本發(fā)明涉及一種檢測(cè)方法,特別涉及一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法、裝置及設(shè)備。
背景技術(shù):
1、功率半導(dǎo)體器件又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。這類器件在電力電子領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色,主要用于電力電子控制和轉(zhuǎn)換系統(tǒng),如汽車、手機(jī)、電源、太陽能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)等設(shè)備中。
2、功率半導(dǎo)體器件在生產(chǎn)過程中,為了保證功率半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品質(zhì)量,需要對(duì)功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行外觀檢測(cè),現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)大多依靠工作人員觀察以及使用工具測(cè)量,檢測(cè)效率較低,同時(shí)對(duì)于封裝厚度較大的產(chǎn)品,直接觀察難以了解產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)中是否存在缺陷,為此,提出一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法、裝置及設(shè)備。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此,本發(fā)明提供一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法、裝置及設(shè)備,以解決或緩解現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題,至少提供一種有益的選擇。
2、本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法,包括以下步驟:
3、步驟一、對(duì)功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行表面清潔處理;
4、步驟二、功率半導(dǎo)體器件送往視覺檢測(cè)系統(tǒng),調(diào)整光源強(qiáng)度和角度,使用視覺檢測(cè)系統(tǒng)的相機(jī)和鏡頭對(duì)器件進(jìn)行圖像采集;
5、步驟三、對(duì)采集的圖像進(jìn)行處理和分析,判斷器件是否合格;
6、步驟四、標(biāo)記或剔除未通過外觀檢測(cè)的器件,并篩分封裝厚度超出預(yù)設(shè)數(shù)值的器件;
7、步驟五、利用x射線設(shè)備對(duì)厚度超標(biāo)的器件進(jìn)行成像操作,通過檢測(cè)器捕獲穿過器件的x射線并將其轉(zhuǎn)換為圖像數(shù)據(jù);
8、步驟六、分析圖像數(shù)據(jù),判斷器件內(nèi)部是否存在缺陷;
9、步驟七、標(biāo)記或剔除未通過x射線檢測(cè)的器件。
10、進(jìn)一步優(yōu)選的:在步驟一中,所述表面清潔處理包括吹掃處理和等離子清洗處理,功率半導(dǎo)體器件吹掃處理采用干燥氮?dú)饣驓鍤?,等離子清洗處理采用等離子體清洗機(jī)完成清潔操作。
11、進(jìn)一步優(yōu)選的:在步驟二中,視覺檢測(cè)系統(tǒng)圖像采集角度為俯視角度、正視角度、側(cè)視角度和斜視角度中的兩種或兩種以上的組合。
12、進(jìn)一步優(yōu)選的:在步驟三中,圖像處理包括去噪和增強(qiáng)對(duì)比度,利用傅里葉變換將圖像轉(zhuǎn)換到頻率域,通過濾波器來抑制高頻噪聲,然后通過逆傅里葉變換恢復(fù)圖像,利用拉普拉斯算子對(duì)圖像進(jìn)行銳化處理,突出圖像的邊緣和細(xì)節(jié)。
13、進(jìn)一步優(yōu)選的:在步驟三中,利用sobel算子提取圖像的邊緣信息,通過灰度共生矩陣分析圖像的紋理特征,利用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)機(jī)器學(xué)習(xí)算法對(duì)圖像進(jìn)行分類和識(shí)別,并通過分析特征信息來判斷器件是否存在缺陷。
14、進(jìn)一步優(yōu)選的:在步驟五中,所述檢測(cè)器上安裝有閃爍體、光電二極管陣列或cmos相機(jī)中的一種。
15、進(jìn)一步優(yōu)選的:在步驟六中,利用圖像數(shù)據(jù)分析x射線在半導(dǎo)體器件內(nèi)部的分布和衰減情況,判斷厚度超標(biāo)的器件內(nèi)部是否存在缺陷。
16、進(jìn)一步優(yōu)選的:在步驟七中,未受到標(biāo)記或剔除的功率半導(dǎo)體器件為合格產(chǎn)品。
17、一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)裝置,包括清潔單元、圖像采集單元、圖像分析單元、篩分單元和x射線單元:
18、所述清潔單元用于功率半導(dǎo)體器件的表面清潔處理;
19、所述圖像采集單元用于采集功率半導(dǎo)體器件的多角度圖像;
20、所述圖像分析單元用于分析半導(dǎo)體器件的多角度圖像和x射線圖像,并判斷半導(dǎo)體器件是否合格;
21、所述篩分單元用于篩分合格產(chǎn)品、不良產(chǎn)品和厚度超標(biāo)產(chǎn)品;
22、所述x射線單元用于發(fā)射x射線并獲取半導(dǎo)體器件的x射線圖像。
23、一種電子設(shè)備,所述電子設(shè)備包括:至少一個(gè)處理器,以及與所述至少一個(gè)處理器通信連接的存儲(chǔ)器;
24、其中,所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有可被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行的指令,所述指令被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行,以使所述至少一個(gè)處理器能夠執(zhí)行一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法。
25、本發(fā)明實(shí)施例由于采用以上技術(shù)方案,其具有以下優(yōu)點(diǎn):
26、一、本發(fā)明通過視覺檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行外觀檢測(cè),并根據(jù)檢測(cè)結(jié)果并篩分合格產(chǎn)品、不良產(chǎn)品和厚度超標(biāo)產(chǎn)品,無需工作人員手動(dòng)檢測(cè)半導(dǎo)體功率器件的缺陷,減輕工作人員的工作量,提高了檢測(cè)精度和檢測(cè)效率。
27、二、本發(fā)明通過x射線對(duì)厚度超標(biāo)產(chǎn)品進(jìn)行缺陷檢測(cè),避免產(chǎn)品內(nèi)部缺陷出現(xiàn)誤判或漏判的情況,提高產(chǎn)品質(zhì)量。
28、上述概述僅僅是為了說明書的目的,并不意圖以任何方式進(jìn)行限制。除上述描述的示意性的方面、實(shí)施方式和特征之外,通過參考附圖和以下的詳細(xì)描述,本發(fā)明進(jìn)一步的方面、實(shí)施方式和特征將會(huì)是容易明白的。
1.一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法,其特征在于:在步驟一中,所述表面清潔處理包括吹掃處理和等離子清洗處理,功率半導(dǎo)體器件吹掃處理采用干燥氮?dú)饣驓鍤?,等離子清洗處理采用等離子體清洗機(jī)完成清潔操作。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法,其特征在于:在步驟二中,視覺檢測(cè)系統(tǒng)圖像采集角度為俯視角度、正視角度、側(cè)視角度和斜視角度中的兩種或兩種以上的組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法,其特征在于:在步驟三中,圖像處理包括去噪和增強(qiáng)對(duì)比度,利用傅里葉變換將圖像轉(zhuǎn)換到頻率域,通過濾波器來抑制高頻噪聲,然后通過逆傅里葉變換恢復(fù)圖像,利用拉普拉斯算子對(duì)圖像進(jìn)行銳化處理,突出圖像的邊緣和細(xì)節(jié)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法,其特征在于:在步驟三中,利用sobel算子提取圖像的邊緣信息,通過灰度共生矩陣分析圖像的紋理特征,利用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)機(jī)器學(xué)習(xí)算法對(duì)圖像進(jìn)行分類和識(shí)別,并通過分析特征信息來判斷器件是否存在缺陷。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法,其特征在于:在步驟五中,所述檢測(cè)器上安裝有閃爍體、光電二極管陣列或cmos相機(jī)中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法,其特征在于:在步驟六中,利用圖像數(shù)據(jù)分析x射線在半導(dǎo)體器件內(nèi)部的分布和衰減情況,判斷厚度超標(biāo)的器件內(nèi)部是否存在缺陷。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法,其特征在于:在步驟七中,未受到標(biāo)記或剔除的功率半導(dǎo)體器件為合格產(chǎn)品。
9.一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)裝置,應(yīng)用于如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的一種功率半導(dǎo)體器件外觀檢測(cè)方法,其特征在于,包括清潔單元、圖像采集單元、圖像分析單元、篩分單元和x射線單元:
10.一種電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括:至少一個(gè)處理器,以及與所述至少一個(gè)處理器通信連接的存儲(chǔ)器;