專利名稱：觸摸屏及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種觸摸屏及其制造方法。
背景技術(shù)：
觸摸屏是可以檢測手指或觸摸筆所靠近或觸摸的位置的設(shè)備。所述觸摸屏安裝在視頻顯示設(shè)備的屏幕上從而能夠容易地輸入信息。觸摸屏利用透明電極檢測手指或筆的觸摸輸入。透明電極可以通過在諸如氧化銦錫(indium tin oxide, IT0)的透明導(dǎo)電氧化膜上布置金屬層來形成。然而，當金屬層直接形成在ITO膜上時，金屬層的粘附性降低，以致ITO表面的耐用性降低而電阻增大，從而使觸摸屏的靈敏度降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個實施例意在提供一種觸摸屏及其制造方法，所述觸摸屏具有極好的靈敏度并保證耐用性。在本發(fā)明的一個實施例中，提供一種觸摸屏，所述觸摸屏包括氧化銦錫(ITO) 膜，沉積在撓性塑料膜的上表面上；第一金屬層，沉積在所述氧化銦錫(ITO)膜上；以及第
二金屬層，鍍在所述第一金屬層上。在本發(fā)明的另一個實施例中，提供一種觸摸屏的制造方法，所述方法包括對ITO 膜進行熱處理以防止其收縮；進行除去ITO膜表面上的雜質(zhì)的預(yù)處理；在經(jīng)預(yù)處理后的ITO
膜上沉積第一金屬層；在第一金屬層上沉積第二金屬層；以及在第二金屬層上鍍第三金屬層。有益效果根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種具有極好的靈敏度并能保證耐用性的觸摸屏及其制造方法。


從結(jié)合附圖對優(yōu)選實施例進行的以下描述中，本發(fā)明的上述和其它目的和特征將
變得明顯。圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的觸摸屏的剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的觸摸屏的剖視圖；以及圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的觸摸屏的制造方法的流程圖。
具體實施例方式在下文中，將參照附圖詳細描述根據(jù)本發(fā)明的實施例的觸摸屏及其制造方法。然而，如果確定對相關(guān)的公知功能或組件的詳細描述會使本發(fā)明的技術(shù)主題不清楚，則將省略這些詳細描述。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的觸摸屏的剖視圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的觸摸屏包括諸如氧化銦錫等的透明導(dǎo)電膜20，所述透明導(dǎo)電膜20沉積在撓性塑料膜10的上表面上；以及金屬層30和金屬鍍層40， 沉積在透明導(dǎo)電膜20上。撓性塑料膜10 可以采用由 PES (polyethersulfone，聚醚砜)、PC (Polycarbonate, 聚碳酸酯)、PE (Polyethylene，聚乙烯)、PI(Polyimide，聚酰亞胺)或壓克力(acryl)等制成的膜。本發(fā)明的實施例示出了采用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜10的情形。在此情形中，PET膜10在100至150°C的范圍內(nèi)具有收縮特性。當使用其上沉積有透明導(dǎo)電膜20的PET膜10來制造觸摸屏?xí)r，在進行上板和下板的結(jié)合過程中的熱處理時， 存在因PET膜10的收縮而導(dǎo)致的對齊不準的問題。因此，通過進行退火過程(在約150°C 對PET膜10進行熱處理90分鐘)以預(yù)先使所述膜收縮，可以防止在金屬層沉積過程和后處理過程中可能產(chǎn)生的收縮。ITO膜20順序地設(shè)置有用作電極的金屬鍍層40和用于提高金屬鍍層40的粘附性的金屬沉積層30。在ITO膜20上形成金屬沉積層30和金屬鍍層40之前，優(yōu)選的是通過利用等離子體或離子束進行除去表面上的雜質(zhì)的預(yù)處理過程。金屬沉積層30包括用于提高ITO膜20與金屬層之間的粘附性的緩沖層和用于鍍上金屬的種子層(seed layer)。緩沖層提高ITO膜20與金屬層之間的粘附性。因此，可以通過沉積諸如Ni、Cr、Ni-Cr、Ti、Sn, Mo等材料來形成緩沖層。金屬鍍層40可以通過利用電鍍方法等由與金屬沉積層30的種子層相同的材料制成，并且可以由導(dǎo)電性好的材料制成。金屬鍍層40可以用作ITO膜20的電極。由于金屬沉積層30和金屬鍍層40 (觸摸屏中具有上述構(gòu)造的金屬層)直接影響觸摸屏的靈敏度，因此可以控制金屬沉積層30和金屬鍍層40的厚度，從而可以控制電阻值使其被設(shè)置為0. 1 Ω /方塊或更小。圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的觸摸屏的剖視圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的觸摸屏包括緩沖層33，通過在沉積在 PET膜10上的ITO膜20上沉積Ni-Cr而形成；種子層35，通過形成Cu而形成；以及鍍層 45，通過鍍上Cu而形成。直接沉積在ITO膜20上的金屬沉積層30包括緩沖層33和用于鍍膜的種子層35， 以便提高ITO膜20和金屬層之間的粘附性。為了將電阻值控制為0. 1Ω/方塊或更小，可以通過利用真空沉積技術(shù)沉積70Α 厚的Ni-Cr來形成緩沖層33?？梢酝ㄟ^利用真空沉積技術(shù)沉積900Α厚的Cu來形成種子層35。此外，可以通過在金屬鍍層上沉積8000Α厚的Cu來形成觸摸屏的電極。在此情形中，當沉積Ni-Cr緩沖層33和Cu種子層35時，利用諸如等離子體處理、 離子束輻射等方 法對ITO膜20的表面進行預(yù)處理，然后沉積金屬層，從而可以防止ITO膜 20的表面受損，并且可以提高金屬層的粘附性和導(dǎo)電性。圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的觸摸屏的制造方法的流程圖。如圖3所示，當根據(jù)本發(fā)明的實施例制造觸摸屏?xí)r，對其上沉積有ITO膜20的PET 膜10進行熱處理(SllO)。利用等離子體或離子束對ITO膜20的表面進行預(yù)處理(S120)，從而提高金屬層的粘附性。在此情形中，用于產(chǎn)生離子束的反應(yīng)氣體可以選自02、O3> N2, N2O, NO2和CO2，還可以選自諸如Ar、Kr、Xe和Ne等的惰性氣體。此外，可以單獨應(yīng)用或以混合狀態(tài)應(yīng)用所述反應(yīng)氣體或惰性氣體。另外，所使用的離子束的輻射量可以在lX1015/cm2 lX1018/cm2的范圍內(nèi)。在經(jīng)預(yù)處理后的ITO膜20上沉積用作緩沖層的金屬沉積層，即Ni-Cr緩沖層 33(S130)?？梢酝ㄟ^利用諸如 RF (radio frequency，射頻)濺射、DC (direct current，直流)濺射、CVD (chemical vapor exposition，化學(xué)氣相沉積)技術(shù)等真空沉積技術(shù)進行沉積來形成Ni-Cr緩沖層33。在Ni-Cr緩沖層33上沉積用作種子層的金屬沉積層，即Cu種子層35 (S140)?？梢酝ㄟ^利用諸如RF濺射、DC濺射或CVD技術(shù)等真空沉積技術(shù)進行沉積來形成Cu種子層35。 當形成Cu種子層35時，鍍上用作電極的Cu鍍層45。可以通過電鍍方法等形成 Cu鍍層45。當使用Cu鍍層45形成觸摸屏的電極時，進行防蝕涂覆，從而防止金屬Cu被氧化 (S160)。防蝕涂覆可以經(jīng)過將Cu鍍層45浸入防蝕劑的涂覆過程。雖然結(jié)合示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解，這些描述不意在使本發(fā)明受限于這些示例性實施例。顯然，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改進和變型。因此，本發(fā)明意在涵蓋本發(fā)明的改進和變型，只要這些改進和變型落在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)。工業(yè)應(yīng)用性本發(fā)明可以提供一種具有極好的靈敏度并能保證耐用性的觸摸屏。
權(quán)利要求
1.一種觸摸屏，其特征在于氧化銦錫(ITO)膜，沉積在撓性塑料膜的上表面上； 第一金屬層，沉積在所述氧化銦錫膜上； 第二金屬層，鍍在所述第一金屬層上；以及第三金屬層，鍍在所述第二金屬層上。
2.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述撓性塑料膜包括PET、PES、PC、PE、PI 和壓克力中的至少任意一種。
3.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述第一金屬層包括由Ni、Cr、Ni-Cr、Ti、 Sn和Mo中的至少一任意種制成的緩沖層。
4.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述第二金屬層由Ag、Cu、Au和Al中的至少任意一種制成。
5.如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述第三金屬層由與種子層的金屬相同的金屬制成。
6.一種觸摸屏的制造方法，其特征在于 對氧化銦錫膜進行熱處理以防止氧化銦錫膜收縮； 進行除去所述氧化銦錫膜表面上的雜質(zhì)的預(yù)處理； 在經(jīng)預(yù)處理后的氧化銦錫膜上沉積第一金屬層； 在所述第一金屬層上沉積第二金屬層；以及 在所述第二金屬層上鍍上第三金屬層。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，除去所述氧化銦錫膜表面上的雜質(zhì)的預(yù)處理的步驟包括通過采用02、O3> N2, N2O, NO2和CO2中的至少任意一種產(chǎn)生離子束來進行預(yù)處理。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，除去所述氧化銦錫膜表面上的雜質(zhì)的預(yù)處理的步驟包括通過采用Ar、Kr、Xe和Ne中的至少任意一種產(chǎn)生等離子體來進行預(yù)處理。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中通過在經(jīng)預(yù)處理后的氧化銦錫膜上真空沉積Ni、Cr、Ni-Cr、Ti、Sn和Mo中的至少任意一種來形成所述第一金屬層；通過真空沉積由Ag、Cu、Au和Al中的至少任意一種形成所述第二金屬層；以及用與所述第二金屬層的金屬相同的金屬來鍍所述第三金屬層。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的實施例的觸摸屏包括ITO(氧化銦錫)膜，沉積在撓性塑料膜的上表面上；第一金屬層，沉積在所述氧化銦錫膜上；以及第二金屬層，鍍在所述第一金屬層上。本發(fā)明的實施例可以提供一種可以保證其耐用性并具有極好的靈敏度的觸摸屏及其制造方法。
文檔編號G06F3/041GK102216887SQ200980145574
公開日2011年10月12日 申請日期2009年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月14日
發(fā)明者洪赫振, 羅賢珉, 金鉀泳 申請人:Lg伊諾特有限公司