本實用新型涉及帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計研究領(lǐng)域，具體地，涉及一種低溫漂基準(zhǔn)源電路。

背景技術(shù)：

帶隙基準(zhǔn)源是最基本的模擬電路模塊，ADC/DAC、傳感器接口電路、電壓轉(zhuǎn)換器等集成電路都需要基準(zhǔn)源提供參考電壓。集成電路要達(dá)到很好的性能和溫度穩(wěn)定性，基準(zhǔn)源首先必須具備高精度和低溫漂。

帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生的原理是：兩個電流密度不同的三極管基極發(fā)射極電壓差(ΔVbe)與溫度成正比，三極管基極發(fā)射極電壓(Vbe)與溫度成反比。正溫度系數(shù)的ΔVbe與幅度系數(shù)的Vbe相加產(chǎn)生溫度系數(shù)很小的電壓。

這種電路是對Vbe的負(fù)溫度系數(shù)進行了線性的補償，因此也稱為一階帶隙基準(zhǔn)源。但是由于Vbe的非線性，一般的帶隙基準(zhǔn)電源溫度漂移依然相對較大，無法滿足很多高性能集成電路的要求。

綜上所述，本申請實用新型人在實現(xiàn)本申請實用新型技術(shù)方案的過程中，發(fā)現(xiàn)上述技術(shù)至少存在如下技術(shù)問題：

在現(xiàn)有技術(shù)中，現(xiàn)有的帶隙基準(zhǔn)源電路存在溫度漂移較大的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型提供了一種低溫漂基準(zhǔn)源電路，解決了現(xiàn)有的帶隙基準(zhǔn)源電路存在溫度漂移較大的技術(shù)問題，實現(xiàn)了能夠精確補償帶隙電壓高階特性，產(chǎn)生溫度系數(shù)較小的基準(zhǔn)電壓的技術(shù)效果。

為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┝艘环N低溫漂基準(zhǔn)源電路，所述低溫漂基準(zhǔn)源電路包括：帶隙電壓產(chǎn)生核心電路1、負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路2、補償電流產(chǎn)生電路3、啟動電路4，補償電流產(chǎn)生電路3中設(shè)有分段電流選擇電路5。其中，帶隙電壓產(chǎn)生核心電路1與負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路2、補償電流產(chǎn)生電路3和啟動電路4相連，補償電流產(chǎn)生電路3與負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路2和帶隙電壓產(chǎn)生核心電路1相連；帶隙電壓產(chǎn)生核心電路1用于產(chǎn)生一階帶隙電壓并與高階補償電壓相加，產(chǎn)生溫漂很小的帶隙電壓，帶隙電壓產(chǎn)生核心電路1同時為補償電流產(chǎn)生電路3提供正溫度系數(shù)電流和正溫度系數(shù)參考電壓；負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路2用于產(chǎn)生負(fù)溫度系數(shù)電流，負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路2同時為補償電流產(chǎn)生電路3提供負(fù)溫度系數(shù)參考電壓；補償電流產(chǎn)生電路3用于產(chǎn)生補償電流，補償電流流經(jīng)帶隙電壓產(chǎn)生核心電路1中的電阻，產(chǎn)生高階補償電壓；啟動電路4用于迫使電路進入正常工作狀態(tài)；分段電流選擇電路5用于根據(jù)不同溫度選擇正溫度系數(shù)電流或負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生V型補償電流。

其中，本申請中的電路對一階帶隙基準(zhǔn)電壓的高階溫度特性進行了補償，利用一對正、負(fù)溫度系數(shù)電流和分段電流選擇電路，產(chǎn)生V型下拋的補償電流，補償帶隙電壓的上拋溫度特性。分段電流選擇電路由4個PMOS夸導(dǎo)管組成，結(jié)構(gòu)非常簡單，其產(chǎn)生補償電流的思想為：通過調(diào)節(jié)正、負(fù)溫度系數(shù)電壓交越點和PMOS夸導(dǎo)管的寬長比，可以調(diào)整優(yōu)化補償電流溫度曲線谷底兩側(cè)斜率和底部曲線弧度，產(chǎn)生與帶隙電壓上拋曲線很匹配的補償曲線。

其中，帶隙電壓產(chǎn)生核心電路1包括：PMOS管MP1、MP2、MP6、MP7、MP12，NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6，三極管Q1、Q2，電阻R1、R2、R3；其中：

MP1、MP2、MP3的源極與電源相連，MP1、MP2、MP3的柵極與MP6的漏極相連，MP2漏極與MP7源極相連，MP1漏極與MP6源極相連，MP7、MP6、MP12的柵極接到一起并連接到MP12的漏極以及MN6的漏極；MP12的源極與電源相連；MP1、MP2、MP3形成電流鏡像電路，MP6與MP1串聯(lián)，MP7與MP2串聯(lián)；MN1、MN2、MN3的柵極接到一起并與MN2的漏極相連，MN2的源極接到三極管Q1的集電極，MN1的漏極接到三極管Q2的集電極；MN3的源極接到基準(zhǔn)電壓輸出VREF并接到Q1和Q2的基極，以及MN5的漏極；三極管Q1的發(fā)射極接到R1的負(fù)端，三極管Q2的發(fā)射極接到R1的正端；R2的正端接到Q1的發(fā)射極與R1的負(fù)端，R3的正端與R2的負(fù)端相連，并接到溫度補償電流輸出ICOMP，R3的負(fù)端接到地；MN4、MN5、MN6的源極接地，MN4、MN5、MN6的柵極接到一起并接到MN4的漏極形成鏡像電流源。

其中，負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路2包括：PMOS管MP5、MP8、MP9、MP13，三極管Q3、Q4，電阻R4、R5組成；其中：

MP5的源極與電源相連，MP5的柵極與MP1的柵極相連；MP5的漏極與MP8的源極相連；MP8的漏極與三極管Q4的基極、三極管Q3的集電極均相連；MP8、MP9的柵極均與MP12的柵極相連；MP8與MP5串聯(lián)；MP13的源極與接地，MP13的漏極與MP9的源極相連，MP13的柵極與MP9的漏極相連；三極管Q3的發(fā)射極與接地，三極管Q3的基極與三極管Q4的源極、R5的正端均連接；R5的負(fù)端與R4的正端相連，R4的負(fù)端接地。

其中，補償電流產(chǎn)生電路3包括：PMOS管MP4、MP14、MP10、MP11和分段電流選擇電路5，其中：

MP4源極與電源連接，MP4柵極接到MP1柵極，MP4漏極接到MP10源極；MP14源極與電源連接，MP14柵極與MP13柵極連接，MP14漏極與MP11源極連接；MP10、MP11柵極均與MP12柵極連接；MP10和MP11的漏極分別接到分段電流選擇電路5的正溫度系數(shù)電流輸入端IPTAT和負(fù)溫度系數(shù)電流輸入端INTAT；分段電流選擇電路5的正溫度系數(shù)電壓輸入端VPTAT接到R2的正端，負(fù)溫度系數(shù)電壓輸入端VNTAT接到R4的正端；分段電流選擇電路5的補償電流輸出端ICOMP接到R3的正端。

其中，啟動電路包括：PMOS管MP15，NMOS管MN7、MN8；MP15源極與電源連接，MP15柵極和漏極接一起后與MN8柵極和MN7漏極均連接；MN8漏極接電源，MN8源極與MN1柵極、MN2柵極、MN3柵極均連接；MN7源極接地，MN7柵極接到MN4柵極。

其中，分段電流選擇電路5包括：PMOS管MP16、MP17、MP18、MP19；MP16源極和MP17源極均接到負(fù)溫度系數(shù)電流源INTAT，MP18源極和MP19源極均接到正溫度系數(shù)電流源IPTAT；MP16柵極和MP19柵極均接到正溫度系數(shù)電壓輸入端VPTAT；MP17柵極和MP18柵極均接到負(fù)溫度系數(shù)電壓輸入端VNTAT；MP16漏極和MP18漏極均接地，MP17漏極和MP19漏極均接到補償電流輸出ICOMP。

其中：

其中，I_Q1為Q1中流過的電流，N為常數(shù)8或10或16，V_beQ1為三極管Q1的基極發(fā)射極電壓差，K為波耳茲曼常數(shù)，T為絕對溫度，q為電子電荷，V_PTAT為正溫度系數(shù)電壓，V_ref為一階帶隙基準(zhǔn)電壓。

其中：

其中，I_R4、I_R5、I_Q4、I_MP13分別為R4、R5、Q4、MP13中流過的電流，V_beQ3為三極管Q3的基極發(fā)射極電壓差。

其中：

其中，I_NTAT為負(fù)溫度系數(shù)電流，I_PTAT正溫度系數(shù)電流，I_MP14為MP14流過電流，I_MP1為MP1流過電流。

本申請?zhí)峁┑囊粋€或多個技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點：

本申請?zhí)岢隽艘环N高階溫度補償?shù)幕鶞?zhǔn)源，利用一對正、負(fù)溫度系數(shù)電流和分段電流選擇電路，產(chǎn)生V型下拋的補償電流，補償帶隙電壓的上拋溫度特性。分段電流選擇電路由4個PMOS夸導(dǎo)管組成，結(jié)構(gòu)非常簡單，其產(chǎn)生補償電流的思想為：通過調(diào)節(jié)正、負(fù)溫度系數(shù)電壓交越點和PMOS夸導(dǎo)管的寬長比，可以調(diào)整優(yōu)化補償電流溫度曲線谷底兩側(cè)斜率和底部曲線弧度，產(chǎn)生與帶隙電壓上拋曲線很匹配的補償曲線；因此，本實用新型提出的方案能夠精確補償帶隙電壓高階特性，產(chǎn)生溫度系數(shù)極小的基準(zhǔn)電壓。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本實用新型實施例的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，并不構(gòu)成對本實用新型實施例的限定；

圖1是本申請中低溫漂基準(zhǔn)源電路的組成示意圖；

圖2是本申請中分段電流選擇電路5的組成示意圖；

圖3是本申請中一階帶隙基準(zhǔn)電壓曲線示意圖；

圖4是本申請中補償電流產(chǎn)生原理示意圖；

圖5是本申請中補償電流谷底兩側(cè)曲率調(diào)節(jié)示意圖；

圖6是本申請中補償電流谷底弧度調(diào)節(jié)示意圖；

圖7是本申請中基準(zhǔn)電壓溫度曲線示意圖。

具體實施方式

本實用新型提供了一種低溫漂基準(zhǔn)源電路，解決了現(xiàn)有的帶隙基準(zhǔn)源電路存在溫度漂移較大的技術(shù)問題，實現(xiàn)了能夠精確補償帶隙電壓高階特性，產(chǎn)生溫度系數(shù)較小的基準(zhǔn)電壓的技術(shù)效果。

為了能夠更清楚地理解本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型進行進一步的詳細(xì)描述。需要說明的是，在相互不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實用新型，但是，本實用新型還可以采用其他不同于在此描述范圍內(nèi)的其他方式來實施，因此，本實用新型的保護范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。

實施例一：

本實用新型的具體電路包括：帶隙電壓產(chǎn)生核心電路1、負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路2、補償電流產(chǎn)生電路3和啟動電路4。補償電流產(chǎn)生電路3中包含溫度補償核心模塊分段電流選擇電路5。

帶隙電壓產(chǎn)生核心電路1由PMOS管MP1、MP2、MP6、MP7、MP12、NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、三極管Q1、Q2、電阻R1、R2、R3組成。MP1、MP2、MP3的源極與電源AVDD相連，柵極與MP6的漏極相連，MP2漏極與MP7源極相連，MP1漏極與MP6源極相連，MP7、MP6、MP12柵極接到一起并連接到MP12的漏極以及MN6的漏極。MP12源極與電源相連。MP1、MP2、MP3形成電流鏡像電路,MP6、MP7與MP1和MP2串聯(lián)以提高鏡像電流的準(zhǔn)確性。MN1、MN2、MN3的柵極接到一起并與MN2的漏極相連，MN2的源極接到三極管Q1的集電極，MN1的漏極接到三極管Q2的集電極，MN3的源極接到基準(zhǔn)電壓輸出VREF并接到Q1和Q2的基極，以及MN5的漏極。Q1的發(fā)射極接到R1的負(fù)端，Q2的發(fā)射極接到R1的正端。由于MP1和MP2的鏡像關(guān)系，Q1和Q2中流過的電流相等。Q2的面積為Q1的面積的N倍(N通常為8/10/16)，因此Q1的電流密度為Q2的N倍。Q1和Q2的發(fā)射極壓差ΔVbe為正溫度系數(shù)電壓。ΔVbe除以R1形成正溫度系數(shù)電流。R2的正端接到Q1的發(fā)射極與R1的負(fù)端。R3的正端與R2的負(fù)端相連，并接到溫度補償電流輸出ICOMP，R3的負(fù)端接到地。流過R3和R2的電流是流過R1電流的兩倍。正溫度系數(shù)電流流過R2和R3產(chǎn)生正溫度系數(shù)電壓。R2和R3是可調(diào)節(jié)的，以保證各種工藝角下正溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)和負(fù)溫度電壓(Vbe)溫度系數(shù)相抵消。MN4、MN5、MN6的源極接到地，柵極接到一起并接到MN4的漏極形成鏡像電流源。

負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路2由PMOS管MP5、MP8、MP9、MP13、三極管Q3、Q4、電阻R4、R5組成。MP5的源極與電源相連，柵極與MP1的柵極相連，其作用是鏡像MP1的電流。MP5的漏極與MP8的源極相連。MP8的漏極與Q4的基極、Q3的集電極相連。MP8、MP9的柵極與MP12的柵極相連。MP8與MP5串聯(lián)，增大了從MP8漏極到電源的阻抗。MP13的源極與地相連，漏極與MP9的源極相連，柵極與MP9的漏極相連。Q3的發(fā)射極與地相連，基極與Q4的源極、R5的正端相連。R5的負(fù)端與R4的正端相連，R4的負(fù)端接地。R5正端到地的電壓為Vbe，因此，流過R4和R5的電流為負(fù)溫度系數(shù)電流。

補償電流產(chǎn)生電路3由PMOS管MP4、MP14、MP10、MP11和分段電流選擇電路5組成。MP4源極接到電源，柵極接到MP1柵極，漏極接到MP10源極。MP4鏡像MP1的電流，即正溫度系數(shù)電流。MP14源極接電源，柵極接MP13柵極，漏極接MP11源極。MP14鏡像MP13電流，即負(fù)溫度系數(shù)電流。MP10、MP11柵極接到MP12柵極。MP10和MP11的漏極分別接到分段電流選擇電路5的正溫度系數(shù)電流輸入端IPTAT和負(fù)溫度系數(shù)電流輸入端INTAT。分段電流選擇電路5的正溫度系數(shù)電壓輸入端VPTAT接到R2的正端，負(fù)溫度系數(shù)電壓輸入端VNTAT接到R4的正端。分段電流選擇電路5的補償電流輸出端ICOMP接到R3的正端，補償電流流過R3產(chǎn)生補償電壓。

啟動電路4由PMOS管MP15、NMOS管MN7和MN8組成。MP15源極接電源，柵極和漏極接一起并接到MN8柵極和MN7漏極。MN8漏極接電源，源極接到MN1、MN2和MN3的柵極。MN7源極接地，柵極接到MN4柵極，MN7鏡像MN4電流。

分段電流選擇電路5由PMOS管MP16、MP17、MP18和MP19組成。MP16和MP17的源極接到負(fù)溫度系數(shù)電流源INTAT，MP18和MP19源極接到正溫度系數(shù)電流源IPTAT。MP16和MP19的柵極接到正溫度系數(shù)電壓輸入端VPTAT；MP17和MP18柵極接到負(fù)溫度系數(shù)電壓輸入端VNTAT。MP16和MP18漏極接地，MP17和MP19漏極接到補償電流輸出ICOMP。

圖1為本實用新型原理結(jié)構(gòu)圖。包括帶隙電壓產(chǎn)生核心電路1、負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路2、補償電流產(chǎn)生電路3和啟動電路4。補償電流產(chǎn)生電路3中包含溫度補償核心模塊分段電流選擇電路5。

圖1所示，帶隙電壓產(chǎn)生核心電路1中，MP1、MP2和MP3柵極接到一起，形成鏡像管。MP7和MP8柵極接到一起，并與MP1和MP2串聯(lián)，使MP1和MP2漏極電壓相等，因而MP1和MP2中流過的電流精確相等，也就是流過Q1和Q2的電流相等。MN1、MN2和MN3柵極接到一起，形成鏡像管，使Q1發(fā)射極、Q2發(fā)射極以及Q1和Q2的基極電壓相等，使Q1和Q2的電流放大系數(shù)β相等。Q2的面積為Q1的面積的N倍(N通常為8/10/16)，則Q1的電流密度是Q2的N倍。在本實用新型的一種實例中取N＝8，有：

其中，I_S為三極管反向飽和電流。

推出：

為正溫度系數(shù)電壓。

R1的兩端分別接到Q1和Q2的發(fā)射極，故R1兩端的電壓為ΔVbe，推出流過R1、Q1和Q2的電流為：

得出正溫系數(shù)電壓VPTAT為：

R2和R3是可調(diào)的，合理調(diào)整R2和R3的阻值，即可調(diào)整VPTAT電壓溫度系數(shù)，使正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)相抵消，得到一階溫度補償帶隙基準(zhǔn)電壓。一般的一階溫度補償基準(zhǔn)電壓溫度曲線如圖3所示。

圖1所示，負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路2由PMOS管MP5、MP8、MP9、MP13、三極管Q3、Q4、電阻R4、R5組成。MP5鏡像MP1的電流。MP5與MP8串聯(lián)，提高了MP8漏極到電源的阻抗，有利于增強電路PSR。MP5鏡像的電流流過MP8再流入Q3集電極和Q4發(fā)射極，導(dǎo)致Q4基極電壓升高，進而發(fā)射極電壓升高。電路穩(wěn)定時，Q4發(fā)射極電壓為Vbe(Q3)，因此R4和R5的分壓電壓VNTAT為負(fù)溫度系數(shù)電壓，流過R4和R5的電流為：

為負(fù)溫度系數(shù)電流。

圖1所示，補償電流產(chǎn)生電路3由PMOS管MP4、MP14、MP10、MP11和分段電流選擇電路5組成。MP14鏡像MP13的電流，因此流過MP14的電流等于流過MP13的電流，即：

MP11與MP14串聯(lián)，以增加從MP11漏極到電源的阻抗。

MP4鏡像MP1的電流，因此有：

MP10與MP4串聯(lián)，以增加從MP10漏極到電源的阻抗。

正負(fù)溫度系數(shù)電流IPTAT和INTAT流入分段電流選擇電路5。正負(fù)溫度系數(shù)電壓VPTAT和VNTAT輸入分段電流選擇電路5。分段電流選擇電路5根據(jù)VPTAT和VNTAT電壓的大小關(guān)系，產(chǎn)生的補償電流。補償電流流入R3，在R3兩端產(chǎn)生補償電壓，補償Vbe的高階溫度特性，即補償如圖3所示的帶隙電壓的上拋特性。

圖1所示，啟動電路4由PMOS管MP15、NMOS管MN7和MN8組成。MP15柵極和漏極接到一起，形成二極管結(jié)構(gòu)，MP15的寬長比取值遠(yuǎn)小于1，因而MP15漏極到電源等效阻抗非常大。電源AVDD上電時，VREF電壓為零，圖1中各支路電流為零。MP15漏極電壓會隨著AVDD的升高而升高，即MN8柵極電壓隨AVDD升高，導(dǎo)致MN8管開啟，然后拉高MN1、MN2和MN3管柵極電壓，MN1、MN2、MN3逐漸開啟，電路逐漸進入正常工作狀態(tài)，產(chǎn)生VREF電壓。電路進入正常工作狀態(tài)時，MN7將MP15漏極柵極電壓拉到很低，關(guān)閉MN8。

圖2所示，分段電流選擇電路5由PMOS管MP16、MP17、MP18和MP19組成。優(yōu)選地，MP16、MP17、MP18和MP19采用相同的尺寸。分段電流選擇電路5工作原理方法如下所述：

步驟1：補償曲線斜率調(diào)整：

負(fù)溫度系數(shù)電流INTAT和正溫度系數(shù)電流IPTAT的溫度曲線如圖4所示。當(dāng)VPTAT<VNTAT時，流到ICOMP的電流主要為INTAT；當(dāng)VPTAT＝VNTAT時，流到ICOMP的電流為INTAT與IPTAT和的一半；當(dāng)VPTAT>VNTAT時，流到ICOMP的電流主要為IPTAT。ICOMP的電流曲線如圖4所示。

如圖5所示，一階補償帶隙電壓曲線的上拋頂點可能不在補償溫度范圍的中心點上，導(dǎo)致左右兩邊的斜率不一致。那么補償時，補償曲線也要相應(yīng)的調(diào)整。調(diào)整VPTAT與VNTAT的交越點(VPTAT＝VNTAT)，即調(diào)整補償曲線谷底溫度，可以調(diào)整補償曲線左側(cè)和右側(cè)的斜率，匹配帶隙電壓溫度曲線左右兩側(cè)斜率。優(yōu)選地，對齊一階帶隙電壓溫度曲線頂點和補償曲線谷點。

步驟2：補償曲線底部弧度調(diào)整：

本實用新型采用圖2所示分段電流選擇電路的創(chuàng)新點還在于：利用PMOS夸導(dǎo)管的非線性特性，調(diào)整ICOMP曲線的底部弧度，以匹配帶隙電壓溫度曲線頂部特性。

圖4、5所示的ICOMP曲線是分析采用的線性模型。實際ICOMP溫度曲線如圖6所示。

如圖6，增大MP16、MP17、MP18和MP19的寬長比，ICOMP曲線底部變得尖銳；減小MP16、MP17、MP18和MP19的寬長比，ICOMP曲線底部變得圓滑。

結(jié)合步驟1和2，首先調(diào)整補償曲線谷底左右兩側(cè)斜率，再調(diào)整補償曲線底部的弧度，實現(xiàn)對一階帶隙電壓溫度特性精確補償。

圖7為本實用新型在某工藝下實現(xiàn)實例的基準(zhǔn)電壓溫度曲線。補償后的溫漂小于50uV。

上述本申請實施例中的技術(shù)方案，至少具有如下的技術(shù)效果或優(yōu)點：

本申請?zhí)岢隽艘环N高階溫度補償?shù)幕鶞?zhǔn)源，利用一對正、負(fù)溫度系數(shù)電流和分段電流選擇電路，產(chǎn)生V型下拋的補償電流，補償帶隙電壓的上拋溫度特性。分段電流選擇電路由4個PMOS夸導(dǎo)管組成，結(jié)構(gòu)非常簡單，其產(chǎn)生補償電流的思想為：通過調(diào)節(jié)正、負(fù)溫度系數(shù)電壓交越點和PMOS夸導(dǎo)管的寬長比，可以調(diào)整優(yōu)化補償電流溫度曲線谷底兩側(cè)斜率和底部曲線弧度，產(chǎn)生與帶隙電壓上拋曲線很匹配的補償曲線；因此，本實用新型提出的方案能夠精確補償帶隙電壓高階特性，產(chǎn)生溫度系數(shù)極小的基準(zhǔn)電壓。

盡管已描述了本實用新型的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本實用新型范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。