專利名稱:確定傳感器元件位置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種確定傳感器元件位置的方法，借助此方法測量由磁場發(fā)生器單元發(fā)射出的交變磁場；本發(fā)明還涉及此方法的應(yīng)用以及執(zhí)行此方法的裝置。
背景技術(shù)：
在許多技術(shù)和醫(yī)學(xué)上準(zhǔn)確地確定一樣?xùn)|西的位置具有極其重要的意義。在醫(yī)學(xué)上確定細胞組織的位置，比如確定腫瘤位置，通過照射破壞或限制其生長，并將其位置輸入計算機系統(tǒng)，比如“電腦空間(Cyber Space)”，是一種經(jīng)常性的工作。在這種應(yīng)用中，這種探測位置或輸入位置的設(shè)備也稱為三維鼠標(biāo)。
確定位置的已知的裝置或已知的方法描述在國際專利申請公開號WO97/36192文件中。按照這篇現(xiàn)有文獻，借助于磁場發(fā)生器單元產(chǎn)生一個交變的磁場，按照每一個傳感器元件的自由度的數(shù)量確定傳感器元件的位置，多個交變磁場相互疊加在一起。借助一個處理和控制單元，它一方面控制磁場發(fā)生器單元，另一方面處理從傳感器元件接受進來的信號，確定傳感器元件的方位，并盡可能確定其方向。
在磁場定位系統(tǒng)中，如在已知的WO 97/36192這篇現(xiàn)有文獻中所描述的應(yīng)用中，會在鄰近的導(dǎo)電物體上產(chǎn)生渦流，這將導(dǎo)致原始的交變磁場的畸變而引起系統(tǒng)的誤差。這意味著，如果在這樣畸變的交變磁場中確定傳感器元件的方位和方向，只有當(dāng)不存在導(dǎo)電物體時所獲得的值對整個系統(tǒng)而言肯定存在誤差。
對導(dǎo)電物體引起的干擾進行補償?shù)囊环N方法被稱為“失真存儲(Distortion Mapping)”。在一篇名為“用于外科手術(shù)中的軌跡校正系統(tǒng)”(作者Birkfellner，等；IEEE Trans Med Imaging，Vol.17(5)；737至742頁；1998)的文章中介紹了這種方法。在這個方法中，測量傳感器元件的方位和方向的方法同樣使用的是以磁場定位系統(tǒng)為基礎(chǔ)的方位測量系統(tǒng)，而校正干擾則使用了不受導(dǎo)電物體影響的第二個方位測量系統(tǒng)。由這兩個方位測量系統(tǒng)測量得出的方位和方向的偏差用于校正由以磁場定位系統(tǒng)為基礎(chǔ)而得出的方位和方向。然而這個已知的方法暴露出了以下的缺點，為了獲得較高的準(zhǔn)確性，必須測量大量的點偏差。為了獲得更多的點，則還必須使用一個復(fù)雜的插值方法。從以下的例子可見其復(fù)雜性如果要測量一個1m3的空間，在三個軸向上以10cm為間隔并有10個方向角，則共有10000個點。此外還需要第二個方位測量系統(tǒng)。
還有一種已知的補償干擾的方法，在這個方法中由脈沖直流產(chǎn)生磁場，而渦流效應(yīng)的補償將如此處理，只有當(dāng)包含在測量信號中的渦流分量下降后才執(zhí)行磁場測量。此方法的更進一步的說明可參見美國專利No.US-5 453 686和US-5 767 669。然而這個方法的測量結(jié)果其準(zhǔn)確性并不高。尤其是當(dāng)渦流分量的回落時間超過兩個直流脈沖之間的時間間隔時，其補償尤其不充分。雖然可以采用延長脈沖時間的辦法，然而這將降低測試率，這是人們所不希望的。此外這個已知的補償方法不適用于以交變磁場定位系統(tǒng)為基礎(chǔ)的方位測量系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
而本發(fā)明的任務(wù)在于，給出一個新的方法使得能夠更準(zhǔn)確的確定傳感器元件的位置。
為解決這個任務(wù)，本發(fā)明提供一種確定傳感器元件位置的方法，借助此方法測量由至少一個磁場發(fā)生器單元發(fā)射出的交變磁場，該方法包括在傳感器元件中接收信號，其中，以第一近似計算干擾場，所述干擾場由在導(dǎo)電物體中感應(yīng)的渦流而產(chǎn)生；基于交變磁場計算物體中的渦流；基于計算出的渦流計算干擾場；以及修正由傳感器元件中接收到的信號而確定的位置。本發(fā)明的特征還在于，此方法的應(yīng)用以及執(zhí)行此方法的裝置，這將在以下按要求進一步說明。
使用本發(fā)明的方法可以消除、至少可以明顯減少導(dǎo)電物體的影響。因而本方法比已知的方法更普通、更準(zhǔn)確。另外考慮到整體系統(tǒng)測量，可以在方位測量系統(tǒng)實施前計算幾何空間相關(guān)部分。



以下借助附圖將進一步解釋本發(fā)明，
如下圖1描繪了一種實施例的示意圖，包括磁場發(fā)生器單元，傳感器元件，處理與控制單元和導(dǎo)電物體；圖2顯示導(dǎo)電物體；圖3是本發(fā)明方法的部分步驟流程圖。
具體實施方式
圖1描繪了一種已知實施例的示意圖，包括磁場發(fā)生器單元200，傳感器元件300，處理與控制單元100。處理與控制單元100分別通過導(dǎo)線和磁場發(fā)生器單元200與傳感器元件300相連。如果磁場發(fā)生器單元200的位置事先已確定，即它的坐標(biāo)x、y、z及坐標(biāo)軸的方向已知，則傳感器元件300可任意移動，即可在任意的方位和方向移動。在此還要指出，如在WO97/36192中已描述過的，傳感器元件300固定，而磁場發(fā)生器單元200在導(dǎo)線的連接下可移動，這種設(shè)置也是可行的。此外還可以使處理與控制單元100分解成各種功能單元，比如，用于控制磁場發(fā)生器單元200的控制單元集成在一個功能塊中，而通常用于計算傳感器元件300位置的處理單元可以集成在另一個功能塊中。這種與圖1描繪有所變化的設(shè)置并不影響本發(fā)明方法的應(yīng)用性。對于執(zhí)行形式也同樣如此，可如現(xiàn)有文獻WO 97/36192描述的情形，在不同的位置處有多個磁場發(fā)生器。
示意性描繪的導(dǎo)電物體400代表性的展示了這一類目標(biāo)，它干擾傳感器元件300的磁定位，這里在物體400中感應(yīng)渦流420，又由于渦流產(chǎn)生干擾場410而疊加于交變場210。
在進一步描述本發(fā)明之前，以下將首先解釋以磁場為基礎(chǔ)進行定位的與上述內(nèi)容相關(guān)的內(nèi)容。
如前述的，以磁場為基礎(chǔ)進行定位一般也稱為磁定位，用于確定一個或幾個傳感器元件300相對于一個或幾個磁場發(fā)生器單元200的方位和方向。假定磁場發(fā)生器單元Gj的方位
和方向
已知，則傳感器元件Sj的方位
和方向
可以通過解以下的等式確定Fij=F(r→si,n→si,r→Gj,n→Gj)---(1)]]>這里i代表了第i個傳感器元件，j代表了第j個磁場發(fā)生器單元。F是在多數(shù)情況下和磁場
的一個分量相關(guān)的(比如，感應(yīng)線圈中的感應(yīng)電壓)測量函數(shù)。F當(dāng)然也可以是由許多探測單元組成的傳感器元件的函數(shù)，探測單元可以單個或全部同時進行測量。
求解這個磁場定位系統(tǒng)的函數(shù)的方法可以分成兩類I.逆解這個函數(shù)，即，傳感器元件的位置可以通過計算測量而獲得的磁場求解 因為逆解這個函數(shù)通常僅在一些極特殊的情況下才有可能，人們可以求解其近似的逆轉(zhuǎn)形式。
II.通過優(yōu)選法求解這個函數(shù)，即，傳感器元件位置的值一直變動，直到按照等式1求出的Fij和測量得出的FijM的值最近似為止。一個可行的方法是Levenberg-Marquardt Chi2-插值法(Chi2-Fit)。在這個方法中傳感器元件的方位
和方向
的值一直變動直到Chi2(r→si,n→si)=Σj(Fij-FijM)2(ΔFijM)2---(3)]]>的值最小為止。要想進一步了解Levenberg-Marquardt的方法可參見一本書名為“Numerical Recipies in C”的代表作(作者W.H.Press，S.A.Teukolsky，W.T.Veterling和B.P.Flannery；劍橋大學(xué)出版社；1994)。
此外，可用兩種方法組合求解。
因為由傳感器元件Si測得的值Fij只與傳感器元件Si和磁場發(fā)生器Gj的相對位置有關(guān)，因此在所有的磁定位系統(tǒng)中傳感器元件和磁場發(fā)生器的角色可互換。
如果利用時間交變磁場，如前所述，時間交變磁場將在臨近的導(dǎo)電物體400中產(chǎn)生渦流420。這將引起原始的交變磁場的畸變并導(dǎo)致定位系統(tǒng)產(chǎn)生錯誤。這意味著，如果在這樣畸變的交變磁場中確定傳感器元件的方位和方向，只當(dāng)不存在導(dǎo)電物體400，則所獲得的值對整個系統(tǒng)而言肯定有誤差存在。
為了使這種磁定位方法在導(dǎo)電物體400的附近也能任意使用，按照本發(fā)明則要確定交變磁場的畸變和它對決定傳感器元件的方位和方向的影響。以此來校正系統(tǒng)的誤差而顯著提高方位和方向的準(zhǔn)確性。
在現(xiàn)有的測量裝置中，使用本發(fā)明的方法可將測量誤差從4cm減小到1.5mm以內(nèi)。
從原理上說，借助于有限元技術(shù)和電動力學(xué)的公式也可以達到這種修正效果。然而和有限元技術(shù)相比，按照本發(fā)明的方法而執(zhí)行的有效計算方式大大減少了定位計算，因為許多系統(tǒng)測量計算可以在事先就計算完畢。
以下將解釋本發(fā)明的方法。為了簡便起見，物體400將是一塊導(dǎo)電板，即是一塊有限大小的平面板。物體400在從磁場發(fā)生器單元200到物體400的規(guī)定的直線方向上有一定的深度，其同樣可以由本發(fā)明的方法處理。在朝向磁場發(fā)生器單元200的面上，物體400可近似為多層平面的結(jié)構(gòu)。這種近似是允許的，因為渦流420僅極淺的深入于物體的表面。因此物體400三維的深度不是非常重要。近似前述多層平面結(jié)構(gòu)形式的物體400用于干擾場410的數(shù)學(xué)計算中。
以下將描述如何計算由導(dǎo)電板引起的磁場畸變。由此而得出的結(jié)果同樣可以用于一般的目標(biāo)形式。
導(dǎo)電物體400處于在時間上交變的磁場
中，在物體400的表面則感應(yīng)出渦流410(圖1)。渦流410再產(chǎn)生磁場
它和原始的場 疊加形成疊加的
的磁場。
相對于
是畸變磁場。為了能夠計算這個畸變的磁場，則需要先了解感應(yīng)交變磁場。這可以通過電動力學(xué)的Biot-Savart定理(等式4)來計算磁場
如果導(dǎo)電物體400上N個不同的點狀電流元中的渦流410在位置和時間上已知，則其可足夠近似等于
B1(P→R,t)=Σi=0Nμ0μrIi(t)4πΔs→(t)×r→r3---(4)]]>這里P→R=(x,y,z)]]>是空間的一個點，電流元矢量
指的是點
如果需要，可以首先因子化，和/或包含在因子
的值中。通過使用線電流或面電流或其他形式代替點電流也可以準(zhǔn)確計算
當(dāng)然公式4的形式將有所變動。在大多數(shù)的情況下，如果N的值取得足夠大，那么可以直接使用公式4。
場的畸變將分兩步計算。第一步確定渦流410，第二步計算由渦流410引起的干擾場
其可足夠近似地等于干擾場
圖2展示的是物體400，它被分為多塊的形式，用于確定干擾場410，塊為任意多塊。這種分塊結(jié)構(gòu)和一些其他的假設(shè)將首先用于計算渦流。
渦流以一定的深度流動在物體400的表面，在理論上這個深度并非很重要。為了能夠足夠準(zhǔn)確地計算前述的干擾場
只要知道在物體400的表面上的一些點上的隨時間變化的電流就足夠了。點的數(shù)量依賴于所要求的計算的精確性。因此渦流以點進行計算，渦流在物體表面或表面附近流動。
在第一步中，物體將分為任意形狀的N塊，通常將覆蓋整個物體(但并非必須)。塊在以下將以標(biāo)示Si{0≤i≤N-1}區(qū)分，這里i代表指數(shù)。
第二步將在每一塊中選擇一個支撐點Pi。通常選擇支撐點Pi的點數(shù)和塊的數(shù)量相同，每一個支撐點只屬于一個塊。以下為了簡單化，定義N個塊，每一個塊Si只有一個Pi。每一個塊的支撐點Pi的電流密度ii(t)將由以下公式計算
i→i(t)=Σj=0Ni→′ij(t),j<>i---(5)]]>這里
是渦流Iij(t)的電流密度，其由磁場
由塊Si上的磁通變化而引起，其流過或在支撐點Pi周圍流動。單獨渦流Iij(t)的計算將在下一段描述。這里首先有等式i→ij(t)=λ→Iij(t)As---(5a)]]> 是在支撐點Pi穿過支撐點Pi的線電流的方向矢量(或準(zhǔn)線性方向)，As是線電流的橫截面面積As＝π·r2(h) (5b)這里r＝圓形橫截面的半徑；h＝進入表面深度；如果電流密度
已知，就可計算由
引起的干擾場
而
可直接帶入公式4中，這里A(Si)是塊Si的面積。
在大多數(shù)的情況下可看作是
作為第二級效應(yīng)，
在這里可當(dāng)作原始場使用(渦流互相影響)，再一次計算渦流，其產(chǎn)生干擾場
并和
與
疊加。第二次進一步近似計算后，則
等于
和
疊加--這種迭代方式可以多次任意地進行下去。然而在多數(shù)情況下一次迭代就足夠了。
一個單獨的渦流Iij(t)是一個線電流，它是由穿過支點Pj隨時間變化的磁通引起的，這個線電流Iij(t)流過支點Pi。為了計算Iij(t)則需要知道電感Lij，它的歐姆電阻Rij和隨時間變化的磁通
如果這些量已知，則通過解微分等式可獲得Iij(t)dφjdt-LijdIij(t)dt-RijIij(t)=0---(6)]]>在大多數(shù)的情況下
可以是隨時間而周期變化的場或甚至是諧波場，然而這對于本發(fā)明方法的有效性并非必須。
電感Lij和歐姆電阻Rij可由渦流Iij(t)的幾何形狀獲知，而磁通
可由在點Pj的磁場
與塊Sj的面積求解。以下將首先描述渦流的形式，然后求解電感Lij和歐姆電阻Rij。
我們首先假設(shè)，一個單獨的磁力線B穿入物體上圍繞點P的一個小面積dA。在這種情況下感應(yīng)線電流在點P附近具有圓圈的形狀而靠近物體400的邊緣則跟隨邊緣，即具有物體邊界的形狀。一個任意渦流的形狀是一個曲線沿著表面等勢線的形狀，它滿足勢能等式 這里(x，y)是勢能。圖2明確求解等式(7)(求(x，y))的邊界條件(即φ0是在物體的邊緣的值，φ1是在點Pj的值，φ0<>φ1)。這個勢能等式最好用數(shù)值法求解。有了渦流的形狀和電流深入材料的深度h后，單獨的線電流就如同具有圓形截面的導(dǎo)電帶，而圓形截面的直徑就相當(dāng)于深入的深度(也可以是其他幾何形狀的橫截面，但是在計算上并不產(chǎn)生很大的變化)。
導(dǎo)電帶的歐姆電阻將由R=lρ(h2)2π---(8)]]>計算，這里R＝歐姆電阻[Ω]，l＝導(dǎo)電帶的長度[m]，h＝電流深入的深度[m]，ρ＝材料的電阻率[Ωm]。
導(dǎo)電帶的電感由下面公式給出L=2Wi2---(9)]]>它可以通過數(shù)值法計算，這里如果一個電流i流動在導(dǎo)體，則W=∫RaumB→22μ0dV---(10)]]>它代表了在由導(dǎo)體產(chǎn)生的磁場中所儲存的能量。對于公式(8)，(9)和(10)有“任意”多的其他近似公式可以代替并得到相同的結(jié)果。
從磁場
計算磁通φj(t)由以下公式φj(t)=B→0(x,y,z,t)·A→j---(11)]]>這里
是在Pj位置上未受到干擾的場，
是相關(guān)塊Sj的標(biāo)向面積。公式(11)是以下通用公式的一個近似公式φj(t)=∫AjB→0(x,y,z,t)·dA→---(11a)]]>
只有在B對于
充分均質(zhì)(homogen)時才可以使用近似公式(比如，當(dāng)
很小時)。這里還將指出，塊Sj的面積并不是在所有的情況下完全落在導(dǎo)電帶中，這可以應(yīng)用相關(guān)的方法校正，但一般情況下并不需要這么做。
由公式(8)，(9)和(10)計算的電感Lij和歐姆電阻Rij可提前計算，因為它們只和物體的幾何尺寸和材料有關(guān)。為了計算
代入和求解公式(4)和(5)可以在捎后進行，尤其是在確定了引起變動的場
之后。迭代計算，如通過場
計算
如此等等，都是可以的。這些迭代計算也可以和電感Lij聯(lián)系在一起事先執(zhí)行。 然而這只有在需要有定期的高階校正時才有意義。
在實際應(yīng)用中通常要確定一個或多個的傳感器元件300(圖1)在一個磁場中的磁方位和方向，而磁場由一個或多個磁場發(fā)生器單元200產(chǎn)生。磁場發(fā)生器單元的位置在使用的坐標(biāo)系中為已知。在交變磁場的情況下，在磁場鄰近的導(dǎo)電物體400內(nèi)部感應(yīng)渦流420從而引起磁場畸變。而本發(fā)明的方法校正這些磁場畸變，其基礎(chǔ)理論部分已在前給出，它將如下應(yīng)用導(dǎo)電物體400在上述的坐標(biāo)系中已知或者通過測量確定其位置。物體的坐標(biāo)將輸入一個計算程序，它也計算渦流420和由其引起的磁場畸變，而前述公式使用的位置坐標(biāo)則定義在由磁場發(fā)生器單元200定義的坐標(biāo)系統(tǒng)的基準(zhǔn)下。計算程序?qū)⒂嬎阌蓽u流420產(chǎn)生的干擾場?？紤]到渦流420的影響公式系統(tǒng)1將變?yōu)镕ij=F(r→si,n→si,r→Gj,n→Gj)+Σk=1PF′k(r→si,n→si,r→Gj,n→Gj)---(12)]]>這里Fij′代表了物體k的渦流420引起的干擾。P是物體的個數(shù)。如何使用這個公式則依賴于磁定位系統(tǒng)的類型。
I.如果是基于公式2的系統(tǒng)，則測量值將迭代校正，即首先按照公式2計算未受到干擾的解。得到傳感器元件300的位置后再計算校正項F′并獲得測量值FijM。得到校正后的測量值后將再一次計算位置的值。這種算法將一直繼續(xù)下去直到計算出的位置變量達到一個一定的公差范圍內(nèi)。
II.如果是基于公式3的系統(tǒng)，則求解算法不必變化。在Chi2-累加計算中使用公式12由渦流校正所得的磁場代替由公式1無渦流的磁場計算模式。
III.在一定的條件下也可以逆轉(zhuǎn)求解等式系統(tǒng)12，就如求解公式2。
圖3展示是按照本發(fā)明的方法而工作的簡化計算程序框圖。每一個單獨的步驟已經(jīng)借助圖1和圖2詳細地描述過了。
按照本發(fā)明的方法，其也可用在物體上有開口(洞)的情況下，而且開口數(shù)量L可為任意。對此，對已描述過的求解方法，勢能等式7的邊界條件在開口的邊界必須等于物體邊界的勢能φ0。此外對已描述過的方法還將增加N乘L條電流線Iik(N＝支撐點的數(shù)量，L＝開口數(shù)量)，其將加入公式5的累加中(k變?yōu)?到L)。
附加的渦流線Iik和渦流線Iij相似也可單獨計算，即電流形狀求解勢能等式7，按照公式8和9計算電感和電阻。當(dāng)然在計算勢能等式7時需要注意，邊界條件不是“φ1在點Pj上”，而是“φ1在開口k的邊界上”。如果開口很大，則在計算磁通量時最終要使用公式11a來替換近似公式11。
單獨的導(dǎo)帶也可以以同樣的方式來計算，因為前述的開口可以任意地擴展靠近需要計算的物體的邊緣。一個最簡單的例子就是圓環(huán)，它可以看成是一個幾乎相等大小的開口環(huán)帶在這個例子中可以忽略線電流Iij(支撐點可以舍去)，只存在一個圓環(huán)形狀的Iik。如果舍去支撐點，可通過公式4的線性積分確定磁場B1。
還有，為屏蔽不明物體的干擾影響，人們可以在磁場發(fā)生器單元和物體之間放立一塊導(dǎo)電板，其大小與形狀以及它的位置已知。因此雖然必須考慮這塊板引起的磁場畸變，而其他所有的導(dǎo)電物體，其相對磁場發(fā)生器單元在板的另一面，因為屏蔽的原因可以不加考慮。
權(quán)利要求
1.確定傳感器元件(300)位置的方法，借助此方法測量由至少一個磁場發(fā)生器單元(200)發(fā)射出的交變磁場(210)，該方法包括在傳感器元件(300)中接收信號，其特征在于，以第一近似計算干擾場(410)，所述干擾場由在導(dǎo)電物體(400)中感應(yīng)的渦流(420)而產(chǎn)生；基于交變磁場(210)計算物體(400)中的渦流(420)；基于計算出的渦流(420)計算干擾場(410)；以及修正由傳感器元件(300)中接收到的信號而確定的位置。
2.如權(quán)利要求
1所述的方法，其特征在于，執(zhí)行至少再一次的迭代計算用于更準(zhǔn)確地確定位置，包括基于計算出的干擾場(410)計算物體(400)中進一步的渦流；以及基于進一步的渦流計算進一步的干擾場。
3.如權(quán)利要求
1所述的方法，其特征在于，確定物體(400)的位置和形狀，按照公式R=lρ(h2)2π]]>和L=2Wi2]]>分別計算物體(400)中的電阻和電感；其中R為歐姆電阻，1為導(dǎo)電帶的長度，h為電流深入的深度，ρ為材料的電阻率，L為導(dǎo)體帶的電感，W為導(dǎo)體產(chǎn)生的磁場中所儲存的能量，i為導(dǎo)體中的電流密度。
4.如權(quán)利要求
3所述的方法，其特征在于，還進行另一個迭代計算用于更準(zhǔn)確地計算電感，包括基于計算出的干擾場(410)計算物體(400)中進一步的渦流；以及基于進一步的渦流確定進一步的電感。
5.如權(quán)利要求
3所述的方法，其特征在于，為了系統(tǒng)校準(zhǔn)而預(yù)先即在和交變磁場(210)相關(guān)的計算之前，先確定物體(400)以及確定物體(400)中的電阻和電感。
6.如權(quán)利要求
1所述的方法，其特征在于，渦流的確定將如下進行劃分物體(400)成片段塊(Si)并選定支點(Pi)；確定支點(Pi)的電流密度(ii)；從渦流(Iij)確定電流密度(ii)。
7.上述的1到6中任一項權(quán)利要求
所述方法的應(yīng)用，其特征在于，磁場定位用在“電腦空間”的應(yīng)用上。
8.執(zhí)行上述的1到6中任一項權(quán)利要求
所述方法的裝置，其特征在于，具有至少一個磁場發(fā)生器單元(200)、至少一個傳感器元件(300)和處理與控制單元(100)，這里處理與控制單元(100)連接著磁場發(fā)生器單元(200)和傳感器元件(300)。
9.如權(quán)利要求
8所述的裝置，其特征在于，具有至少一個導(dǎo)電物體用于屏蔽磁場發(fā)生器單元(200)。
專利摘要
本發(fā)明涉及一種確定傳感器元件(300)位置的方法，借助此方法測量由至少一個磁場發(fā)生器單元(200)發(fā)射的交變磁場(210)，該方法包括在傳感器元件(300)中接收信號，其中，以第一近似計算干擾場(410)，所述干擾場由在導(dǎo)電物體(400)中感應(yīng)的渦流(420)而產(chǎn)生；基于交變磁場(210)計算物體(400)中的渦流(420)；基于計算出的渦流(420)計算干擾場(410)；以及修正由傳感器元件(300)中接收到的信號而確定的位置。
文檔編號G01B7/00GKCN1330978SQ01814661
公開日2007年8月8日 申請日期2001年7月10日
發(fā)明者保羅·G·塞勒, 拉爾夫·K·明興, 斯特凡·基爾希 申請人:北方數(shù)字化技術(shù)公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan