本發(fā)明涉及數(shù)字信號處理技術(shù)，尤其涉及一種數(shù)字信號采集電路、數(shù)字信號采集板卡。

背景技術(shù)：

在工業(yè)現(xiàn)場控制領(lǐng)域，數(shù)字信號采集板卡是遠(yuǎn)程輸入輸出(Remote Input Output Modle，簡稱：RIOM)的重要組成部分，負(fù)責(zé)數(shù)字量采集(Digital Input，簡稱DI)。

現(xiàn)有技術(shù)中，數(shù)字信號采集電路采用兩個(gè)電阻和電容實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號采集的功能。

然而，采用現(xiàn)有技術(shù)，數(shù)字信號采集電路的工作電流較小，抗干擾能力不強(qiáng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種數(shù)字信號采集電路、數(shù)字信號采集板卡。提高了數(shù)字信號采集電路的工作電流，增強(qiáng)了數(shù)字信號采集電路的抗干擾能力。

本發(fā)明提供一種一種數(shù)字信號采集電路，包括：數(shù)字信號采集電路，所述數(shù)字信號采集電路包括：輸入保護(hù)電路、采集電路和第一隔離電路，所述采集電路包括：第一防反二極管、第二防反二極管、分壓電阻、三極管、第一限流電阻、發(fā)光二極管和控制電流電阻；

所述輸入保護(hù)電路的輸出端與所述第一防反二極管的正極和所述第二防反二極管的負(fù)極連接；所述第一防反二極管的負(fù)極與所述分壓電阻和所述第一限流電阻連接；所述第一防反二極管的負(fù)極通過所述分壓電阻連接所述三極管的集電極和所述第二限流電阻的第一端，所述第二限流電阻的第二端連接所述第一隔離電路；所述第一防反二極管的負(fù)極通過所述第一限流電阻連接所述三極管的基極和所述發(fā)光二極管的正極；所述發(fā)光二極管的負(fù)極連接所述第二防反二極管的正極和所述控制電流電阻的第一端；所述三極管的發(fā)射級連接所述控制電流電阻的第二端和所述第一隔離電路。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，數(shù)字信號采集電路還包括自檢控制電路，所述自檢控制電路包含自檢控制電路正端和自檢控制電路負(fù)端；

所述自檢控制電路正端包含第一控制端和正輸出端，所述自檢控制電路正端通過所述第一控制端的輸入信號控制所述正輸入端輸出高電平；

所述自檢控制電路負(fù)端包含第二控制端和負(fù)輸出端，所述自檢控制電路負(fù)端通過所述第二控制端的輸入信號控制所述負(fù)輸出端輸出低電平；

所述采集電路包括正輸入端和負(fù)輸入端，所述正輸入端與所述正輸出端連接，所述負(fù)輸入端與所述負(fù)輸出端連接。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述負(fù)端電路包括：第一低電壓控制電路、第二隔離電路和N溝道金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路；

所述第一低電壓控制電路包括：第三限流電阻、第一小功率N溝道MOSFET和第一小功率N溝道MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路；所述第一小功率N溝道MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路包括：第一濾波電容、第二濾波電容、第四限流電阻、第一電阻和第一二極管；

所述第二隔離電路包括：第二光電耦合器；

所述N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路包括：N溝道MOSFET、第五限流電阻、第六限流電阻和第一穩(wěn)壓二極管；

所述自檢控制電路負(fù)端的所述第一控制端連接所述第四限流電阻的第一端和所述第一二極管的負(fù)極；所述第四限流電阻的第二端連接所述第一小功率N溝道MOSFET的柵極，并通過所述第一濾波電容連接所述第一小功率N溝道MOSFET的漏極，通過所述第二濾波電容連接所述第一小功率N溝道MOSFET的源極；所述第一二極管的正極通過所述第一電阻連接所述第一小功率N溝道MOSFET的柵極，并通過所述第一濾波電容連接所述第一小功率N溝道MOSFET的漏極，通過所述第二濾波電容連接所述第一小功率N溝道MOSFET的源極；所述第一小功率N溝道MOSFET的漏極連接所述第二光電耦合器的初級輸出端；所述第二光電耦合器的初級輸入端通過所述第三限流電阻連接電源；所述第二光電耦合器的次級輸入端通過所述第六限流電阻連接電源，所述第二光電耦合器的次級輸入端還連接所述第一穩(wěn)壓二極管的負(fù)極；所述第二光電耦合器的次級輸出端連接所述N溝道MOSFET的柵極和所述第五限流電阻的第一端；所述第五限流電阻的第二端連接所述N溝道MOSFET的源極和所述第一穩(wěn)壓二極管的正極；所述N溝道MOSFET的漏極連接所述自檢控制電路負(fù)端的負(fù)輸出端。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述正端電路包括：

第二低電壓控制電路、第三隔離電路和P溝道金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFEF驅(qū)動(dòng)電路；

所述第二低電壓控制電路包括：第七限流電阻、第二小功率N溝道MOSFET和第二小功率N溝道MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路；所述第二小功率N溝道MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路包括：第三濾波電容、第四濾波電容、第八限流電阻、第二電阻和第二二極管；

所述第三隔離電路包括：第三光電耦合器；

所述P溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路包括：P溝道MOSFET、第九限流電阻、第十限流電阻和第二穩(wěn)壓二極管；

所述自檢控制電路正端的所述第二控制端連接所述第八限流電阻的第一端和所述第二二極管的負(fù)極；所述第八限流電阻的第二端連接所述第二小功率N溝道MOSFET的柵極，并通過所述第三濾波電容連接所述第二小功率N溝道MOSFET的漏極，通過所述第四濾波電容連接所述第二小功率N溝道MOSFET的源極；所述第二二極管的正極通過所述第二電阻連接所述第二小功率N溝道MOSFET的柵極，并通過所述第三濾波電容連接所述第二小功率N溝道MOSFET的漏極，通過所述第四濾波電容連接所述第二小功率N溝道MOSFET的源極；所述第二小功率N溝道MOSFET的漏極連接所述第三光電耦合器的初級輸出端；所述第三光電耦合器的初級輸入端通過所述第七限流電阻連接電源；所述第三光電耦合器的次級輸出端通過所述第十限流電阻接地，所述第三光電耦合器的次級輸出端還連接所述第二穩(wěn)壓二極管的正極；所述第二穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接所述P溝道MOSFET的漏極、所述第九限流電阻的第一端和電源；所述第九限流電阻的第二端連接所述P溝道MOSFET的柵極和所述第三光電耦合器的次級輸入端；所述P溝道MOSFET的源極連接所述自檢控制電路正端的正輸出端。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述輸入保護(hù)電路包括：電感和瞬態(tài)抑制TVS二極管；

所述電感的第一端連接所述數(shù)字信號采集電路的輸入端；所述電感的第二端連接所述第一防反二極管的正極、所述第二防反二極管的負(fù)極和所述TVS二極管的負(fù)極；所述TVS二極管的正極接地。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述隔離電路包括：第一光電耦合器和第十一限流電阻；

所述第一光電耦合器的初級輸入端與所述第二限流電阻連接；所述第一光電耦合器的初級輸出端所述三極管的發(fā)射極和所述控制電流電阻連接；所述第一光電耦合器的次級輸出端接地；所述第一光電耦合器的次級輸入端連接所述第十一限流電阻和所述數(shù)字信號采集電路的輸出端。

本發(fā)明提供一種數(shù)字信號采集板卡，包括上述實(shí)施例中任一項(xiàng)所述的數(shù)字信號采集電路。

本發(fā)明提供一種數(shù)字信號采集電路、數(shù)字信號采集板卡。其中，數(shù)字信號采集電路包括：輸入保護(hù)電路、采集電路和第一隔離電路。其中，采集電路包括：第一防反二極管、第二防反二極管、分壓電阻、第一限流電阻、三極管、第二限流電阻、發(fā)光二極管和控制電流電阻。通過三極管的發(fā)射極連接第一隔離電路和集電極通過限流電阻連接第一隔離電路，得到數(shù)字信號。同時(shí)，由發(fā)光二極管和控制電流電阻構(gòu)成發(fā)射極電流控制電路。本發(fā)明提供的數(shù)字信號采集電路、數(shù)字信號采集板卡，增大了數(shù)字信號采集電路提供的工作電流，從而提高了數(shù)字信號采集電路、數(shù)字信號采集板卡的抗干擾能力。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明數(shù)字信號采集電路實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明數(shù)字信號采集電路實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明自檢控制電路負(fù)端實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明自檢控制電路正端實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明數(shù)字信號采集板卡實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例例如能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤４送?，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

值得注意的是，本發(fā)明提供的數(shù)字信號采集電路可以應(yīng)用于對各種數(shù)字信號的采集，而本發(fā)明提及的數(shù)字信號采集電路僅僅為本發(fā)明提供一種具體應(yīng)用場景，僅僅是為了可以更加清楚的描述本發(fā)明提供的數(shù)字信號采集電路。

下面以具體地實(shí)施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。下面這幾個(gè)具體的實(shí)施例可以相互結(jié)合，對于相同或相似的概念或過程可能在某些實(shí)施例不再贅述。

圖1為本發(fā)明數(shù)字信號采集電路實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例數(shù)字信號采集電路1包括：輸入保護(hù)電路11、采集電路12和第一隔離電路13。其中，輸入保護(hù)電路11用于接收輸入的待采集的信號，并對輸入信號進(jìn)行濾波和保護(hù)，濾除輸入的交流電的干擾并防止輸入電壓瞬間過高引起的器件損壞；采集電路12用于將輸入的連續(xù)信號轉(zhuǎn)化成離散的數(shù)字信號并輸出，第一隔離電路13接收采集電路12采集的信號，進(jìn)行電氣隔離，并用于輸出數(shù)字信號。

具體地，采集電路12包括：第一防反二極管121、第二防反二極管122、分壓電阻123、第一限流電阻124、三極管125、第二限流電阻126、發(fā)光二極管127和控制電流電阻128。輸入保護(hù)電路11的輸出端與第一防反二極管121的正極和第二防反二極管122的負(fù)極連接，用于限定采集電路12的信號流向，使得信號通過第一防反二極管121、不通過第二防反二極管122。第一防反二極管121的負(fù)極與分壓電阻123和第一限流電阻124連接，分壓電阻123用于控制三極管125的工作狀態(tài)，工作狀態(tài)可以是飽和狀態(tài)或正常狀態(tài)，第一限流電阻124用于限定三極管125的電流。第一防反二極管121的負(fù)極通過分壓電阻123連接三極管125的集電極和第二限流電阻126的第一端，第二限流電阻126的第二端連接第一隔離電路。第二限流電阻126用于和第一隔離電路13共同將采集電路12的輸出信號電氣隔離。第一防反二極管121的負(fù)極通過第一限流電阻124連接三極管125的基極和發(fā)光二極管127的正極。發(fā)光二極管127的負(fù)極連接第二防反二極管122的正極和控制電流電阻128的第一端，三極管125的發(fā)射級連接控制電流電阻128的第二端和第一隔離電路。

其中，采集電路12通過第二限流電阻126和三極管125的發(fā)射極連接第一隔離電路，并通過隔離電路輸出數(shù)字信號。采集電路12中的三極管125的發(fā)射極電流為采集電路12的工作電流，發(fā)光二極管127和控制電流電阻128構(gòu)成了電流控制電路，用于控制三極管125的發(fā)射極電流。采集電路12的工作電流大小為輸入電壓U與控制電流電阻128的阻值R相除之商，實(shí)際應(yīng)用中可達(dá)20mA。遠(yuǎn)高于現(xiàn)有技術(shù)中通過電容與電阻形成的采集電路中，采集電路工作的電流5mA。

可選地，輸入保護(hù)電路11包括：電感111和瞬態(tài)抑制(Transient Voltage Suppressor，簡稱：TVS)二極管112。其中，電感111的第一端連接數(shù)字信號采集電路1的輸入端，接收外部輸入信號，電感111的第二端連接采集電路12中的第一防反二極管121的正極、第二防反二極管122的負(fù)極和TVS二極管112的負(fù)極，TVS二極管112的正極接地。電感111用于濾除輸入的交流電的干擾，TVS二極管112用于防止輸入瞬間電壓過高引起器件的損壞。

可選地，第一隔離電路13包括：第一光電耦合器131，第十一限流電阻132。其中，第一光電耦合器131的初級輸入端與采集電路12中的第二限流電阻126連接；第一光電耦合器131的初級輸出端與采集電路12中的三極管125的發(fā)射極和控制電流電阻128連接；第一光電耦合器131的次級輸入端連接第十一限流電阻132和數(shù)字信號采集電路1的輸出端；第一光電耦合器131的次級輸出端接地。第十一限流電阻132用于限定光電耦合器131初級輸入端輸入的電流，防止輸入光電耦合器131的電流過大減少其使用壽命。光電耦合器131用于對采集電路12的信號及數(shù)字信號采集電路1的輸出信號進(jìn)行電氣隔離。可選地，光電耦合器131的耐壓值和開關(guān)速度可以根據(jù)實(shí)際工況進(jìn)行選型。光電耦合器131和第二限流電阻126共同組成隔離控制電路，隔離控制電路通過獲取三極管125集電極和發(fā)射極之間的電壓，控制光電耦合器131的導(dǎo)通和關(guān)閉從而實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號采集。

可選地，本實(shí)施例提供的數(shù)字信號采集電路可以用于工業(yè)現(xiàn)場，特別是城市輕軌、地鐵和汽車等領(lǐng)域，用于對電壓值范圍在0-74V的信號進(jìn)行采集。

本實(shí)施例提供的數(shù)字信號采集電路包括：輸入保護(hù)電路、采集電路和第一隔離電路，其中采集電路包括第一防反二極管、第二防反二極管、分壓電阻、第一限流電阻、三極管、第二限流電阻、發(fā)光二極管和控制電流電阻。采集電路中三極管的發(fā)射極連接第一隔離電路和集電極通過限流電阻連接第一隔離電路，得到采集后的數(shù)字信號。并且由發(fā)光二極管和控制電流電阻構(gòu)成的發(fā)射極電流控制電路，增大了采集電路提供的工作電流，從而提高了采集電路以及整個(gè)數(shù)字信號采集電路的抗干擾能力。

圖2為本發(fā)明數(shù)字信號采集電路實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，數(shù)字信號采集電路還包括自檢控制電路，自檢控制電路包括：自檢控制電路負(fù)端21和自檢控制電路正端22。自檢控制電路負(fù)端21包括第一控制端和負(fù)輸出端，自檢控制電路負(fù)端21通過第一控制端輸入信號控制負(fù)輸出端輸出低電平。自檢控制電路正端22包括第二控制端和正輸出端，自檢控制電路正端22通過第二控制端輸入信號控制正輸出端輸出高電平。采集電路12包括正輸入端和負(fù)輸入端，正輸入端用于與自檢控制電路正端22的輸出端連接，接收自檢控制電路正端22正輸出端輸出的高電平；負(fù)輸入端用于與自檢控制電路負(fù)端21的輸出端連接，接收自檢控制電路負(fù)端21負(fù)輸出端輸出的低電平。

自檢控制電路負(fù)端21連接第三防反二極管201的負(fù)極，第三防反二極管201的正極連接采集電路12中的第二防反二極管122的正極、發(fā)光二極管127的負(fù)極和控制電流電阻128的第一端。自檢控制電路正端22連接第四防反二極管202的正極，第四防反二極管202的負(fù)極連接采集電路12中的第一防反二極管121的負(fù)極、分壓電阻123和第一電阻124。

自檢控制電路用于檢測采集電路12是否正常工作。則當(dāng)自檢控制電路負(fù)端21輸出低電平，自檢控制電路正端22輸出高電平時(shí)，第四防反二極管202的正極和負(fù)極都為高電平，第三防反二極管201的負(fù)極為低電平。

若采集電路12的電流控制電路中的三極管125或控制電流電阻128出現(xiàn)故障，則第四防反二極管202的負(fù)極通過第一電阻124和發(fā)光二極管127與第三防反二極管201的正極連接，使得第三防反二極管201的正極為高電平、負(fù)極為低電平，則以此檢測結(jié)果判定采集電路故障。

若采集電路12的電流控制電路中的三極管125和控制電流電阻128正常工作，則第四防反二極管202的負(fù)極通過第一電阻124，同時(shí)與發(fā)光二極管127的正極和三極管125的基極連接。三極管125的發(fā)射極通過控制電流電阻128與第三防反二極管的正極連接。發(fā)光二極管127的負(fù)極連接第三防反二極管的正極，此時(shí)發(fā)光二極管127起到穩(wěn)壓管的作用，三極管125的發(fā)射極輸出的低電平使得第三防反二極管201的正極為低電平、負(fù)極也為低電平，則以此檢測結(jié)果判定采集電路正常工作。

本實(shí)施例提供的數(shù)字信號采集電路，包括自檢控制電路，自檢控制電路包括自檢控制電路正端和自檢控制電路負(fù)端。自檢控制電路負(fù)端通過第一控制端輸入信號控制負(fù)輸出端輸出低電平，自檢控制電路正端通過第二控制端輸入信號控制正輸出端輸出高電平。根據(jù)第三防反二極管正極和負(fù)極的電平判斷采集電路是否正常工作。本實(shí)施例提供的數(shù)字信號采集電路包括自檢的功能，能夠?qū)崟r(shí)判斷電路是否正常工作，能夠讓采集電路工作在更大的功率環(huán)境中，增大了數(shù)字信號采集電路的抗干擾性能，擁有廣泛的應(yīng)用前景。

可選地，圖3為本發(fā)明自檢控制電路負(fù)端實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本實(shí)施例提供的自檢控制電路負(fù)端包括：第一低電壓控制電路31、第二隔離電路32和N溝道金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱：MOSFET)驅(qū)動(dòng)電路33。

其中，第一低電壓控制電路31包括：第三限流電阻311、第一小功率N溝道MOSFET312和第一小功率N溝道MOSFET312的驅(qū)動(dòng)電路。

第二隔離電路包括：第二光電耦合器321，第二光電耦合器321用于電氣隔離?？蛇x地，第二光電耦合器321的耐壓值和開關(guān)速度可以根據(jù)實(shí)際工況進(jìn)行選型。第三限流電阻311用于限定第二光電耦合器321初級輸入端輸入的電流。

第一小功率N溝道MOSFET312用于控制第二光電耦合器321的開關(guān)并同時(shí)減少自檢控制電路負(fù)端21的第一控制端的輸出電流。

第一小功率N溝道MOSFET312的驅(qū)動(dòng)電路包括：第一濾波電容313、第二濾波電容314、第四限流電阻315、第一電阻316和第一二極管317。其中，第一濾波電容313和第二濾波電容314對第一小功率N溝道MOSFET312的輸入端進(jìn)行濾波，濾除交流電的干擾。第四限流電阻315用于限定第一小功率N溝道MOSFET312的輸入電流。第一電阻316和第一二極管317用于形成第一小功率N溝道MOSFET312的快速放點(diǎn)回路。

N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路33包括：N溝道MOSFET331、第五限流電阻332、第六限流電阻334和第一穩(wěn)壓二極管333。其中，第六限流電阻334用于限定第二光電耦合器321次級輸入端輸入的電流。第五限流電阻332用于為N溝道MOSFET331的柵極充電，并限定充電電流。第一穩(wěn)壓二極管333用于限定N溝道MOSFET331柵極的電壓值，防止N溝道MOSFET331柵極電壓過高。

本實(shí)施例提供的自檢控制電路負(fù)端電路的具體連接方式為：自檢控制電路負(fù)端21的輸入信號的第一控制端連接第一低電壓控制電路31中第四限流電阻315的第一端和第一二極管317的負(fù)極。第四限流電阻315的第二端連接第一小功率N溝道MOSFET312的柵極，并通過第一濾波電容313連接第一小功率N溝道MOSFET312的漏極，通過第二濾波電容314連接第一小功率N溝道MOSFET312的源極。第一二極管317的正極通過第一電阻316連接第一小功率N溝道MOSFET312的柵極，并通過第一濾波電容313連接第一小功率N溝道MOSFET312的漏極，通過第二濾波電容314連接第一小功率N溝道MOSFET312的源極。第一小功率N溝道MOSFET312的漏極連接第二光電耦合器321的初級輸出端。第二光電耦合器321的初級輸入端通過第三限流電阻311連接電源。第二光電耦合器321的次級輸入端通過第六限流電阻334連接電源，第二光電耦合器321的次級輸入端還連接第一穩(wěn)壓二極管333的負(fù)極。第二光電耦合器321的次級輸出端連接N溝道MOSFET331的柵極和第五限流電阻332的第一端。第五限流電阻332的第二端連接N溝道MOSFET331的源極和第一穩(wěn)壓二極管333的正極。N溝道MOSFET331的漏極連接自檢控制電路負(fù)端21的負(fù)輸出端，為自檢控制電路21提供的輸出信號。

可選地，圖4為本發(fā)明自檢控制電路正端實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，本實(shí)施例提供的自檢控制電路正端包括：第二低電壓控制電路41、第三隔離電路42和P溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路43。

其中，第二低電壓控制電路42包括：第七限流電阻411、第二小功率N溝道MOSFET412和第二小功率N溝道MOSFET412的驅(qū)動(dòng)電路。

第三隔離電路42包括：第三光電耦合器421，第三光電耦合器421用于第二低電壓控制電路41和P溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路43的電氣隔離?？蛇x地，第三光電耦合器421的耐壓值和開關(guān)速度可以根據(jù)實(shí)際工況進(jìn)行選型。第七限流電阻411用于限定第三光電耦合器421初級輸入端輸入的電流。

第二小功率N溝道MOSFET412用于控制第三光電耦合器421的開關(guān)并同時(shí)減少自檢控制電路正端22的第一控制端的輸出電流。

第二小功率N溝道MOSFET412的驅(qū)動(dòng)電路包括：第三濾波電容413、第四濾波電容414、第八限流電阻415、第二電阻416和第二二極管417。其中第三濾波電容413和第四濾波電容414對第二小功率N溝道MOSFET412的輸入端進(jìn)行濾波，濾除交流電的干擾。第八限流電阻415用于限定小功率N溝道MOSFE第二的輸入電流。第二電阻416和第二二極管417用于形成第二小功率N溝道MOSFET412的快速放電回路。

P溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路43包括：P溝道MOSFET431、第九限流電阻432、第十限流電阻434和第二穩(wěn)壓二極管433。其中，第十限流電阻434用于限定第三光電耦合器421次級輸出端的輸出的電流。第九限流電阻432用于為P溝道MOSFET431的柵極充電，并限定充電電流。第二穩(wěn)壓二極管433用于限定P溝道MOSFET431柵極的電壓值，放置P溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路43柵極電壓過高。

本實(shí)施例提供的自檢控制電路正端電路的具體連接方式為：自檢控制電路正端22用于輸入信號的第二控制端連接第二低電壓控制電路32中的第八限流電阻415的第一端和第二二極管417的負(fù)極。第八限流電阻415的第二端連接第二小功率N溝道MOSFET412的柵極，并通過第三濾波電容413連接第二小功率N溝道MOSFET412的漏極，通過第四濾波電容414連接第二小功率N溝道MOSFET412的源極。第二二極管417的正極通過第二電阻416連接第二小功率N溝道MOSFET412的柵極，并通過第三濾波電容413連接第二小功率N溝道MOSFET412的漏極，通過第四濾波電容414連接第二小功率N溝道MOSFET412的源極。第二小功率N溝道MOSFET412的漏極連接第三光電耦合器421的初級輸出端。第三光電耦合器421的初級輸入端通過第七限流電阻411連接電源。第三光電耦合器421的次級輸出端通過第十限流電阻434接地，第三光電耦合器421的次級輸出端還連接第二穩(wěn)壓二極管433的正極。第二穩(wěn)壓二極管433的負(fù)極連接P溝道MOSFET431的漏極、第九限流電阻432的第一端和電源。第九限流電阻432的第二端連接P溝道MOSFET431的柵極和第三光電耦合器421的次級輸入端。P溝道MOSFET431的源極連接自檢控制電路正端22的正輸出端，為自檢控制電路正端22的輸出信號。

圖5為本發(fā)明數(shù)字信號采集板卡實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，本實(shí)施例提供的數(shù)字信號采集板卡包括：數(shù)字信號采集電路51。其中，數(shù)字信號采集電路51可以采用前述所有實(shí)施例中任一所述的數(shù)字信號采集電路。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解：實(shí)現(xiàn)上述各方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成。前述的程序可以存儲于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中。該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述各方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括：ROM、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。