專利名稱:基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及使用處理氣體對(duì)半導(dǎo)體晶片和LCD用玻璃基板等的基板進(jìn)行處理的基板處理裝置。
背景技術(shù):
在現(xiàn)有技術(shù)中,例如在半導(dǎo)體裝置的制造工序和液晶顯示裝置(LCD)的制造工序等中,大多采用了使用規(guī)定的處理氣體對(duì)半導(dǎo)體晶片和LCD用玻璃基板等實(shí)施蝕刻處理和成膜處理的基板處理裝置。
在這種基板處理裝置中,例如如圖6所示,將被處理基板容納在處理室1內(nèi),對(duì)該處理室1內(nèi)以規(guī)定的流量供給規(guī)定的處理氣體和清潔(purge)氣體等進(jìn)行處理。因此,在從清潔氣體供給源2和處理氣體供給源3、4向處理室1供給清潔氣體和處理氣體的供給系統(tǒng)中設(shè)置有質(zhì)量流量控制器(MFC)2a、3a、4a等的氣體流量控制機(jī)構(gòu)。
其中,在處理室1上設(shè)置有連接到真空排氣泵5、插入有壓力控制閥6的排氣配管7。另外,在氣體供給系統(tǒng)的質(zhì)量流量控制器2a、3a、4a的入口側(cè)設(shè)置有開(kāi)關(guān)閥2b、3b、4b,在出口側(cè)設(shè)置有過(guò)濾器2c、3c、4c,在處理室1的入口附近設(shè)置有開(kāi)關(guān)閥2d、3d、4d。另外,圖6中雖然圖示了三個(gè)氣體供應(yīng)系統(tǒng),但是實(shí)際上設(shè)置有更多(蝕刻處理裝置的情況下,例如是12個(gè)以上)的氣體供給系統(tǒng)。
在如上所述的基板處理裝置中,處理氣體等的供給量對(duì)處理結(jié)果是否優(yōu)良產(chǎn)生大的影響。因此,為了以良好的再現(xiàn)性進(jìn)行期望的處理,需要通過(guò)質(zhì)量流量控制器2a、3a、4a等的氣體流量控制機(jī)構(gòu)高精度地控制氣體流量。
另一方面,一般質(zhì)量流量控制器等的氣體流量控制機(jī)構(gòu)有因常年變化和劣化發(fā)生漂移,或在內(nèi)部附著異物,流量經(jīng)常變化的傾向。因此,現(xiàn)有技術(shù)中定期進(jìn)行質(zhì)量流量控制器等的氣體流量控制機(jī)構(gòu)的流量檢測(cè)。
作為進(jìn)行這種流量檢測(cè)的方法,已知有如下兩種方法(例如參考專利文獻(xiàn)1)。
首先,在第一方法中,如圖6所示,在向用于供給處理氣體的質(zhì)量流量控制器3a、4a中用于供給清潔氣體的清潔氣體管道3e、4e上預(yù)先設(shè)置有質(zhì)量流量計(jì)3f、4f。并且,打開(kāi)在該清潔氣體管道3e、4e上設(shè)置的開(kāi)關(guān)閥3g、4g,關(guān)閉開(kāi)關(guān)閥3b、4b來(lái)流過(guò)清潔氣體。這時(shí),通過(guò)質(zhì)量流量控制器3a、4a進(jìn)行流量控制,同時(shí)由質(zhì)量流量計(jì)3f、4f測(cè)量清潔氣體流量。并且,比較通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)3f、4f測(cè)定的流量和質(zhì)量流量控制器3a、4a的設(shè)置流量并進(jìn)行檢測(cè)。
另外,在第二方法中,如圖6所示,使處理室1分路,將用于使排氣配管7流過(guò)氣體的旁路配管8,從氣體供給系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)閥3d、4d的上游側(cè)經(jīng)由開(kāi)關(guān)閥3h、4h進(jìn)行分支而設(shè)置,并在該旁路配管8上設(shè)置有壓力計(jì)9和密封閥10。并且,在安裝有流量校正后的質(zhì)量流量控制器3a時(shí),僅打開(kāi)開(kāi)關(guān)閥3h、開(kāi)關(guān)閥10,在關(guān)閉其他開(kāi)關(guān)閥的狀態(tài)下將質(zhì)量流量控制器3a與旁路配管8的出口部分之間通過(guò)真空排氣泵5排氣到規(guī)定的減壓氣氛后,關(guān)閉開(kāi)關(guān)閥10,密封旁路配管8內(nèi)。接著,打開(kāi)開(kāi)關(guān)閥3b,通過(guò)質(zhì)量流量控制器3a進(jìn)行流量控制,同時(shí)流過(guò)處理氣體,而測(cè)量基于這時(shí)的壓力計(jì)9的壓力升高和經(jīng)過(guò)時(shí)間的關(guān)系。并且,在規(guī)定期間使用后進(jìn)行同樣的測(cè)量,并通過(guò)與初始時(shí)的偏移量檢測(cè)質(zhì)量流量控制器3a是否正常。該方法一般上稱作堵塞(build up)法等。
在上述現(xiàn)有技術(shù)中,在流過(guò)清潔氣體時(shí),通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)測(cè)量流量的第一方法中,需要對(duì)各質(zhì)量流量控制器設(shè)置質(zhì)量流量計(jì)。但是,用于供給處理氣體的氣體供給系統(tǒng)例如在蝕刻處理裝置的情況下即使是標(biāo)準(zhǔn)也有12個(gè)左右,由于需要與質(zhì)量流量計(jì)為相同數(shù)目,所以有引起設(shè)置空間的增大和制造成本增大的問(wèn)題。另外,由于測(cè)量與實(shí)際上流過(guò)的其他不同的清潔氣體(例如氮?dú)?的流量,所以有在清潔氣體與實(shí)際上流過(guò)的氣體的性質(zhì)有差異的情況下,流量產(chǎn)生誤差的問(wèn)題。
另外,在旁路配管等的配管系統(tǒng)的規(guī)定位置上設(shè)置壓力計(jì),并測(cè)量該部位的壓力的時(shí)間變化,通過(guò)與初始狀態(tài)的偏差進(jìn)行檢測(cè)的第二方法中,可以看出與初始狀態(tài)的相對(duì)偏移量,但是由于不能知道實(shí)際流量,所以難以根據(jù)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行校正。另外,有通過(guò)配管的狀態(tài)和配管上插著的閥門(mén)類的狀態(tài)測(cè)量結(jié)果發(fā)生改變,不能知道正確的流量的狀態(tài)的問(wèn)題。
專利文獻(xiàn)1日本專利特開(kāi)2003-168648號(hào)公報(bào)(第3-7頁(yè),圖1-6)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明基于上述現(xiàn)有的問(wèn)題作出,提供一種不會(huì)引起設(shè)置空間的增大和制造成本的增加,與現(xiàn)有技術(shù)相比可以正確檢測(cè)和校正流量,且可通過(guò)正確的氣體流量進(jìn)行精度高的處理的基板處理裝置。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,發(fā)明方面一的基板處理裝置,其特征在于,包括處理室,容納被處理基板;氣體供給系統(tǒng),用于將來(lái)自氣體供給源的氣體通過(guò)氣體流量控制機(jī)構(gòu)控制為規(guī)定流量,并供給到上述處理室,對(duì)上述被處理基板實(shí)施規(guī)定的處理;分支配管,從上述氣體供給系統(tǒng)的上述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的下游側(cè)分支;閥機(jī)構(gòu),用于將上述氣體的流路切換到上述處理室側(cè)和上述分支配管側(cè);和氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu),具有插入上述分支配管,并測(cè)量電阻體和該電阻體兩端的氣壓的壓力測(cè)量機(jī)構(gòu),通過(guò)上述閥機(jī)構(gòu)將上述氣體的流路切換到上述分支配管側(cè),使通過(guò)上述氣體流量控制機(jī)構(gòu)進(jìn)行流量控制的上述氣體在上述氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)中流通,并根據(jù)通過(guò)上述壓力測(cè)量機(jī)構(gòu)測(cè)定的氣壓差進(jìn)行上述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的檢測(cè)或校正。
發(fā)明方面二的基板處理裝置,其特征在于具有多個(gè)上述氣體供給系統(tǒng),依次切換這些氣體供給系統(tǒng),并通過(guò)一個(gè)上述氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)進(jìn)行多個(gè)上述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的檢測(cè)或校正。
發(fā)明方面三的基板處理裝置,其特征在于上述分支配管設(shè)置為從上述氣體供給系統(tǒng)的上述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的下游側(cè)分支的旁路配管進(jìn)一步分支。
發(fā)明方面四的基板處理裝置,其特征在于,包括處理室,容納被處理基板;氣體供給系統(tǒng),用于將來(lái)自氣體供給源的氣體通過(guò)氣體流量控制機(jī)構(gòu)控制為規(guī)定流量,并供給到上述處理室,對(duì)上述被處理基板實(shí)施規(guī)定的處理;和氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu),設(shè)置在上述氣體供給系統(tǒng)的上述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的下游側(cè),并測(cè)量電阻體和該電阻體的兩端的氣壓,使通過(guò)上述氣體流量控制機(jī)構(gòu)進(jìn)行流量控制的上述氣體在上述氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)中流通,并根據(jù)通過(guò)上述壓力檢測(cè)機(jī)構(gòu)測(cè)定的氣壓差進(jìn)行上述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的檢測(cè)或校正。
發(fā)明方面五的基板處理裝置,其特征在于上述氣體供給系統(tǒng)構(gòu)成為可切換通過(guò)上述氣體流量檢測(cè)器到達(dá)上述處理室的流路和不通過(guò)上述氣體流量檢測(cè)器到達(dá)上述處理室的流路。
發(fā)明方面六的的基板處理裝置,其特征在于上述氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)可以改變電阻體的電阻值。
發(fā)明方面七的的基板處理裝置,其特征在于構(gòu)成為具有電阻值不同的多個(gè)上述電阻體,切換這些電阻體來(lái)使用。
發(fā)明方面八的基板處理裝置,其特征在于將與從通過(guò)上述氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)的上述壓力測(cè)量機(jī)構(gòu)測(cè)定的氣壓差求出的流量和設(shè)定流量之差對(duì)應(yīng)的信號(hào)輸入到上述氣體流量控制機(jī)構(gòu),并進(jìn)行該氣體流量控制機(jī)構(gòu)的校正。
圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖2是表示圖1的基板處理裝置的主要部分結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖4是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖5是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖6是表示現(xiàn)有的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式
下面,參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu),該圖中符號(hào)11是表示容納被處理基板并實(shí)施規(guī)定的處理,例如蝕刻處理或成膜處理等的處理室。
該處理室11中連接用于從清潔氣體供給源12和處理氣體供給源13、14供給清潔氣體(例如氮?dú)?和規(guī)定的處理氣體的氣體供給系統(tǒng)。另外,圖1中僅圖示了具有清潔氣體供給源12、處理氣體供給源13、14的三個(gè)氣體供給系統(tǒng),但是實(shí)際上設(shè)置有多個(gè)(例如12個(gè)以上)的氣體供給系統(tǒng)。另外,處理室11上連接有與真空排氣泵15連接、插入有壓力控制閥16的排氣管17。
在用于從上述清潔氣體供給源12和處理氣體供給源13、14供給氣體的氣體供給系統(tǒng)上分別設(shè)置有質(zhì)量流量控制器(MFC)12a、13a、14a作為氣體流量控制機(jī)構(gòu)。另外,在氣體供給系統(tǒng)的質(zhì)量流量控制器12a、13a、14a的入口側(cè)設(shè)置有開(kāi)關(guān)閥12b、13b、14b,在出口側(cè)設(shè)置有過(guò)濾器12c、13c、14c。進(jìn)一步,在處理室11的入口附近設(shè)置有開(kāi)關(guān)閥12d、13d、14d。
另外,在用于供給處理氣體的質(zhì)量流量控制器13a、14a上設(shè)置有用于從清潔氣體供給源12供給清潔氣體的清潔氣體管道13e、14e,將開(kāi)關(guān)閥13g、14g插入這些的清潔管道13e、14e中。
并且,在本實(shí)施方式中,設(shè)置有在供給處理氣體的氣體供給系統(tǒng)的質(zhì)量流量控制器13a、14a的下游側(cè),且從處理室11的入口附近設(shè)置的開(kāi)關(guān)閥13d、14d的上游側(cè)分支,與排氣管17相連的分支配管18。在該分支配管18上插有氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19,另外,為了將流路切換到處理室11側(cè)和分支配管18側(cè),而設(shè)置有開(kāi)關(guān)閥13h、14h。另外,將開(kāi)關(guān)閥20插入到分支配管18與排氣配管17的連接部。
上述氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19如圖2所示,具有并聯(lián)設(shè)置的多個(gè)(圖2中三個(gè))的電阻體30a~30c、設(shè)置為位于這些電阻體30a~30c的兩側(cè)的兩個(gè)壓力檢測(cè)器31a、31b、用于選擇電阻體30a~30c中任一個(gè)開(kāi)關(guān)閥32a~32c。電阻體30a~30c構(gòu)成為內(nèi)部在例如燒結(jié)體、孔(orifice)或細(xì)管等的氣體流通時(shí)容納作為電阻的物體,其電阻值設(shè)置為對(duì)每個(gè)電阻體30a~30c為不同的大小。并且,通過(guò)根據(jù)進(jìn)行流量檢測(cè)的氣體的流量開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)閥32a~32c,而可以選擇適合于進(jìn)行流量檢測(cè)的電阻體30a~30c。
即,在進(jìn)行流量檢測(cè)的氣體的流量小的情況下,選擇電阻值大的電阻體(例如30c),在流量大的情況下,選擇電阻值小的電阻體(例如30a),在這些的中間流量的情況下,選擇中間電阻值的電阻體(例如30b)。通過(guò)構(gòu)成這種結(jié)構(gòu),可以在寬的流量范圍內(nèi)進(jìn)行準(zhǔn)確的流量檢測(cè)。由此,即使在實(shí)際的處理(蝕刻處理等)時(shí)流過(guò)的處理氣體的流量上每個(gè)質(zhì)量流量控制器有差別的情況下,也可在各質(zhì)量流量控制器中以實(shí)際處理時(shí)流過(guò)的處理氣體的流量或者接近于其的流量來(lái)進(jìn)行正確的流量檢測(cè)。
另外,在實(shí)際的處理時(shí)流過(guò)的處理氣體的流量上每個(gè)質(zhì)量流量控制器沒(méi)有大的差別的情況下,電阻體可以僅為1個(gè)。另外,雖然在圖2所示的實(shí)施方式中,構(gòu)成為切換多個(gè)電阻體使用,但是可以僅使用一個(gè)可變構(gòu)成電阻值的電阻體。
如上所述這樣構(gòu)成的氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19中,預(yù)先選擇出適合于進(jìn)行流量檢測(cè)的氣體流量的電阻體30a~30c,并在該狀態(tài)下,使氣體在氣體流量檢測(cè)結(jié)構(gòu)19中流通。并且,這時(shí),通過(guò)壓力檢測(cè)器31a、31b來(lái)分別測(cè)量氣體的壓力,并從這些壓力差中檢測(cè)出流量。
另外,對(duì)于流量和壓力差的關(guān)系,在將氣體流量檢測(cè)結(jié)構(gòu)19安裝到分支配管18之前,使用進(jìn)行正確流量校正的質(zhì)量流量控制器等并預(yù)先求出。這時(shí),優(yōu)選氣體使用實(shí)際流過(guò)的處理氣體,另外,優(yōu)選在實(shí)際上進(jìn)行流量檢測(cè)的流量及其附近的流量域中求出流量和壓力差的相關(guān)關(guān)系。將這樣求出的流量和壓力差的相關(guān)關(guān)系的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在例如控制裝置21等之中。這樣,在將氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19安裝到分支配管18中后,可以從測(cè)定的壓力差中知道正確的流量。
在上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式的基板處理裝置中,在處理室11內(nèi)容納被處理基板并從排氣管17中通過(guò)真空排氣泵15將處理室1內(nèi)排氣為規(guī)定的壓力,同時(shí)從清潔氣體供給源12和處理氣體供給源13、14中以規(guī)定的定時(shí)、規(guī)定的流量將規(guī)定的清潔氣體和處理氣體供給到處理室11內(nèi)。并且,例如通過(guò)處理室11內(nèi)設(shè)置的未圖示的等離子發(fā)生機(jī)構(gòu)使處理室11內(nèi)產(chǎn)生規(guī)定的處理氣體的等離子,并對(duì)被處理基板實(shí)施規(guī)定的處理,例如蝕刻處理等。
這樣,若重復(fù)進(jìn)行被處理基板的處理,質(zhì)量流量控制器13a、14a有可能因常年變化和劣化而產(chǎn)生漂移或內(nèi)部附著異物,流量經(jīng)常變化。因此,在使用時(shí)間為規(guī)定時(shí)間的情況下,或基板的處理片數(shù)為規(guī)定片數(shù)的情況等下,進(jìn)行質(zhì)量流量控制器13a、14a的檢測(cè)或校正。另外,對(duì)于流過(guò)清潔氣體的質(zhì)量流量控制器12a,不需要進(jìn)行正確的流量控制,由于流過(guò)性質(zhì)穩(wěn)定的氮?dú)獾龋圆恍枰貏e進(jìn)行檢測(cè)或校正。
下面,說(shuō)明進(jìn)行質(zhì)量流量控制器13a的檢測(cè)和校正的順序。
在進(jìn)行質(zhì)量流量控制器13a的檢測(cè)和校正的情況下,關(guān)閉在處理室11的入口附近設(shè)置的開(kāi)關(guān)閥13d,并打開(kāi)開(kāi)關(guān)閥13h和開(kāi)關(guān)閥20,而從處理室11側(cè)將氣體流路切換到分支配管18側(cè)。這時(shí),關(guān)閉通過(guò)分支配管18的開(kāi)關(guān)閥14h。并且,打開(kāi)在質(zhì)量流量控制器13a的入口側(cè)設(shè)置的開(kāi)關(guān)閥13b,關(guān)閉清潔氣體管道13e的開(kāi)關(guān)閥13g,從而選擇從處理氣體供給源13供給的處理氣體作為流通的氣體,并通過(guò)質(zhì)量流量控制器13a將處理氣體控制為規(guī)定流量而供給。
通過(guò)該質(zhì)量流量控制器13a進(jìn)行流量控制后的處理氣體通過(guò)分支配管18在氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19中流通。這時(shí),在氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19中,如前所述,預(yù)先選擇電阻體30a~30b中,適合于質(zhì)量流量控制器13a的流量檢測(cè)的電阻體。并且,通過(guò)質(zhì)量流量控制器13a進(jìn)行流量控制后的處理氣體在該電阻體30a~30c中流通時(shí),通過(guò)壓力檢測(cè)器31a、31b測(cè)量其兩端的氣壓。
通過(guò)該壓力檢測(cè)器31a、31b測(cè)定的氣壓的壓力差和流量的關(guān)系如前所述,預(yù)先求出并存儲(chǔ)在控制裝置21中,所以通過(guò)該壓力差可以知道處理氣體的正確的流量。并且,在通過(guò)該氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19檢測(cè)出的氣體流量和質(zhì)量流量控制器13a的設(shè)置流量無(wú)差別的情況下,或其差在允許范圍內(nèi)的情況下,檢測(cè)和校正終止。
另一方面,在由氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19檢測(cè)出的氣體流量和質(zhì)量流量控制器13a的設(shè)置流量上有允許范圍以上的差量的情況下,可以校正質(zhì)量流量控制器13a,使該差量消失。例如,通過(guò)改變質(zhì)量流量控制器13a的流量設(shè)置輸入信號(hào)(0~5V)的電壓值,校正質(zhì)量流量控制器13a,使得通過(guò)氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19測(cè)定的實(shí)際的氣體流量與設(shè)置流量一致。這種校正將氣體流量檢測(cè)結(jié)構(gòu)19的壓力檢測(cè)信號(hào)輸入到前述的控制裝置21中,并通過(guò)從該控制裝置21改變質(zhì)量流量控制器13a的流量設(shè)置輸入信號(hào)的電壓值,從而可自動(dòng)進(jìn)行。另外,基于這種校正的流量設(shè)置輸入信號(hào)的電壓值的改變?cè)诰喑跏贾禐橐欢ㄒ陨系那闆r下,還可以判斷為質(zhì)量流量控制器13a的交換時(shí)期到來(lái)。
如上所述,在本實(shí)施方式的基板處理裝置中,由于可以正確知道處理氣體的實(shí)際流量,所以可以高精度地檢測(cè)和校正質(zhì)量流量控制器,可以以正確的處理氣體流量進(jìn)行高精度的處理。另外,不需要設(shè)置對(duì)應(yīng)于質(zhì)量流量控制器數(shù)目的質(zhì)量流量計(jì)等,通過(guò)一臺(tái)氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu),可以進(jìn)行多個(gè)質(zhì)量流量控制器的檢測(cè)和校正,所以也不會(huì)引起設(shè)置空間的增大和制造成本的增大。
另外,在本實(shí)施方式中,作為氣體流量控制機(jī)構(gòu)說(shuō)明了使用了質(zhì)量流量控制器的情況,當(dāng)然還可使用質(zhì)量流量控制器之外的氣體流量控制機(jī)構(gòu)。在這種情況下,由于可以通過(guò)氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)正確的實(shí)際流量來(lái)加以校正,所以作為氣體流量控制機(jī)構(gòu)若是再現(xiàn)性好的機(jī)構(gòu),則無(wú)論怎樣都可使用。
圖3表示其他實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu),對(duì)與圖1所示的基板處理裝置對(duì)應(yīng)的部分附加對(duì)應(yīng)的符號(hào)。如圖3所示,在該基板處理裝置中設(shè)置有在供給處理氣體的氣體供給系統(tǒng)的質(zhì)量流量控制器13a、14a的下游側(cè),且從處理室11的入口附近設(shè)置的開(kāi)關(guān)閥13d、14d的上游側(cè)進(jìn)行分支,使處理室11分路而與排氣管17相連的旁路配管22,從該旁路配管22進(jìn)一步分支而設(shè)置有分支配管18。另外,在旁路配管22上設(shè)置有開(kāi)關(guān)閥22a、22b,在分支配管18上設(shè)置有開(kāi)關(guān)閥18a、18b。
并且,通過(guò)打開(kāi)開(kāi)關(guān)閥22a、22b,關(guān)閉開(kāi)關(guān)閥18a、18b,僅將旁路配管22作為流通的氣體流路,另一方面,通過(guò)關(guān)閉開(kāi)關(guān)閥22a、22b,打開(kāi)開(kāi)關(guān)閥18a、18b,而可進(jìn)行氣體流路的切換,使得通過(guò)分支配管18,在氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19中流通的氣體流路。
在這樣構(gòu)成的實(shí)施方式中,也可得到與前述的實(shí)施方式相同的效果。另外,在圖1所示的實(shí)施方式中,在不進(jìn)行質(zhì)量流量控制器13a、14a的檢測(cè)、校正的情況下,將分支配管18用作排出過(guò)程氣體的管道,但是根據(jù)圖3的實(shí)施方式,僅在進(jìn)行質(zhì)量流量控制器13a、14a的檢測(cè)、校正的情況下,處理氣體在氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19中流通。因此,可以保護(hù)氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19的差壓計(jì)免受處理氣體形成的生成物和腐蝕等,可以穩(wěn)定維持測(cè)量精度。
圖4進(jìn)一步表示其他實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu),對(duì)與圖1所示的基板處理裝置對(duì)應(yīng)的部分附加對(duì)應(yīng)的符號(hào)。如圖4所示,在該基板處理裝置中,在供給處理氣體的氣體供給系統(tǒng)的質(zhì)量流量控制器13a、14a和開(kāi)關(guān)閥13d、14d的下游側(cè)構(gòu)成為這些管道合流為一個(gè)處理氣體供給管道40,并在該處理氣體供給管道40上直接設(shè)置氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19。另外,開(kāi)關(guān)閥40a、開(kāi)關(guān)閥22a用于將流路切換為處理室11側(cè)和旁路配管22側(cè)。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),可以一邊進(jìn)行處理,一邊進(jìn)行使用的處理氣體的檢測(cè)等。
另外,如圖5所示,也可與處理氣體供給管道40并行設(shè)置氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19,而不在處理氣體供給管道40上直接設(shè)置氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19,可以通過(guò)開(kāi)關(guān)閥40c~40f,切換為通過(guò)氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19的流路和不通過(guò)的流路。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),可以保護(hù)氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)19的差壓計(jì)免受處理氣體造成的生成物和腐蝕等,可以穩(wěn)定維持測(cè)量精度。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的基板處理裝置可以在半導(dǎo)體裝置的制造領(lǐng)域等中使用。因此,具有產(chǎn)業(yè)上的可利用性。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置,其特征在于,包括處理室,容納被處理基板;氣體供給系統(tǒng),用于將來(lái)自氣體供給源的氣體通過(guò)氣體流量控制機(jī)構(gòu)控制為規(guī)定流量,并供給到所述處理室,對(duì)所述被處理基板實(shí)施規(guī)定的處理;分支配管,從所述氣體供給系統(tǒng)的所述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的下游側(cè)分支;閥機(jī)構(gòu),用于將所述氣體的流路切換到所述處理室側(cè)和所述分支配管側(cè);和氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu),具有插入所述分支配管,并測(cè)量電阻體和該電阻體兩端的氣壓的壓力測(cè)量機(jī)構(gòu),通過(guò)所述閥機(jī)構(gòu)將所述氣體的流路切換到所述分支配管側(cè),使通過(guò)所述氣體流量控制機(jī)構(gòu)進(jìn)行流量控制的所述氣體在所述氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)中流通,并根據(jù)通過(guò)所述壓力測(cè)量機(jī)構(gòu)測(cè)定的氣壓差進(jìn)行所述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的檢測(cè)或校正。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于具有多個(gè)所述氣體供給系統(tǒng),依次切換這些氣體供給系統(tǒng),并通過(guò)一個(gè)所述氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)進(jìn)行多個(gè)所述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的檢測(cè)或校正。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于所述分支配管設(shè)置為從所述氣體供給系統(tǒng)的所述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的下游側(cè)分支的旁路配管進(jìn)一步分支。
4.一種基板處理裝置,其特征在于,包括處理室,容納被處理基板;氣體供給系統(tǒng),用于將來(lái)自氣體供給源的氣體通過(guò)氣體流量控制機(jī)構(gòu)控制為規(guī)定流量,并供給到所述處理室,對(duì)所述被處理基板實(shí)施規(guī)定的處理;和氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu),設(shè)置在所述氣體供給系統(tǒng)的所述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的下游側(cè),并測(cè)量電阻體和該電阻體的兩端的氣壓,使通過(guò)所述氣體流量控制機(jī)構(gòu)進(jìn)行流量控制的所述氣體在所述氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)中流通,并根據(jù)通過(guò)所述壓力檢測(cè)機(jī)構(gòu)測(cè)定的氣壓差進(jìn)行所述氣體流量控制機(jī)構(gòu)的檢測(cè)或校正。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于所述氣體供給系統(tǒng)構(gòu)成為可切換通過(guò)所述氣體流量檢測(cè)器到達(dá)所述處理室的流路和不通過(guò)所述氣體流量檢測(cè)器到達(dá)所述處理室的流路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其特征在于所述氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)可以改變電阻體的電阻值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于構(gòu)成為具有電阻值不同的多個(gè)所述電阻體,切換這些電阻體來(lái)使用。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其特征在于將與從通過(guò)所述氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)的所述壓力測(cè)量機(jī)構(gòu)測(cè)定的氣壓差求出的流量和設(shè)定流量之差對(duì)應(yīng)的信號(hào)輸入到所述氣體流量控制機(jī)構(gòu),并進(jìn)行該氣體流量控制機(jī)構(gòu)的校正。
全文摘要
本發(fā)明的基板處理裝置設(shè)置有從設(shè)置在供給處理氣體的氣體供給系統(tǒng)的處理室(11)的入口附近的開(kāi)關(guān)閥(13d、14d)的上游側(cè)分支,并連接到排氣管(17)的分支配管(18)。在該分支配管(18)上插入氣體流量檢測(cè)機(jī)構(gòu)(19),并設(shè)置用于將流路切換到處理室(11)側(cè)和分支配管(18)的開(kāi)關(guān)閥(13h、14h)。氣體流路檢測(cè)機(jī)構(gòu)(19)使氣體在電阻體中流通并測(cè)量其兩端的壓力來(lái)從壓力差中檢測(cè)出氣體流量。通過(guò)該檢測(cè)值,檢測(cè)或校正質(zhì)量流量控制器(13a、14a)。
文檔編號(hào)G05D7/06GK1933901SQ20058000927
公開(kāi)日2007年3月21日 申請(qǐng)日期2005年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月22日
發(fā)明者守谷修司, 岡部庸之 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社