液晶材料金屬元素檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示液晶材料檢測(cè)領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶材料金屬元素檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶屏是以液晶材料為基本組件，液晶介于固態(tài)和液態(tài)之間，具有固態(tài)晶體光學(xué)特性，又具有液態(tài)流動(dòng)特性。光線射入液晶物質(zhì)中，按照液晶分子的排列方式行進(jìn)，產(chǎn)生自然的偏轉(zhuǎn)現(xiàn)像。同時(shí)液晶分子中的電子結(jié)構(gòu)，具備很強(qiáng)的電子共軛運(yùn)動(dòng)能力，當(dāng)液晶分子受到外加電場(chǎng)的作用，很容易被極化產(chǎn)生感應(yīng)偶極性，這也是液晶分子之間互相作用力量的來(lái)源。一般電子產(chǎn)品用液晶顯示器，就是是利用液晶的光電效應(yīng)，藉由外部的電壓控制，再透過(guò)液晶分子的折射特性，以及對(duì)光線的旋轉(zhuǎn)能力來(lái)獲得亮暗情況(或著稱(chēng)為可視光學(xué)的對(duì)比)，進(jìn)而達(dá)到顯像的目的。
[0003]液晶顯示器作為重要的信息電子產(chǎn)品，變得舉足輕重。隨著液晶產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，人們對(duì)液晶產(chǎn)品的顯示品質(zhì)也提出了更高的要求，一些不良現(xiàn)象也為人們所認(rèn)識(shí)并引起關(guān)注，“殘像”便是其中之一，所謂“殘像”即影像殘留，是在屏幕上長(zhǎng)時(shí)間保持一幅靜止的畫(huà)面，液晶由于受到長(zhǎng)時(shí)間的驅(qū)動(dòng)被極化，造成液晶分子不能在信號(hào)電壓控制下正常偏轉(zhuǎn)。過(guò)一段時(shí)間，即使改變顯示畫(huà)面的內(nèi)容，屏幕上仍然可以看到以前靜止圖像的痕跡，該現(xiàn)象也會(huì)隨著時(shí)間的推移及畫(huà)面的改變而有所減弱，直至消失。殘像大致分為面殘像和線殘像，面殘像是由于驅(qū)動(dòng)電壓和LCD panel基板內(nèi)部含有直流成分，可由信號(hào)電壓及變更設(shè)計(jì)來(lái)達(dá)到改善的目的。線殘像在大部分文獻(xiàn)中一般都以離子模型進(jìn)行討論。若液晶中的離子濃度增加，離子在電極表面積聚，即反響電場(chǎng)存在，從而引起顯示器件的殘像水平的增大。因此快速準(zhǔn)確分析液晶中的離子濃度顯得尤為重要。
[0004]現(xiàn)行檢測(cè)液晶重金元素主要采用電感耦合等離子質(zhì)譜儀(ICPMS)，然而現(xiàn)有的取樣方法，如溶液沖洗，取樣雖快捷，但取樣重復(fù)性差，無(wú)法保證每次溶劑沖洗到的液晶量相同，且耗時(shí)長(zhǎng)(2小時(shí))；現(xiàn)有前處理方法如微波消除法，在消解過(guò)程中需要添加硝酸1g左右，消解完成后定容到10ml容量瓶中，樣品稀釋倍數(shù)約250倍，液晶中金屬元素濃度在ppb等級(jí)，高倍稀釋后，稀釋液中金屬元素很大可能低于設(shè)備檢出限，檢出能力大大降低且引入了檢測(cè)雜質(zhì)；定量方法如標(biāo)準(zhǔn)加入法優(yōu)點(diǎn)在于可以排除基體的影響，缺點(diǎn)在于每個(gè)樣品均需配制一系列標(biāo)準(zhǔn)品，每天可測(cè)試樣品量2-5個(gè)左右，無(wú)法滿足工程大量測(cè)試需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于針對(duì)上述問(wèn)題，提供一種液晶材料金屬元素檢測(cè)方法用以快速、準(zhǔn)確地分析液晶中金屬元素濃度。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施方式采用如下技術(shù)方案:
[0007]提供一種液晶材料金屬元素檢測(cè)方法，包括如下步驟:
[0008]樣品取樣:將薄膜晶體管液晶顯示屏面板裂片后，分別刮取TFT基板側(cè)和CF基板側(cè)液晶，收集所述液晶精確稱(chēng)重得到檢測(cè)樣品；
[0009]樣品前處理:采用溶劑稀釋法，稀釋所述檢測(cè)樣品8?12倍得到分析溶液；
[0010]將所述分析溶液送入電感耦合等離子質(zhì)譜儀中進(jìn)行液晶材料金屬元素檢測(cè)，采用外標(biāo)法定量。
[0011]優(yōu)選的，所述溶劑稀釋法采用異丙醇作為稀釋溶劑。
[0012]優(yōu)選的，所述外標(biāo)法定量是以所述液晶材料金屬元素的每秒計(jì)數(shù)值為縱坐標(biāo)(y)，以對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)溶液濃度為橫坐標(biāo)(X)建立的標(biāo)準(zhǔn)曲線定量。
[0013]優(yōu)選的，所述標(biāo)準(zhǔn)溶液采用異丙醇作為基體進(jìn)行配置。
[0014]優(yōu)選的，采用塑料刮刀刮取所述TFT基板側(cè)和CF基板側(cè)的液晶。
[0015]優(yōu)選的，在所述樣品取樣步驟中采用熱風(fēng)槍對(duì)所述薄膜晶體管液晶顯示屏面板進(jìn)行裂片。
[0016]優(yōu)選的，在所述樣品前處理步驟中稀釋所述檢測(cè)樣品10倍得到分析溶液。
[0017]優(yōu)選的，所述外標(biāo)法定量包括如下步驟:
[0018]步驟BI，配置標(biāo)準(zhǔn)溶液:采用異丙醇作為基體，配置濃度依次為xl、x2......xn的η
組標(biāo)準(zhǔn)溶液；
[0019]步驟Β2，檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)溶液:設(shè)定儀器檢測(cè)條件，將上述六組標(biāo)準(zhǔn)溶液放進(jìn)電感耦合等離子質(zhì)譜儀進(jìn)行檢測(cè)得到相應(yīng)的每秒計(jì)數(shù)值yl、y2……yn ;
[0020]步驟B3，繪制標(biāo)準(zhǔn)曲線:以標(biāo)準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)(X)、各自對(duì)應(yīng)的每秒計(jì)數(shù)值為縱坐標(biāo)(y)繪制標(biāo)注曲線，當(dāng)曲線線性R大于0.995時(shí)，則作為標(biāo)準(zhǔn)曲線使用；
[0021]步驟B4，檢測(cè)分析溶液:在與步驟B2相同的儀器測(cè)試條件下測(cè)試步驟S2中得到的分析溶液，得到每秒計(jì)數(shù)值Y ;
[0022]步驟B5，定量:通過(guò)步驟B3中的標(biāo)準(zhǔn)曲線，計(jì)算每秒計(jì)數(shù)值Y對(duì)應(yīng)的濃度X值，即為元素的濃度值。
[0023]優(yōu)選的，所述標(biāo)準(zhǔn)曲線中標(biāo)準(zhǔn)溶液濃度單位為ppb。
[0024]優(yōu)選的，所述η為4或5或6。
[0025]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益效果:
[0026]取樣方法即刀刮取樣品且用天平精確稱(chēng)重重復(fù)性好、尚效快速，僅需耗時(shí)30分鐘左右，相較于現(xiàn)有的溶劑沖洗法，大大提升了取樣效率，同時(shí)又能避免溶劑揮干過(guò)程，降低污染的引入；樣品前處理方法相對(duì)于現(xiàn)有微波消解法，稀釋倍數(shù)低，檢出限可優(yōu)化25倍左右，同時(shí)也避免了引入雜質(zhì)至分析溶液；采用外標(biāo)法定量，曲線線性良好，可以實(shí)現(xiàn)樣品的連續(xù)測(cè)試，滿足工程大量測(cè)試的要求；采用異丙醇作為基體配置標(biāo)準(zhǔn)溶液，由于與樣品前處理稀釋溶劑相同，可以降低基體雜質(zhì)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。
【附圖說(shuō)明】
[0027]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以如這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1是本發(fā)明提供液晶材料金屬元素檢測(cè)方法操作步驟流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，除非特別說(shuō)明，本發(fā)明采用的試劑和設(shè)備為本領(lǐng)域常規(guī)市購(gòu)的試劑和常規(guī)的設(shè)備。
[0030]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種液晶材料金屬元素檢測(cè)方法，包括如下步驟:
[0031]步驟SI，樣品取樣:將薄膜晶體管液晶顯示屏面板裂片后，分別用塑料刮刀刮取TFT基板側(cè)和CF基板側(cè)液晶，并收集到樣品瓶中，用天平精確稱(chēng)重得到檢測(cè)樣品；