專利名稱：一種通過(guò)四通道IO接口控制并讀寫(xiě)NandFlash的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其是一種通過(guò)四通道IO接口控制并讀寫(xiě) NandFlash 的方法。
背景技術(shù)：
Nand型Flash(NandFlash)是一種廣泛使用的非易失存儲(chǔ)器 NVM(Non-VolatileMemory),其最大的特點(diǎn)是容量大。目前，大容量存儲(chǔ)設(shè)備，如U 盤(pán)、SD卡上使用的存儲(chǔ)體都是NandFlash。雖然NandFlash具有容量大的優(yōu)點(diǎn)，但是其接口較復(fù)雜。連同數(shù)據(jù)鏈和控制線， NandFlash需要至少16跟通訊線才能被主控制器控制。下表以K9F系列NandFlash為例，列示了典型NandFlash的控制及數(shù)據(jù)接口，并 說(shuō)明其各自的作用。
權(quán)利要求
1.一種通過(guò)四通道IO接口控制并讀寫(xiě)NandFlash的方法，其特征在于在QS接口 和NF接口之間設(shè)置一種命令解析器，將QS接口協(xié)議轉(zhuǎn)換為原來(lái)的NF接口協(xié)議，并采 用QS接口同主控制器通訊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過(guò)四通道IO接口控制并讀寫(xiě)NandFlash的方法，其特征 在于所述的QS接口為一種5 口線串行接口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過(guò)四通道IO接口控制并讀寫(xiě)NandFlash的方法，其特征 在于命令解析器由兩個(gè)4位鎖存器、譯碼器、數(shù)據(jù)鎖存器、WE/RE時(shí)鐘發(fā)生器及輔助 電路構(gòu)成；兩個(gè)4位鎖存器在時(shí)鐘控制器作用下，負(fù)責(zé)把QS接口的4位串行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成 NF接口需要的8位并行數(shù)據(jù)；譯碼器負(fù)責(zé)對(duì)8位并行數(shù)據(jù)進(jìn)行解析，以判別各種命令模 式；數(shù)據(jù)鎖存器負(fù)責(zé)在需要的時(shí)候保證數(shù)據(jù)總線的狀態(tài)保持不變，防止其他命令的操作 破壞數(shù)據(jù)總線的數(shù)據(jù)狀態(tài)；WE/RE時(shí)鐘發(fā)生器負(fù)責(zé)產(chǎn)生NF接口所需要的WE/RE時(shí)序。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種通過(guò)四通道IO接口控制并讀寫(xiě)NandFlash的方法，在QS接口和NF接口之間設(shè)置一種命令解析器，將QS接口協(xié)議轉(zhuǎn)換為原來(lái)的NF接口協(xié)議，并采用QS接口同主控制器通訊。本發(fā)明有益的效果是1、以5口線的QS接口替代了原來(lái)復(fù)雜的NF接口，降低了NandFlash接口的復(fù)雜性，擴(kuò)大了NandFlash的使用范圍。2、在QS接口和NF接口之間引入了命令解析器，使得無(wú)需改變現(xiàn)有NandFlash的設(shè)計(jì)即可引入QS接口。3、制定了QS接口的協(xié)議，在實(shí)現(xiàn)新接口的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了原有NF協(xié)議的全部功能。
文檔編號(hào)G06F13/20GK102023943SQ20101057311
公開(kāi)日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2010年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月25日
發(fā)明者裴育, 邱柏云 申請(qǐng)人:杭州晟元芯片技術(shù)有限公司