專利名稱：一種電流源啟動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種電流源。
背景技術(shù)：
在集成電路的設(shè)計(jì)中，電流源電路的啟動(dòng)問(wèn)題如果沒(méi)有處理好，會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定以及其正常工作，如圖1所示的由MOS管Ml、M2、M3、M4和電阻Rl組成的典型的電流源電路，需要由MOS管M5以及其他器件組成的啟動(dòng)電路來(lái)啟動(dòng)，所述啟動(dòng)電路在電流源工作時(shí)仍需要消耗電能，增加了低功耗產(chǎn)品的功耗，也增加了器件成本。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的問(wèn)題是提供一種電流源啟動(dòng)電路，可以解決現(xiàn)有技術(shù)的電流源啟動(dòng)電路增加產(chǎn)品功耗和器件成本的問(wèn)題。本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種電流源啟動(dòng)電路，包括芯片的電流源主體部分，所述電流源主體部分由啟動(dòng)電路提供啟動(dòng)電壓，所述啟動(dòng)電路包括PMOS管，所述PMOS管的源極接電源VDD，漏極與電流源主體部分相連,柵極通過(guò)延時(shí)電路接收啟動(dòng)信號(hào)。本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案是，啟動(dòng)信號(hào)為啟動(dòng)系統(tǒng)的使能信號(hào)或者復(fù)位電路發(fā)出復(fù)位信號(hào)。本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案是，PMOS管為增強(qiáng)型PMOS管。本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案是，電流源主體部分包括個(gè)MOS管和個(gè)電阻，其中，第一 MOS管為增強(qiáng)型PMOS管，源極接電源VDD，漏極與柵極相連；第二 MOS管為增強(qiáng)型PMOS管，源極連接至電源VDD，并分別與第一 MOS管和啟動(dòng)電路的PMOS管的源極相連，所述第二 MOS管柵極與第一 MOS管的柵極相連； 第三MOS管為增強(qiáng)型NMOS管，源極接地，漏極與柵極相連，并分別與第二 MOS管的漏極以及啟動(dòng)電路的PMOS管的漏極相連；第四MOS管為增強(qiáng)型NMOS管，源極經(jīng)電阻與第三MOS管的源極相連并接地，柵極與第三MOS關(guān)的柵極相連，漏極與第一 MOS管的漏極相連。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)在于:直接利用芯片的使能信號(hào)或復(fù)位信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流源的啟動(dòng)，降低功耗，同時(shí)也降低芯片的器件成本。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的電流源及啟動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)圖。圖2為本實(shí)用新型所述的電流源啟動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
[0017]如圖2所示的一種電流源啟動(dòng)電路，包括芯片的電流源主體部分1，所述電流源主體部分I由啟動(dòng)電路2提供啟動(dòng)電壓，所述啟動(dòng)電路2包括PMOS管21，所述PMOS管21的源極接電源VDD，漏極與電流源主體部分I相連，柵極通過(guò)延時(shí)電路22接收啟動(dòng)信號(hào)23。如圖2所示，啟動(dòng)信號(hào)23為啟動(dòng)系統(tǒng)的使能信號(hào)或者復(fù)位電路發(fā)出復(fù)位信號(hào)。如圖2所示，PMOS管21為增強(qiáng)型PMOS管。如圖2所示，電流源主體部分I包括4個(gè)MOS管和I個(gè)電阻，其中，第一 MOS管11為增強(qiáng)型PMOS管，源極接電源VDD，漏極與柵極相連；第二 MOS管12為增強(qiáng)型PMOS管，源極連接至電源VDD，并分別與第一 MOS管11和啟動(dòng)電路2的PMOS管21的源極相連，所述第二 MOS管12柵極與第一 MOS管11的柵極相連；第三MOS管13為增強(qiáng)型NMOS管，源極接地，漏極與柵極相連，并分別與第二 MOS管12的漏極以及啟動(dòng)電路2的PMOS管21的漏極相連；第四MOS管14為增強(qiáng)型NMOS管，源極經(jīng)電阻15與第三MOS管13的源極相連并接地，柵極與第三MOS關(guān)13的柵極相連，漏極與第一 MOS管11的漏極相連。芯片通電時(shí)，復(fù)位信號(hào)輸出一個(gè)電壓，經(jīng)延時(shí)電路使PMOS管21導(dǎo)通，繼而第三MOS管13和第四MOS管14導(dǎo)通，第一 MOS管11和第四MOS管14的回路導(dǎo)通，產(chǎn)生電流，電流源啟動(dòng)成功；當(dāng)達(dá)到延時(shí)電路的預(yù)定時(shí)間時(shí)，PMOS管21切斷，啟動(dòng)電路2停止工作，電流源電路一直導(dǎo)通，不受啟動(dòng)電路2影響，達(dá)到了啟動(dòng)的要求。
權(quán)利要求1.一種電流源啟動(dòng)電路，包括芯片的電流源主體部分(I)，所述電流源主體部分(I)由啟動(dòng)電路(2 )提供啟動(dòng)電壓，其特征在于:所述啟動(dòng)電路(2 )包括PMOS管(21)，所述PMOS管(21)的源極接電源VDD，漏極與電流源主體部分(I)相連，柵極通過(guò)延時(shí)電路(22)接收啟動(dòng)信號(hào)(23)。
2.如權(quán)利要求1所述的電流源啟動(dòng)電路，其特征在于:所述啟動(dòng)信號(hào)(23)為啟動(dòng)系統(tǒng)的使能信號(hào)或者復(fù)位電路發(fā)出復(fù)位信號(hào)。
3.如權(quán)利要求1所述的電流源啟動(dòng)電路，其特征在于:所述PMOS管(21)為增強(qiáng)型PMOS 管。
4.如權(quán)利要求1所述的電流源啟動(dòng)電路，其特征在于:所述電流源主體部分(I)包括4個(gè)MOS管和I個(gè)電阻， 其中，第一 MOS管(11)為增強(qiáng)型PMOS管，源極接電源VDD，漏極與柵極相連； 第二 MOS管(12 )為增強(qiáng)型PMOS管，源極連接至電源VDD，并分別與第一 MOS管(11)和啟動(dòng)電路(2 )的PMOS管(21)的源極相連，所述第二 MOS管(12 )柵極與第一 MOS管(11)的柵極相連； 第三MOS管(13)為增強(qiáng)型NMOS管，源極接地，漏極與柵極相連，并分別與第二 MOS管(12)的漏極以及啟動(dòng)電路(2)的PMOS管(21)的漏極相連； 第四MOS管(14)為增強(qiáng)型NMOS管，源極經(jīng)電阻(15)與第三MOS管(13)的源極相連并接地，柵極與第三MOS關(guān)(13)的柵極相連，漏極與第一 MOS管(11)的漏極相連。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電流源啟動(dòng)電路，涉及集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，包括芯片的電流源主體部分，所述電流源主體部分由啟動(dòng)電路提供啟動(dòng)電壓，所述啟動(dòng)電路包括PMOS管，所述PMOS管的源極接電源VDD，漏極與電流源主體部分相連，柵極通過(guò)延時(shí)電路接收啟動(dòng)信號(hào)。本實(shí)用新型直接利用芯片的使能信號(hào)或復(fù)位信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流源的啟動(dòng)，降低功耗，同時(shí)也降低芯片的器件成本。
文檔編號(hào)G05F1/56GK202939530SQ20122062073
公開(kāi)日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2012年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月22日
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