專利名稱：溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器及溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器及溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊，尤涉及一種可利用電流抵消作用，以利用較簡單電路使溫度系數(shù)電流在觸發(fā)溫度前后轉(zhuǎn)態(tài)較平滑的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器及溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊。
背景技術(shù)：
因應(yīng)半導(dǎo)體特性的緣故，在許多應(yīng)用上，電流源的輸出電流需設(shè)計(jì)成具有溫度系數(shù)(即隨環(huán)境溫度變化而變化)，以補(bǔ)償不同電路非理想因素的溫度效應(yīng)。舉例來說，請參考圖1，圖I為公知一雙電容振蕩器10的示意圖。簡單來說， 雙電容振蕩器10的一理想震蕩頻率fideal可表示為fideal = Ic/2CfVref,即可由一電流源所提供的電流Ic決定理想震蕩頻率fideal。然而，理想震蕩頻率fideal會(huì)因雙電容振蕩器10的非理想效應(yīng)而受溫度影響，且各影響因素加總后，溫度與頻率的關(guān)系(即溫度系數(shù)，Temperature-Coefficient)并非線性,而是在特定溫度范圍較為顯著。在此情況下，電流源在設(shè)計(jì)時(shí)需加入非線性溫度系數(shù)(non-linear Temperature-Coefficient),使其提供予雙電容振蕩器10的電流Ic能補(bǔ)償雙電容振蕩器10頻率漂移。換句話說，若原本各影響因素加總后在一特定溫度范圍會(huì)使頻率隨溫度上升而上升，則需設(shè)計(jì)電流Ic在此特定溫度范圍隨溫度上升而下降以抵消各影響因素所造成的頻率漂移。請參考圖2，圖2為公知具有非線性溫度系數(shù)的一電流源20的示意圖。如圖2所示，電流源20包括有一傳統(tǒng)能帶隙(bandgap)電路202、一觸發(fā)單元204以及一產(chǎn)生單元206。簡單來說，傳統(tǒng)能帶隙參考電路202可提供具有溫度系數(shù)的電壓及電流與不具有溫度系數(shù)的電壓及電流予觸發(fā)單元204，因此觸發(fā)單元204在特定溫度條件下觸發(fā)以控制切換產(chǎn)生單元206輸出，使得產(chǎn)生單元206可輸出具有溫度系數(shù)的一輸出電流lout。舉例來說，傳統(tǒng)能帶隙參考電路202可提供一零溫度系數(shù)電壓VZT。予觸發(fā)單元204的一比較器208的一正輸入端。觸發(fā)單元204則利用一電流鏡的一晶體管Ml產(chǎn)生一正溫度系數(shù)電流IPTC，使得正溫度系數(shù)電流Iptc流經(jīng)一電阻Rptc轉(zhuǎn)換為一正溫度系數(shù)電壓Vprc予比較器208的一負(fù)輸入端。比較器208可將零溫度系數(shù)電壓Vztc與正溫度系數(shù)電壓Vptc進(jìn)行比較，以輸出一控制信號Vcon，進(jìn)而控制切換產(chǎn)生單元206輸出。傳統(tǒng)能帶隙參考電路202提供零溫度系數(shù)電壓VZT。與正溫度系數(shù)電流IPT。的方式應(yīng)為本發(fā)明普通技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。此外，在產(chǎn)生單兀206中，一放大器210經(jīng)配置以利用回授將其一正輸入端的電壓鎖定在零溫度系數(shù)電壓Vzt。(即當(dāng)放大器210的正輸入端的電壓小于零溫度系數(shù)電壓Vztc時(shí)，一晶體管M2導(dǎo)通以抬升放大器210的正輸入端的電壓)，以產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流Iztc流經(jīng)一電阻Rztc,再利用一電流鏡的一晶體管M3產(chǎn)生零溫度系數(shù)電流Iztc予一多任務(wù)器212的高準(zhǔn)位輸入端。另一方面，利用另一電流鏡的一晶體管Μ4產(chǎn)生正溫度系數(shù)電流Ipt。予多任務(wù)器212的低準(zhǔn)位輸入端。接著，多任務(wù)器212再根據(jù)控制信號Vcon切換輸出零溫度系數(shù)電流Iztc與正溫度系數(shù)電流Iptc。
須注意，圖2的例是設(shè)計(jì)當(dāng)環(huán)境溫度為一觸發(fā)溫度Ttaiggw時(shí)，零溫度系數(shù)電壓Vztc等于正溫度系數(shù)電壓VPTC。在此情況下，請參考圖3，圖3為理想狀態(tài)下圖2中輸出電流lout、零溫度系數(shù)電流Izrc及正溫度系數(shù)電流Iptc的示意圖。如圖2及圖3所示，當(dāng)環(huán)境溫度低于觸發(fā)溫度Iteigge,時(shí)，比較器208輸出控制信號Vcon為高準(zhǔn)位，因此多任務(wù)器212選擇零溫度系數(shù)電流Iztc為輸出電流Iout輸出。當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí)，正溫度系數(shù)電壓Vprc將隨的升高，而在環(huán)境溫度高于觸發(fā)溫度Ttaiggw時(shí)，正溫度系數(shù)電壓Vptc會(huì)大于零溫度系數(shù)電壓Vzt。-，使得比較器208所輸出的控制信號Vcon轉(zhuǎn)態(tài)為低準(zhǔn)位，因此多任務(wù)器212選擇正溫度系數(shù)電流Iptc為輸出電流Iout輸出。如此一來，輸出電流Iout在環(huán)境溫度低于觸發(fā)溫度Iteiggw時(shí)為零溫度系數(shù)，而在環(huán)境溫度高于觸發(fā)溫度TtHggCT時(shí)提供正溫度系數(shù)以抵消欲補(bǔ)償電路中的負(fù)溫度系數(shù)，故輸出電流Iout在整體溫度范圍內(nèi)具有非線性的溫度系數(shù)。然而，電流源20使用比較器208比較電壓以判別溫度再?zèng)Q定輸出電流lout，電路架構(gòu)上較為復(fù)雜(比較器208基本結(jié)構(gòu)需一簡單運(yùn)算放大器，至少5個(gè)晶體管)且此種以數(shù)字進(jìn)行切換的方式易受制程影響而產(chǎn)生電流不連續(xù)性。如圖3所示，輸出電流Iout在觸發(fā)溫度Ttaiggw會(huì)形成電流對溫度折點(diǎn)，而零溫度系數(shù)電流Iztc與正溫度系數(shù)電流Iptc的兩 電流源在此折點(diǎn)的電流值須一致為ItHggCT。若制程漂移造成兩電流源在觸發(fā)溫度!-不 匹配，環(huán)境溫度穿越折點(diǎn)時(shí)會(huì)因數(shù)字切換而出現(xiàn)輸出電流Iout不連續(xù)(discontinuous)的情形。舉例來說，請參考圖4，圖4為非理想狀態(tài)下圖2中輸出電流lout、零溫度系數(shù)電流Iztc及正溫度系數(shù)電流Iptc的示意圖。如圖4所示，若出現(xiàn)制程漂移使正溫度系數(shù)電流Ipxc在觸發(fā)溫度Tteiggw時(shí)不等于零溫度系數(shù)電流Izt。，會(huì)造成輸出電流Iout不連續(xù)。除此之外，公知架構(gòu)難以提供具有多次轉(zhuǎn)折溫度系數(shù)的電流，且折點(diǎn)前后的溫度系數(shù)因比較器208輸出轉(zhuǎn)態(tài)影響(數(shù)字操作)會(huì)有劇烈變化，因此難以任意調(diào)整，在應(yīng)用于不同溫度補(bǔ)償?shù)男枨髸r(shí)會(huì)大幅增加布局面積與耗電。此外，傳統(tǒng)能帶隙參考電路202若欲產(chǎn)生負(fù)溫度系數(shù)電流，需另使用一阻值為L*R的電阻來平衡負(fù)溫度系數(shù)電流，造成大量布局面積耗費(fèi)。有鑒于此，公知技術(shù)實(shí)有改進(jìn)的必要。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的即在于提供一種可利用電流抵消作用，以利用較簡單的電路使溫度系數(shù)電流在觸發(fā)溫度前后轉(zhuǎn)態(tài)較平滑的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器及溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊。本發(fā)明公開一種溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生一溫度系數(shù)電流。該溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器包括有一正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來產(chǎn)生一第一正溫度系數(shù)電流；一負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來產(chǎn)生一第一負(fù)溫度系數(shù)電流；以及一觸發(fā)單元，用來根據(jù)一觸發(fā)溫度及該第一正溫度系數(shù)電流與該第一負(fù)溫度系數(shù)電流的一電流差，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流。本發(fā)明還公開一種溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊，用來產(chǎn)生一加總溫度系數(shù)電流。該溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊包括有多個(gè)溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，用來分別產(chǎn)生多個(gè)溫度系數(shù)電流；以及一加總單元，用來加總該多個(gè)溫度系數(shù)電流，以產(chǎn)生該加總溫度系數(shù)電流。各溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器包括有一正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來產(chǎn)生一第一正溫度系數(shù)電流；一負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來產(chǎn)生一第一負(fù)溫度系數(shù)電流；以及一觸發(fā)單元，用來根據(jù)一觸發(fā)溫度及該第一正溫度系數(shù)電流與該第一負(fù)溫度系數(shù)電流的一電流差，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流。在此配合下列圖示、實(shí)施例的詳細(xì)說明及權(quán)利要求書，將上述及本發(fā)明的其它目的與優(yōu)點(diǎn)詳述于后。


圖I為公知一雙電容振蕩器的示意圖。圖2為公知具有非線性溫度系數(shù)的一電流源的示意圖。圖3為理想狀態(tài)下圖2中一輸出電流、一零溫度系數(shù)電流及一正溫度系數(shù)電流的示意圖。 圖4為非理想狀態(tài)下圖2中一輸出電流、一零溫度系數(shù)電流及一正溫度系數(shù)電流的示意圖。圖5為本發(fā)明實(shí)施例中一溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊的示意圖。圖6為圖5中一溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器的示意圖。圖7A至圖7E為圖6中溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器的變化實(shí)施例的四種類型的示意圖。圖8為圖5中溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊的另一變化實(shí)施例。圖9A為圖5中溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊僅包括一個(gè)溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器的變化實(shí)施例。圖9B為圖9A中一加總溫度系數(shù)電流、一零溫度系數(shù)電流及一溫度系數(shù)電流的示意圖。圖IOA為圖5中溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊選擇性包括三個(gè)溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器的變化實(shí)施例。圖IOB為圖IOA中一加總溫度系數(shù)電流、一零溫度系數(shù)電流及三溫度系數(shù)電流的示意圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下10雙電容振蕩器20電流源202傳統(tǒng)能帶隙電路204觸發(fā)單元206產(chǎn)生單元208比較器210放大器212多任務(wù)器50溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊502能帶隙參考電路504加總單元506運(yùn)算放大器
600正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元602負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元604觸發(fā)單元800輸出單元Ic電流Cf電容Vref, VA, VB, VC電壓Iout輸出電流·Vztc零溫度系數(shù)電壓IZTC, Iztc;、Iztcx零溫度系數(shù)電流Vpct正溫度系數(shù)電壓IPTC、IPC/、！服' Iptc4'、Iptcx' 正溫度系數(shù)電流Ml M24晶體管Vcon控制信號Rztc > Rptc > Rptc ; > Rntc '、Rout電阻Ttrigger觸發(fā)溫度TC1NTC1^TCx溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器Itci ITCN、Itcx溫度系數(shù)電流Intc ; , Intc/ Intc/負(fù)溫度系數(shù)電流Iouti加總溫度系數(shù)電流Q1、Q2載子晶體管VDD系統(tǒng)電壓TCT1 TCT4、TCT3'類型II、12電流K'尺寸比Vouti加總溫度系數(shù)電壓
具體實(shí)施例方式請參考圖5，圖5為本發(fā)明實(shí)施例中一溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊50的示意圖。溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊50包括有一能帶隙參考電路502、溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器TC1 TCn以及一加總單元504。簡單來說，能帶隙參考電路502可產(chǎn)生一正溫度系數(shù)電流Iptc'、一負(fù)溫度系數(shù)電流IntJ以及一零溫度系數(shù)電流IztJ。溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器TC1 TCn可分別產(chǎn)生溫度系數(shù)電流Ira ITCN。加總單元504可加總零溫度系數(shù)電流Izt^及溫度系數(shù)電流Ira ITCN，以產(chǎn)生一加總溫度系數(shù)電流Iout'。其中，溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器TC1 TCn中各溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器是分別利用電流相減抵銷方式產(chǎn)生具有各別溫度系數(shù)折點(diǎn)的溫度系數(shù)電流。如此一來，溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器TC1 TCn可分別產(chǎn)生較平滑的溫度系數(shù)電流Ιτα Ιτ ，再利用加總單元504加總產(chǎn)生具有多個(gè)溫度系數(shù)折點(diǎn)且較平滑的加總溫度系數(shù)電流Iout'。詳細(xì)來說，相較在傳統(tǒng)能帶隙參考電路202，能帶隙參考電路502是利用晶體管M5、M6產(chǎn)生正溫度系數(shù)電流IPT。'，而利用一運(yùn)算放大器506產(chǎn)生負(fù)溫度系數(shù)電流ΙΝΤ。'，因此不需另外使用一阻值為L*R的電阻來平衡負(fù)溫度系數(shù)電流，可有效減小布局面積。換言之，在能帶隙參考電路502中，由于電壓VA、VB相等(VA = VB = VEBI)，因此利用雙載子晶體管Q1、Q2的基射極電壓差VEB1-VEB2及阻值為R的一電阻Rptc'，可產(chǎn)生正溫度系數(shù)電流Iptc'，如式⑴所示
權(quán)利要求
1.一種溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生一溫度系數(shù)電流，其特征在于，包括有 一正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單兀，用來產(chǎn)生一第一正溫度系數(shù)電流； 一負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來產(chǎn)生一第一負(fù)溫度系數(shù)電流；以及 一觸發(fā)單元，用來根據(jù)一觸發(fā)溫度及該第一正溫度系數(shù)電流與該第一負(fù)溫度系數(shù)電流的一電流差，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流。
2.如權(quán)利要求I所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，在一環(huán)境溫度等于該觸發(fā)溫度時(shí)，該第一正溫度系數(shù)電流等于該第一負(fù)溫度系數(shù)電流。
3.如權(quán)利要求I所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元在一環(huán)境溫度小于該觸發(fā)溫度時(shí)，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流，且該溫度系數(shù)電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
4.如權(quán)利要求I所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元在一環(huán)境溫度大于該觸發(fā)溫度時(shí)，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流，且該溫度系數(shù)電流具有正溫度系數(shù)。
5.如權(quán)利要求I所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元觸發(fā)以輸出該溫度系數(shù)電流。
6.如權(quán)利要求I所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元觸發(fā)以汲取該溫度系數(shù)電流。
7.如權(quán)利要求I所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來根據(jù)該第一正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流；該觸發(fā)單元根據(jù)該觸發(fā)溫度及該零溫度系數(shù)電流與該第一負(fù)溫度系數(shù)電流的一電流差，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流。
8.如權(quán)利要求I所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來根據(jù)該第一負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流；該觸發(fā)單元根據(jù)該觸發(fā)溫度及該零溫度系數(shù)電流與該第一正溫度系數(shù)電流的一電流差，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流。
9.如權(quán)利要求I所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有一第一電流鏡的一第一晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第一電流鏡的一第二晶體管的一閘極，用來根據(jù)該第二晶體管所輸出的一第二正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生該第一正溫度系數(shù)電流。
10.如權(quán)利要求9所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有 一第三晶體管，屬于一第二電流鏡，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第二電流鏡的一第四晶體管的一閘極，用來根據(jù)該第四晶體管所輸出的一第二負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一第三負(fù)溫度系數(shù)電流；以及 一第三電流鏡，包括有 一第五晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第三晶體管的該汲極，用來在該汲極接收該第三負(fù)溫度系數(shù)電流；以及 一第六晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第五晶體管的該閘極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極，用來根據(jù)第五晶體管所接收的該第三負(fù)溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取該第一負(fù)溫度系數(shù)電流。
11.如權(quán)利要求10所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度小于該觸發(fā)溫度時(shí)，輸出一第四負(fù)溫度系數(shù)電流，該第四負(fù)溫度系數(shù)電流等于該第一負(fù)溫度系數(shù)電流減去該第一正溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所輸出的該第四負(fù)溫度系數(shù)電流，在該汲極輸出具有負(fù)溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
12.如權(quán)利要求11所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、第三晶體管、該第四晶體管、第七晶體管及該第八晶體管為P型金氧半晶體管，而該第五晶體管及該第六晶體管為N型金氧半晶體管。
13.如權(quán)利要求10所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有該正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元及一晶體管；該晶體管的一閘極耦接于該第二電流鏡的該第四晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第四晶體管所輸出的該第二負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一負(fù)溫度系數(shù)電流；該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元根據(jù)該第一正溫度系數(shù)電流及該負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流。
14.如權(quán)利要求13所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度小于該觸發(fā)溫度時(shí)，輸出一第四負(fù)溫度系數(shù)電流，該第四負(fù)溫度系數(shù)電流等于該第一負(fù)溫度系數(shù)電流減去該零溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所輸出的該第四負(fù)溫度系數(shù)電流，在該汲極輸出具有負(fù)溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
15.如權(quán)利要求10所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度大于該觸發(fā)溫度時(shí)，汲取一第三正溫度系數(shù)電流，該第三正溫度系數(shù)電流等于該第一正溫度系數(shù)電流減去該第一負(fù)溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所汲取的該第三正溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取具有正溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
16.如權(quán)利要求15所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、第三晶體管及該第四晶體管為P型金氧半晶體管，而該第五晶體管、該第六晶體管、第七晶體管及該第八晶體管為N型金氧半晶體管。
17.如權(quán)利要求10所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有該負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元及一晶體管；該晶體管的一閘極耦接于該第一電流鏡的該第二晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第二晶體管所輸出的該第二正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一正溫度系數(shù)電流；該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元根據(jù)該第一負(fù)溫度系數(shù)電流及該正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流。
18.如權(quán)利要求17所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度大于該觸發(fā)溫度時(shí)，汲取一第三正溫度系數(shù)電流，該第三正溫度系數(shù)電流等于該第一正溫度系數(shù)電流減去該零溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所汲取的該第三正溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取具有正溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
19.如權(quán)利要求I所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有一第一電流鏡的一第一晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第一電流鏡的一第二晶體管的一閘極，用來根據(jù)該第二晶體管所輸出的一第二負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生該第一負(fù)溫度系數(shù)電流。
20.如權(quán)利要求19所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有 一第三晶體管，屬于一第二電流鏡，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第二電流鏡的一第四晶體管的一閘極，用來根據(jù)該第四晶體管所輸出的一第二正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一第三正溫度系數(shù)電流；以及 一第三電流鏡，包括有 一第五晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第三晶體管的該汲極，用來在該汲極接收該第三正溫度系數(shù)電流；以及 一第六晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第五晶體管的該閘極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極，用來根據(jù)第五晶體管所接收的該第三正溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取該第一正溫度系數(shù)電流。
21.如權(quán)利要求20所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度大于該觸發(fā)溫度時(shí)，輸出一第四正溫度系數(shù)電流，該第四正溫度系數(shù)電流等于該第一正溫度系數(shù)電流減去該第一負(fù)溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所輸出的該第四正溫度系數(shù)電流，在該汲極輸出具有正溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
22.如權(quán)利要求21所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、第三晶體管、該第四晶體管、第七晶體管及該第八晶體管為P型金氧半晶體管，而該第五晶體管及該第六晶體管為N型金氧半晶體管。
23.如權(quán)利要求20所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有該負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元及一晶體管；該晶體管的一閘極耦接于該第二電流鏡的該第四晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第四晶體管所輸出的該第二正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一正溫度系數(shù)電流；該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元根據(jù)該第一負(fù)溫度系數(shù)電流及該正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流。
24.如權(quán)利要求23所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度大于該觸發(fā)溫度時(shí)，輸出一第四正溫度系數(shù)電流，該第四正溫度系數(shù)電流等于該第三正溫度系數(shù)電流減去該零溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所輸出的該第四正溫度系數(shù)電流，在該汲極輸出具有正溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
25.如權(quán)利要求20所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度小于該觸發(fā)溫度時(shí)，汲取一第三負(fù)溫度系數(shù)電流，該第三負(fù)溫度系數(shù)電流等于該第一負(fù)溫度系數(shù)電流減去該第一正溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所汲取的該第三負(fù)溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取具有負(fù)溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
26.如權(quán)利要求25所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、第三晶體管及該第四晶體管為P型金氧半晶體管，而該第五晶體管、該第六晶體管、第七晶體管及該第八晶體管為N型金氧半晶體管。
27.如權(quán)利要求20所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有該正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元及一晶體管；該晶體管的一閘極耦接于該第一電流鏡的該第二晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第二晶體管所輸出的該第二負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一負(fù)溫度系數(shù)電流；該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元根據(jù)該第一正溫度系數(shù)電流及該負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流。
28.如權(quán)利要求27所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度小于該觸發(fā)溫度時(shí)，汲取一第三負(fù)溫度系數(shù)電流，該第三負(fù)溫度系數(shù)電流等于該第一負(fù)溫度系數(shù)電流減去該零溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所汲取的該第三負(fù)溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取具有負(fù)溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
29.如權(quán)利要求I所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，還包括有一阻抗組件，用來根據(jù)該溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一溫度系數(shù)電壓。
30.一種溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生模塊，用來產(chǎn)生一加總溫度系數(shù)電流，其特征在于，包括有 多個(gè)溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，用來分別產(chǎn)生多個(gè)溫度系數(shù)電流，各溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器包括有 一正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單兀，用來產(chǎn)生一第一正溫度系數(shù)電流； 一負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來產(chǎn)生一第一負(fù)溫度系數(shù)電流；以及 一觸發(fā)單元，用來根據(jù)一觸發(fā)溫度及該第一正溫度系數(shù)電流與該第一負(fù)溫度系數(shù)電流的一電流差，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流；以及 一加總單元，用來加總該多個(gè)溫度系數(shù)電流，以產(chǎn)生該加總溫度系數(shù)電流。
31.如權(quán)利要求30所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，在一環(huán)境溫度等于該觸發(fā)溫度時(shí)，該第一正溫度系數(shù)電流等于該第一負(fù)溫度系數(shù)電流。
32.如權(quán)利要求30所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該觸發(fā)單元在一環(huán)境溫度小于該觸發(fā)溫度時(shí)，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流，且該溫度系數(shù)電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
33.如權(quán)利要求30所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該觸發(fā)單元在一環(huán)境溫度大于該觸發(fā)溫度時(shí)，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流，且該溫度系數(shù)電流具有正溫度系數(shù)。
34.如權(quán)利要求30所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該觸發(fā)單元觸發(fā)以輸出該溫度系數(shù)電流。
35.如權(quán)利要求30所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該觸發(fā)單元觸發(fā)以汲取該溫度系數(shù)電流。
36.如權(quán)利要求30所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該各溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來根據(jù)該第一正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流；該觸發(fā)單元根據(jù)該觸發(fā)溫度及該零溫度系數(shù)電流與該第一負(fù)溫度系數(shù)電流的一電流差，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流。
37.如權(quán)利要求30所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該各溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來根據(jù)該第一負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流；該觸發(fā)單元根據(jù)該觸發(fā)溫度及該零溫度系數(shù)電流與該第一正溫度系數(shù)電流的一電流差，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流。
38.如權(quán)利要求30所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有一第一電流鏡的一第一晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第一電流鏡的一第二晶體管的一閘極，用來根據(jù)該第二晶體管所輸出的一第二正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生該第一正溫度系數(shù)電流。
39.如權(quán)利要求38所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有 一第三晶體管，屬于一第二電流鏡，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第二電流鏡的一第四晶體管的一閘極，用來根據(jù)該第四晶體管所輸出的一第二負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一第三負(fù)溫度系數(shù)電流；以及一第三電流鏡，包括有 一第五晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第三晶體管的該汲極，用來在該汲極接收該第三負(fù)溫度系數(shù)電流；以及 一第六晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第五晶體管的該閘極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極，用來根據(jù)第五晶體管所接收的該第三負(fù)溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取該第一負(fù)溫度系數(shù)電流。
40.如權(quán)利要求39所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度小于該觸發(fā)溫度時(shí)，輸出一第四負(fù)溫度系數(shù)電流，該第四負(fù)溫度系數(shù)電流等于該第一負(fù)溫度系數(shù)電流減去該第一正溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所輸出的該第四負(fù)溫度系數(shù)電流，在該汲極輸出具有負(fù)溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
41.如權(quán)利要求40所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、第三晶體管、該第四晶體管、第七晶體管及該第八晶體管為P型金氧半晶體管，而該第五晶體管及該第六晶體管為N型金氧半晶體管。
42.如權(quán)利要求39所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該各溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有該正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元及一晶體管；該晶體管的一閘極耦接于該第二電流鏡的該第四晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第四晶體管所輸出的該第二負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一負(fù)溫度系數(shù)電流；該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元根據(jù)該第一正溫度系數(shù)電流及該負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流。
43.如權(quán)利要求42所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度小于該觸發(fā)溫度時(shí)，輸出一第四負(fù)溫度系數(shù)電流，該第四負(fù)溫度系數(shù)電流等于該第一負(fù)溫度系數(shù)電流減去該零溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所輸出的該第四負(fù)溫度系數(shù)電流，在該汲極輸出具有負(fù)溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
44.如權(quán)利要求39所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度大于該觸發(fā)溫度時(shí)，汲取一第三正溫度系數(shù)電流，該第三正溫度系數(shù)電流等于該第一正溫度系數(shù)電流減去該第一負(fù)溫度系數(shù)電流；以及一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所汲取的該第三正溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取具有正溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
45.如權(quán)利要求44所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、第三晶體管及該第四晶體管為P型金氧半晶體管，而該第五晶體管、該第六晶體管、第七晶體管及該第八晶體管為N型金氧半晶體管。
46.如權(quán)利要求39所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該各溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有該負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元及一晶體管；該晶體管的一閘極耦接于該第一電流鏡的該第二晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第二晶體管所輸出的該第二正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一正溫度系數(shù)電流；該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元根據(jù)該第一負(fù)溫度系數(shù)電流及該正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流。
47.如權(quán)利要求46所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度大于該觸發(fā)溫度時(shí)，汲取一第三正溫度系數(shù)電流，該第三正溫度系數(shù)電流等于該第一正溫度系數(shù)電流減去該零溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所汲取的該第三正溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取具有正溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
48.如權(quán)利要求30所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有一第一電流鏡的一第一晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第一電流鏡的一第二晶體管的一閘極，用來根據(jù)該第二晶體管所輸出的一第二負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生該第一負(fù)溫度系數(shù)電流。
49.如權(quán)利要求48所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有 一第三晶體管，屬于一第二電流鏡，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第二電流鏡的一第四晶體管的一閘極，用來根據(jù)該第四晶體管所輸出的一第二正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一第三正溫度系數(shù)電流；以及 一第三電流鏡，包括有 一第五晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第三晶體管的該汲極，用來在該汲極接收該第三正溫度系數(shù)電流；以及 一第六晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第五晶體管的該閘極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極，用來根據(jù)第五晶體管所接收的該第三正溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取該第一正溫度系數(shù)電流。
50.如權(quán)利要求49所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度大于該觸發(fā)溫度時(shí)，輸出一第四正溫度系數(shù)電流，該第四正溫度系數(shù)電流等于該第一正溫度系數(shù)電流減去該第一負(fù)溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所輸出的該第四正溫度系數(shù)電流，在該汲極輸出具有正溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
51.如權(quán)利要求50所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、第三晶體管、該第四晶體管、第七晶體管及該第八晶體管為P型金氧半晶體管，而該第五晶體管及該第六晶體管為N型金氧半晶體管。
52.如權(quán)利要求49所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該各溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有該負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元及一晶體管；該晶體管的一閘極耦接于該第二電流鏡的該第四晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第四晶體管所輸出的該第二正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一正溫度系數(shù)電流；該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元根據(jù)該第一負(fù)溫度系數(shù)電流及該正溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流。
53.如權(quán)利要求52所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度大于該觸發(fā)溫度時(shí)，輸出一第四正溫度系數(shù)電流，該第四正溫度系數(shù)電流等于該第一正溫度系數(shù)電流減去該零溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所輸出的該第四正溫度系數(shù)電流，在該汲極輸出具有正溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
54.如權(quán)利要求49所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度小于該觸發(fā)溫度時(shí)，汲取一第三負(fù)溫度系數(shù)電流，該第三負(fù)溫度系數(shù)電流等于該第一負(fù)溫度系數(shù)電流減去該第一正溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所汲取的該第三負(fù)溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取具有負(fù)溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
55.如權(quán)利要求54所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、第三晶體管及該第四晶體管為P型金氧半晶體管，而該第五晶體管、該第六晶體管、第七晶體管及該第八晶體管為N型金氧半晶體管。
56.如權(quán)利要求49所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該各溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器還包括一零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元包括有該正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元及一晶體管；該晶體管的一閘極耦接于該第一電流鏡的該第二晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第二晶體管所輸出的該第二負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一負(fù)溫度系數(shù)電流；該零溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元根據(jù)該第一正溫度系數(shù)電流及該負(fù)溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一零溫度系數(shù)電流。
57.如權(quán)利要求56所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，該觸發(fā)單元是一第四電流鏡，包括有 一第七晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該汲極，該汲極耦接于該第一晶體管的該汲極與該第六晶體管的該汲極之間，用來在一環(huán)境溫度小于該觸發(fā)溫度時(shí)，汲取一第三負(fù)溫度系數(shù)電流，該第三負(fù)溫度系數(shù)電流等于該第一正溫度系數(shù)電流減去該零溫度系數(shù)電流；以及 一第八晶體管，包括有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接于該第七晶體管的該閘極，用來根據(jù)該第七晶體管所汲取的該第三正溫度系數(shù)電流，在該汲極汲取具有正溫度系數(shù)的該溫度系數(shù)電流。
58.如權(quán)利要求30所述的溫度系數(shù)電流觸發(fā)模塊，其特征在于，還包括有一阻抗組件，用來根據(jù)該加總溫度系數(shù)電流，產(chǎn)生一加總溫度系數(shù)電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開一種溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生一溫度系數(shù)電流。該溫度系數(shù)電流觸發(fā)產(chǎn)生器包括有一正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來產(chǎn)生一第一正溫度系數(shù)電流；一負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生單元，用來產(chǎn)生一第一負(fù)溫度系數(shù)電流；以及一觸發(fā)單元，用來根據(jù)一觸發(fā)溫度及該第一正溫度系數(shù)電流與該第一負(fù)溫度系數(shù)電流的一電流差，觸發(fā)以產(chǎn)生該溫度系數(shù)電流。
文檔編號G05F1/567GK102880220SQ20111019412
公開日2013年1月16日 申請日期2011年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月12日
發(fā)明者胡敏弘, 吳振聰 申請人:聯(lián)詠科技股份有限公司