fā)明電容式觸控面板的制造方法的第一實(shí)施例流程圖。如圖所示，本實(shí)施例提供一種電容式觸控面板的制造方法，其步驟包括提供一基板(S701)，用來做為后續(xù)制程的承載基底。接著，涂布一導(dǎo)電薄膜于基板的一表面(S703)，在此不限制是涂布于基板的上表面或下表面，依實(shí)際設(shè)計(jì)所需而決定。其中，導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)可采用銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋅鎵氧化物、導(dǎo)電性高分子、碳納米管、銦錫氧化物納米粒子、納米金屬、氫氧化鎂嵌入碳元素、石墨烯或氧化 鋅。接下來，圖案化導(dǎo)電薄膜(S705)，以形成一由多個(gè)導(dǎo)電組件所排列成的感測(cè)陣列。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以了解，導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化的過程大致是包括烘烤、光罩對(duì)準(zhǔn)、曝光、顯影、蝕刻等步驟，也就是所謂的黃光制程，在此就不加以贅述。然而，本發(fā)明也就是針對(duì)此一單層導(dǎo)電薄膜進(jìn)行一次圖案化制程即可完成所需的感測(cè)陣列的架構(gòu)。如此一來，便可繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)的金屬打線制程，以設(shè)置一輸入總線來電性連接感測(cè)陣列在一第一軸向上的一端(S707)，并且設(shè)置一輸出總線來電性連接感測(cè)陣列在第一軸向上的另一端以及感測(cè)陣列在一第二軸向上的一端(S709)。其中，步驟(S707)及(S709)的先后順序可以實(shí)際制程需求而進(jìn)行對(duì)調(diào)或調(diào)整，在此并非用來限制本發(fā)明。附帶一提的是，上述步驟(S703)至步驟(S709)的制程也就是用來制作一觸控傳感器于基板上的流程步驟。最后，設(shè)置一控制單元以電性連接輸入總線及輸出總線(S711)。其中，控制單元可例如是打件于一印刷電路板或一軟性電路板，進(jìn)而再與輸入總線及輸出總線進(jìn)行電性連接。由此，即可完成本實(shí)施例所述的電容式觸控面板的制作。請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D8，為本發(fā)明電容式觸控面板的制造方法的第二實(shí)施例流程圖。本實(shí)施例與第一實(shí)施例流程圖的差異點(diǎn)在于，本實(shí)施例在提供一基板(S801)之后，便是直接以一印刷技術(shù)來印刷導(dǎo)電組件于基板的一表面(上表面或下表面)，以形成由導(dǎo)電組件排列成的一感測(cè)陣列(S803)。如此一來，本實(shí)施例的制程所需的步驟相較于第一實(shí)施例即可更為簡(jiǎn)化。接下來的步驟(S805)至步驟(S809)則同樣是進(jìn)行設(shè)置輸入總線及輸出總線的金屬打線制程，以及設(shè)置控制單元的制程。在此就不再加以贅述。綜上所述，本發(fā)明設(shè)計(jì)以平面矩陣形態(tài)的感測(cè)陣列來做為觸控傳感器的架構(gòu)，除了能夠有效地簡(jiǎn)化觸控面板的整體架構(gòu)，以減少制程步驟來加快生產(chǎn)速度。更是可以減少耗材的用量以及降低制程的復(fù)雜度，從而大幅地降低制造成本并提升產(chǎn)品良率。除此之外，在實(shí)際應(yīng)用上，本發(fā)明的電容式觸控面板更可簡(jiǎn)單地與各類型顯示屏幕進(jìn)行整合。以上說明對(duì)本發(fā)明而言只是說明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解，在不脫離以下所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可做出許多修改，變化，或等效，但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電容式觸控面板,其特征在于,包括一基板,及ー在該基板的同一表面上由多個(gè)導(dǎo)電組件排列成一感測(cè)陣列的觸控傳感器，用以產(chǎn)生該感測(cè)陣列在一第一軸向及一第二軸向上的感測(cè)信號(hào)。
2.如權(quán)利要求I所述的電容式觸控面板，其特征在于，所述的多個(gè)導(dǎo)電組件彼此在該第一軸向及該第二軸向上形成一第一寄生電容，并且每一所述的多個(gè)導(dǎo)電組件進(jìn)一歩與一接地面形成一第二寄生電容。
3.如權(quán)利要求I所述的電容式觸控面板，其特征在于，該觸控傳感器進(jìn)ー步包括 ー輸入總線，電性連接該感測(cè)陣列在該第一軸向上的一端；及 ー輸出總線，電性連接該感測(cè)陣列在該第二軸向上的一端。
4.如權(quán)利要求3所述的電容式觸控面板，其特征在于，該輸出總線進(jìn)一步電性連接該感測(cè)陣列在該第一軸向上的另一端。
5.如權(quán)利要求4所述的電容式觸控面板，其特征在于，該輸入總線進(jìn)一步電性連接該感測(cè)陣列在該第二軸向上的另一端。
6.如權(quán)利要求3、4或5所述的電容式觸控面板，其特征在干，進(jìn)ー步包含 一控制單元，電性連接該輸入總線及該輸出總線，該控制單元產(chǎn)生ー驅(qū)動(dòng)信號(hào)給該輸入總線,并且通過該輸出總線來接收該感測(cè)信號(hào)。
7.如權(quán)利要求I所述的電容式觸控面板，其特征在于，所述的多個(gè)導(dǎo)電組件的形狀為菱形、圓形、橢圓形、多邊形或十字形。
8.一種電容式觸控面板的制造方法，其特征在于，步驟包括 形成一由多個(gè)導(dǎo)電組件所排列成的感測(cè)陣列于一基板的一表面； 設(shè)置ー輸入總線以電性連接該感測(cè)陣列在一第一軸向上的一端；及 設(shè)置ー輸出總線以電性連接該感測(cè)陣列在一第二軸向上的一端。
9.如權(quán)利要求8所述的電容式觸控面板的制造方法，其特征在于，該輸出總線進(jìn)一歩電性連接該感測(cè)陣列在該第一軸向上的另一端。
10.如權(quán)利要求9所述的電容式觸控面板的制造方法，其特征在干，該輸入總線進(jìn)一歩電性連接該感測(cè)陣列在該第二軸向上的另一端。
11.如權(quán)利要求8、9或10所述的電容式觸控面板的制造方法，其特征在于，進(jìn)ー步包含 設(shè)置ー控制單元以電性連接該輸入總線及該輸出總線。
12.如權(quán)利要求9所述的電容式觸控面板的制造方法，其特征在于，該形成感測(cè)陣列的步驟進(jìn)一歩包含 涂布ー導(dǎo)電薄膜于該基板的表面；及 圖案化該導(dǎo)電薄膜。
13.如權(quán)利要求9所述的電容式觸控面板的制造方法，其特征在于，該形成感測(cè)陣列的步驟以一印刷技術(shù)印刷所述的多個(gè)導(dǎo)電組件于該基板的表面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電容式觸控面板，包括一基板，以及一在基板的同一表面上由多個(gè)導(dǎo)電組件排列成一感測(cè)陣列的觸控傳感器，用以產(chǎn)生該感測(cè)陣列在一第一軸向及一第二軸向上的感測(cè)信號(hào)。本發(fā)明另提供一種電容式觸控面板的制造方法。由此，以達(dá)到簡(jiǎn)化電容式觸控面板的架構(gòu)的目的。
文檔編號(hào)G06F3/044GK102681737SQ20121004517
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月28日
發(fā)明者朱浚斈, 邱瑞榮 申請(qǐng)人:宸鴻光電科技股份有限公司