專利名稱：Rfid標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及無線射頻標(biāo)識(RFID)標(biāo)記和標(biāo)簽領(lǐng)域，及其特定的制作方法，包括卷軸到卷軸的制作方法和替代的薄片到卷軸的制作方法。
先有技術(shù)RFID標(biāo)記和標(biāo)簽結(jié)合了天線與模擬和/或數(shù)字電子學(xué)，例如可包括通信電子學(xué)、數(shù)據(jù)存儲與控制邏輯。RFID標(biāo)記和標(biāo)簽廣泛應(yīng)用于物體與標(biāo)識碼的關(guān)聯(lián)。例如，RFID標(biāo)記應(yīng)用于與汽車安全鎖的連合，建筑物的訪問控制以及跟蹤編目和包裹。RFID標(biāo)記和標(biāo)簽的一些例子出現(xiàn)在美國第6,107,920、6,206,292和6,262,292號專利中，所有這些在此全部引為參考。
RFID標(biāo)記和標(biāo)簽包括具有電源的有源標(biāo)記，和沒有電源的無源標(biāo)記與標(biāo)簽。在無源標(biāo)記的情況下，為從芯片取回信息，一個“基站”或“閱讀器”向RFID標(biāo)記或標(biāo)簽發(fā)送一個激活信號。激活信號激勵標(biāo)記或標(biāo)簽，RFID電路向閱讀器發(fā)送回存儲信息?！伴喿x器”接收RFID標(biāo)記的信息，并解碼。一般，RFID標(biāo)記可保留和發(fā)送足夠的信息，以唯一地標(biāo)識各個個體，包裝，編目等等。RFID標(biāo)記和標(biāo)簽也可特征化為那些只可一次寫入的信息(盡管信息可以重復(fù)讀取)，以及那些在使用時寫入的信息。例如，RFID標(biāo)記可存儲環(huán)境信息(這可由關(guān)聯(lián)傳感器檢測)、歷史記錄、狀態(tài)數(shù)據(jù)等等。
Moore North America Inc.的第WO 01/61646號PCT出版物公布了RFID標(biāo)簽的制作方法，這里引用作為參考。第WO 01/61646號PCT出版物公開的方法采用了一些不同源的RFID引入線，每個引入線包括天線和芯片。多個薄板匹配在一起，RFID標(biāo)簽從薄板被沖切，以產(chǎn)生帶襯墊的RFID標(biāo)簽。可替代的是，無襯墊的RFID標(biāo)簽產(chǎn)生于一面具有釋放材料、另一面具有壓力敏感粘合物的合成薄板，標(biāo)簽形成于薄板的穿孔?？赡苡懈鞣N替代。
Pletter的美國專利申請出版物第US2001/0053675號還公開了其它RFID設(shè)備和RFID標(biāo)簽的制作方法，在此合并引為參考。設(shè)備包括發(fā)射機(jī)應(yīng)答器，它包含具有接觸墊片和與接觸墊片導(dǎo)電連接的至少兩個耦合元件的芯片。耦合元件彼此相對不接觸，以獨(dú)立的方式自我支持而形成，并基本平行地延伸到芯片表面。發(fā)射機(jī)應(yīng)答器的總的安裝高度基本上對應(yīng)于芯片的安裝高度。耦合元件的大小和幾何形狀適合于作為偶極天線或作為平板電容器與評估單元相連。典型的是，發(fā)射機(jī)應(yīng)答器在晶片級生產(chǎn)。耦合元件在晶片級與芯片的接觸墊片直接相連，就是說，早于從晶片給定的組群中析取芯片。
在許多申請中，期望盡可能小地降低電子器件的大小。申請人的受讓人Avery Dennison公司(Avery Dennison Corporation)與Alien技術(shù)公司(Alien Technology Corporation)及其它方面共同工作，標(biāo)識坯料、設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和研發(fā)制作技術(shù)，以有效地制造多卷軸的柔性襯底，其充滿“小的電子部件”。
考慮到柔性襯底充滿“小的電子部件”，加州Morgan Hill的Alien技術(shù)公司(“Alien”)已經(jīng)開發(fā)了制造像小的電子部件的微電子元件的成熟技術(shù)，Alien公司稱它為“納米級部件”，然后把小的電子部件沉積到基礎(chǔ)的襯底上的凹處。為接收這些小的電子部件，平面襯底200(

圖1)壓紋而有大量接收器穴210，接收器穴210典型地形成在襯底上的模式中。例如在圖1，接收器穴210形成一個簡單矩陣模式，該模式僅擴(kuò)展到襯底的一個預(yù)定部分，或可基本擴(kuò)展到期望的襯底的全部長度、寬度范圍內(nèi)。
為把這些小的電子部件放到凹處，Alien公司應(yīng)用稱為射流自組裝技術(shù)(“FSA”)。FSA方法包括在漿狀物中分散小電子部件，然后在襯底的上表面上流過漿狀物。小電子部件與凹處具有互補(bǔ)的形狀，重力使這些小電子部件下降到凹處里。最終結(jié)果是嵌入了微小電子元件的襯底(如薄層、薄板或板塊)。圖2表示一個小電子部件100沉積在凹處210中。在部件100與襯底220之間是金屬化層222。部件100的上表面有在其上沉積的電路224。
Alien公司在其技術(shù)上有大量專利，包括美國第5,783,856；5,824,186；5,904,545；5,545,291；6,274,508；和6,281,036號專利，本申請全部合并引為參考。進(jìn)一步的信息可見于Alien公司的2005年6月15日 申請日期2003年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月18日
發(fā)明者A·格林, D·R·貝努瓦 申請人:艾利丹尼森公司