專利名稱：：具有低可見度導(dǎo)體的觸屏傳感器的制作方法具有低可見度導(dǎo)體的觸屏傳感器相關(guān)專利申請的交叉引用本專利申請要求下列美國臨時專利申請的優(yōu)先權(quán)2008年2月28日提交的專利申請No.61/032,269，其全部公開內(nèi)容以引用方式并入本文；2008年2月28日提交的專利申請No.61/032,273，其全部公開內(nèi)容以引用方式并入本文2008年8月1日提交的專利申請No.61/085,496，其全部公開內(nèi)容以引用方式并入本文；2008年8月1日提交的專利申請No.61/085,799，其全部公開內(nèi)容以引用方式并入本文；以及2008年8月1日提交的專利申請No.61/085,764，其全部公開內(nèi)容以引用方式并入本文。
背景技術(shù)：
：觸屏傳感器檢測施加到觸屏顯示器表面的物體(如手指或觸筆)的位置或設(shè)置在觸屏顯示器表面附近的物體的位置。這種傳感器沿著顯示器表面(即在平坦的矩形顯示器的平面內(nèi))檢測物體的位置。觸屏傳感器的例子包括電容式傳感器、電阻式傳感器和投射電容式傳感器。這種傳感器包括覆蓋顯示器的透明導(dǎo)電元件。導(dǎo)電元件與電子元件結(jié)合使用，電子元件使用電信號探測導(dǎo)電元件，以便確定靠近或接觸顯示器的物體的位置。在觸屏傳感器領(lǐng)域，需要在不降低顯示器光學(xué)質(zhì)量或性質(zhì)的情況下改善對透明觸屏傳感器的電學(xué)特性的控制。典型觸屏傳感器的透明導(dǎo)電區(qū)域包括透明導(dǎo)電氧化物(TCO)(例如銦錫氧化物(ITO))的連續(xù)涂層，該涂層顯示具有基于電壓源的接觸位置和區(qū)域總體形狀的電勢梯度。該事實導(dǎo)致可能的觸摸傳感器設(shè)計和傳感器性能受到約束，并且需要通過昂貴的信號處理電子器件或設(shè)置額外的電極來改變電勢梯度。因此，需要對與上述因素?zé)o關(guān)的電勢梯度進(jìn)行控制的透明導(dǎo)電元件。
發(fā)明內(nèi)容一種觸摸傳感器或觸敏裝置，所述裝置具有使導(dǎo)電微圖案元件模糊或降低其可見度的特征。在一個實施例中對觸敏裝置作了描述，所述觸敏裝置包括具有觸摸界面和顯示界面的第一可見光透明基底，其中觸摸界面朝向觸摸輸入側(cè)設(shè)置，顯示界面朝向顯示器的輸出側(cè)設(shè)置；第二可見光透明基底，所述第二可見光透明基底具有第一表面和第二表面，還具有由設(shè)置在第二可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案構(gòu)成的觸摸感測區(qū)域，其中該微圖案包括寬度在約1微米和10微米之間的導(dǎo)體；其中第二可見光透明基底的第一表面朝向第一可見光透明基底的顯示界面設(shè)置；并且其中第一可見光透明基底包括降低微圖案的可見度的特征。在另一個實施例中對觸屏傳感器作了描述，所述觸屏傳感器包括設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的位于觸摸感測區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)電微圖案，其中該微圖案包括寬度在約1微米和10微米之間的導(dǎo)電跡線；用來降低微圖案的可見度的一種或多種微圖案模糊化特征。結(jié)合以下附圖對本發(fā)明的多個實施例的詳細(xì)說明，可以更全面地理解本發(fā)明，其中圖1示出了觸屏傳感器100的示意圖；圖2示出了觸屏感測區(qū)域內(nèi)對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域的透視圖；圖3示出了使用UV激光器固化導(dǎo)電性油墨以用于生成微導(dǎo)體的方法；圖4示出了用于生成微導(dǎo)體的凹版印刷法；圖5示出了填充有導(dǎo)電材料的微復(fù)制凹槽的剖視圖；圖6示出了與填充有導(dǎo)電材料的微復(fù)制凹槽電容耦合的手指；圖7示出了在柔性基底上制備的微導(dǎo)體的圖案，可用于制備觸摸傳感器；圖8示出了以順維方向印刷在柔性網(wǎng)材料上的平行微導(dǎo)體；圖9示出了圖8中的柔性材料的一部分，上面增加了額外的互連導(dǎo)體；圖10示出了由圖9中的兩層材料構(gòu)造的矩陣觸摸傳感器的實例的剖視圖；圖11示出了觸屏傳感器的一個實施例的導(dǎo)體微圖案；圖12示出了圖3所示導(dǎo)體微圖案的一部分，該部分包括具有用來調(diào)節(jié)局部薄層電阻的選擇性斷點的導(dǎo)電網(wǎng)格，以及具有觸摸墊形式的較大特征；圖13示出了沿圖3給定水平網(wǎng)格條的電阻調(diào)節(jié)，該調(diào)節(jié)通過鄰接的網(wǎng)格中的選擇性斷點生成；圖14為模擬圖3所示導(dǎo)體微圖案性質(zhì)的電路圖，其中電容極板被電阻元件隔開；圖15示出了觸屏傳感器一個實施例的導(dǎo)體微圖案，該微圖案包括具有不同薄層電阻標(biāo)記為15a-15e的區(qū)域，該區(qū)域部分地由導(dǎo)電微圖案網(wǎng)格內(nèi)的選擇性斷點生成；圖15a-15e各示出了圖15所示的變化的導(dǎo)體微圖案的一部分；圖16示出了與只含有均勻透明導(dǎo)電氧化物ITO的類似形狀區(qū)域的單位長度電阻相比時，沿著其內(nèi)具有區(qū)域15a和15b的楔形透明導(dǎo)電區(qū)域的長軸的單位長度電阻分布；圖17示出了層合在一起形成觸屏傳感器的一個實施例(X-Y網(wǎng)格型投射電容式觸屏傳感器)的各層的布置方式；圖18示出了根據(jù)圖17的觸屏傳感器的實施例的X層或Y層的導(dǎo)體微圖案；圖19示出了圖10所示導(dǎo)體微圖案的一部分，該部分包括接觸具有觸摸墊形式的較大特征的對可見光透明的導(dǎo)電網(wǎng)格，以及網(wǎng)格區(qū)域之間的空間內(nèi)的電氣絕緣導(dǎo)體沉積物；圖20示出了根據(jù)圖9的觸屏傳感器的另一個實施例的X層或Y層的導(dǎo)體微圖案；圖21示出了圖12給定導(dǎo)體微圖案的一部分，該部分包括接觸具有觸摸墊形式的較大特征的對可見光透明的導(dǎo)電網(wǎng)格，以及網(wǎng)格區(qū)域之間的空間內(nèi)的電氣絕緣導(dǎo)體沉積物；圖22示出了根據(jù)圖17的觸屏傳感器的另一個實施例的X層或Y層的導(dǎo)體微圖案；以及圖23示出了圖22給定導(dǎo)體微圖案的一部分，該部分包括接觸具有觸摸墊形式的較大特征的對可見光透明的導(dǎo)電網(wǎng)格，以及網(wǎng)格區(qū)域之間的空間內(nèi)的電氣絕緣導(dǎo)體沉積物。圖24示出了反映觸屏傳感器光學(xué)質(zhì)量的曲線圖，該圖為“開放區(qū)域百分比”與“導(dǎo)體跡線寬度(微米)”的關(guān)系圖，其中區(qū)域3具有可用于觸屏傳感器的良好光學(xué)質(zhì)量，區(qū)域2具有比區(qū)域3更佳的光學(xué)質(zhì)量，區(qū)域1具有三個區(qū)域中最佳的光學(xué)質(zhì)量。本文的開放區(qū)域百分比與開放區(qū)域比率可互換使用。圖25和圖26示出了實例6至40特征性的六邊形網(wǎng)格(有時稱為“六邊網(wǎng)格”)和方形網(wǎng)格的幾何形狀的掃描電子顯微圖。每一個圖像內(nèi)的光影線表示金屬導(dǎo)體的圖案，黑色區(qū)域表示實例中使用的基底。圖27、圖27a和圖27b示出了第一圖案化基底的各種部分；圖28、圖28a和圖28b示出了第二圖案化基底的各種部分；圖29示出了由圖27和圖28的第一圖案化基底和第二圖案化基底構(gòu)造的透明的投射電容式觸屏傳感器元件。圖30示出了觸屏感測區(qū)域內(nèi)對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域的透視圖；圖31示出了設(shè)置在手指和微圖案化微導(dǎo)體之間的微圖案模糊化特征。附圖未必按比例繪制。在附圖中使用的相同的標(biāo)號表示相同的部件。然而，應(yīng)當(dāng)理解，在給定附圖中使用標(biāo)號指示部件并非意圖限制另一個附圖中用相同標(biāo)號標(biāo)記的部件。具體實施例方式在下面的描述中，參考形成本說明之一部分的附圖，并且其中通過圖示說明若干具體實施例。應(yīng)當(dāng)理解，在不偏離本發(fā)明的范圍或精神的前提下可以設(shè)想其他的實施例并進(jìn)行實施。因此，以下的詳細(xì)描述不應(yīng)被理解成具有限定意義。除非另外指明，否則本文所用的所有科技術(shù)語具有在本領(lǐng)域中通常使用的含義。本文給定的定義旨在有利于理解本文頻繁使用的某些術(shù)語，并無限制本發(fā)明范圍之辰、ο除非另外指明，否則說明書和權(quán)利要求書中用來表述部件尺寸、數(shù)量和物理性質(zhì)的所有數(shù)字在所有情況下均應(yīng)理解為附有修飾詞“約”。因此，除有相反的指示，否則在上述說明書和所附權(quán)利要求書中列出的數(shù)值參數(shù)均為可根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員利用本文所公開的教導(dǎo)內(nèi)容而尋求獲得的所需性質(zhì)而改變的近似值。由端值表述的數(shù)值范圍包括該范圍內(nèi)的所有數(shù)字(如1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4禾Π5)以及該范圍內(nèi)的任何范圍。除非上下文另外明確指出，否則本說明書和所附權(quán)利要求書中所用的單數(shù)形式“一個”和“所述”涵蓋了具有復(fù)數(shù)指代的實施例。除非上下文另外明確指出，否則本說明書和所附權(quán)利要求書中使用的術(shù)語“或”的含義通常包括“和/或”。如本文所用，“可見光透明”是指對可見光的至少一種偏振態(tài)的透射水平為透射率至少60%，其中透射百分比歸一化為入射光強度(任選地為偏振光)。在“可見光透明”含義范圍之內(nèi)的是，透射至少60%入射光的制品包括局部阻止光線至透射率低于80%(如0%)的微觀特征(如點、正方形或線條，該微觀特征的最小尺寸(如寬度)在0.5微米和10微米之間，或在1微米和5微米之間)；然而，在這種情況下，對于包括微觀特征并且寬度為微觀特征最小尺寸1000倍的大致各向等大的區(qū)域，平均透射率為大于60%。本發(fā)明涉及觸屏傳感器，通過對其中所包括的導(dǎo)體微圖案進(jìn)行設(shè)計而改變該傳感器的電學(xué)特性和光學(xué)性質(zhì)。通過結(jié)合本文所述導(dǎo)體微圖案，為觸屏傳感器生成若干優(yōu)點。在一些實施例中，通過設(shè)計透明導(dǎo)電區(qū)域內(nèi)的透明導(dǎo)電性能來控制使用過程中觸摸感測區(qū)域內(nèi)的電勢梯度。這就簡化了信號處理電子器件，并且就某些類型的觸屏傳感器而言，簡化(或消除)了電勢梯度(電場)線性化另外需要的額外的導(dǎo)體圖案設(shè)計。在一些實施例中，將本文所述觸屏傳感器的電學(xué)特性設(shè)計成沿著透明傳感器元件產(chǎn)生受控的電勢梯度。如，將電學(xué)特性設(shè)計成在透明導(dǎo)電區(qū)域內(nèi)沿著特定方向產(chǎn)生線性電勢梯度，如果使用標(biāo)準(zhǔn)透明導(dǎo)體材料(如連續(xù)ITO涂層)，導(dǎo)電區(qū)域的整體形狀通常會導(dǎo)致非線性梯度。在一些實施例中，將電學(xué)特性設(shè)計成生成一定水平的非線性度以用于透明導(dǎo)電區(qū)域的電勢梯度，該非線性度水平高于形狀相同但由標(biāo)準(zhǔn)透明導(dǎo)體材料(如連續(xù)ITO涂層)構(gòu)成的透明導(dǎo)電區(qū)域應(yīng)當(dāng)具有的非線性度。更具體地講，對于包括鄰接的具有微圖案化導(dǎo)體形式的透明薄層導(dǎo)體的矩形電容式觸屏(其感測區(qū)域拐角處具有電連接)，通過設(shè)計薄層電阻值的區(qū)域分布和各向異性，使得電場分布更加均勻，可在水平方向和垂直方向改善整個感測區(qū)域的電勢梯度的線性度(和電場的均勻度)。在其他實施例中，傳感器包括由具有相同厚度(即高度)的相同導(dǎo)體材料構(gòu)成的導(dǎo)體元件，但由于微圖案化而具有不同的有效薄層電阻。如在一些實施例中，采用相同厚度(即高度)的相同導(dǎo)體材料生成限定第一微圖案幾何形狀的導(dǎo)電跡線，從而在透明導(dǎo)電區(qū)域內(nèi)導(dǎo)致第一水平的薄層電阻；并且生成限定第二微圖案幾何形狀的導(dǎo)電跡線，從而在第二透明導(dǎo)電區(qū)域內(nèi)導(dǎo)致第二水平的薄層電阻。如，通過在一些實施例(如基于微圖案化金屬導(dǎo)體的實施例)中避免使用稀有元素(例如銦)，本發(fā)明也允許在制造透明顯示傳感器過程中提高效率和資源利用率。本發(fā)明還涉及用于將信息或指令觸摸輸入電子裝置(如計算機、移動電話等)中的接觸傳感器或近程傳感器。這些傳感器對可見光透明，并且可以與顯示器直接組合使用，覆蓋在顯示元件上，并且與顯示器驅(qū)動裝置接口(作為“觸屏”傳感器)。傳感器元件具有片狀形式，并且包括至少一個電絕緣的可見光透明基底層，用來支承下列中的一者或多者i)網(wǎng)格圖案化到基底表面兩個不同區(qū)域上的導(dǎo)電材料(如金屬)，該基底表面具有兩種不同的網(wǎng)格設(shè)計，以生成具有不同的有效薄層電阻值的兩個區(qū)域，其中區(qū)域中的至少一個是位于傳感器的觸摸感測區(qū)域內(nèi)的透明導(dǎo)電區(qū)域；ii)以網(wǎng)格幾何形狀圖案化到基底表面上的導(dǎo)電材料(如金屬)，以便生成位于傳感器的觸摸感測區(qū)域內(nèi)、并顯示具有各向異性的有效薄層電阻的透明導(dǎo)電區(qū)域；和/或iii)在有效電連續(xù)的透明導(dǎo)電區(qū)域內(nèi)以網(wǎng)格幾何形狀圖案化到基底表面上的導(dǎo)電材料(如金屬)，該幾何形狀在該透明導(dǎo)電區(qū)域內(nèi)變化，以便在至少一個方向生成不同的局部有效薄層電阻值(如用于透明導(dǎo)電區(qū)域的連續(xù)可變的薄層電阻)，其中該透明導(dǎo)電區(qū)域位于觸摸傳感器的感測區(qū)域內(nèi)。觸摸傳感器的感測區(qū)域是旨在覆蓋的傳感器區(qū)域或覆蓋信息顯示器可見部分的區(qū)域，該區(qū)域?qū)梢姽馔该?，以便允許看到信息顯示器。信息顯示器的可見部分是指具有可變信息內(nèi)容的信息顯示器部分，如被像素(如液晶顯示器的像素)占據(jù)的顯示器“屏幕”的部分。本發(fā)明還涉及具有電阻的、電容的和投射電容的性質(zhì)的觸屏傳感器。對可見光透明的導(dǎo)體微圖案尤其可用于與電子顯示器一體化的投射電容式觸屏傳感器。作為投射電容式觸屏傳感器的元件，對可見光透明的導(dǎo)電微圖案可用于實現(xiàn)高觸摸靈敏度、多觸點檢測和觸筆輸入。如下文所述，通過控制構(gòu)成透明微圖案化導(dǎo)體的二維網(wǎng)格的幾何形狀，可以控制透明導(dǎo)電區(qū)域內(nèi)兩個或更多個不同水平的薄層電阻、薄層電阻的各向異性或可變水平的薄層電阻。雖然本發(fā)明并不如此受到限制，但通過討論下文提供的實例將獲得對本發(fā)明的各方面的理解。圖1示出了觸屏傳感器100的示意圖。觸屏傳感器100包括具有觸摸感測區(qū)域105的觸屏面板110。觸摸感測區(qū)域105電連接到觸摸傳感器驅(qū)動裝置120。觸屏面板110結(jié)合到顯示裝置中。圖2示出了對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域101的透視圖，該區(qū)域位于觸屏面板的觸摸感測區(qū)域(如圖1的觸摸感測區(qū)域105)內(nèi)。對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域101包括可見光透明基底130和設(shè)置在可見光透明基底130之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案140?？梢姽馔该骰?30包括主表面132，并且是電絕緣的?？梢姽馔该骰?30可由任何可用的電絕緣材料(例如玻璃或聚合物)形成?？捎糜诳梢姽馔该骰?30的聚合物的例子包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。導(dǎo)電微圖案140可由多個線形金屬特征形成。圖2也示出了坐標(biāo)系，用來描述位于觸屏面板的觸摸感測區(qū)域內(nèi)的對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域101。一般來講，就顯示裝置而言，X軸和y軸對應(yīng)于顯示器的寬度和長度，ζ軸通常沿著顯示器的厚度(即高度)方向。除非另外指出，本文將始終使用此規(guī)貝U。在圖2的坐標(biāo)系中，χ軸和y軸被定義為平行于可見光透明基底130的主表面132，并且可以對應(yīng)于方形或矩形表面的寬度方向和長度方向。ζ軸垂直于該主表面，并且通常沿著可見光透明基底130的厚度方向。形成導(dǎo)電微圖案140的多個線形金屬特征的寬度對應(yīng)于沿y軸線性延伸的平行線形金屬特征的χ方向距離，正交線形金屬特征的y方向距離對應(yīng)于正交線形金屬特征的寬度。線形金屬特征的厚度或高度對應(yīng)于ζ方向距離。在一些實施例中，位于觸屏面板的觸摸感測區(qū)域內(nèi)的對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域101包括兩層或更多層各具有導(dǎo)電微圖案140的可見光透明基底130。導(dǎo)電微圖案140沉積在主表面132上。由于傳感器將與顯示器連接以形成觸屏顯示器或觸摸面板顯示器，基底130對可見光透明，并且基本上平坦?；缀蛡鞲衅骺梢曰旧蠟槠教购腿嵝缘?。對可見光透明意味著可通過觸摸傳感器查看顯示器提供的信息(如文本、圖像或數(shù)字)?？梢詫崿F(xiàn)包括具有沉積金屬形式的導(dǎo)體的觸摸傳感器的可見性和透明性，如果將金屬沉積成適當(dāng)?shù)奈D案，甚至可以包括沉積成厚度足以阻擋光線的金屬。導(dǎo)電微圖案140包括至少一個對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域，該區(qū)域覆蓋提供信息的顯示器的可見部分。所謂“對可見光透明的導(dǎo)電”，是指可透過導(dǎo)電微圖案區(qū)域看到該部分顯示器，并且該微圖案區(qū)域在圖案的平面內(nèi)導(dǎo)電，或換句話說，沿著導(dǎo)電微圖案沉積在其上或與之相鄰的基底的主表面導(dǎo)電。優(yōu)選的導(dǎo)電微圖案包括具有二維網(wǎng)格(如方形網(wǎng)格、矩形(非方形)網(wǎng)格或正六邊形網(wǎng)絡(luò))的區(qū)域，其中導(dǎo)電跡線限定了網(wǎng)格內(nèi)封閉的開放區(qū)域，該區(qū)域未沉積與網(wǎng)格跡線電接觸的導(dǎo)體。本文將開放空間及其邊緣處的相關(guān)導(dǎo)體跡線稱為單元。網(wǎng)格單元的其他可用幾何形狀包括隨機單元形狀和不規(guī)則多邊形。在一些實施例中，限定導(dǎo)電微圖案的導(dǎo)電跡線被設(shè)計成在大于五個相鄰單元(優(yōu)選地四個相鄰單元，更優(yōu)選地三個相鄰單元，甚至更優(yōu)選地兩個相鄰單元)的邊緣組合長度的距離內(nèi)不包括大致直的區(qū)段。最優(yōu)選地，限定微圖案的跡線被設(shè)計成在大于單個單元的邊緣長度的距離內(nèi)不包括直的區(qū)段。因此，在一些實施例中，限定微圖案的跡線在長距離(如10厘米、1厘米、或甚至1毫米)內(nèi)不是直的。具有上述最短長度直線區(qū)段的圖案尤其可用于觸屏傳感器，其優(yōu)點是最大限度減少對顯示器可見度的影響。在考慮到導(dǎo)體材料光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)特性的情況下，可設(shè)計導(dǎo)電微圖案的二維幾何形狀(即在平面內(nèi)的幾何形狀或沿著基底主表面的幾何形狀)，以實現(xiàn)觸屏傳感器中可用的特殊透明導(dǎo)電性質(zhì)。例如，盡管導(dǎo)體材料的連續(xù)(未圖案化)沉積層或涂層具有按其體電阻率除以厚度計算的薄層電阻，但在本發(fā)明中，也通過使導(dǎo)體微圖案化來設(shè)計不同的薄層電阻水平。在一些實施例中，二維導(dǎo)電微圖案被設(shè)計成在傳感器的導(dǎo)電區(qū)域(如對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域)內(nèi)實現(xiàn)各向異性薄層電阻。所謂“各向異性薄層電阻”是指，當(dāng)沿兩個正交方向測量或建模時，導(dǎo)電微圖案的薄層電阻的數(shù)量級不同。相比之下，在一些實施例中，二維導(dǎo)電微圖案被設(shè)計成在傳感器的導(dǎo)電區(qū)域(如對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域)內(nèi)實現(xiàn)各向同性薄層電阻。所謂“各向同性薄層電阻”是指，如由兩個方向的寬度均為恒定的跡線形成的方形網(wǎng)格的情況，當(dāng)沿著平面內(nèi)任意兩個正交方向測量或建模時，導(dǎo)電微圖案的薄層電阻的數(shù)量級相同。區(qū)域內(nèi)各向異性的薄層電阻可包括的在一個方向的薄層電阻比正交方向的薄層電阻至少大10%(或者至少大25%、至少大50%、至少大100%、至少大200%、至少大500%、甚至至少大10倍)。在一些實施例中，區(qū)域內(nèi)各向異性的薄層電阻包括的在一個方向的薄層電阻比正交方向的薄層電阻大至少1.5的因子。在一些實施例中，區(qū)域內(nèi)各向異性的薄層電阻包括的在一個方向的薄層電阻比正交方向的薄層電阻大的因子在1.1和10之間，在其他實施例中在1.25和5之間，在又一些實施例中在1.5和2之間?？僧a(chǎn)生各向異性薄層電阻的導(dǎo)電微圖案幾何形狀的實例為具有固定的導(dǎo)電跡線寬度的大致矩形的微型網(wǎng)格(非正方形)。就這種矩形微型網(wǎng)格(非正方形)而言，各向異性的薄層電阻可由重復(fù)網(wǎng)格單元的幾何形狀所引起，該網(wǎng)格單元的一個邊緣比另一個邊緣長10%、長25%、長至少50%、長100%、甚至長10倍。通過改變不同方向的跡線寬度(如在其他高度對稱的網(wǎng)格單元圖案中)，可產(chǎn)生各向異性的薄層電阻。生成各向異性的薄層電阻的后一種方法的實例是導(dǎo)電跡線的方形網(wǎng)格(如間距200微米)，其中第一方向的跡線寬度為10微米，正交方向的跡線寬度為9微米、7.5微米、5微米、或甚至1微米。區(qū)域內(nèi)各向異性的薄層電阻可包括這樣的情形即一個方向具有有限的可量測的薄層電阻，另一個方向具有基本無限大的薄層電阻，就像平行導(dǎo)線圖案所產(chǎn)生的那樣。在一些實施例中，如上所述，區(qū)域內(nèi)各向異性的薄層電阻包括這樣的情形即第一方向具有有限的可量測的薄層電阻，在正交于第一方向的方向具有有限的可量測的薄層電阻。為了確定某個導(dǎo)電微圖案區(qū)域是否為各向同性或各向異性的，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會知道，必須相對于微圖案的尺度合理選擇所關(guān)注的區(qū)域的尺度，以進(jìn)行相應(yīng)的性質(zhì)量度或計算。如，一旦將導(dǎo)體完全圖案化，在導(dǎo)體上選擇在不同量度方向會產(chǎn)生薄層電阻差值的量度位置和尺度就不重要了。以下詳細(xì)說明的實例可更加清楚地說明這一點。如果考慮的是具有正方形網(wǎng)格的各向同性幾何形狀的導(dǎo)體圖案，該網(wǎng)格具有寬100微米的導(dǎo)體跡線和1毫米的間距(在網(wǎng)格內(nèi)形成900微米X900微米的正方形開口)，并且使用具有固定間距25微米(在外側(cè)兩個電流探針之間產(chǎn)生75微米的間距)的四個線性布置的探針沿正方形開口邊緣對其中一條跡線內(nèi)的薄層電阻進(jìn)行四點探針測量，則根據(jù)探針是否與跡線平行對齊或正交對齊，可以利用測得的電流值和電壓值算出不同的薄層電阻水平。因此，即使正方形網(wǎng)格幾何形狀會在比正方形網(wǎng)格單元尺寸更大的范圍內(nèi)產(chǎn)生各向同性的薄層電阻，仍然可以通過測量發(fā)現(xiàn)薄層電阻具有各向異性。因此，為了限定本發(fā)明的導(dǎo)電微圖案(如構(gòu)成網(wǎng)格的微圖案的對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域)的薄層電阻的各向異性，在其中對薄層電阻應(yīng)當(dāng)進(jìn)行測量或建模的相應(yīng)尺度大于網(wǎng)格單元的長度尺度，優(yōu)選地大于兩個單元的長度尺度。在一些情況下，在網(wǎng)格內(nèi)五個或更多個單元的長度尺度內(nèi)對薄層電阻進(jìn)行測量或建模，以顯示該網(wǎng)格的薄層電阻具有各向異性。與導(dǎo)電微圖案在某個區(qū)域內(nèi)的薄層電阻顯示具有各向異性的實施例相比之下，具有透明導(dǎo)電氧化物(如銦錫氧化物或ITO)薄膜的傳感器在相鄰導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)的薄層電阻顯示具有各向同性。在后一種情況下，可以像使用四點探針測量法在不同方向以不斷減小的探針間距對相鄰區(qū)域的薄層電阻進(jìn)行測量那樣進(jìn)行測量和建模，不同方向的相同電流和電壓讀數(shù)清楚地表明具有各向同性。在一些實施例中，二維導(dǎo)電微圖案被設(shè)計成當(dāng)在給定方向進(jìn)行測量時，在傳感器的兩個不同的圖案化導(dǎo)體區(qū)域?qū)崿F(xiàn)不同水平或量級的薄層電阻。如，相對于不同水平的薄層電阻，兩者中的較大者與較小者的比率可以大于1.25、大于1.5、大于2、大于5、大于10、甚至大于100。在一些實施例中，兩個薄層電阻值中的較大者與較小者的比率在1.25和1000之間，在其他實施例中在1.25和100之間，在其他實施例中在1.25和10之間，在其他實施例中在2和5之間。對于被視為與另一區(qū)域具有不同薄層電阻的區(qū)域，該區(qū)域的薄層電阻與其他區(qū)域的薄層電阻的比率可能大于或小于至少1.1。在一些實施例中，微圖案被設(shè)計成使電氣相鄰的兩個圖案化的導(dǎo)體區(qū)域?qū)崿F(xiàn)上述不同水平的薄層電阻，這就是說，這兩個圖案化的導(dǎo)體區(qū)域為沿著二者之間的邊界彼此電接觸的圖案化的導(dǎo)體區(qū)域。共享導(dǎo)電邊界的兩個圖案化的導(dǎo)體區(qū)域中的每一個都可以具有各自一致但再次不同的圖案幾何形狀。在一些實施例中，微圖案被設(shè)計成使電氣不相鄰的兩個不同的圖案化的導(dǎo)體區(qū)域?qū)崿F(xiàn)不同水平的薄層電阻，這就是說，這兩個圖案化的導(dǎo)體區(qū)域之間不共享二者沿著該邊界電接觸的邊界。不共享導(dǎo)電邊界的兩個圖案化的導(dǎo)體區(qū)域中的每一個都可以具有各自一致但再次不同的幾何形狀。對于電氣不相鄰區(qū)域，二者具有與相同的實心導(dǎo)體元件(如母線或墊)電接觸的圖案也在本發(fā)明范圍內(nèi)。在一些實施例中，微圖案被設(shè)計成使彼此電氣絕緣因而可被電信號獨立尋址的兩個區(qū)域?qū)崿F(xiàn)不同水平的薄層電阻。電氣絕緣的兩個網(wǎng)格區(qū)域中的每一個都可以具有一致但再次不同的圖案幾何形狀。最后，在一些實施例中，微圖案被設(shè)計成通過從(例如)電氣相鄰的兩個區(qū)域中的第一區(qū)域到第二區(qū)域產(chǎn)生連續(xù)變化的薄層電阻而使兩個不同的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)不同水平的薄層電阻。包括兩個在量度方向具有不同薄層電阻的區(qū)域的二維導(dǎo)電微圖案可用于在感測區(qū)域內(nèi)設(shè)計具有適合該區(qū)域的優(yōu)選薄層電阻水平(如每平方在5Ω和100Ω之間的較低薄層電阻，任選地包括可變或各向異性的薄層電阻)的對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域，并且可用于設(shè)計電氣元件，如，作為可以在感測區(qū)域以內(nèi)或以外的觸屏傳感器一部分的電阻元件，該電阻元件包括具有經(jīng)選擇最適合電阻器功能的薄層電阻(如在每平方在150Ω和1000Ω之間的較高薄層電阻)的薄層導(dǎo)體，該薄層電阻也可能最適合其他設(shè)計約束條件，如使電阻器所占面積最小化的約束條件。如上所述，在具有可測量或建模的有限薄層電阻的區(qū)域和方向內(nèi)的導(dǎo)電微圖案的薄層電阻可以在每平方0.01Ω至IMΩ的范圍內(nèi)，或在每平方0.1Ω至1000Ω的范圍內(nèi)，或在每平方1Ω至500Ω的范圍內(nèi)。在一些實施例中，導(dǎo)電微圖案的薄層電阻在每平方1Ω至50Ω的范圍內(nèi)。在其他實施例中，導(dǎo)電微圖案的薄層電阻在每平方5Ω至500Ω的范圍內(nèi)。在其他實施例中，導(dǎo)電微圖案的薄層電阻在每平方5Ω至100Ω的范圍內(nèi)。在其他實施例中，導(dǎo)電微圖案的薄層電阻在每平方5Ω至40Ω的范圍內(nèi)。在其他實施例中，導(dǎo)電微圖案的薄層電阻在每平方10Ω至30Ω的范圍內(nèi)。在指定可表征導(dǎo)電微圖案或?qū)щ娢D案區(qū)域的薄層電阻的過程中，如果微圖案或微圖案區(qū)域在任何方向都具有實現(xiàn)導(dǎo)電的給定數(shù)值的薄層電阻，則認(rèn)為該微圖案或微圖案區(qū)域具有該數(shù)值的薄層電阻。用于實現(xiàn)傳感器的透明度以及通過傳感器的顯示器的可見度的合適的導(dǎo)體微圖案具有某些屬性。首先，在透過其中觀察顯示器的導(dǎo)電微圖案區(qū)域中，被導(dǎo)體遮擋的傳感器面積比率應(yīng)小于50%、或小于25%、或小于20%、或小于10%、或小于5%、或小于4%、或小于3%、或小于2%、或小于1%、或在0.25至0.75%的范圍內(nèi)、或小于0.5%。導(dǎo)電微圖案或?qū)щ娢D案區(qū)域的開放區(qū)域比率(或開放區(qū)域或“開放區(qū)域百分比”)是指未被導(dǎo)體遮擋的微圖案面積或微圖案區(qū)域面積的比例。開放區(qū)域等于1減去被導(dǎo)體遮擋的面積比率，并且可以便利且互換地表達(dá)為小數(shù)或百分比。被導(dǎo)體遮擋的面積比率與微圖案化導(dǎo)體的線條密度互換使用。微圖案化導(dǎo)體與導(dǎo)電微圖案互換使用。因此，對于上一段給定的被導(dǎo)體遮擋的比率值，開放區(qū)域值大于50%、大于75%、大于80%,大于90%、大于95%、大于96%、大于97%、大于98%、大于99%、99.25%至99.75%,99.8%,99.85%,99.9%,甚至99.95%。在一些實施例中，導(dǎo)體微圖案區(qū)域的開放區(qū)域(如對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域)在80%和99.5%之間，在其他實施例中在90%和99.5%之間，在其他實施例中在95%和99%之間，在其他實施例中在96%和99.5%之間，在其他實施例中在97%和98%之間，在其他實施例中高達(dá)99.95%。相對于使用實用的制造方法可重復(fù)地實現(xiàn)可用的光學(xué)性質(zhì)(如高透射率和導(dǎo)電圖案元件的不可見性)和電學(xué)特性，開放區(qū)域的優(yōu)選值在90%和99.5%之間，更優(yōu)選地在95%和99.5%之間，最優(yōu)選地在95%和99.95%之間。為了將對于顯示器像素圖形的干涉減至最小并避免使用者或觀看者裸眼看到圖案元件(如導(dǎo)線)，導(dǎo)電圖案元件的最小尺寸(如導(dǎo)線或?qū)щ娵E線的寬度)應(yīng)小于或等于約50微米、或小于或等于約25微米、或小于或等于約10微米、或小于或等于約5微米、或小于或等于約4微米、或小于或等于約3微米、或小于或等于約2微米、或小于或等于約1微米、或小于或等于約0.5微米。在一些實施例中，導(dǎo)電圖案元件的最小尺寸在0.5微米和50微米之間，在其他實施例中在0.5微米和25微米之間，在其他實施例中在1微米和10微米之間，在其他實施例中在1微米和5微米之間，在其他實施例中在1微米和4微米之間，在其他實施例中在1微米和3微米之間，在其他實施例中在0.5微米和3微米之間，在其他實施例中在0.5微米和2微米之間。相對于可重復(fù)地實現(xiàn)可用的光學(xué)性質(zhì)(如高透射率和肉眼對導(dǎo)電圖案元件的不可見性)和電學(xué)特性，并且考慮到使用實用制造方法的約束條件，導(dǎo)電圖案元件的最小尺寸的優(yōu)選值在0.5微米和5微米之間，更優(yōu)選地在1微米和4微米之間，最優(yōu)選地在1微米和3微米之間。通常，沉積的導(dǎo)電材料會不可取地降低觸摸傳感器的透光率?；旧?，只要有導(dǎo)電材料沉積的地方，都會遮擋顯示器，影響使用者觀察顯示內(nèi)容。因?qū)щ姴牧显斐傻乃p度降低程度與導(dǎo)體微圖案內(nèi)被導(dǎo)體覆蓋的傳感器或傳感器區(qū)域的面積比率成比例。通常，期望透明的觸屏傳感器具有較低的霧度值。霧度是指與光通過介質(zhì)時的散射有關(guān)的性質(zhì)，如用Haze-Gard儀器(Haze-Gardplus，BYKGardner(Columbia，Maryland))測量的霧度。在一些實施例中，觸屏傳感器顯示具有的霧度小于10%、在一些實施例中小于5%、在一些實施例中小于4%、在一些實施例中小于3%、在一些實施例中小于2%。已經(jīng)公開的實施例實現(xiàn)了在包括導(dǎo)體微圖案的區(qū)域內(nèi)透射率(也稱為可見光透射率)高、霧度低和導(dǎo)體跡線可見度低的理想組合。因此，當(dāng)用作觸屏傳感器感測區(qū)域或顯示區(qū)域的一部分時，如當(dāng)微圖案覆蓋顯示器的可見區(qū)域時，導(dǎo)體微圖案尤其可用。在一些實施例中，為了在即使薄層電阻不均勻分布的情況下(如衍生自導(dǎo)電材料的不均勻網(wǎng)格)，也可以產(chǎn)生在整個可見顯示區(qū)上具有均勻透光率的對可見光透明的顯示傳感器，傳感器包括添加到導(dǎo)體微圖案上的絕緣的導(dǎo)體沉積物，該沉積物起到在整個圖案上保持透光率的均勻度的作用。這種絕緣的導(dǎo)體沉積物沒有連接到傳感器的驅(qū)動裝置(如電路或計算機)，因而不起電氣作用。例如，對于包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的金屬導(dǎo)體微圖案，其中第一區(qū)域具有由線寬為3微米、間距為200微米的正方形網(wǎng)格組成的網(wǎng)格(3%的區(qū)域被金屬遮擋，即開放區(qū)域為97%)，第二區(qū)域具有由線寬為3微米、間距為300微米的正方形網(wǎng)格組成的網(wǎng)格(2%的區(qū)域被金屬遮擋，即開放區(qū)域為98%)，通過在圖案中間距為300微米網(wǎng)格區(qū)域的每一個開放單元內(nèi)增加100個等間距的3微米X3微米金屬導(dǎo)體正方形，可以使第一區(qū)域和第二區(qū)域都具有均勻的平均透光率。這100個3微米X3微米的正方形(900平方微米)遮擋每一個300微米X300微米單元(90000平方微米)的額外的的面積，因而使第二區(qū)域的平均透光率等于第一區(qū)域的平均透光率?？稍谙噜?fù)该鲗?dǎo)電區(qū)域之間的空間區(qū)域(如包括二維網(wǎng)格或網(wǎng)絡(luò)形式的微圖案化導(dǎo)體的相鄰?fù)该鲗?dǎo)電區(qū)域)內(nèi)增加類似的絕緣的金屬特征，以便在整個傳感器(包括透明導(dǎo)電區(qū)域和它們之間的空間)上保持均勻的透光率。除了絕緣的導(dǎo)體正方形之外，用于實現(xiàn)光學(xué)均勻度的其他可用絕緣導(dǎo)體沉積物還包括圓形和線條。電氣絕緣的沉積物的最小尺寸(如正方形特征的長度、圓形特征的直徑或線形特征的寬度)可以小于10微米、小于5微米、小于2微米、或甚至小于1微米。相對于可重復(fù)地實現(xiàn)可用的光學(xué)性質(zhì)(如高透射率和導(dǎo)電圖案元件的不可見性)，電氣絕緣沉積物的最小尺寸優(yōu)選地在0.5微米和10微米之間，更優(yōu)選地在0.5微米和5微米之間，甚至更優(yōu)選地在0.5微米和4微米之間，甚至更優(yōu)選地在1微米和4微米之間，最優(yōu)選地在1微米和3微米之間。在一些實施例中，電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物的布置方式被設(shè)計成缺乏周期性。就限制與下面的顯示器的周期性像素圖形的不利的可見相互作用而言，缺乏周期性是優(yōu)選的。對于具有沉積物并且缺乏連接到解碼或信號發(fā)生和/或處理電子器件的微圖案元件的整個區(qū)域而言，要使電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物整體缺乏周期性，只需要讓其他周期性布置的沉積物的至少一部分設(shè)置在單個中斷處。這種電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物據(jù)說具有非周期性布置方式，或據(jù)說是非周期性布置的電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物。在一些實施例中，電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物被設(shè)計成缺乏間距小于10微米的直的平行邊緣，如邊緣長度為5微米的正方形沉積物的相對表面所出現(xiàn)的情況。更優(yōu)選地，絕緣的導(dǎo)體沉積物被設(shè)計成缺乏間距小于5微米的直的平行邊緣，更優(yōu)選地小于4微米，甚至更優(yōu)選地小于3微米，甚至更優(yōu)選地小于2微米。缺乏直的平行邊緣的電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物的實例有橢圓形、圓形、五邊形、七邊形和三角形。將電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物設(shè)計成缺乏直的平行邊緣起到使光衍射偽像最小化的作用，這種偽像會破壞集成了傳感器的顯示器的可觀看性。導(dǎo)電微圖案對光學(xué)均勻度的影響可以量化。如果將傳感器以及導(dǎo)體微圖案與顯示器可見區(qū)域重疊的總面積分段成1毫米X1毫米的區(qū)域的陣列，則在優(yōu)選傳感器包括的導(dǎo)體微圖案中，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于75%。更優(yōu)選地，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于50%。更優(yōu)選地，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于25%。甚至更優(yōu)選地，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于10%。如果將傳感器以及導(dǎo)體微圖案與顯示器可見區(qū)域重疊的總面積分段成5毫米X5毫米的區(qū)域的陣列，則在優(yōu)選傳感器包括的導(dǎo)體微圖案中，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于50%。優(yōu)選地，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于50%。更優(yōu)選地，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于25%。甚至更優(yōu)選地，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于10%。與透明導(dǎo)電氧化物(TCO)(例如ITO)相反，本發(fā)明有利地允許使用金屬作為透明導(dǎo)電傳感器中的導(dǎo)電材料。ITO具有某些缺陷，例如，在某些構(gòu)造中會產(chǎn)生與腐蝕相關(guān)的劣化，彎曲時往往會開裂，當(dāng)作為薄層電阻為每平方100Q至1000Q以下的涂層沉積時透射光的高度衰減(由于反射和吸收)，以及由于銦的稀缺性而增加的成本。ITO也難以沉積成具有均勻而可復(fù)制的電學(xué)特性，導(dǎo)致需要更復(fù)雜、更昂貴的電子器件連接到導(dǎo)體圖案以構(gòu)造觸屏傳感器。可用于形成導(dǎo)電微圖案的金屬的實例包括金、銀、鈀、鉬、鋁、銅、鎳、錫、合金，以及它們的組合。在一些實施例中，導(dǎo)體是透明的導(dǎo)電氧化物。在一些實施例中，導(dǎo)體是ITO。導(dǎo)體的厚度可以在5納米和5微米之間、或在10納米和500納米之間、或在15納米和250納米之間。在許多實施例中，導(dǎo)體厚度小于1微米。如本領(lǐng)域已知的那樣，導(dǎo)體的理想厚度可以從所需薄層電阻開始計算，并考慮微圖案的幾何形狀(進(jìn)而考慮其對平面內(nèi)的載流橫截面的影響)以及導(dǎo)體的體電阻率。對于幾何形狀復(fù)雜的微圖案，本領(lǐng)域存在可用于計算薄層電阻的計算方法，如有限差分法或有限元法，本文稱為微圖案屬性的建模?？墒褂枚喾N技術(shù)測量薄層電阻，其中包括本領(lǐng)域已知的四點探針技術(shù)和非接觸渦電流法?？梢约杀景l(fā)明的傳感器的可用顯示器的實例包括液晶顯示器、陰極射線管顯示器、等離子體顯示面板和有機發(fā)光二極管顯示器。根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)體圖案可通過任何合適的圖案化方法生成，如包括照相平版蝕刻法或照相平版與電鍍結(jié)合的方法(參見如美國專利No.5,126,007、美國專利No.5,492,611、美國專利No.6,775,907)。另外，導(dǎo)體圖案可利用若干其他示例性方法中的一種形成(下文將對每一種方法進(jìn)行詳細(xì)討論)1.掩模激光固化(將金屬薄膜上的掩模層固化，然后蝕刻)；2.噴墨印刷(掩模材料或種子材料的噴墨印刷，以用于后續(xù)的金屬電鍍)；3.凹版印刷(種子材料的凹版印刷，以用于后續(xù)的金屬電鍍)；4.微復(fù)制(在基底內(nèi)形成微凹槽，然后填充導(dǎo)電材料或種子材料，以用于后續(xù)的金屬電鍍)；or，5.微接觸印刷(在基底表面壓印或旋轉(zhuǎn)印刷自組裝單分子層(SAM)圖案)。利用大量的、高分辨率印刷方法通常可以精確設(shè)置導(dǎo)電元件，以及允許按適合市售顯示器像素的比例偽(隨機地)改變微導(dǎo)體，以限制其他可能出現(xiàn)的光學(xué)異常(例如莫爾條紋)。本文所述某些實施例可以采用比利用透明導(dǎo)體的現(xiàn)有傳感器透光率更高的平側(cè)“線狀”導(dǎo)體。在一些實施例中，這些平側(cè)“線狀”導(dǎo)體提供了比現(xiàn)有圓形導(dǎo)線解決方案更大的可量測性，并且更容易控制導(dǎo)體的布置方式。本文所述微導(dǎo)體包括最大橫截面尺寸為10微米或更小的導(dǎo)體。對于許多傳感器應(yīng)用，優(yōu)選小于3微米。采用掩模和蝕刻的方法通常會產(chǎn)生低縱橫比(0.05iim至0.5iim厚Xliim至lOiim寬)的微導(dǎo)體。微復(fù)制凹槽可產(chǎn)生高達(dá)大于11的較高縱橫比的微導(dǎo)體。掩模激光固化法可用于通過使用紫外線激光器選擇性地固化圖案來形成微導(dǎo)體。該方法通常適用于基于薄膜(例如PET)或玻璃的基底。示例性的掩模激光固化法可以包括下列步驟1.用金屬電鍍基底(例如，將銀或銅濺鍍到玻璃或PET薄膜上)；2.將UV固化性掩模油墨均勻涂布(例如，旋涂和浸涂)到電鍍的基底上；3.用激光器固化印刷油墨的一部分，以在觸摸傳感器的活動區(qū)域內(nèi)形成微導(dǎo)體電極，并且也可以固化連接電極與連接墊的(較寬)線條(可以通過光掩模減小激光器的光束寬度)；4.移除(洗掉)未固化油墨；以及5.通過蝕刻移除基底上電鍍的金屬，只留下掩模油墨下面的圖案?？刹捎脟娔∷⒎ê头N子油墨鍍敷法，用比較寬的種子油墨(催化劑油墨)線條來印刷所需圖案，然后用UV激光器(類似于上述掩模激光固化法)選擇性地固化，以形成微導(dǎo)體。該方法的基底可以為薄膜(例如PET)或玻璃。圖3a和圖3b示出了這種方法，借此1.將種子油墨66噴墨印刷到基底67上；2.用激光器65固化印刷油墨的一部分，以在觸摸傳感器的活動區(qū)域內(nèi)形成微導(dǎo)體電極68，并且也可以固化連接電極與連接墊的(較寬)線條(可以通過光掩模減小激光器的光束寬度)；3.移除(洗掉)未固化油墨；以及，4.對種子油墨的固化圖案進(jìn)行化學(xué)鍍(用導(dǎo)電金屬)。噴墨印刷法使所用的油墨量最小化，因此凡是油墨(例如種子油墨)昂貴的場合，應(yīng)當(dāng)考慮這種方法。如果油墨成本相對較低，則可用均勻涂布整個基底的另一種方法(例如，旋涂或浸涂)代替噴墨印刷法。用于上述種子油墨方法的噴墨印刷和電鍍的油墨材料禾口方法可得自ConductiveInkjetTechnologydivisionofCarcloTechnicalPlastics(Cambridge,UK)。凹版印刷法需要將有待印刷的圖像“蝕刻”到在滾筒上旋轉(zhuǎn)的金屬板內(nèi)。當(dāng)滾筒旋轉(zhuǎn)時，蝕刻表面被油墨所填充，然后當(dāng)填充油墨的蝕刻板和被印刷的薄膜彼此接觸時，油墨就會在薄膜表面上沉積。圖4示出了這種方法。該圖示出薄膜基底76上印刷有來自油墨池73的油墨線條74。壓印滾筒70緊貼印刷滾筒75滾動，印刷滾筒上具有被來自油墨池73的油墨填充的蝕刻槽72。這種方法可用來制備需進(jìn)一步加工的坯料，或可用來制備大容量傳感器的具體X部件或Y部件。種子油墨(或催化劑油墨)可以通過上述方法中的任何一種印刷。印刷和固化后，可將油墨與金屬(例如銅)化學(xué)鍍到一起，從而導(dǎo)致高導(dǎo)電率。種子油墨制造商包括ConductiveInkjetTechnologydivisionofCarcloTechnicalPlastics(Cambridge,UK)禾口QinetiQ公司(Farnborough,England)。CabotPrintableElectronicsandDisplays(Albuquerque,NM)制造可噴墨印刷的銀導(dǎo)電油墨。微復(fù)制是可用來形成微導(dǎo)體的又一種方法。圖5示出了填充或部分填充的微復(fù)制凹槽的剖視圖。凹槽可以先填充種子油墨81，然后再電鍍(參見金屬化層80)，以使其導(dǎo)電。或者，可用本身導(dǎo)電的油墨填充凹槽，從而無需電鍍工藝。第三種選擇是用金屬涂布基底，然后用掩模遮擋凹槽(底部)中的金屬部分，然后再通過蝕刻移除未遮擋的金屬(參見例如專利申請No.6l/07673l("MethodofFormingaMicrostructure"(形成微結(jié)構(gòu)的方法))和專利申請No.6l/076736("MethodofFormingaPatternedSubstrate"(形成圖案化基底的方法))。凹槽的實際形狀可被改變，以優(yōu)化橫截面形狀和尺寸，從而在確保高導(dǎo)電率和高產(chǎn)出率的同時，將光的干涉程度降至最低。填充后的微復(fù)制凹槽會形成相對于掩模金屬薄膜具有高縱橫比橫截面的導(dǎo)體。這樣可以在光學(xué)可見度最低的情況下實現(xiàn)最高的導(dǎo)電率(觀察方向狹窄的橫截面)。填充微復(fù)制凹槽的方法和具有高縱橫比的凹槽的理想形狀在在共同授予的美國專利申請US200701608l(Gaides等人)中有所描述。圖6示出了具有深度大于寬度的微復(fù)制電極的高縱橫比觸摸表面的剖視圖。在一個實施例中，深寬比大于11的微復(fù)制結(jié)構(gòu)會產(chǎn)生更好的性能。一般來講，微復(fù)制結(jié)構(gòu)的寬度越小，透過觸摸傳感器從顯示器射出的光就越多。此外，較深(而不是較寬)的凹槽會減小限制從第一表面進(jìn)入傳感器的光反射的表面區(qū)域。這些優(yōu)點是在不損失電容信號的情況下獲得的。圖6示出了與觸摸傳感器86的印刷銅電極87電容耦合的手指85，這種耦合不僅發(fā)生在傳感器的頂面，也發(fā)生在傳感器的側(cè)面。微接觸印刷是可用于形成微導(dǎo)體的又一種方法。微接觸印刷法是將自組裝單分子層(SAM)圖案壓印或旋轉(zhuǎn)印刷到基底表面上。該方法具有若干技術(shù)上重要的特征，包括形成非常微小比例的圖案(如十分之一微米大小的特征尺寸)以及圖案化單層向金屬、陶瓷和聚合物的圖案化擴展的能力。示例性微接觸印刷法的步驟如下1.用金屬涂布基底(例如，將銀或銅濺鍍或電鍍到玻璃或PET薄膜上)；2.將自組裝單分子層掩模壓印到電鍍基底上；以及，3.通過蝕刻移除基底上涂布的金屬，只留下掩模下面的圖案。微接觸印刷法在(例如)美國專利No.5,512,131(Kumar)和共同待審的3M專利申請No.61/032273("MethodsofPatterningaConductoronaSubstrate”(在基底上圖案化導(dǎo)體的方法))中有所描述。微接觸印刷通常不受基底的約束。例如，基底可以為PET、玻璃、PEN、TAC或不透明塑料。如本領(lǐng)域已知的，微接觸印刷法可與金屬沉積法結(jié)合使用，以產(chǎn)生添加的圖案化方法(例如，包括化學(xué)鍍)。圖7a示出了用于小電容觸屏的矩陣傳感器。兩個電極圖案(91和92)、互連線以及連接墊都印刷在柔性基底(例如PET)上。然后將兩個圖案組裝在一起，以在平行平面內(nèi)形成兩層電極，其中上層平面內(nèi)的電極正交于下層平面內(nèi)的導(dǎo)體，如圖所示(參見圖7b)。有時，需要在下層電極平面下方設(shè)置屏蔽層(未示出)。圖7所示圖案可以使用本文所述方法中的一種進(jìn)行印刷，并且使用單個印刷步驟同時印刷形成電極的<10ym的微導(dǎo)體和從電極向連接墊傳輸信號的互連線(通常>10um),而且連接墊本身也可以在同一印刷步驟中形成。例如，使用微接觸印刷法同時印刷相對于圖27所述3iim微導(dǎo)體和500iim導(dǎo)電跡線706。該具體實施例生成若干優(yōu)占.1.電極與互連線的對齊自動進(jìn)行，并且非常準(zhǔn)確；2.相比其他互連線印刷方法(例如導(dǎo)電油墨的絲網(wǎng)印刷)，互連線可印刷得更窄并且更密集的間距；以及3.相比現(xiàn)有互連線印刷方法(例如導(dǎo)電油墨的絲網(wǎng)印刷)，互連線厚度(垂直于基底平面)要小得多。較厚的互連線會在層合層之間引起可見的間隙，并且會降低層合層之間的密封性。圖8示出了具有位于基底96表面的平行微導(dǎo)體95的微復(fù)制和填充后的“毛坯”構(gòu)造材料。料片取向為垂直(97)?；卓梢詾镻ET、PEN或聚碳酸酯，微導(dǎo)體可以按本文和/或下列專利所公開的方法沉積在微復(fù)制凹槽中3M專利申請No.61/076731("MethodofFormingaMicrostracture”(形成微結(jié)構(gòu)的方法))和3M專利申請No.61/076736("MethodofFormingaPatternedSubstrate”(形成圖案化基底的方法))。在一個實施例中，微導(dǎo)體的間距優(yōu)選地在50iim和500iim之間。通過將所選微導(dǎo)體與印刷(如噴墨印刷或絲網(wǎng)印刷)電介質(zhì)連接在一起，可以將該坯料加工成觸摸傳感器元件(例如電極或屏蔽)，其中印刷電介質(zhì)具有絕緣跨接作用，使后印刷(例如噴墨印刷或絲網(wǎng)印刷)的導(dǎo)電性油墨(使用本文所述方法印刷)可以跨接一些微導(dǎo)體，并且只與所選微導(dǎo)體接觸。因此，可以制備圖9所示傳感器的互連線和連接墊，圖中示出了帶有穿過電介質(zhì)的通孔1000的噴墨印刷的電介質(zhì)表面1002，以及也通過噴墨印刷的導(dǎo)電跡線1001。雖然圖8和圖9示出了在基底料片方向印刷的微導(dǎo)體，但有時在垂直于基底料片方向印刷微導(dǎo)體是有利的。圖10示出了矩陣觸摸傳感器的實例的剖視圖，該傳感器由兩層微復(fù)制的微導(dǎo)體坯料和后印刷的隔離的兩層噴墨導(dǎo)電跡線構(gòu)成。最上層1010包括微復(fù)制的微導(dǎo)體；下一層1011為印刷的電介質(zhì)；下一層1012包括后處理的導(dǎo)體；下一層1013為粘合劑；下一層1014為后處理的導(dǎo)體；下一層1015為印刷的電介質(zhì)，并且最終層1016包括微復(fù)制的微導(dǎo)體。在一些實施例中，通過在否則為連續(xù)而均勻的網(wǎng)格內(nèi)的導(dǎo)電跡線中包括選擇性斷點，可以生成在至少一個方向具有不同薄層電阻的透明導(dǎo)電區(qū)域。此選擇性設(shè)置斷點的方法尤其可用于制備這樣的制品，該制品包括在整個制品上的透光率為均勻的對可見光透明的導(dǎo)電區(qū)域的圖案。初始網(wǎng)格可為各向同性或各向異性的。例如，可制作具有正方形微型網(wǎng)格的細(xì)長矩形透明導(dǎo)電條，以通過生成周期性系列斷點沿其長軸呈現(xiàn)出周期性的薄層電阻，斷點處于在長軸方向具有矢量分量的跡線中，并且周期性地在長軸方向。此薄層電阻的周期性可用于解碼矩形條附近物體(如手指)的位置。通過選擇跡線的寬度、厚度和面密度以及斷點總數(shù)，可設(shè)計沿透明導(dǎo)電元件的單位長度電阻的周期性變化，其特征在于單位長度電阻的峰值為單位長度電阻最小值的至少2倍，優(yōu)選地為其最小值的至少5倍，更優(yōu)選地為其最小值的至少10倍。在其他連續(xù)而均勻的網(wǎng)格內(nèi)包括選擇性斷點的其他實施例中，可設(shè)置斷點，以便在給定方向生成大致連續(xù)變化的薄層電阻。除了僅由元件總體形狀所生成的非線性度之外，連續(xù)變化的薄層電阻可用于擴大沿透明導(dǎo)電元件的電場的非線性度。例如，如本領(lǐng)域已知的那樣，對于以細(xì)長等腰三角形(該等腰三角形的底邊上施加有相對于其頂點的電勢)形式存在的具有均勻薄層電阻的透明導(dǎo)電元件，由于沿從底邊到頂點的電場方向的單位長度電阻存在梯度(由三角形變窄的寬度生成)，該導(dǎo)電元件呈現(xiàn)出從底邊到頂點的非線性電場。對于基于此類三角形透明導(dǎo)電元件的指狀交叉陣列的觸摸傳感器，有利的是電場的非線性度甚至更大，從而導(dǎo)致用來解碼陣列附近物體(如手指)位置的電路的信噪比也更大。通過選擇跡線的寬度、厚度和面密度以及斷點總數(shù)，可設(shè)計沿透明導(dǎo)電元件的單位長度薄層電阻，該電阻在1厘米以上的距離內(nèi)增加的比率為至少1.1、或至少1.2、或至少1.5、或至少2。在一些實施例中，通過在兩個區(qū)域中的每一個內(nèi)包括具有各自設(shè)計的相鄰網(wǎng)格，并且每一個網(wǎng)格不必包括選擇性設(shè)置的斷點，可在至少一個方向生成具有不同薄層電阻的兩個透明導(dǎo)電區(qū)域。設(shè)計方式導(dǎo)致在單個方向(如圖2的x方向)流過的電流具有不同薄層電阻值的兩個網(wǎng)格的實例包括兩個網(wǎng)格，這兩個網(wǎng)格具有相同厚度(圖2的z方向維度)的相同導(dǎo)電材料的沉積物，但在y方向具有不同的單位寬度載流橫截面積(圖2的y-z平面)。這樣一對網(wǎng)格區(qū)域的一個實例是兩個正方形網(wǎng)格區(qū)域，這兩個區(qū)域各包括寬度2微米但間距不同(如100微米和200微米)的導(dǎo)電跡線。這樣一對網(wǎng)格區(qū)域的另一個實例是兩個矩形網(wǎng)格區(qū)域(非正方形，一個方向間距為100微米，與之正交方向間距為200微米)，這兩個區(qū)域各包括寬度2微米但取向不同(如第一區(qū)域內(nèi)的矩形單元的長軸相對于第二區(qū)域內(nèi)的矩形單元的取向呈90度)的導(dǎo)電跡線。在一些實施例中，傳感器包括用來承載導(dǎo)體圖案的對可見光透明的絕緣基底層，該圖案包括對可見光透明的微圖案區(qū)域和具有不透明的較大特征的區(qū)域，其中對可見光透明的微圖案區(qū)域和較大特征區(qū)域包括相同導(dǎo)體(如金屬)在大約相同的厚度內(nèi)的圖案化沉積物。較大特征可以是(如)與對可見光透明的導(dǎo)電微圖案區(qū)域接觸的寬導(dǎo)電跡線，或用于接觸電子解碼、信號發(fā)生或信號處理裝置的墊?？捎幂^大特征與在相同絕緣層上對可見光透明的導(dǎo)電微圖案區(qū)域的組合寬度在(例如)25微米和3毫米之間、25微米和1毫米之間、25微米和500微米之間、25微米和250微米之間、或50微米和100微米之間。一種示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案，以及第二區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案在第一方向的第一薄層電阻值每平方在5Q和500Q之間，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。第二區(qū)域微圖案在第一方向具有不同于第一薄層電阻值的第二薄層電阻值。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案具有各向異性的第一薄層電阻，并且相互正交方向的薄層電阻值差的比率為至少1.5，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案，以及第二區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在1微米與4微米之間。第一區(qū)域微圖案的第一薄層電阻值在第一方向每平方在5Q和100Q之間，該微圖案對可見光透明，并且具有在96%和99.5%之間的開放區(qū)域。第二區(qū)域微圖案在第一方向具有不同于第一薄層電阻值的第二薄層電阻值。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案，以及第二區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案在第一方向的第一薄層電阻值每平方在5Q和500Q之間，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。第二區(qū)域微圖案在第一方向具有不同于第一薄層電阻值的第二薄層電阻值。該微圖案也包括電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物。對于位于對可見光透明的感測區(qū)域內(nèi)的所有1毫米X1毫米傳感器正方形區(qū)域，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于75%。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案，以及第二區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案在第一方向的第一薄層電阻值每平方在5Q和500Q之間，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。第二區(qū)域微圖案在第一方向具有不同于第一薄層電阻值的第二薄層電阻值。該微圖案也包括電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物。對于位于對可見光透明的感測區(qū)域內(nèi)的所有5毫米X5毫米傳感器正方形區(qū)域，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于50%。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在1微米與4微米之間。第一區(qū)域微圖案具有各向異性的第一薄層電阻，并且相互正交方向的薄層電阻值差的比率為至少1.5，該微圖案對可見光透明，并具有在96%和99.5%之間的開放區(qū)域。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案具有各向異性的第一薄層電阻，并且相互正交方向的薄層電阻值差的比率為至少1.5，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。該微圖案也包括電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物。對于位于對可見光透明的感測區(qū)域內(nèi)的所有1毫米XI毫米傳感器正方形區(qū)域，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于75%。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案具有各向異性的第一薄層電阻，并且相互正交方向的薄層電阻值差的比率為至少1.5，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。該微圖案也包括電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物。對于位于對可見光透明的感測區(qū)域內(nèi)的所有5毫米X5毫米傳感器正方形區(qū)域，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于50%。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。第一區(qū)域微圖案包括寬度在0.5微米和5微米之間的金屬線形導(dǎo)電特征。第一區(qū)域微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。對于第一區(qū)域微圖案的所有1毫米XI毫米正方形區(qū)域，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有正方形區(qū)域的平均值之差為大于75%。在一個實施例中，第一區(qū)域微圖案也包括電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物。在一個實施例中，金屬線形導(dǎo)電特征的厚度為小于500納米。在一個實施例中，第一區(qū)域微圖案在第一方向的第一薄層電阻值每平方在5Q和100Q之間。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。第一區(qū)域微圖案包括寬度在0.5微米和5微米之間的金屬線形導(dǎo)電特征。第一區(qū)域微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。對于第一區(qū)域微圖案的所有5毫米X5毫米正方形區(qū)域，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有正方形區(qū)域的平均值之差為大于50%。在一個實施例中，金屬線形導(dǎo)電特征的厚度為小于500納米。在一個實施例中，第一區(qū)域微圖案也包括電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案的第一薄層電阻值在第一方向每平方在5Q和100Q之間，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。該微圖案也包括電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物。對于位于對可見光透明的感測區(qū)域內(nèi)的所有1毫米XI毫米傳感器正方形區(qū)域，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于75%。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案的第一薄層電阻值在第一方向每平方在5Q和100Q之間，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。該微圖案也包括電氣絕緣的導(dǎo)體沉積物。對于位于對可見光透明的感測區(qū)域內(nèi)的所有5毫米X5毫米傳感器正方形區(qū)域，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有區(qū)域的平均值之差為大于50%。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案，以及第二區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案在第一方向的第一薄層電阻值每平方在5Q和500Q之間，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。第二區(qū)域微圖案在第一方向具有不同于第一薄層電阻值的第二薄層電阻值。該傳感器也包括設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的較大導(dǎo)電特征，該較大特征包括和微圖案中所包括的相同材料和厚度的連續(xù)導(dǎo)體沉積物，并且測得的最小尺寸為至少25微米。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案具有各向異性的第一薄層電阻，并且相互正交方向的薄層電阻值差的比率為至少1.5，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。該傳感器也包括設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的較大導(dǎo)電特征，該較大特征包括和微圖案中所包括的相同材料和厚度的連續(xù)導(dǎo)體沉積物，并且測得的最小尺寸為至少25微米。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案，以及第二區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案在第一方向的第一薄層電阻值每平方在5Q和500Q之間，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。第二區(qū)域微圖案在第一方向具有不同于第一薄層電阻值的第二薄層電阻值。該傳感器也包括設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的較大導(dǎo)電特征，該較大特征包括和微圖案中所包括的相同材料和厚度的連續(xù)導(dǎo)體沉積物，并且測得的最小尺寸為至少500微米。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。導(dǎo)電微圖案包括金屬線形導(dǎo)電特征，該特征的厚度為小于500納米，并且寬度在0.5微米與5微米之間。第一區(qū)域微圖案具有各向異性的第一薄層電阻，并且相互正交方向的薄層電阻值差的比率為至少1.5，該微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在95%和99.5%之間。該傳感器也包括設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的較大導(dǎo)電特征，該較大特征包括和微圖案中所包括的相同材料和厚度的連續(xù)導(dǎo)體沉積物，并且測得的最小尺寸為至少500微米。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。第一區(qū)域微圖案包括寬度在5微米和10微米之間的導(dǎo)電跡線。第一區(qū)域微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在90%和99.95%之間，開放區(qū)域優(yōu)選地在95%和99.95%之間，更優(yōu)選地在97%和98%之間。對于第一區(qū)域微圖案的所有5毫米X5毫米正方形區(qū)域，該區(qū)域當(dāng)中沒有一個被遮擋的面積比率與所有正方形區(qū)域的平均值之差為大于75%、優(yōu)選地為大于50%、更優(yōu)選地為大于25%、最優(yōu)選地為大于10%。在一個實施例中，第一區(qū)域微圖案包括寬度在0.5微米和5微米之間、優(yōu)選地在1微米和3微米之間的導(dǎo)電跡線。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。第一區(qū)域微圖案包括寬度在1微米和10微米之間的導(dǎo)電跡線。第一區(qū)域微圖案對可見光透明，并且開放區(qū)域在90%和99.5%之間。第一區(qū)域微圖案包括另外連續(xù)均勻網(wǎng)格內(nèi)的導(dǎo)電跡線中的選擇性斷點。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。第一區(qū)域微圖案包括寬度為約[X+0.5]微米的導(dǎo)電跡線，以及開放區(qū)域比率在約[95-X]%和99.5%之間，其中0《X《4.5。在一個實施例中，第一區(qū)域微圖案內(nèi)的觸屏傳感器的霧度值為小于10%并且透射率大于75%。在另一個實施例中，第一區(qū)域微圖案內(nèi)的觸屏傳感器的霧度值為小于5%并且透射率為大于85%。在一個實施例中，第一區(qū)域微圖案包括寬度在約[98.5-(2.5X+3.5)]%和[99.5_(X+3.5)]%之間的導(dǎo)電跡線，其中0《X《3.5。另一個示例性的觸屏傳感器包括可見光透明基底和設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案。微圖案包括觸摸感測區(qū)域內(nèi)的第一區(qū)域微圖案。第一區(qū)域微圖案包括間距為4mm、寬度為約9.6i!m的平行導(dǎo)電跡線，并形成99.75%的開放區(qū)域比率。微復(fù)制電極的該實施例包括寬度為約4iim至10iim、中心距為0.5mm至約5mm的平行導(dǎo)體。導(dǎo)體可以沿長度方向成形到PET基底網(wǎng)上，這樣導(dǎo)體長度可以大于lm。使用(例如)結(jié)合圖8和圖9所述的方法可以將成組的相鄰導(dǎo)體電氣互連，以形成總寬度1mm至12mm的電極。相鄰電極的導(dǎo)體可以如(例如)共同待審的美國專利申請公開No.20070074914中所公開的那樣彼此互連，以使得電極交叉在一起。鍾下文描述了示例性的觸屏傳感器設(shè)計。這些傳感器可使用已知的照相平版印刷法制造，如美國專利No.5,126,007或美國專利No.5,492,611中所述。導(dǎo)體可采用物理氣相沉積法(如濺射或蒸鍍)沉積，如本領(lǐng)域所已知的。除非另外指明，否則以下實例包括采用微接觸印刷技術(shù)圖案化的導(dǎo)體(參見上文以及另外共同待審的美國專利申請No.61/032,273中的技術(shù)說明)。如本領(lǐng)域所已知的(如美國專利No.4,087,625、美國專利No.5,386,219、美國專利No.6,297,811、W02005/121940A2)，當(dāng)連接到解碼電路時，本文舉例說明的每一種導(dǎo)體圖案都可作為透明觸屏傳感器使用。實例1將根據(jù)下文所述的金薄膜微圖案沉積到無色玻璃薄片(厚度大約1毫米)上。微圖案240如圖11和圖12所示。金層的厚度或高度為約100納米。微圖案240涉及一系列具有水平窄跡線242的水平(x軸)網(wǎng)格條241，測得跡線242寬度為大約2微米。這些水平網(wǎng)格跡線242中有四個與較大特征的觸摸墊260電氣連通。網(wǎng)格條寬度為大約6毫米。因此，在13個等間距的跡線244橫跨6毫米的寬度(y軸)、13個等間距的跡線242橫跨6毫米的長度(x軸)的情況下，跡線的正方形網(wǎng)格的間距為500微米。如圖12所示，某些跡線具有測量值為大約25微米的斷點250(為便于定位，圖中有所夸大)。對于間距為500微米、寬度為2微米的不透明跡線的正方形網(wǎng)格，不透明跡線的填充因子為0.80%,因此導(dǎo)致99.20%的開放區(qū)域。對于除了每隔500微米具有25微米斷點之外的相同的正方形網(wǎng)格，填充因子為0.78%，因此導(dǎo)致99.22%的開放區(qū)域。因此，該設(shè)計包括開放區(qū)域為99.22%的lmmX6mm區(qū)域和開放區(qū)域為99.20%的6mmX6mm區(qū)域。具有網(wǎng)格的玻璃制品的平均可見光透射率為約0.92X0.992=91%(與圖案的無導(dǎo)體沉積區(qū)域內(nèi)的透光率界面反射損耗有關(guān)的系數(shù)為0.92)。沿水平條方向，存在用四條金跡線連在一起的一系列完整的網(wǎng)格區(qū)域。假設(shè)濺射的金薄膜的有效體電阻率為5E-06Q-cm，則每一個2微米寬500微米長金薄膜段的電阻都為大約125Q。具有完整網(wǎng)格且用于在條方向通過電流的區(qū)域的有效薄層電阻每平方為大約115Q。連接具有完整網(wǎng)格的各區(qū)域的四條跡線在區(qū)域之間形成的電阻為大約62.5Q。導(dǎo)電跡線元件的上述布置導(dǎo)致沿圖13所示條方向空間上變化的單位長度電阻。圖14示出了水平網(wǎng)格條陣列的等效電路。該電路具有一系列由電阻器連接的板。實例2將根據(jù)下文所述的金薄膜微圖案沉積到無色玻璃薄片(厚度大約1毫米)上。微圖案340如圖15所示。金的厚度為約100納米。微圖案340具有一系列指狀交叉楔形或三角形的透明導(dǎo)電區(qū)域。每一個楔都由網(wǎng)格構(gòu)成，該網(wǎng)格由狹窄的金屬跡線342、344組成，測得跡線342和344(參見圖15a-圖15c)的寬度為大約2微米。測得網(wǎng)格楔在底部處的寬度為大約1厘米，長度為大約6厘米。跡線342和344的正方形網(wǎng)格間距為500微米。在楔內(nèi)的所選網(wǎng)格區(qū)域內(nèi)(參見圖15a-圖15b)，有意設(shè)置長度測量值為大約25微米的斷點350，以改變楔內(nèi)的局部薄層電阻，從而讓電流沿其長軸流過。如圖15a的區(qū)域15a和圖15b的區(qū)域15b(圖15中這些區(qū)域的間距為大約1厘米)所示，網(wǎng)格中包括斷點350，用來以大于1.2的系數(shù)增加長軸方向的薄層電阻?？傮w設(shè)計也包括區(qū)域15c(如圖15c所示)，該區(qū)域與區(qū)域15a和15b電氣絕緣并間隔開來，并且具有薄層電阻值小于區(qū)域15a和15b的網(wǎng)格。網(wǎng)格區(qū)域15c的開放區(qū)域比率為99.20%，而網(wǎng)格區(qū)域15a和15b的開放區(qū)域比率則分別為99.20%和99.21%。總體設(shè)計也包括區(qū)域15d和15e(如圖15d和圖15e所示)，這些區(qū)域的網(wǎng)格間距大于區(qū)域15a、15b和15c的網(wǎng)格間距，但跡線寬度相同，從而增加了薄層電阻和可見光透射率。圖16示出了如上所述改變網(wǎng)格特性對沿楔的電阻梯度的影響相對于在相同形狀的區(qū)域上使用標(biāo)準(zhǔn)ITO涂層的情況?？傮w設(shè)計也包括以沿圖案左右側(cè)的導(dǎo)電引線形式存在的較大導(dǎo)電特征，該引線寬大約1毫米，并且用厚大約100納米的金薄膜進(jìn)行圖案化。實例3圖17示出了觸屏傳感器的透明傳感器元件400。傳感器元件400包括兩個圖案化的導(dǎo)體層410和414(如X軸層和Y軸層)、兩個光學(xué)透明的粘合劑層412和416以及底板418，這些元件層合在一起，但為了清楚起見在圖17中將它們描繪為彼此分隔。層410和414包括透明導(dǎo)電網(wǎng)格條，其中一層在x軸方向取向，另一層在y軸方向取向，如圖2所示。底板418為面積6厘米X6厘米、厚度1毫米的玻璃片。合適的光學(xué)透明粘合劑為得自3M公司(St.Paul，Minnesota)的光學(xué)透明層合粘合劑8141(OpticallyClearLaminatingAdhesive8141)。X層和Y層中的每一個都可以使用具有金屬微圖案的透明聚合物薄膜。將根據(jù)下文所述的金薄膜微圖案沉積到PET薄片上。合適的PET基底包括得自DuPont(Wilmington，Delaware)的厚度測量值為大約125微米的ST504PET。微圖案440如圖18和圖19所示。金的厚度為約100納米。微圖案具有以一系列平行網(wǎng)格條442形式存在的透明導(dǎo)電區(qū)域。除了末端為用來連接電子器件(用于電容性檢測觸摸底板的手指)的正方形墊460(面積為大約2毫米X2毫米，具有厚度為大約100納米的金薄膜形式的連續(xù)導(dǎo)體)的網(wǎng)格條之外，還存在與該電子器件電氣絕緣的網(wǎng)格條441。絕緣的網(wǎng)格條441起到保持整個傳感器的光學(xué)均勻度的作用。每一個網(wǎng)格條都由網(wǎng)格構(gòu)成，該網(wǎng)格由狹窄的金屬跡線443制成，測得跡線443的寬度為大約5微米。測得每一個網(wǎng)格條的寬度為大約2毫米、長度為66毫米。每一個網(wǎng)格條內(nèi)都有寬度測量值為大約0.667毫米、長度測量值為12毫米的矩形單元。該網(wǎng)格設(shè)計起到在每一個網(wǎng)格條內(nèi)的長軸跡線之間提供連接線的作用，以在長軸跡線存在任何斷路缺陷的情況下保持沿網(wǎng)格條的電氣連通性。然而，與采用具有此類連接線的間距為0.667毫米的正方形網(wǎng)格相反，圖18和圖19的矩形網(wǎng)格以沿網(wǎng)格條的薄層電阻為代價提供了更為理想的透光率。更具體地講，圖18和圖19所示網(wǎng)格條和具有間距0.667毫米的正方形網(wǎng)格的2毫米寬網(wǎng)格條均具有沿網(wǎng)格條長軸方向基本相同的薄層電阻(每平方大約50Q)。然而，正方形網(wǎng)格會遮擋1.5%的透明導(dǎo)電區(qū)域，而圖18和圖19所示網(wǎng)格只遮擋0.8%的透明導(dǎo)電區(qū)域。實例4描述了用于觸屏傳感器的透明傳感器元件。如圖17所示，該傳感器元件包括兩個圖案化的導(dǎo)體層、兩個光學(xué)透明的粘合劑層和底板。測得底板為面積6厘米X6厘米、厚度1毫米的玻璃片，這些元件如圖17所示層合在一起。合適的光學(xué)透明粘合劑為得自3M公司的光學(xué)透明層合粘合劑8141(OpticallyClearLaminatingAdhesive8141)。X層和Y層中的每一個都可以使用具有金屬微圖案的透明聚合物薄膜。將根據(jù)下文所述的金薄膜微圖案沉積到PET薄片上。合適的PET基底包括得自DuPont的厚度測量值為大約125微米的ST504PET。微圖案540如圖20和圖21所示。金的厚度為100納米。微圖案540具有以一系列平行網(wǎng)格條542形式存在的透明導(dǎo)電區(qū)域。除了末端為用來連接電子器件(該電子器件用于電容性檢測觸摸底板的手指)的正方形墊560的網(wǎng)格條542之外，還存在與該電子器件電氣絕緣的直線段541。直線段541位于網(wǎng)格條542之間的區(qū)域內(nèi)，并具有與網(wǎng)格條基本相同的幾何形狀，不同的是其具有如圖13所示的大約25微米的斷點550。絕緣的線段541起到保持整個傳感器的光學(xué)均勻度的作用。每一個網(wǎng)格條542都由網(wǎng)格構(gòu)成，該網(wǎng)格由狹窄的金屬跡線制成，這些跡線的寬度測量值為大約5微米。測得每一個網(wǎng)格條542的寬度為大約2毫米、長度為66毫米。每一個網(wǎng)格條542內(nèi)都有寬度測量值為大約0.667毫米、長度測量值為12毫米的矩形單元。圖12和圖13所示網(wǎng)格542遮擋0.8%的透明導(dǎo)電區(qū)域。圖12和圖13所示絕緣的線段541也遮擋網(wǎng)格條542之間其所占區(qū)域的0.8%的面積。實例5描述了用于觸屏傳感器的透明傳感器元件。如圖17所示，該傳感器元件包括兩個圖案化的導(dǎo)體層、兩個光學(xué)透明的粘合劑層和底板。測得底板為面積6厘米X6厘米、厚度1毫米的玻璃片，這些元件如圖17所示層合在一起。合適的光學(xué)透明粘合劑為得自3M公司的光學(xué)透明層合粘合劑8141(OpticallyClearLaminatingAdhesive8141)。X層和Y層中的每一個都可以使用具有金屬微圖案的透明聚合物薄膜。將根據(jù)下文所述的金薄膜微圖案沉積到PET薄片上。合適的PET基底包括得自DuPont的厚度測量值為大約125微米的ST504PET。微圖案640如圖22和圖23所示。金的厚度為約100納米。微圖案640具有以一系列平行網(wǎng)格條642形式存在的透明導(dǎo)電區(qū)域。除了末端為用來連接電子器件(該電子器件用于電容性檢測觸摸底板的手指)的正方形墊660的網(wǎng)格條642之外，還存在與該電子器件電氣絕緣的直線段641。直線段641位于網(wǎng)格條之間的區(qū)域內(nèi)，并具有與網(wǎng)格條的線段類似的幾何形狀。電氣絕緣線段641起到保持整個傳感器的光學(xué)均勻度的作用。每一個網(wǎng)格條641、642都由網(wǎng)格構(gòu)成，該網(wǎng)格由狹窄的金屬跡線制成，該跡線的寬度為約3微米。測得每一個網(wǎng)格條642的寬度為大約2毫米、長度為66毫米。每一個網(wǎng)格條642內(nèi)都具有隨機成形的單元。圖22和圖23所示的網(wǎng)格642遮擋小于5%的透明導(dǎo)電區(qū)域。圖22和圖23所示的絕緣線段641也遮擋網(wǎng)格條之間小于其所占區(qū)域的5%的面積。m^Mim^mm^m,(tamne^4o)提供聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)(ST504,E.I.DuPontdeNemoursandCompany(Wilmington,Delaware))的聚合物薄膜基底。用Haze-Gard測定ST504PET薄膜的光學(xué)性質(zhì)。測得霧度和透光率分別為大約0.67%和92.9%。一些基底薄膜帶有金涂層，一些帶有銀涂層。涂金基底通過熱蒸鍍法制備(DV-502A,DentonVacuum(Moorestown,NewJersey))。對于涂金基底，基底表面首先涂布20埃的鉻，然后再涂布100納米的金。就涂銀基底而言，采用了兩種不同的方法。一些涂銀基底通過熱蒸鍍法制備(DV-502A，DentonVacuum(Moorestown,NewJersey))，一些則通過濺射法制備(3M)。在所有情況下基底表面都涂布100納米的銀。制造壓模采用照相平版印刷法在直徑10厘米的硅晶片上制備光致抗蝕劑(Shipleyl818，RohmandHaas公司(Philadelphia，Pennsylvania))的圖案，由此產(chǎn)生用于模制彈性體壓模的兩種不同的母模。不同的母?；诒疚姆Q之為“六邊形”和“正方形”的兩種不同的網(wǎng)格形狀。六邊形是指由限定具有正六邊形形狀的封閉區(qū)域的線條網(wǎng)絡(luò)組成的圖案。正方形是指由限定具有正方形形狀的封閉區(qū)域的線條網(wǎng)絡(luò)組成的圖案。通過將未固化的聚二甲基硅氧烷(PDMS，SylgardTM184，DowComing(MidlandMichigan))傾注在母模上形成大約3.0毫米的厚度，對照母模模鑄了彈性體壓模。通過將接觸母模的未固化有機硅暴露于真空中，除去氣體，然后將其在70°C下固化2小時。從母模上剝離后，得到具有浮雕圖案的PDMS壓模，其浮雕圖案具有高度大約1.8微米的凸起特征。對于六邊形網(wǎng)格和正方形網(wǎng)格壓模，其凸起特征為限定各自網(wǎng)格幾何形狀的線條，如上所述。纖將壓模背面(無浮雕圖案的平坦表面)與十八硫醇的乙醇溶液(“ODT”00005，TCIAMERICA(WellesleyHills,Massachusetts))接觸20小時。正方形網(wǎng)格圖案的壓模使用lOmM的ODT溶液，六邊形網(wǎng)格圖案的壓模使用5mM的ODT溶液。壓印用按上述方法著墨的壓模壓印金屬化聚合物薄膜基底。壓印時，首先將金屬化薄膜樣本的一個邊緣與壓模表面接觸，然后使用直徑大約3.0厘米的泡沫輥軋制薄膜，使之與整個壓模接觸，通過這種方式使薄膜與壓模面朝上的浮雕圖案表面接觸。軋制步驟需要的時間少于1秒。軋制步驟之后，讓基底與壓模接觸10秒。然后將基底從壓模剝離，該步驟需要的時間少于1秒。刪壓印之后，將具有印刷圖案的金屬化薄膜基底浸漬到蝕刻劑溶液中，以用于選擇性地進(jìn)行蝕刻和金屬圖案化。對于承載金薄膜的印刷金屬化薄膜基底，蝕刻劑含有1克硫脲(T8656，Sigma_Aldrich(St丄ouis，Missouri))、0.54毫升濃鹽酸(HX0603-75，EMDChemicals(Gibbstown,NewJersey))、0.5毫升過氧化氫(30%,5240-05，MallinckrodtBaker(Phillipsburg,NewJersey))禾P21克去離子水。為了使金薄膜圖案化，將印刷金屬化薄膜基底在蝕刻溶液中浸漬50秒。對于承載銀薄膜的印刷金屬化薄膜基底，蝕刻劑含有0.45克硫脲(T8656，Sigma-Aldrich(St.Louis,Missouri))、1.64克硝酸鐵(216828，Sigma-Aldrich(St.Louis,Missouri))和200毫升去離子水。為了使銀薄膜圖案化，將印刷金屬化薄膜基底在蝕刻溶液中浸漬3分鐘。在對金進(jìn)行圖案化蝕刻之后，使用由2.5克高錳酸鉀(PX1551-1，EMDChemicals(Gibbstown,NewJersey))、4克氫氧化鉀(484016，Sigma-Aldrich(St.Louis,Missouri))和100毫升去離子水配成的溶液對殘余的鉻進(jìn)行蝕刻。表征選擇性蝕刻和金屬圖案化之后，使用光學(xué)顯微鏡(型號ECLIPSELV100D，配有DS-Fil數(shù)字照相機和NIS-ElementsD軟件，Nikon(Melville,NewYork))、掃描電鏡(SEM,型號JSM-6400，JEOLLtd(Tokyo,Japan))禾PHaze-Gard(Haze_Gardplus，BYKGardner(Columbia,Maryland))對金屬圖案進(jìn)行表征。采用微觀技術(shù)確定金屬圖案中的線條特征的寬度。使用Haze-Gard確定網(wǎng)格涂布薄膜的透光率和霧度。HazeGard測定過程應(yīng)在使用光學(xué)透明粘合劑(3M產(chǎn)品)將玻璃上的圖案化薄膜層合之后進(jìn)行。指定高、中、低可見度因子，以描述金屬圖案中的線條特征的可見度(人用肉眼觀察)。實例6按照上述方法制備并表征金薄膜的六邊形網(wǎng)格圖案。油墨溶液含有溶解在乙醇CN102016766A說明書23/31頁中的濃度為5mM的十八硫醇。用油墨溶液接觸壓模背面20小時。壓印時間為10秒。圖1給定完成的金薄膜微圖案拍攝的SEM顯微圖。測得實際線條寬度為大約1.63微米。根據(jù)測得的線條寬度和400微米的邊緣到邊緣設(shè)計寬度重新計算開放區(qū)域百分比，結(jié)果為99.2%。利用Haze-Gard測定六邊形網(wǎng)格涂金薄膜的光學(xué)性質(zhì)。測得霧度和透光率分別為大約1.14%和91.6%。該實例被指定為高可見度，因為可易于看到線條寬度1.63微米、邊緣到邊緣寬度400微米的金六邊形網(wǎng)格圖案。實例7至15按照實例1所述方法制備并表征金薄膜的六邊形網(wǎng)格圖案。使用SEM測量每一個實例的實際線條寬度，結(jié)果列在表1中。然后根據(jù)實際線條寬度和邊緣到邊緣設(shè)計寬度重新計算開放區(qū)域百分比，結(jié)果列在表1中。表1也給定了使用Haze-Gard測得的每一個實例的霧度值和透光率值，以及分配到每一個實例的可見度因子。實例16按照上述方法制備并表征金薄膜的正方形網(wǎng)格圖案。油墨溶液含有溶解在乙醇中的濃度為10mM的十八硫醇。用油墨溶液接觸壓模背面20小時。壓印時間為10秒。使用光學(xué)顯微鏡測得實際線條寬度為大約4.73微米。根據(jù)測得的線條寬度和320微米的設(shè)計間距重新計算開放區(qū)域百分比，結(jié)果為97.0%。利用Haze-Gard測定正方形網(wǎng)格涂金薄膜的光學(xué)性質(zhì)。測得霧度和透光率分別為大約1.58%和88.6%。該實例被指定為高可見度，因為可易于看到線條寬度4.73微米、間距320微米的金正方形網(wǎng)格圖案。實例17-23按照實例11所述方法制備并表征金薄膜的正方形網(wǎng)格圖案。使用光學(xué)顯微鏡測量每一個實例的實際線條寬度，結(jié)果列在表1中。然后根據(jù)實際線條寬度和設(shè)計間距重新計算開放區(qū)域百分比，結(jié)果列在表1中。表1也給定了使用Haze-Gard測得的每一個實例的霧度值和透光率值，以及分配到每一個實例的可見度因子。實例24按照上述方法制備并表征銀薄膜的六邊形網(wǎng)格圖案。涂銀基底通過濺射法制備。油墨溶液含有溶解在乙醇中的濃度為5mM的十八硫醇。用油墨溶液接觸壓模背面20小時。壓印時間為10秒。圖2給定完成的銀薄膜微圖案拍攝的SEM顯微圖。測得實際線條寬度為大約2.43微米。根據(jù)測得的線條寬度和600微米的邊緣到邊緣設(shè)計寬度重新計算開放區(qū)域百分比，結(jié)果為99.2%。利用Haze-Gard測定六邊形網(wǎng)格涂銀薄膜的光學(xué)性質(zhì)。測得霧度和透光率分別為大約1.19%和91.8%。該實例被指定為高可見度，因為可易于看到線條寬度2.43微米、邊緣到邊緣寬度600微米的銀六邊形網(wǎng)格圖案。實例25至32按照實例19所述方法制備并表征銀薄膜的六邊形網(wǎng)格圖案。使用SEM測量每一個實例的實際線條寬度，結(jié)果列在表1中。然后根據(jù)實際線條寬度和邊緣到邊緣設(shè)計寬度重新計算開放區(qū)域百分比，結(jié)果列在表1中。表1也給定了使用Haze-Gard測得的每一個實例的霧度值和透光率值，以及分配到每一個實例的可見度因子。實例33按照上述方法制備并表征銀薄膜的正方形網(wǎng)格圖案。涂銀基底通過熱蒸鍍法制備。油墨溶液含有溶解在乙醇中的濃度為lOmM的十八硫醇。用油墨溶液接觸壓模背面2620小時。壓印時間為10秒。使用光學(xué)顯微鏡測得實際線條寬度為大約5.9微米。根據(jù)測得的線條寬度和320微米的設(shè)計間距重新計算開放區(qū)域百分比，結(jié)果為96.3%。利用Haze-Gard測定六邊形網(wǎng)格涂銀薄膜的光學(xué)性質(zhì)。測得霧度和透光率分別為大約1.77%和88.9%。該實例被指定為高可見度，因為可易于看到線條寬度5.9微米、間距320微米的銀正方形網(wǎng)格圖案。實例34-40按照實例28所述方法制備并表征銀薄膜的正方形網(wǎng)格圖案。使用光學(xué)顯微鏡測量每一個實例的實際線條寬度，結(jié)果列在表1中。然后根據(jù)實際線條寬度和設(shè)計間距重新計算開放區(qū)域百分比，結(jié)果列在表1中。表1也給定了使用Haze-Gard測得的每一個實例的霧度值和透光率值，以及分配到每一個實例的可見度因子。表權(quán)利要求1.一種觸敏裝置，包括第一可見光透明基底，所述第一可見光透明基底具有觸摸界面和顯示界面，所述觸摸界面朝向觸摸輸入側(cè)設(shè)置，而所述顯示界面朝向顯示器的輸出側(cè)設(shè)置；第二可見光透明基底，所述第二可見光透明基底具有第一表面和第二表面，還具有由設(shè)置在所述第二可見光透明基底之上或之內(nèi)的導(dǎo)電微圖案構(gòu)成的觸摸感測區(qū)域，其中所述導(dǎo)電微圖案包括寬度在約1微米和10微米之間的導(dǎo)體；其中所述第二可見光透明基底的所述第一表面朝向所述第一可見光透明基底的所述顯示界面設(shè)置；并且其中所述第一可見光透明基底包括降低所述微圖案的可見度的特征。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸敏裝置，其中所述特征包括防?；虿诿婢麑?。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸敏裝置，其中所述顯示器為液晶顯示器或有機發(fā)光二極管顯不器。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的觸敏裝置，其中所述特征包括線偏振器。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的觸敏裝置，其中所述特征包括圓偏振器。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的觸敏裝置，其中所述特征包括具有40%和90%之間的透光率的反差濾光器。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的觸敏裝置，其中所述特征包含光散射元件。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸敏裝置，其中所述散射元件包括隨機或偽隨機取向的小面。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的觸敏裝置，其中所述小面具有大于所述導(dǎo)體的寬度的尺寸。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸敏裝置，其中所述散射元件包括凸起。11.一種觸屏傳感器，包括設(shè)置在可見光透明基底之上或之內(nèi)的位于觸摸感測區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)電微圖案，其中所述導(dǎo)電微圖案包括寬度在約1微米和10微米之間的導(dǎo)電跡線；以及用來降低所述微圖案的可見度的一種或多種微圖案模糊化特征。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸屏傳感器，其中所述微圖案模糊化特征位于與所述可見光透明基底不同的基底內(nèi)。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸屏傳感器，其中所述微圖案模糊化特征中的至少一者包括線偏振器。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸屏傳感器，其中所述微圖案模糊化特征中的至少一者包括圓偏振器。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸屏傳感器，其中所述微圖案模糊化特征中的至少一者包括具有40%和90%之間的透光率的反差濾光器。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸屏傳感器，其中所述微圖案模糊化特征中的至少一者包含一個或多個光散射元件。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的觸屏傳感器，其中所述散射元件包括隨機或偽隨機取向的小面。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的觸屏傳感器，其中所述小面具有大于所述導(dǎo)電跡線的寬度的尺寸。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的觸屏傳感器，其中所述散射元件包括凸起。20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸屏傳感器，其中所述觸摸感測區(qū)域?qū)梢姽馔该鳎⑶揖哂性?0%和99.95%之間的開放區(qū)域。21.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸屏傳感器，其中所述微圖案模糊化特征包含防?；虿诿婢麑?。22.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸屏傳感器，其中所述微圖案模糊化特征包含在所述微圖案內(nèi)的偽隨機變化。23.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸屏傳感器，其中所述導(dǎo)電微圖案為觸敏導(dǎo)電微圖案。全文摘要本發(fā)明涉及一種具有導(dǎo)電微圖案的觸屏傳感器，所述觸屏傳感器包括一種或多種特征，所述一種或多種特征用來使所述導(dǎo)電微圖案模糊化或降低所述導(dǎo)電微圖案的可見度。文檔編號G06F3/044GK102016766SQ200980114049公開日2011年4月13日申請日期2009年2月26日優(yōu)先權(quán)日2008年2月28日發(fā)明者伯納德·O·杰亞甘,愛德華·S·哈格莫澤申請人:3M創(chuàng)新有限公司