低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】 [0001] ：
[0002] 本實用新型涉及一種目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種應(yīng)用于模 擬集成電路中的低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器。
【背景技術(shù)】 [0003] ：
[0004] 隨著集成電路的普及與推廣，人們?nèi)找娉两诟呖萍妓鶐淼男腋Ｅc愉悅之中， 與此同時對模擬集成電路精度的要求也日益嚴苛。在大規(guī)模量產(chǎn)中，高精度的模擬集成電 路的實現(xiàn)主要通過工藝修調(diào)（Trim)，由此工藝修調(diào)的可靠性與準確性及修調(diào)成本作為關(guān)鍵 考慮因素被人們越來越重視。
[0005]目前模擬集成電路的工藝修調(diào)主要實現(xiàn)方式有兩種：激光（Laser)燒斷與熔絲 (Fuse)燒斷。由于激光（Laser)燒斷修調(diào)的不穩(wěn)定及芯片封裝前后的電氣差異，導(dǎo)致激光 (Laser)燒斷的修調(diào)效果不能達到大規(guī)模量產(chǎn)的精度要求，因此大多數(shù)芯片代工廠更加傾 向恪絲（Fuse)燒斷修調(diào)并提供恪絲（Fuse)燒斷所需工藝與器件。由此恪絲（Fuse)燒斷修 調(diào)的可靠性與準確性成為設(shè)計者考慮的重中之重。
[0006] 【實用新型內(nèi)容】：
[0007] 本實用新型針對集成電路工藝修調(diào)電路研究，提出一種低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔 絲（Fuse)燒斷修調(diào)電路，能夠使熔絲（Fuse)燒斷修調(diào)電路的關(guān)斷功耗降低并能實現(xiàn)多目 標(biāo)電壓修調(diào)。
[0008] 本實用新型解決所述技術(shù)問題，采用的技術(shù)方案是，一種低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓 熔絲燒斷修調(diào)器，包括電流產(chǎn)生電路板、修調(diào)控制電路板、熔絲修調(diào)主電路板和選擇器；所 述電流產(chǎn)生電路板與修調(diào)控制電路板及熔絲修調(diào)主電路板連接，所述熔絲修調(diào)主電路板與 修調(diào)控制電路板及選擇器連接，所述選擇器連接精準電壓輸出；
[0009] 所述電流產(chǎn)生電路板，用于產(chǎn)生燒斷熔絲所需電流及修調(diào)控制電路板所需參考電 壓；
[0010] 所述修調(diào)控制電路板，用于將外部輸入信號與參考電壓比較以產(chǎn)生修調(diào)控制信 號；
[0011] 所述熔絲修調(diào)主電路板，利用工藝提供可燒斷熔絲產(chǎn)生穩(wěn)定的修調(diào)信號；
[0012] 所述選擇器，用于選擇所需精準電壓；
[0013] 所述精準電壓輸出，用于產(chǎn)生若干精準參考電壓以供選擇。
[0014] 所述電流產(chǎn)生電路板包括低壓電源輸入端、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體 管、第一電阻、第一三極管及第二三極管，所述第一晶體管源端與低壓電源輸入端連接，第 一晶體管柵端及漏端與第一電阻的一端、第二晶體管的柵端、第三晶體管的柵端及修調(diào)控 制電路板連接，第一電阻另一端與第一三極管的基極及集電極連接，第一三極管的發(fā)射極 與地連接，第二晶體管的源端與低壓電源輸入端連接，第二晶體管的漏端與第二三極管的 基極及集電極連接，第二三極管的發(fā)射極與地連接，第三晶體管的源端與低壓電源輸入端 連接，第三晶體管的漏端與熔絲修調(diào)主電路板連接；
[0015] 所述修調(diào)控制電路板包括若干修調(diào)控制子級模塊；
[0016] 所述的修調(diào)控制子級模塊包括修調(diào)信號輸入端與第一遲滯比較器，所述第一遲滯 比較器正向輸入端與修調(diào)信號輸入端連接，第一遲滯比較器的反向輸入端與前述電流產(chǎn)生 電路板連接，第一遲滯比較器的輸出端與熔絲修調(diào)主電路板連接；
[0017] 所述熔絲修調(diào)主電路板包括若干熔絲修調(diào)子級模塊；
[0018] 所述熔絲修調(diào)子級模塊包括低壓電源輸入端、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體 管、第七晶體管、第八晶體管及第一熔絲，所述第四晶體管柵端與第七晶體管柵端及修調(diào)控 制電路板子級對應(yīng)連接，第四晶體管源端與低壓電源輸入端連接，第四晶體管漏端與第一 熔絲一端、第六晶體管漏端、第八晶體管漏端及選擇器連接，第一熔絲的另一端與低壓電源 輸入端連接，第五晶體管的柵端及漏端與第六晶體管的柵端、第七晶體管的源端及電流產(chǎn) 生電路板連接，第五晶體管的源端與地連接，第六晶體管的源端與地連接，第七晶體管的漏 端與第八晶體管的柵端連接，第八晶體管的源端與地連接；
[0019] 所述選擇器包括若干譯碼器，所述若干譯碼器將前述熔絲修調(diào)各子級模塊產(chǎn)生二 進制信號譯為對應(yīng)開關(guān)信號，對應(yīng)開關(guān)信號控制精準電壓輸出；
[0020] 所述精準電壓輸出包括低壓電源輸入端、第一運算放大器、第九晶體管及若干串 聯(lián)電阻，所述第九晶體管漏端與低壓電源輸入端連接，第九晶體管柵端與第一運算放大器 的輸出端連接，第一運算放大器的正向輸入端與基準電壓連接，第一運算放大器的反向輸 入端與第九晶體管的源端及若干串聯(lián)電阻的一端連接，若干串聯(lián)電阻的另一端與地連接；
[0021] 所述若干串聯(lián)電阻的串聯(lián)節(jié)點與若干開關(guān)晶體管的源端連接，若干開關(guān)晶體管的 柵端與前述選擇器產(chǎn)生的開關(guān)信號連接，若干開關(guān)晶體管的漏端與精準電壓輸出端連接。
[0022] 本實用新型優(yōu)點在于：通過電流產(chǎn)生電路板產(chǎn)生參考電流與參考電壓，在修調(diào)信 號輸入與參考電壓比較結(jié)果為正時開啟熔絲修調(diào)主電路板，并產(chǎn)生穩(wěn)定的修調(diào)信號輸出， 然后通過選擇器進行內(nèi)部所需精準電壓的微調(diào)，同時能使熔絲燒斷電流產(chǎn)生電路板徹底關(guān) 斷后將修調(diào)信號連接到固定電位，而不是浮空，從而使熔絲（Fuse)燒斷修調(diào)電路板的關(guān)斷 功耗降低并能實現(xiàn)多目標(biāo)電壓修調(diào)。
【附圖說明】 [0023] ：
[0024] 圖1為本實用新型低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器的結(jié)構(gòu)框圖；
[0025] 圖2為本實用新型實施例中電流產(chǎn)生電路板的電路圖；
[0026] 圖3為本實用新型實施例中修調(diào)控制電路板及熔絲修調(diào)主電路板的電路圖
[0027] 圖4為本實用新型實施例中精準電壓輸出的電路圖
[0028] 其中，VDD為低壓電源輸入端，Rl為第一電阻，Ql為第一三極管，Q2為第二三極管， PIN_N為修調(diào)信號輸入端，C0MP_N為修調(diào)控制子級中第一遲滯比較器，F(xiàn)USE為第一熔絲，OP 為第一運算放大器，VSET為基準電壓，Ml為第一晶體管，M2為第二晶體管，M3為第三晶體 管，M4為第四晶體管，M5為第五晶體管，M6為第六晶體管，M7為第七晶體管，M8為第八晶 體管，M9為第九晶體管。
【具體實施方式】 [0029] ：
[0030] 下面結(jié)合附圖及實施例詳細描述本實用新型的技術(shù)方案：
[0031] 本實用新型針對集成電路工藝修調(diào)電路研究，提出一種低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔 絲（Fuse)燒斷修調(diào)電路，如圖1所示，包括電流產(chǎn)生電路板、修調(diào)控制電路板、熔絲修調(diào)主 電路板和選擇器；所述電流產(chǎn)生電路板與修調(diào)控制電路板及熔絲修調(diào)主電路板連接，所述 熔絲修調(diào)主電路板與修調(diào)控制電路板及選擇器連接，所述選擇器連接精準電壓輸出；其中， 所述電流產(chǎn)生電路板，用于產(chǎn)生燒斷熔絲所需電流及修調(diào)控制電路板所需參考電壓；所述 修調(diào)控制電路板，用于將外部輸入信號與參考電壓比較以產(chǎn)生修調(diào)控制信號；所述熔絲修 調(diào)主電路板，利用工藝提供可燒斷熔絲產(chǎn)生穩(wěn)定的修調(diào)信號；所述選擇器，用于選擇所需精 準電壓；所述精準電壓輸出，用于產(chǎn)生若干精準參考電壓以供選擇，通過電流產(chǎn)生電路板產(chǎn) 生參考電流與參考電壓，在修調(diào)信號輸入與參考電壓比較結(jié)果為正時開啟熔絲修調(diào)主電路 板，并產(chǎn)生穩(wěn)定的修調(diào)信號輸出，然后通過選擇器進行內(nèi)部所需精準電壓的微調(diào)，同時能使 熔絲燒斷電流產(chǎn)生電路板徹底關(guān)斷后將修調(diào)信號連接到固定電位，而不是浮空，從而使熔 絲（Fuse)燒斷修調(diào)電路的關(guān)斷功耗降低并能實現(xiàn)多目標(biāo)電壓修調(diào)。 實施例
[0032] 現(xiàn)有工藝修調(diào)大多包含若干修調(diào)單元，本例僅以其中一個單元為例。
[0033] 本例中，一種低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲（Fuse)燒斷修調(diào)電路，如圖2所示，電流 產(chǎn)生電路板包括低壓電源輸入端VDD、第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3、第一 電阻RU第一三極管Ql及第二三極管Q2,所述第一晶體管Ml源端與低壓電源輸入端VDD 連接，第一晶體管Ml柵端及漏端與第一電阻Rl的一端、第二晶體管M2的柵端、第三晶體管 M3的柵端及修調(diào)控制電路板連接，第一電阻Rl另一端與第一三極管Ql的基極及集電極連 接，第一三極管Ql的發(fā)射極與地連接，第二晶體管M2的源端與低壓電源輸入端VDD連接， 第二晶體管M2的漏端與第二三極管Q2的基極及集電極連接，第二三極管Q2的發(fā)射極與地 連接，第三晶體管M3的源端與低壓電源輸入端VDD連接，第三晶體管M3的漏端與熔絲修調(diào) 主電路板連接；
[0034] 其中流過第一晶體管Ml的電流
[0035] 如圖3所示，修調(diào)控制電路板包括若干修調(diào)控制子級；本例中僅表示出其中一級， 修調(diào)控制子級包括修調(diào)信號輸入端PIN_N與第一遲滯比較器C0MP_