專利名稱：存儲(chǔ)卡以及存儲(chǔ)卡的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)卡及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)介質(zhì)的一種，使用內(nèi)置有存儲(chǔ)芯片的存 儲(chǔ)卡。另外，由于在便攜性方面的優(yōu)勢(shì)，存儲(chǔ)卡作為便攜式信息終端、及 移動(dòng)電話等便攜式電子設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)而被廣泛應(yīng)用。而且，從提高便攜 性等觀點(diǎn)出發(fā)，伴隨著對(duì)這些便攜式電子設(shè)備的小型化及薄型化的要求， 希望存儲(chǔ)卡也進(jìn)一步小型化。而且，因?yàn)榇鎯?chǔ)卡的形狀、大小、厚度等都 由規(guī)格確定，所以在滿足規(guī)格的同時(shí)謀求實(shí)現(xiàn)其大容量化。
因此，已公開了這樣一種技術(shù)，即，在搭載于引線框上的存儲(chǔ)芯片上 錯(cuò)開層疊另一塊存儲(chǔ)芯片。而且，將兩塊存儲(chǔ)芯片的電極及搭載于引線框 上的控制芯片的電極通過(guò)金屬線連接于引線框，從而使存儲(chǔ)卡薄型化(例 如，參照專利文獻(xiàn)l)。
但是，在專利文獻(xiàn)l的存儲(chǔ)卡中，由于層疊存儲(chǔ)芯片而使其在薄型化 方面受到限制，而且結(jié)構(gòu)也變得復(fù)雜。另外，由于存儲(chǔ)芯片和控制芯片對(duì) 引線框的安裝是通過(guò)引線接合法進(jìn)行的，所以，在安裝后，有必要將這些 各芯片、金屬線、引線框等通過(guò)熱固化性樹脂等密封。此時(shí)，由于需要充
分覆蓋存儲(chǔ)芯片;s^金屬線的厚度的密封層，因此，存儲(chǔ)卡的小型化和薄型
化受到限制。另外，由于除安裝步驟外需另外的密封步驟，因此，在降低 成本方面也受到限制。
另一方面，作為存儲(chǔ)芯片、控制芯片等半導(dǎo)體芯片的安裝方法，已知
一種夾著突起(bump )而對(duì)半導(dǎo)體芯片的電極和電路基板的電極進(jìn)行^
的倒裝芯片安裝的方法.倒裝芯片安裝是通過(guò)附著在電路J41的電極上的 樹脂將半導(dǎo)體芯片向電路皿按壓，并在該狀態(tài)下通過(guò)使樹脂固化而將半 導(dǎo)體芯片安裝在電路基昧上的方法。由此，可以不需要覆蓋被安裝的半導(dǎo)
體芯片等的密封層，與專利文獻(xiàn)l中的存儲(chǔ)卡相比，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、薄 型化。此時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)卡的薄型化，要求將存儲(chǔ)芯片和控制芯片等不 層疊而是平面地配置在電路I41上，為了實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)卡的小型化，要求將這 些半導(dǎo)體芯片相互接近地配置。
但是，在倒裝芯片安裝中，在將半導(dǎo)體芯片向電路1^1上按壓時(shí)，半 導(dǎo)體芯片下方的樹脂在半導(dǎo)體芯片的周圍擴(kuò)散，并在該狀態(tài)下固化。因此，
若將多個(gè)半導(dǎo)體芯片例如以小于等于lmm的距離接近配置，則一側(cè)的半 導(dǎo)體芯片的安裝所使用的樹脂會(huì)被擠出直到在其周圍配置的其他的半導(dǎo)體 芯片的安裝預(yù)定區(qū)域并固化。另外，已經(jīng)附著在其他的半導(dǎo)體芯片的安裝 預(yù)定區(qū)域的樹脂層會(huì)在一側(cè)的半導(dǎo)體芯片固化時(shí)變質(zhì)。其結(jié)果就是，難以 在安裝預(yù)定區(qū)域中安裝其他的半導(dǎo)體芯片。另一方面，如果為了避免樹脂 層的擠出、變質(zhì)，而將多個(gè)半導(dǎo)體芯片以大于lmm的距離配置，就不能 實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)卡的小型化。這樣，由于很難將半導(dǎo)體芯片接近到某種程度(例 如lmm)以下進(jìn)行安裝，因此，在存儲(chǔ)卡的小型化方面受到限制。 專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-13738號(hào)7>才艮

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的存儲(chǔ)卡，具有電路基板；夾著突起而安裝在電路基板的主 面上的第一半導(dǎo)體芯片；與第一半導(dǎo)體芯片之間設(shè)置有小于等于lmm的 間隙、并夾著突起安裝在電路WL的主面上的第二半導(dǎo)體芯片；覆蓋與第 一半導(dǎo)體芯片M的突起周圍，并介于第一半導(dǎo)體芯片和電路;^1之間的
第一密封樹脂層；覆蓋與第二半導(dǎo)體芯片接合的突起周圍，并介于第二半 導(dǎo)體芯片和電路a之間的第二密封樹脂層；在電路a的所述主面一側(cè)， 覆蓋第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片的蓋部。
通過(guò)該結(jié)構(gòu)，能夠使結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)略化，并能夠?qū)崿F(xiàn)小型且薄型的存儲(chǔ)卡。
另外，本發(fā)明的存儲(chǔ)卡的制造方法，具有下述步驟a)在電路I4l的 主面上形成第一密封樹脂層的步驟，b)在電路M的主面上形成第二密封 樹脂層的步驟，c)將第一半導(dǎo)體芯片經(jīng)由第一密封樹脂層向電路基板的主 面按壓，并夾著突起將第一半導(dǎo)體芯片電連接于電路基板，并使第一密封 樹脂層固化的步驟，d)與c)并行地將第二半導(dǎo)體芯片隔著第二密封樹脂 層向電路基歐的主面按壓，并夾著突起而將第二半導(dǎo)體芯片電連接于電路 1，并使第二密封樹脂層固化的步驟，e)在電路基板的主面一側(cè)通過(guò)蓋 部覆蓋笫一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片的步驟。
通過(guò)該方法，，能夠容易地制造生產(chǎn)效率優(yōu)良、可靠性高的小型且薄 型的存儲(chǔ)卡。


圖l是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的構(gòu)造的俯視圖。 圖2是在圖1的2-2線位置剖切的剖視圖。
圖3是說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的制造方法的流程圖。
圖4A是說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的制造方法的主 要步驟的剖視圖。
圖4B是說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的制造方法的主 要步驟的剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的構(gòu)造的俯視圖。 圖6是在圖5的6-6線位置剖切的剖視圖。
圖7是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的其他的例子的俯 視圖。
圖8是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的構(gòu)造的俯視圖。 圖9是在圖8的9-9線位置剖切的剖視圖。
圖10是說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的制造方法的流 程圖。
圖ll是本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡的剖視圖, 符號(hào)說(shuō)明
1、 la、 lc、 ld存儲(chǔ)卡 3第一半導(dǎo)體芯片
5第二半導(dǎo)體芯片
7蓋部
21上面
23線狀凸部
33、 53、 83突起
42第二密封樹脂層
71凹部
92加熱器
221外部電極
2電路絲 4密封樹脂層 6芯片部件 8第三半導(dǎo)體芯片 22下面 24線狀凹部 41笫一密封樹脂層 43笫三密封樹脂層 91按壓工具
211、 212、 213、 214電極
具體實(shí)施例方式
下面，對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施方式，邊參照附圖邊進(jìn)行^兌明。此外，存在 對(duì)同樣的元件標(biāo)注同樣的符號(hào)，并省略說(shuō)明的情況。 (第一實(shí)施方式)
圖1是表示本發(fā)明的笫一實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡1的構(gòu)造的俯視圖。 圖2是將存儲(chǔ)卡1在圖1的2-2線的位置剖切的剖視圖。此外，在圖1中， 為了容于理解存儲(chǔ)卡l的內(nèi)部構(gòu)造，關(guān)于蓋部7，僅通過(guò)虛線表示其輪廓， 關(guān)于下面的圖5、圖7及圖8也一樣。
在本實(shí)施方式中，存儲(chǔ)卡1是SD存儲(chǔ)卡(Secure Digital memory card, 安全數(shù)碼卡)。通常，存儲(chǔ)卡1的長(zhǎng)度和寬度(圖1中的左右方向和上下 方向的大小)M度(圖2中的上下方向的大小)分別大于等于14.9mm 且小于等于15.1mm、大于等于10.9mm且小于等于ll.lmm及大于等于 0.9mm且小于等于l.lmm。另外，為了方便起見(jiàn)，將圖2中的上側(cè)及下側(cè) 分別作為存儲(chǔ)卡1的上側(cè)及下側(cè)進(jìn)行說(shuō)明，下面各實(shí)施方式中也是相同的。
如圖1和圖2所示，存儲(chǔ)卡1具有大致矩形的電路基板2;夾著球 形突起33(即"釘頭突起"，以下簡(jiǎn)稱為"突起")安裝在電路M2的 上側(cè)的主面(以下，記作"上面")21上的第一半導(dǎo)體芯片3;夾著突起 53而安裝在電路基板2的上面21上的第二半導(dǎo)體芯片5;介于第一半導(dǎo)體 芯片3、第二半導(dǎo)體芯片5及電路J412之間的密封樹脂層4;使用軟釬料 安裝在電路基板2的上面21上的電阻等的微細(xì)的芯片部件6;在電路M 2的上面21 —側(cè)覆蓋第一半導(dǎo)體芯片3、第二半導(dǎo)體芯片5、密封樹脂層4 和芯片部件6的蓋部7。此外，存儲(chǔ)卡1在安裝有第一半導(dǎo)體芯片3和第2 半導(dǎo)體芯片5的位置的存儲(chǔ)卡1的厚度大于等于0.6mm且小于等于 0.8mm。
電路基昧2是相當(dāng)于FR-4.5的玻璃樹脂基敗，厚度大于等于O.lmm 且小于等于0.4mm。如圖2所示，電路皿2在上面21上具有接合有第 一半導(dǎo)體芯片3的電極211、 M有第二半導(dǎo)體芯片5的電極212及接合 有芯片部件6的電極213。而且，電路1^2在其下面22上具有用于與外 部的電子設(shè)備連接的多個(gè)外部電極221。外部電極221經(jīng)由從電路基板2 的下面22連通到上面21的通孔(未圖示)與設(shè)在上面21上的布線電連接。
第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5是棵芯片，其厚度分別大于等 于0.05! 111且小于等于0.3111加。在這里，第一半導(dǎo)體芯片3是存儲(chǔ)信息的 存儲(chǔ)芯片，第二半導(dǎo)體芯片5是控制第一半導(dǎo)體芯片3的控制芯片。而且， 在電路J^L2上，為了不使第二半導(dǎo)體芯片5和第一半導(dǎo)體芯片3重疊， 將第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5以在其間設(shè)置例如大于Omm且 小于等于lmm的間隙的方式配置。此時(shí)，在存儲(chǔ)卡1的電路基板2上， 僅安裝有第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5。第一半導(dǎo)體芯片3具有形成于下面的電極上的突起33，突起33通過(guò) 密封樹脂層4與電路14SL2的電極211連接。同樣，笫二半導(dǎo)體芯片5具 有形成于下面的電極上的突起53，突起53通過(guò)密封樹脂層4與電路基板2 的電極212連接。
在本實(shí)施方式中，密封樹脂層4是通過(guò)將例如膜狀的樹脂材料等非導(dǎo)
電性樹脂膜(NCF (Non-Conductive Film ))貼付在電路基板2的上面21 上而形成的。在下面的說(shuō)明中，將密封樹脂層4中的覆蓋接合于第一半導(dǎo) 體芯片3的突起33的周圍并且介于第一半導(dǎo)體芯片3和電路ljfel2之間的 部位記作"第一密封樹脂層41"。另外，將覆蓋接合于第二半導(dǎo)體芯片5 的突起53的周圍并且介于第二半導(dǎo)體芯片5和電路基板2之間的部位記作 "第二密封樹脂層42"。而且，在存儲(chǔ)卡1中，作為第一密封樹脂層41 和第二密封樹脂層42是由例如NCF等同 一種樹脂材料連續(xù)設(shè)置而形成的。
蓋部7具有例如是由通過(guò)環(huán)氧樹脂等形成的成形部件構(gòu)成的、收納第 一半導(dǎo)體芯片3、第二半導(dǎo)體芯片5、密封樹脂層4和芯片部件6的凹部 71。蓋部7通過(guò)其凹部71的開口安裝在電路M2上。
以下，使用附圖3和圖4A、圖4B說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的 存儲(chǔ)卡1的制造方法。圖3是說(shuō)明存儲(chǔ)卡1的制造方法的流程圖，圖4A 和圖4B是說(shuō)明存儲(chǔ)卡1的制造方法的主要步驟的剖視圖。此外，圖4A和 圖4B與圖2 —樣，表示將存儲(chǔ)卡1在圖1的2-2線位置剖切的剖視圖。
首先，如圖4A所示，在第一半導(dǎo)體芯片3的下面的電極上形成突起 33 (步驟Sll)。接下來(lái)，在第二半導(dǎo)體芯片5的下面的電極上形成突起 53 (步驟S12 )。
接下來(lái)，在電路U12的上面21上，在安裝第一半導(dǎo)體芯片3的含有 預(yù)定的多個(gè)電極211的區(qū)域(以下，記作"第一安裝區(qū)域，，)和安裝第二 半導(dǎo)體芯片5的含有預(yù)定的多個(gè)電極212的區(qū)域(以下，記作"笫二安裝 區(qū)域，，)上貼付NC形成密封樹脂層(步驟S13)。在這里，在電路1412 的上面21的第一安裝區(qū)域上貼付NCF形成第一密封樹脂層41，與其并行 地，在第二密封區(qū)域上貼付與第一密封樹脂層41同一種類的NCF形成第 二密封樹脂層42。即，密封樹脂層4由第一密封樹脂層41和第二密封樹 脂層42構(gòu)成。
接下來(lái)，通過(guò)安裝裝置(未圖示)的芯片保持部，與電路基板2的上 面21相對(duì)地保持第一半導(dǎo)體芯片3的下面。將芯片保持部相對(duì)于電路141 2移動(dòng)從而調(diào)整第一半導(dǎo)體芯片3的位置。由此，突起33隔著第一密封樹
脂層41 (密封樹脂層4)與電極211相對(duì)。而且，使芯片保持部下降，從 而將笫一半導(dǎo)體芯片3安裝在電路基板2上。另外，通過(guò)同樣的動(dòng)作將第 二半導(dǎo)體芯片5隔著第二密封樹脂層42 (密封樹脂層4 )安裝在電路J4！ 2上。
之后，如圖4B所示，通過(guò)按壓工具91將第一半導(dǎo)體芯片3和笫二半 導(dǎo)體芯片5隔著對(duì)應(yīng)的第一密封樹脂層41和第二密封樹脂層42朝向電路 1412的上面21按壓。同時(shí)，在將第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5 向電路基敗2按壓的狀態(tài)下，通過(guò)設(shè)在按壓工具91上的加熱器92進(jìn)行加 熱。
由此，笫一半導(dǎo)體芯片3夾著突起33與電路基板2電連接，并且，使 第一密封樹脂層41固化從而將笫一半導(dǎo)體芯片3與電路基t!2接合、安裝。 同時(shí)，與第一半導(dǎo)體芯片3的安裝并行進(jìn)行，第二半導(dǎo)體芯片5夾著突起 53與電路皿2電連接，并且，使第二密封樹脂層42固化從而將第二半 導(dǎo)體芯片5與電路 12接合、安裝(步驟S14)。
接下來(lái)，如圖2所示，經(jīng)由附著在電路基板2的上面21的電極213 上的軟釬料搭載芯片部件6并進(jìn)行回流焊。由此，將芯片部件6的電極和 電路基板2的電極213接合、安裝(步驟S15 )。
接下來(lái)，將蓋部7通過(guò)其凹部71的開口安裝到電路基&2上。由此， 在電路^2的上面21側(cè)，第一半導(dǎo)體芯片3、第二半導(dǎo)體芯片5、密封 樹脂層4和芯片部件6被蓋部7覆蓋，制成存儲(chǔ)卡l (步驟S16)。
如上述說(shuō)明，根據(jù)本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡1，將笫一半導(dǎo)體芯片3和第 二半導(dǎo)體芯片5夾著突起33、 53隔著密封樹脂層4，并行同時(shí)倒裝芯片安 裝在電路^L2上。此時(shí)，能夠?qū)⒌谝话雽?dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5 以在其間i殳置例如大于0mm且小于等于lmm的間隙的方式配置。
這樣，由于能夠4吏第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5相接近地在 沿電路M2的上面21的方向上并列安裝，因此，能夠得到結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化、小 型化且薄型的存儲(chǔ)卡l。另外，在厚度等已標(biāo)準(zhǔn)化的存儲(chǔ)卡1中，能夠避 免以往由于電路基仗2、第一半導(dǎo)體芯片2和第二半導(dǎo)體芯片5的層疊所 必需的過(guò)度薄型化。其結(jié)果就是，提高了對(duì)抗變形等的機(jī)械強(qiáng)度，能夠得 到具有優(yōu)良可靠性的存儲(chǔ)卡。
另一方面，在以往的存儲(chǔ)卡中，在將半導(dǎo)體芯片例如通過(guò)引線接合法 安裝在電路141上的情況下，在安裝后，有必要^L置將半導(dǎo)體芯片和電線 通過(guò)例如粘度較低的熱固化性樹脂等進(jìn)行密封的步驟。因此，有在電路基 板的上面?zhèn)?，由于覆蓋半導(dǎo)體芯片等所進(jìn)行的熱固化型樹脂的成形， 一體 形成存儲(chǔ)卡的蓋部的情況。
與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，將第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片 5，夾著突起33、 53倒裝芯片安裝在電路基板2上。因此，并非必須通過(guò) 粘度較低的熱固化性樹脂等密封第一半導(dǎo)體芯片3和笫二半導(dǎo)體芯片5等， 或形成蓋部。其結(jié)果就是，提高了對(duì)于蓋部7的材料、形成方法的選擇的 自由度。另外，通過(guò)對(duì)第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5進(jìn)行倒裝芯 片安裝，與引線接合法安^目比，提高了安裝時(shí)的連接的可靠性。而且因 為通過(guò)由第一密封樹脂層41和第二密封樹脂層42構(gòu)成的密封樹脂層4將 第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5安裝在電路1^L上，所以，可以省 略另行密封兩半導(dǎo)體芯片和電路基板2的電連接部的步驟，并能夠簡(jiǎn)化存 儲(chǔ)卡1的制造。
另外，在本實(shí)施方式中，因?yàn)榈谝幻芊鈽渲瑢?1和第二密封樹脂層 42都是密封樹脂層4的一部分，所以，能夠使用同一種樹脂材料相互連續(xù) 地形成。由此，能夠進(jìn)一步簡(jiǎn)化存儲(chǔ)卡1的制造方法。另外，因?yàn)槟軌蛲?過(guò)將例如由膜狀的樹脂材料構(gòu)成的NCF貼付在電路基fe 2的上面21上而 形成密封樹脂層4，所以，能夠進(jìn)一步簡(jiǎn)化存儲(chǔ)卡1的制造。而且，通過(guò) 設(shè)為由預(yù)先形成的成形部件構(gòu)成的蓋部7覆蓋第一半導(dǎo)體芯片3和第二半 導(dǎo)體芯片5等的構(gòu)造，由此，與通過(guò)熱固化性樹脂、熱可塑性樹脂等密封 而形成蓋部的情況相比，能夠更加簡(jiǎn)化存儲(chǔ)卡1的制造。
另外，根據(jù)本實(shí)施方式，因?yàn)椴⑿型瑫r(shí)安裝第一半導(dǎo)體芯片3和笫二 半導(dǎo)體芯片5，所以，能夠避免一側(cè)的半導(dǎo)體芯片的安裝對(duì)另一側(cè)半導(dǎo)體 芯片的安裝的影響，能夠?qū)蓚€(gè)半導(dǎo)體芯片良好地安裝在電路基板2上。
也就是i兌，能夠?qū)⑾率鰡?wèn)題防患于未然，即在第一半導(dǎo)體芯片的安裝后進(jìn) 行第二半導(dǎo)體芯片的安裝的情況下，因?yàn)榈谝话雽?dǎo)體芯片的第一密封樹脂
層向第二密封樹脂層擠出并固化而導(dǎo)致的不能安裝第二半導(dǎo)體芯片的問(wèn) 題。
此外，在本實(shí)施方式中，以第一密封樹脂層41和第二密封樹脂層42 是通過(guò)同一種樹脂材料等相互連續(xù)形成的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限定于 此。例如，也可以分別形成第一密封樹脂層41和第二密封樹脂層42。也 就是說(shuō)，與對(duì)電路M 2的第一安裝區(qū)域形成第一密封樹脂層41連續(xù)地、 在電路J412的上面21的第二安裝區(qū)域貼附NCF，形成第二密封樹脂層 42。而且，也可以通過(guò)互不相同的樹脂材料形成笫一密封樹脂層41和第二 密封樹脂層42。
另外，在本實(shí)施方式中，在通過(guò)軟，接合對(duì)第一半導(dǎo)體芯片3和笫 二半導(dǎo)體芯片5進(jìn)4亍倒裝芯片安裝的情況下，也可以通過(guò)以下的方法進(jìn)行 安裝。即，在將第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5通過(guò)軟4f^M在 電路1412上以后，在電路1412和笫一半導(dǎo)體芯片3及第二半導(dǎo)體芯片 5之間并行同時(shí)注入密封樹脂，可密封兩半導(dǎo)體芯片和電路基板2的電連 接部。由此，因?yàn)槟軌蛟谄溟g設(shè)置小于等于lmra的間隙地對(duì)第一半導(dǎo)體 芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5進(jìn)行安裝，所以能夠簡(jiǎn)化構(gòu)造，得到小型且薄 型的存儲(chǔ)卡l。
(第二實(shí)施方式)
下面使用圖5和圖6說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡。 圖5是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡la的構(gòu)造的俯視圖。
圖6是將存儲(chǔ)卡la在圖5的6-6線的位置剖切后的剖視圖。
如圖5和圖6所示，存儲(chǔ)卡la在圖1和圖2所示的存儲(chǔ)卡1的構(gòu)成的
基礎(chǔ)上，還具有夾著突起83而安裝在電路J412的上面21上的、例如存
儲(chǔ)芯片等的第三半導(dǎo)體芯片8。其他的構(gòu)造與圖1和圖2相同，附加相同
的符號(hào)進(jìn)行說(shuō)明。
如圖5和圖6所示，在存儲(chǔ)卡la中，第一半導(dǎo)體芯片3、第二半導(dǎo)體
芯片5和第三半導(dǎo)體芯片8沿電路1412的上面21排列成直線狀。而且， 配置第三半導(dǎo)體芯片8,其與第一半導(dǎo)體芯片3之間設(shè)置例如小于等于 lmm的間隙。而且，第三半導(dǎo)體芯片8具有在其下面的電極上所形成的突 起83，該第三半導(dǎo)體芯片8經(jīng)由突起83并通過(guò)密封樹脂層4與電路M 2 的電極214掩^ (包括保持接觸的狀態(tài))。在以下的內(nèi)容中，將密封樹脂 層4中的、覆蓋接合于第三半導(dǎo)體芯片8的突起83的周圍并且介于第三半 導(dǎo)體芯片8和電路基昧2之間的部分記作"笫三密封樹月旨層43"。
以下，與笫一實(shí)施方式同樣地參照?qǐng)D3說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉 及的存儲(chǔ)卡la的制造方法。
首先，在笫一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5的下面的電極上形成 突起33、 53 (步驟Sll)。另外，在第三半導(dǎo)體芯片8的下面的電極上形 成突起83 (步驟S12 )。
接下來(lái)，在電路基板2的上面21上，將NCF貼附在第一安裝區(qū)域、 第二安裝區(qū)域和安裝有第三半導(dǎo)體芯片8且包含有預(yù)定的多個(gè)電極214的 區(qū)域(以下記作"第三安裝區(qū)域")從而形成密封樹脂層4 (步驟S13)。
接下來(lái)，通過(guò)安裝裝置(未圖示)的芯片保持部對(duì)第一半導(dǎo)體芯片3 進(jìn)行保持并將其安裝在電路基板2上。而且，通過(guò)芯片保持部將第二半導(dǎo) 體芯片5和第三半導(dǎo)體芯片8也同樣地順次安裝在電路W12上。 ， 通過(guò)按壓工具將笫一半導(dǎo)體芯片3、第二半導(dǎo)體芯片5和笫三半導(dǎo)體芯片8 經(jīng)由密封樹脂層4向電路1412的上面21按壓、加熱。由此，將笫一半導(dǎo) 體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5同時(shí)安裝在電路^2上(步驟S14)。而 且，與此同時(shí)，將第三半導(dǎo)體芯片8也安裝在電路基板2上。通過(guò)上述各 步驟，完成了三個(gè)半導(dǎo)體芯片的安裝。
然后，在將芯片部件6通過(guò)軟M接合在電路基板2上后，將蓋部7 安裝在電路I412上。由此，在電路M2的上面21側(cè)，第一半導(dǎo)體芯片 3、第二半導(dǎo)體芯片5、第三半導(dǎo)體芯片8、密封樹脂層4和芯片部件6被 蓋部7覆蓋，制成存儲(chǔ)卡la (步驟S15、 S16)。
如上述說(shuō)明，本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡la，為了不使第一半導(dǎo)體芯片3和
笫二半導(dǎo)體芯片5重疊而在兩者之間設(shè)置例如大于Omm且小于等于lmm 的間隙地配置。而且，為了不使第一半導(dǎo)體芯片3和第三半導(dǎo)體芯片8重 疊而兩者之間i炎置例如大于0mm且小于等于lmm的間隙地配置。由此， 與第一實(shí)施方式相同地，在簡(jiǎn)化構(gòu)造的同時(shí)，能夠得到小型且薄型的存儲(chǔ) 卡la。
另夕卜，在本實(shí)施方式中，因?yàn)榈谝幻芊鈽渲瑢?1、第二密封樹脂層42 和第三密封樹脂層43分別是密封樹脂層4的一部分，所以，能夠通過(guò)同一 種類的樹脂材料相互連續(xù)地形成。由此，能夠筒化存儲(chǔ)卡la的制造方法。 另夕卜，因?yàn)槟軌蛲ㄟ^(guò)將例如膜狀的樹月旨材料即NCF貼附在電路基板2的上 面21上而形成密封樹脂層4，所以，能夠進(jìn)一步簡(jiǎn)化存儲(chǔ)卡la的制造。 而且，與第一實(shí)施方式同樣地，作為蓋部7^f吏用成形部件，由此，能夠進(jìn) 一步簡(jiǎn)化存儲(chǔ)卡la的制造。
另夕卜，根據(jù)本實(shí)施方式，因?yàn)閷⒌谝话雽?dǎo)體芯片3、第二半導(dǎo)體芯片5 和第三半導(dǎo)體芯片8并行地同時(shí)安裝在電路a2上，所以，能夠避免一 側(cè)的半導(dǎo)體芯片的安裝對(duì)另一側(cè)的半導(dǎo)體芯片的安裝施加的影響，并能夠 良好地將三個(gè)半導(dǎo)體芯片安裝在電路1412上。
此外，在本實(shí)施方式中，以將第一半導(dǎo)體芯片3、第二半導(dǎo)體芯片5 和第三半導(dǎo)體芯片8配置成直線狀的例子進(jìn)行說(shuō)明，但是并不限定于此。 例如，如圖7其他的例子所示的存儲(chǔ)卡lb,也可以將第三半導(dǎo)體芯片8與 第一半導(dǎo)體芯片3并排配置，并將第二半導(dǎo)體芯片5相對(duì)于第三半導(dǎo)體芯 片8和第一半導(dǎo)體芯片3以例如大于0mm且小于等于lmm的間隙接近配 置。
另外，在本實(shí)施方式中，以將三個(gè)半導(dǎo)體芯片安裝在電路基板上的例 子進(jìn)行說(shuō)明，但是不限定于此。例如，也可以將四個(gè)以上的半導(dǎo)體芯片安 裝在電路J412的上面21上。即便在這種情況下，從存儲(chǔ)卡la的小型化 的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選，在相互接近的半導(dǎo)體芯片之間設(shè)置例如大于O mm且 小于等于lmm的間隙進(jìn)行配置。 (第三實(shí)施方式)
下面使用圖8和圖9說(shuō)明本發(fā)明的笫三實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡。
圖8是表示本發(fā)明第三實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡lc的構(gòu)造的俯視圖。 圖9是表示將存儲(chǔ)卡lc在圖8的9-9線的位置剖切的剖一見(jiàn)圖。
如圖8和圖9所示，存儲(chǔ)卡lc，在圖1和圖2所示的存儲(chǔ)卡1的構(gòu)造 _^5出上，還具有設(shè)在第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5之間的、沿著 電路1412的上面21的線狀的凸部(以下記作"線狀凸部，，)23。其他的 構(gòu)造與圖l和圖2相同，在下面的說(shuō)明中附加相同的符號(hào)進(jìn)行說(shuō)明。此夕卜， 在存儲(chǔ)卡lc中，第一密封樹脂層41和第二密封樹脂層42被線狀凸部23 分隔而不相互連續(xù)。
下面，使用圖10說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡lc的制 造方法。圖10是說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡lc的制造方 法的流程圖。
首先，在第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5的下面的電極上形成 突起33、 53 (步驟S21、 S22)。
接下來(lái)，在電路M2的上面21的第一安裝區(qū)域上貼附例如NCF以 形成第一密封樹脂層41 (步驟S23)。
接下來(lái)，通過(guò)安裝裝置(未圖示)的芯片保持部對(duì)第一半導(dǎo)體芯片3 進(jìn)行保持并經(jīng)由第一密封樹脂層41將其安裝在電路M2上。然后，通過(guò) 用按壓工具將第一半導(dǎo)體芯片3向電路J412的上面21按壓、加熱，由此， 將第一半導(dǎo)體芯片3安裝在電路基板2上(步驟S24)。此時(shí)，向第一半 導(dǎo)體芯片3的周圍擠出的第一安裝區(qū)域上的第一密封樹脂層4，被笫一半 導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5之間的線狀凸部23攔住，防止其向第二安 裝區(qū)域擴(kuò)散。通過(guò)上迷的步驟，完成了第一半導(dǎo)體芯片3的安裝。
接下來(lái)，獨(dú)立于第一密封樹脂層41的形成，在第二安裝區(qū)域上貼附例 如NCF而形成第二密封樹脂層42 (步驟S25)。然后，通過(guò)芯片保持部 對(duì)第二半導(dǎo)體芯片5進(jìn)行保持并將其經(jīng)由第二密封樹脂層42安裝在電路基 板2上。進(jìn)而，通過(guò)用按壓工具將笫二半導(dǎo)體芯片5向電路基板2的上面 21按壓、加熱，由此，獨(dú)立于第一半導(dǎo)體芯片3的安裝，進(jìn)行第二半導(dǎo)體
芯片5的對(duì)電路M2的安裝(步驟S26)。通過(guò)上述的步驟，完成笫二 半導(dǎo)體芯片5的安裝。
然后，將芯片部件6接合在電路皿2上后，在電路基t!2的上面21 側(cè)，第一半導(dǎo)體芯片3、第二半導(dǎo)體芯片5、第一密封樹脂層41、第二密 封樹脂層42和芯片部件6被蓋部7覆蓋。由此，制成存儲(chǔ)卡lc(步驟S27、 S28)。
如上述說(shuō)明，本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡lc，通過(guò)設(shè)置在第一半導(dǎo)體芯片3 和第二半導(dǎo)體芯片5之間的線狀凸部23，能夠防止在安裝第一半導(dǎo)體芯片 3時(shí)第一密封樹脂層41向第二安裝區(qū)域擴(kuò)散。另外，同樣地，也能夠防止 在安裝笫二半導(dǎo)體芯片5時(shí)笫二密封樹脂層42向第一安裝區(qū)域擴(kuò)散。因此， 與第一實(shí)施方式同樣地，能夠避免一側(cè)的半導(dǎo)體芯片的安裝對(duì)另一側(cè)的半 導(dǎo)體芯片的安裝施加的影響，能夠?qū)蓚€(gè)半導(dǎo)體芯片良好地安裝在電路基 板2上。
此外，在本實(shí)施方式中，以在第一半導(dǎo)體芯片3安裝后形成第二密封 樹脂層42的例子進(jìn)行說(shuō)明，但是，并不限定于此，例如，也可以在形成第 一密封樹脂層41之后形成第二密封樹脂層42。這種情況下，因?yàn)榈谝幻?封樹脂層41和第二密封樹脂層42不是連續(xù)的，所以，能夠防止在第一半 導(dǎo)體芯片3的安裝時(shí)將施加給第一密封樹脂層41的熱量傳遞到第二密封樹 脂層42。由此，能夠防止笫二密封樹脂層42在第一半導(dǎo)體芯片3安裝時(shí)、 也就是說(shuō)在第二半導(dǎo)體芯片5安裝前，固化。
另外，在本實(shí)施方式中，以將第一半導(dǎo)體芯片3和笫二半導(dǎo)體芯片5 分別安裝到電路基敗2上的例子進(jìn)行說(shuō)明，但是并不限定于此。例如，在 線狀凸部23的從電路基板2的上面21起的高度比安裝后的第一半導(dǎo)體芯 片3和第二半導(dǎo)體芯片5從電路^L2的上面21起的高度低的情況下，也 可以用一個(gè)按壓工具將第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5同時(shí)按壓、 安裝到電路J412上。由此，能夠提高存儲(chǔ)卡的生產(chǎn)效率。 (第四實(shí)施方式)
以下使用附圖ll說(shuō)明本發(fā)明第四實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡。
圖11是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的存儲(chǔ)卡Id的構(gòu)造的剖視圖。
本實(shí)施方式中的存儲(chǔ)卡ld，具有設(shè)在第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體 芯片5之間的、沿電路M2的上面21的線狀的凹部(以下記作"線狀凹 部")24，在這一點(diǎn)上與第三實(shí)施方式不同。而且，第一密封樹脂層41 和第二密封樹脂層42被線狀凹部分隔而互不連續(xù)。另外，其他的構(gòu)造與圖 8和圖9相同，附加相同的符號(hào)進(jìn)行說(shuō)明。另夕卜，存儲(chǔ)卡ld的制造方法與 第三實(shí)施方式相同，故省略說(shuō)明。
如上述說(shuō)明，根據(jù)本實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡ld，在笫一半導(dǎo)體芯片3的安 裝時(shí)被擠出的笫一密封樹脂層41流入到線裝凹部24中，由此，與第三實(shí) 施方式同樣地，能夠防止第一密封樹脂層41向第二安裝區(qū)域擴(kuò)散。同樣地， 也能夠防止第二半導(dǎo)體芯片5的安裝時(shí)第二密封樹脂層42向第 一安裝區(qū)域 擴(kuò)散。因此，與第三實(shí)施方式同樣，能夠避免一側(cè)的半導(dǎo)體芯片的安^J" 另 一側(cè)半導(dǎo)體芯片的安裝施加的影響，能夠良好地將兩個(gè)半導(dǎo)體芯片安裝 在電路基板2上。
以上，說(shuō)明了本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式，但是本發(fā)明并不限定于上述各 實(shí)施方式，能夠如下所示，進(jìn)行各種變更。
也就是說(shuō)，在上述各實(shí)施方式中，以將第一半導(dǎo)體芯片3和笫二半導(dǎo) 體芯片5作為存儲(chǔ)芯片和控制芯片為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限定于此。例 如，也可將ASIC等其他的棵芯片作為第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯 片5使用。而且，也可以構(gòu)成為將作為第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯 片5的兩個(gè)存儲(chǔ)芯片層疊，通過(guò)安裝在第二電路^4的其他區(qū)域的控制 芯片對(duì)該兩個(gè)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行控制的構(gòu)造。另外，作為第二半導(dǎo)體芯片5， 也可以在第二電路M 4上安裝存儲(chǔ)信息和控制其他的存儲(chǔ)芯片的存^^/ 控制兩用芯片。此時(shí)，半導(dǎo)體芯片可以是部分地利用了半導(dǎo)體功能的芯片， 不必是整體都具有半導(dǎo)體功能的芯片。
另外，在上述各實(shí)施方式中，以將突起33、 53、 83形成在第一半導(dǎo)體 芯片3的電極上、第二半導(dǎo)體芯片的電極上以及第三半導(dǎo)體芯片的電極上
的例子進(jìn)行說(shuō)明，但是，也可以將它們形成在電路基板2的電極211、 212、 214上。而且，作為突起33、 53，也可以使用除球形突起以外的鍍敷突起 或軟釬料突起等。
另夕卜，在上述各實(shí)施方式中，作為密封樹脂層，以NCF等的貼附為例 進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限定于此。例如，也可以使用非導(dǎo)電性樹脂糊劑的涂 敷、各向異性導(dǎo)電性樹脂膜或各向異性導(dǎo)電性樹脂糊劑形成密封樹脂層。
此時(shí)，在第一實(shí)施方式和笫二實(shí)施方式中，在通過(guò)樹脂糊劑形成密封 樹脂層的情況下，在通過(guò)涂敷機(jī)在第一安裝區(qū)域涂敷樹脂材料后，也可以 連續(xù)地在第二安裝區(qū)域涂敷樹脂材料。而且，也可以通過(guò)使涂敷機(jī)在笫一 安裝區(qū)域和第二安裝區(qū)域上的往復(fù)移動(dòng)，在第一安裝區(qū)域和第二安裝區(qū)域 上同時(shí)呈線狀地涂敷樹脂材料。
另夕卜，在第一實(shí)施方式中，在通過(guò)樹脂糊劑形成密封樹脂層的情況下， 也可以通過(guò)下面的方法安裝第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5。即， 首先將第一半導(dǎo)體芯片3載置于第一密封樹脂層41上，使第一密封樹脂層 41暫時(shí)固化到一定程度。然后，將第二半導(dǎo)體芯片5載置在第二密封樹脂 層42上，并使第二密封樹脂層42暫時(shí)固化到一定程度，隨后，將第一半 導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5同時(shí)向電路皿2按壓并進(jìn)行加熱。由此， 因?yàn)槟軌蛲瑫r(shí)安裝第一半導(dǎo)體芯片3和第二半導(dǎo)體芯片5，所以，能夠避 免一側(cè)的半導(dǎo)體芯片的安裝對(duì)另 一側(cè)的半導(dǎo)體芯片的安裝施加的影響，能 夠良好地將兩個(gè)半導(dǎo)體芯片安裝在電路g 2上。
另外，在上述各實(shí)施方式中，作為蓋部，以通過(guò)由樹脂制成的成形部 件所構(gòu)成的蓋部為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限定于此。例如，也可以將熱可 塑性樹脂或熱固化性樹脂等通過(guò)鑲嵌成形形成蓋部，使得其在電路基板2 的上面21上覆蓋第一半導(dǎo)體芯片3、第二半導(dǎo)體芯片5等。
此外，本發(fā)明的存儲(chǔ)卡，除SD卡以外，也可以作為例如IC卡等其他 的卡片型存儲(chǔ)介質(zhì)加以利用。
工業(yè)上的利用可能性
本發(fā)明在存儲(chǔ)信息、尤其是希望小型化、薄型化的存儲(chǔ)卡等技術(shù)領(lǐng)域
具有實(shí)用價(jià)值。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)卡，其特征在于，具有電路基板；第一半導(dǎo)體芯片，其夾著突起安裝在所述電路基板的主面上；第二半導(dǎo)體芯片，在其與所述第一半導(dǎo)體芯片之間設(shè)置有小于等于1mm的間隙、并夾著突起安裝在所述電路基板的所述主面上；第一密封樹脂層，其覆蓋與所述第一半導(dǎo)體芯片接合的所述突起周圍，并介于所述第一半導(dǎo)體芯片和所述電路基板之間；第二密封樹脂層，其覆蓋與所述第二半導(dǎo)體芯片接合的所述突起周圍，并介于所述第二半導(dǎo)體芯片和所述電路基板之間；和蓋部，其在所述電路基板的所述主面?zhèn)?，覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片。
2. 如權(quán)利要求l所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述第 一密封樹脂層和所述第二密封樹脂層由同 一種樹脂材料構(gòu)成， 并互相連續(xù)地設(shè)置。
3. 如權(quán)利要求l所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述電路員在所述第 一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片之間具有 沿所述主面的線狀的凸部或線狀的凹部。
4. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述蓋部，由具有收納所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片的 凹部并且通過(guò)所述凹部的開口安裝在所述電路基K上的成型部件構(gòu)成。
5. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于所述第一密封樹脂層和所述第二密封樹脂層由貼附在所述電路基板的 所述主面上的膜狀的樹脂材料構(gòu)成。
6. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于 所述第一半導(dǎo)體芯片是存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)芯片， 所述第二半導(dǎo)體芯片是控制所述笫一半導(dǎo)體芯片的控制芯片。
7. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)卡，其特征在于，還具有第三半導(dǎo)體芯片，在其與所述第一半導(dǎo)體芯片之間i殳置有小 于等于lmm的間隙、并夾著突起安裝在所述電路基&的所述主面上；和第三密封樹脂層，其覆蓋與所述第三半導(dǎo)體芯片接合的所述突起周圍， 并介于所述第三半導(dǎo)體芯片和所述電路Ul之間。
8. —種存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于， 包括a) 在電路M的主面上形成第一密封樹脂層的步驟，b) 在所述電路基板的所述主面上形成第二密封樹脂層的步驟，c )將第一半導(dǎo)體芯片隔著所述笫一密封樹脂層朝向所述電路M的所 述主面按壓，并夾著突起將所述第一半導(dǎo)體芯片電連接在所述電路1^L上， 并且使所述第一密封樹脂層固化的步驟，d) 與所述步驟c)并行地將第二半導(dǎo)體芯片經(jīng)由所述第二密封樹脂層 朝向所述電路141的所迷主面按壓，并夾著突起將所述笫二半導(dǎo)體芯片電 連接在所述電路基板上，并且使所述第二密封樹脂層固化的步驟，e) 在所述電路^L的所述主面?zhèn)韧ㄟ^(guò)蓋部覆蓋所述笫一半導(dǎo)體芯片和 所述第二半導(dǎo)體芯片的步驟。
9. 如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于 設(shè)置間隙地配置所述笫一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片。
10. 如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于 所述第一密封樹脂層和所述第二密封樹脂層由同一種樹脂材料構(gòu)成，連續(xù)或相互并行地進(jìn)行所述步驟a)和所述步驟b)。
11. 如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于 所述蓋部是具有凹部的成型部件，在所述步驟e)中，在所述蓋部的所述凹部的開口中收納所述第一半 導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片，并且通過(guò)所述凹部的開口將所述蓋部安 裝在所述電路基板上。
12. 如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于 在所述步驟a)中，通過(guò)將膜狀的樹脂材料貼附在所述電路U1的所述主面上來(lái)形成所述第 一 密封樹脂層，在所述步驟b)中，通過(guò)將膜狀的樹脂材料貼附在所述電路基板的所 述主面上來(lái)形成所述第二密封樹脂層。
13. 如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于 所述第一半導(dǎo)體芯片是存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)芯片， 所述第二半導(dǎo)體芯片是控制所述第一半導(dǎo)體芯片的控制芯片。
全文摘要
存儲(chǔ)卡(1)具有電路基板(2)；夾著突起(33)而安裝在電路基板(2)上的第一半導(dǎo)體芯片(3)；與第一半導(dǎo)體芯片(3)之間設(shè)置小于等于1mm的間隙并夾著突起(53)而安裝在電路基板上的第二半導(dǎo)體芯片(5)；覆蓋突起(33)的周圍，并介于第一半導(dǎo)體芯片(3)和電路基板(2)之間的第一密封樹脂層(41)；覆蓋突起(53)的周圍，并介于第二半導(dǎo)體芯片(5)和電路基板(2)之間的第二密封樹脂層(42)；在電路基板(2)的主面?zhèn)龋采w第一半導(dǎo)體芯片(3)和第二半導(dǎo)體芯片(5)的蓋部(7)。
文檔編號(hào)G06K19/077GK101371268SQ200780003059
公開日2009年2月18日 申請(qǐng)日期2007年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月2日
發(fā)明者山田博之, 巖本篤信, 武田修一, 西川英信 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社