專利名稱：具有中間導(dǎo)電層的觸控面板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有中間導(dǎo)電層的觸控面板及其制作方法，屬于觸控面板復(fù)合層 結(jié)構(gòu)及其制程技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
一般來說，觸控面板的加工方式是采取逐層貼合的工序，容易造成貼合對位不精 確，而且增加觸控面板的厚度和重量，降低觸控產(chǎn)品的透光度及觸控敏感度，產(chǎn)品品質(zhì)很難 得到很大提升。加工感應(yīng)層時，因為成形相應(yīng)的感應(yīng)線圖案需要蝕刻掉大量透明導(dǎo)電材料， 造成大量的蝕刻廢液，環(huán)境污染嚴重；而且觸控面板的色差大，蝕刻痕跡明顯。隨著光阻工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，使得光阻工藝在觸控面板精密制程中也得到了應(yīng) 用。通過采用光阻工藝可以對觸控面板的不同深度層面進行光阻蝕刻得到相應(yīng)的圖案。因 此，電鍍工藝與光阻工藝的有機結(jié)合可以省去復(fù)雜的貼合工序來加工觸控面板，從而有效 降低觸控面板的厚度重量，提高透光度和觸控敏感度。本發(fā)明在對感應(yīng)層蝕刻中引入網(wǎng)格 圖案非導(dǎo)電區(qū)域來降低蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利于環(huán)保。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明充分利用光阻蝕刻技術(shù)對觸控面板實現(xiàn)不同深度層面精密加 工，并且在透明導(dǎo)電層上加入中介導(dǎo)電層起到保護導(dǎo)電材料的作用，也提高導(dǎo)電材料的附 著力。在對感應(yīng)層蝕刻中引入網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域來消除蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利于環(huán)保。技術(shù)方案本發(fā)明公開一種具有中間導(dǎo)電層的觸控面板，包含第一層是銘板層，第 二層是金屬線路層，第三層是中間導(dǎo)電層，第四層是透明導(dǎo)電層，第五層是基板層，依次疊 加。所述銘板層的厚度范圍值在0.7毫米到1.8毫米之間；金屬線路層的厚度范圍值在 0. 04微米到0. 1微米之間；中間導(dǎo)電層或者透明導(dǎo)電層的厚度范圍值在0. 04微米到0. 1微 米之間；基板層的厚度范圍值在50微米到180微米之間。中間導(dǎo)電層是氧化銦；金屬線路 層是銅線；透明導(dǎo)電層是氧化銦錫；基板層是硬化玻璃或者聚碳酸樹脂。本發(fā)明的制作具有中間導(dǎo)電層的觸控面板的方法，包括如下步驟在無塵干燥條件 下進行；步驟一基板層的一面覆蓋透明導(dǎo)電層，在透明導(dǎo)電層上覆蓋中間導(dǎo)電層；步驟二 中間導(dǎo)電層上電鍍金屬線路層，在金屬線路層上貼光阻膜；其中，光阻膜 上的鏤空圖案分別與金屬走線痕跡、感應(yīng)線和網(wǎng)格狀蝕刻線痕跡吻合；步驟三先對金屬線路層表面視窗操作區(qū)域曝光顯影后，室溫狀態(tài)下，用硫酸雙氧 水混合液線路蝕刻中間導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟四對步驟三中金屬線路層周邊曝光顯影蝕刻形成金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層貼合在金屬走線和步驟三中透明導(dǎo)電層上。在步驟三中硫酸雙氧水混合液的摩爾濃度范圍值在4. 0M0L/L到4. 5M0L/L之間。步驟三中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長0. 35毫米，蝕刻線寬60微米；步 驟二中光阻膜的厚度范圍值在15微米到20微米之間；步驟五中透明光學(xué)膠的厚度范圍值 在50微米到100微米之間。蝕刻反應(yīng)時間為30秒鐘到60秒鐘。最后各線路圖案成形后 用光阻劑清除殘余光阻膜，提高產(chǎn)品外觀品質(zhì)。有益效果本發(fā)明公開了具有中間導(dǎo)電層的觸控面板及其制作方法，通過采用光 阻工藝可以對觸控面板的不同深度層面進行光阻蝕刻得到相應(yīng)的圖案，并且加入中介導(dǎo)電 層起到保護導(dǎo)電材料作用，也提高導(dǎo)電材料的附著力。因此，電鍍工藝與光阻工藝的有機結(jié) 合可以省去復(fù)雜的貼合工序來加工觸控面板，從而有效降低觸控產(chǎn)品的厚度重量，提高透 光度和觸控敏感度。本發(fā)明在對感應(yīng)層蝕刻中引入網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域來降低蝕刻痕跡， 減少蝕刻廢液利于環(huán)保。


圖1是本發(fā)明的具有中間導(dǎo)電層的觸控面板剖面結(jié)構(gòu)組成示意圖。其中有銘板 層1，金屬線路層2，中間導(dǎo)電層3，透明導(dǎo)電層4，基板層5。圖2是本發(fā)明的局部結(jié)構(gòu)圖案示意框圖。圖3是本發(fā)明的制作流程示意框圖。圖4是本發(fā)明的局部網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域示意框圖。
具體實施例方式下面是本發(fā)明的具體實施例來進一步描述圖1所示，本發(fā)明的具有中間導(dǎo)電層的觸控面板，包含第一層是銘板層1，第二層 是金屬線路層2，第三層是中間導(dǎo)電層3，第四層是透明導(dǎo)電層4，第五層是基板層5，依次 疊加。銘板層1的厚度范圍值在0. 7毫米到1. 8毫米之間；金屬線路層2的厚度范圍值在 0. 04微米到0. 1微米之間；中間導(dǎo)電層3或者透明導(dǎo)電層4的厚度范圍值在0. 04微米到 0. 1微米之間；基板層5的厚度范圍值在50微米到180微米之間。中間導(dǎo)電層3是氧化銦； 金屬線路層2是銅線；透明導(dǎo)電層4是氧化銦錫；基板層5是硬化玻璃或者聚碳酸樹脂。通過圖3可知，制作具有中間導(dǎo)電層的觸控面板的方法，各步驟在無塵干燥條件 下進行；步驟一基板層5的一面覆蓋透明導(dǎo)電層4，在透明導(dǎo)電層4上覆蓋中間導(dǎo)電層3 ；步驟二 中間導(dǎo)電層3上電鍍金屬線路層2，在金屬線路層2上貼光阻膜；其中，光 阻膜上鏤空圖案分別與金屬走線痕跡、感應(yīng)線和網(wǎng)格狀蝕刻線痕跡吻合；步驟三先對金屬線路層2表面視窗操作區(qū)域曝光顯影后，室溫狀態(tài)下，用硫酸雙 氧水混合液線路蝕刻中間導(dǎo)電層3和透明導(dǎo)電層4，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟四對步驟三中金屬線路層2周邊曝光顯影蝕刻形成金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層1貼合在金屬走線和步驟三中透明導(dǎo)電層4上。上述步驟三中硫酸和雙氧水混合液的摩爾濃度范圍值在4. 0M0L/L到4. 5M0L/L之 間。步驟三中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長0. 35毫米，蝕刻線寬60微米； 步驟二中光阻膜的厚度范圍值在15微米到20微米之間；步驟五中透明光學(xué)膠的厚度范圍 值在50微米到100微米之間。其中，蝕刻反應(yīng)時間為30秒鐘到60秒鐘。
實施例1 銘板層1的厚度是0. 7毫米；金屬線路層2的厚度是0. 04微米；中間導(dǎo)電層3的 厚度是0. 04微米，透明導(dǎo)電層4的厚度是0. 04微米；基板層5的厚度是50微米，基板層5 是聚碳酸樹脂。制作具有中間導(dǎo)電層的觸控面板的方法，各步驟在無塵干燥條件下進行；步驟一基板層5的一面覆蓋透明導(dǎo)電層4，在透明導(dǎo)電層4上覆蓋中間導(dǎo)電層3 ；步驟二 中間導(dǎo)電層3上電鍍金屬線路層2，在金屬線路層2上貼光阻膜；其中，光 阻膜上鏤空圖案與金屬走線痕跡和網(wǎng)格狀蝕刻線痕跡吻合；步驟三先對金屬線路層2表面視窗操作區(qū)域曝光顯影后，室溫狀態(tài)下，用硫酸雙 氧水混合液線路蝕刻中間導(dǎo)電層3和透明導(dǎo)電層4，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟四對步驟三中金屬線路層2周邊曝光顯影蝕刻形成金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層1貼合在金屬走線和步驟三中透明導(dǎo)電層4上。上述步驟三中硫酸雙氧水混合液的摩爾濃度是4. 0M0L/L。步驟三中網(wǎng)格圖案為方 塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長0. 35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟二中光阻膜的厚度是 15微米。其中，蝕刻反應(yīng)時間為30秒鐘。步驟五中透明光學(xué)膠的厚度是50微米。實施例2 銘板層1的厚度是1. 8毫米；金屬線路層2的厚度是0. 07微米；中間導(dǎo)電層3的 厚度是0. 08微米，透明導(dǎo)電層4的厚度是0. 08微米；基板層5的厚度是180微米，基板層 5是硬化玻璃。制作具有中間導(dǎo)電層的觸控面板的方法，各步驟在無塵干燥條件下進行；步驟一基板層5的一面覆蓋透明導(dǎo)電層4，在透明導(dǎo)電層4上覆蓋中間導(dǎo)電層3 ；步驟二 中間導(dǎo)電層3上電鍍金屬線路層2，在金屬線路層2上貼光阻膜；其中，光 阻膜上鏤空圖案與金屬走線痕跡和網(wǎng)格狀蝕刻線痕跡吻合；步驟三先對金屬線路層2表面視窗操作區(qū)域曝光顯影后，室溫狀態(tài)下，用硫酸雙 氧水混合液線路蝕刻中間導(dǎo)電層3和透明導(dǎo)電層4，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟四對步驟三中金屬線路層2周邊曝光顯影蝕刻形成金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層1貼合在金屬走線和步驟三中透明導(dǎo)電層4上。上述步驟三中硫酸雙氧水混合液的摩爾濃度是4. 5M0L/L。步驟三中網(wǎng)格圖案為方 塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長0. 35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟二中光阻膜的厚度是 20微米。其中，蝕刻反應(yīng)時間為60秒鐘。步驟五中透明光學(xué)膠的厚度是100微米。實施例3 銘板層1的厚度是1. 1毫米；金屬線路層2的厚度是0. 1微米；中間導(dǎo)電層3的厚 度是0. 1微米，透明導(dǎo)電層4的厚度是0. 1微米；基板層5的厚度是125微米，基板層5是 聚碳酸樹脂。制作具有中間導(dǎo)電層的觸控面板的方法，各步驟在無塵干燥條件下進行；步驟一基板層5的一面覆蓋透明導(dǎo)電層4，在透明導(dǎo)電層4上覆蓋中間導(dǎo)電層3 ；步驟二 中間導(dǎo)電層3上電鍍金屬線路層2，在金屬線路層2上貼光阻膜；其中，光 阻膜上鏤空圖案與金屬走線痕跡和網(wǎng)格狀蝕刻線痕跡吻合；步驟三先對金屬線路層2表面視窗操作區(qū)域曝光顯影后，室溫狀態(tài)下，用硫酸雙
5氧水混合液線路蝕刻中間導(dǎo)電層3和透明導(dǎo)電層4，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟四對步驟三中金屬線路層2周邊曝光顯影蝕刻形成金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層1貼合在金屬走線和步驟三中透明導(dǎo)電層4上。上述步驟三中硫酸雙氧水混合液的摩爾濃度是4. 2M0L/L。步驟三中網(wǎng)格圖案為方 塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長0. 35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟二中光阻膜的厚度是 18微米。其中，蝕刻反應(yīng)時間為45秒鐘。步驟五中透明光學(xué)膠的厚度是75微米。
權(quán)利要求
一種具有中間導(dǎo)電層的觸控面板，包含第一層是銘板層(1)，其特征在于第二層是金屬線路層(2)，第三層是中間導(dǎo)電層(3)，第四層是透明導(dǎo)電層(4)，第五層是基板層(5)，依次疊加。
2.如權(quán)利要求1所述具有中間導(dǎo)電層的觸控面板，其特征在于所述銘板層(1)的厚 度范圍值在0. 7毫米到1. 8毫米之間；金屬線路層(2)的厚度范圍值在0. 04微米到0. 1微 米之間；中間導(dǎo)電層(3)或者透明導(dǎo)電層(4)的厚度范圍值在0. 04微米到0. 1微米之間； 基板層(5)的厚度范圍值在50微米到180微米之間。
3.如權(quán)利要求1所述具有中間導(dǎo)電層的觸控面板，其特征在于所述中間導(dǎo)電層(3) 是氧化銦；金屬線路層(2)是銅線；透明導(dǎo)電層(4)是氧化銦錫；基板層(5)是硬化玻璃或 者聚碳酸樹脂。
4.一種如權(quán)利要求1所述的制作具有中間導(dǎo)電層的觸控面板的方法，包括如下步驟， 其特征在于所述步驟在無塵干燥條件下進行；步驟一基板層(5)的一面覆蓋透明導(dǎo)電層(4)，在透明導(dǎo)電層(4)上覆蓋中間導(dǎo)電層⑶；步驟二 中間導(dǎo)電層(3)上電鍍金屬線路層(2)，在金屬線路層(2)上貼光阻膜；其中， 光阻膜上鏤空圖案分別與金屬走線痕跡、感應(yīng)線和網(wǎng)格狀蝕刻線痕跡吻合；步驟三先對金屬線路層(2)表面視窗操作區(qū)域曝光顯影后，室溫狀態(tài)下，用硫酸雙氧 水混合液蝕刻中間導(dǎo)電層⑶和透明導(dǎo)電層(4)，形成感應(yīng)線和網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域；步驟四對步驟三中金屬線路層(2)周邊曝光顯影蝕刻形成金屬走線；步驟五用透明光學(xué)膠將銘板層(1)貼合在金屬走線和步驟三中透明導(dǎo)電層(4)上。
5.如權(quán)利要求4所述制作具有中間導(dǎo)電層的觸控面板的方法，其特征在于所述步驟 三中硫酸雙氧水混合液的摩爾濃度范圍值在4. 0M0L/L到4. 5M0L/L之間。
6.如權(quán)利要求4所述制作具有中間導(dǎo)電層的觸控面板的方法，其特征在于所述步驟 三中網(wǎng)格圖案為方塊矩陣；其中，單個方塊蝕刻邊長0. 35毫米，蝕刻線寬60微米；步驟二 中光阻膜的厚度范圍值在15微米到20微米之間。
7.如權(quán)利要求4所述制作具有中間導(dǎo)電層的觸控面板的方法，其特征在于所述蝕刻 反應(yīng)時間為30秒鐘到60秒鐘。全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有中間導(dǎo)電層的觸控面板及其制作方法，屬于觸控面板復(fù)合層結(jié)構(gòu)及其制程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在對感應(yīng)層蝕刻中引入網(wǎng)格圖案非導(dǎo)電區(qū)域來降低蝕刻痕跡，減少蝕刻廢液利于環(huán)保。在加工觸控面板過程中，充分利用光阻蝕刻技術(shù)對觸控面板實現(xiàn)不同深度層面精密加工，并且加入中介導(dǎo)電層起到保護導(dǎo)電材料作用，也提高導(dǎo)電材料的附著力。
文檔編號G06F3/041GK101893966SQ20101025211
公開日2010年11月24日 申請日期2010年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月13日
發(fā)明者陳棟南 申請人:牧東光電(蘇州)有限公司