復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種壓電膜傳感器，特別涉及一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]作為一種動態(tài)應(yīng)變傳感器，壓電膜傳感器因其獨一無二的特性，在人體動態(tài)特征檢測、聲學(xué)拾音、接觸式傳感器、體育測力等領(lǐng)域有著眾多的應(yīng)用。柔性壓電薄膜作為壓電膜的一種，因其可隨意彎曲，可大面積成膜，與人體密度匹配良好等優(yōu)點，在越來越多的領(lǐng)域都有著不可替代的應(yīng)用。
[0003]但是，單個壓電膜傳感器輸出信號有限，當采集微小信號的時候，由于其活性不夠，導(dǎo)致信噪比較低，因而輸出波形有很大的雜波，不能真實還原原始信號的波形。
[0004]并且，提高單個壓電膜靈敏度的方法有限，不可能無限提高其活性。其靈敏度與壓電陶瓷或其他壓電材料仍有較大的差距

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的提供的一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，以克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。
[0006]本發(fā)明的提供的一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，包括依次設(shè)置的上絕緣層、上金屬層、至少一層復(fù)合電極層、下壓電膜層、下金屬層和下絕緣層;每一層復(fù)合電極層包括壓電膜層和信號層。
[0007]本發(fā)明的提供的一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，還可以具有這樣的特征:上絕緣層和/或下絕緣層的材質(zhì)為塑料。
[0008]本發(fā)明的提供的一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，還可以具有這樣的特征:塑料為PET 或 PP 或 PVC 或 PE。
[0009]本發(fā)明的提供的一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，還可以具有這樣的特征:上金屬層和/或下金屬層的材質(zhì)為鋁或銅或銀。
[0010]本發(fā)明的提供的一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，還可以具有這樣的特征:信號層的材質(zhì)為鋁或銅或銀。
[0011]本發(fā)明的提供的一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，還可以具有這樣的特征:上絕緣層和/或下絕緣層的厚度為30至60微米。
[0012]本發(fā)明的提供的一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，還可以具有這樣的特征:信號層被蝕刻成波浪的形狀，形成信號導(dǎo)通的電路通道。
[0013]本發(fā)明的提供的一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，還可以具有這樣的特征:上金屬層和下金屬層具有與電路通道相對應(yīng)的位置具有分隔線。
[0014]本發(fā)明的提供的一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，還可以具有這樣的特征:分割線的寬度為0.1至0.5毫米。
[0015]發(fā)明的有益效果
[0016]本發(fā)明提供的復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，中間有多層壓電膜及金屬層組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)組成，根據(jù)需要可以形成了N個組列，具有兩個信號輸出的壓電膜。該結(jié)構(gòu)共有N+1層壓電膜具有輸出能力，相比單層壓電膜的結(jié)構(gòu)信號輸出能力大了 N+1倍。
【附圖說明】
[0017]圖1是實施例一中復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器的結(jié)構(gòu)圖。
[0018]圖2是實施例一中復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器的分層圖。
[0019]圖3是實施例二中復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器的結(jié)構(gòu)圖。
[0020]圖4是實施例三中復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明做進一步的描述。
[0022]實施例一
[0023]圖1是復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器的結(jié)構(gòu)圖。
[0024]圖2是復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器的分層圖。
[0025]如圖1和圖2所示，復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，從上到下的層依次為上絕緣層1、上金屬層2、復(fù)合電極層10、下壓電膜層5、下金屬層6和下絕緣層7。
[0026]上絕緣層I，優(yōu)選PET材料。作為外層，就有抗機械磨損，保護第二層上金屬層2的作用。PET材料也可以選用PP、PVC、PE等塑料材料替代。上絕緣層I厚度為30至60微米。
[0027]上金屬層2，優(yōu)選鋁膜。作為屏蔽用的地層，和第六層的下金屬層6全屏蔽結(jié)構(gòu)。鋁膜也可以采用銅膜替代或銀漿替代。
[0028]復(fù)合電極層10包括壓電膜層3和信號層4。
[0029]壓電膜層3，信號輸出的第一層壓電膜。
[0030]信號層4，同樣采用鋁膜，輸出信號的電極。信號層4被蝕刻成波浪的形狀，形成信號導(dǎo)通的電路通道4-1。鋁膜也可以采用銅膜替代或銀漿替代。另外，信號層還有留空區(qū)域4-2，可以打入端子，方便第四層信號層4信號電極的信號引出而不至于和地導(dǎo)通。
[0031]下壓電膜層5，信號輸出的第二層壓電膜。
[0032]下金屬層6，優(yōu)選鋁膜。作為屏蔽用的地層，和第二層的上金屬層2構(gòu)成全屏蔽結(jié)構(gòu)。鋁膜也可以采用銅膜替代或銀漿替代。下金屬層6具有與電路通道4-1相對應(yīng)的位置具有分隔線6-1。分割線6-1的寬度為0.1至0.5毫米，優(yōu)選0.3毫米，可以將所制成形狀的壓電膜分開。
[0033]下絕緣層7，優(yōu)選PET材料。作為外層，就有抗機械磨損，保護第六層下金屬層6的作用。PET材料也可以選用PP、PVC、PE等塑料材料替代。下絕緣層7厚度為30至60微米。
[0034]實施例二
[0035]圖3是實施例二中復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器的結(jié)構(gòu)圖。
[0036]如圖3所示，復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，從上到下的層依次為上絕緣層1、上金屬層
2、五層復(fù)合電極層10、下壓電膜層5、下金屬層6和下絕緣層7。
[0037]每層復(fù)合電極層10包含包括壓電膜層3和信號層4。
[0038]本實施例中，復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器每層的結(jié)構(gòu)、材質(zhì)和作用與實施例一相同，不再詳細描述。
[0039]實施例三
[0040]圖4是實施例二中復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器的結(jié)構(gòu)圖。
[0041]如圖2所示，復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，從上到下的層依次為上絕緣層1、上金屬層
2、N層復(fù)合電極層10、下壓電膜層5、下金屬層6和下絕緣層7。
[0042]每層復(fù)合電極層10包含包括壓電膜層3和信號層4。
[0043]本實施例中，復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器每層的結(jié)構(gòu)、材質(zhì)和作用與實施例一相同，不再詳細描述。
[0044]本發(fā)明提供的復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器中間有多層壓電膜及金屬層組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)組成，根據(jù)需要可以形成了N個組列，具有兩個信號輸出的壓電膜。該結(jié)構(gòu)共有N+1層壓電膜具有輸出能力，相比單層壓電膜的結(jié)構(gòu)信號輸出能力大了 N+1倍。
【主權(quán)項】
1.一種多層自屏蔽型壓電薄膜傳感器，其特征在于:包括依次設(shè)置的上絕緣層、上金屬層、至少一層復(fù)合電極層、下壓電膜層、下金屬層和下絕緣層； 每一層復(fù)合電極層包括壓電膜層和信號層。2.如權(quán)利要求1所述的多層自屏蔽型壓電薄膜傳感器，其特征在于:上絕緣層和/或下絕緣層的材質(zhì)為塑料。3.如權(quán)利要求2所述的多層自屏蔽型壓電薄膜傳感器，其特征在于:塑料為PET或PP或PVC或PE。4.如權(quán)利要求1所述的多層自屏蔽型壓電薄膜傳感器，其特征在于:上金屬層和/或下金屬層的材質(zhì)為鋁或銅或銀。5.如權(quán)利要求1所述的多層自屏蔽型壓電薄膜傳感器，其特征在于:信號層的材質(zhì)為鋁或銅或銀。6.如權(quán)利要求1所述的多層自屏蔽型壓電薄膜傳感器，其特征在于:上絕緣層和/或下絕緣層的厚度為30至60微米。7.如權(quán)利要求1所述的多層自屏蔽型壓電薄膜傳感器，其特征在于:信號層被蝕刻成波浪的形狀，形成信號導(dǎo)通的電路通道。8.如權(quán)利要求7所述的多層自屏蔽型壓電薄膜傳感器，其特征在于:上金屬層和/或下金屬層具有與電路通道相對應(yīng)的位置具有分隔線。9.如權(quán)利要求8所述的多層自屏蔽型壓電薄膜傳感器，其特征在于:分割線的寬度為.0.1至0.5毫米
【專利摘要】本發(fā)明的提供的一種復(fù)合屏蔽型壓電膜傳感器，包括依次設(shè)置的上絕緣層、上金屬層、至少一層復(fù)合電極層、下壓電膜層、下金屬層和下絕緣層；每一層復(fù)合電極層包括壓電膜層和信號層。其優(yōu)點在于具有多層壓電膜及金屬層組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)組成，根據(jù)需要可以形成了N個組列，具有兩個信號輸出的壓電膜。該結(jié)構(gòu)共有N+1層壓電膜具有輸出能力，相比單層壓電膜的結(jié)構(gòu)信號輸出能力大了N+1倍。
【IPC分類】H01L41/083, G01D5/12
【公開號】CN105588585
【申請?zhí)枴緾N201510934785
【發(fā)明人】孟召龍
【申請人】感至源電子科技（上海）有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請日】2015年12月15日