本實(shí)用新型涉及一種特高頻傳感器。

背景技術(shù)：

大量故障統(tǒng)計表明，在一般電氣設(shè)備故障中，50％以上都是由絕緣引起的。發(fā)生絕緣故障的原因主要是絕緣薄弱處的局部放電引起的絕緣老化和失效，并最終導(dǎo)致絕緣的擊穿。局部放電(PD)是造成絕緣劣化的主要原因，也是絕緣劣化的主要征兆和表現(xiàn)形式。局部放電活動在絕緣材料內(nèi)部產(chǎn)生物理現(xiàn)象和化學(xué)變化。局部放電活動能夠?qū)е侣?、電和光能的發(fā)射，這使得能夠采用不同的方法來進(jìn)行檢測和分析局部放電活動的出現(xiàn)。

基于特高頻技術(shù)的電檢測法是檢測局部放電的主要方法，而特高頻傳感器是影響特高頻局部放電檢測性能的主要因素之一，也是檢測系統(tǒng)中耦合高壓電氣設(shè)備絕緣缺陷局部放電信號的第一個器件，因此，特高頻傳感器的性能決定了整個檢測系統(tǒng)的性能。

特高頻傳感器一般都是基于天線原理，其特征參數(shù)主要有測量帶寬、靈敏度、駐波比以及電磁屏蔽性能等，但現(xiàn)有的特高頻傳感器具有如下缺陷：測量帶寬較窄；靈敏度較低；駐波比在低頻段較大，無法滿足整個頻帶內(nèi)小于3的要求，而且曲線不平坦。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種特高頻傳感器，能夠在天線尺寸較小的條件下獲得滿足要求的駐波比、優(yōu)化與被測電纜的阻抗匹配度、擴(kuò)展測量帶寬，提高局部放電特高頻測量的準(zhǔn)確性和可靠性。

本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種特高頻傳感器，包括接地板、設(shè)置在接地板上的絕緣柱、尖端設(shè)置在絕緣柱上呈中空圓椎形的天線、設(shè)置在天線底面上的電容環(huán)、設(shè)置在天線尖端的信號輸出線和多條向外傾斜地設(shè)置在接地板與電容環(huán)邊緣之間的金屬柱，電容環(huán)由絕緣材料制成，多條金屬柱以電容環(huán)為中心圓周布置。

進(jìn)一步的，所述絕緣材料包括聚四氟乙烯、尼龍或者環(huán)氧樹脂材料。

進(jìn)一步的，所述電容環(huán)內(nèi)徑與所述天線底面的直徑相同。

進(jìn)一步的，所述天線垂直設(shè)置在所述絕緣柱上。

進(jìn)一步的，所述絕緣柱由聚四氟乙烯材料制成。

進(jìn)一步的，所述天線高度為50-70mm、底面直徑為80-100mm。

進(jìn)一步的，所述電容環(huán)內(nèi)徑為80-100mm、外徑為100-120mm、厚度為1-3mm。

進(jìn)一步的，所述金屬柱與接地板之間形成的銳角角度為50-70°，所述金屬柱直徑為1-3mm。

進(jìn)一步的，所述接地板由金屬材料制成。

本實(shí)用新型具有如下有益效果：

本實(shí)用新型在天線上設(shè)置電容環(huán)，能夠優(yōu)化特高頻傳感器與被測電纜的阻抗匹配度，降低低頻段的駐波比，提高天線輻射特高頻能量的能力，在電容環(huán)與接地板之間向外傾斜地設(shè)置多條金屬條，能夠在不增加天線尺寸的情況下，進(jìn)一步擴(kuò)展特高頻傳感器的測量帶寬，從而提高局部放電特高頻測量的準(zhǔn)確性和可靠性。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說明。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，特高頻傳感器包括接地板1、設(shè)置在接地板1上的絕緣柱2、尖端設(shè)置在絕緣柱2上呈中空圓錐形的天線3、設(shè)置在天線3底面上由絕緣材料制成的電容環(huán)4、設(shè)置在天線3尖端的信號輸出線(圖中未畫出)、三條向外傾斜地設(shè)置在接地板1與電容環(huán)4之間的金屬柱5、與信號輸出線連接的N型接頭(圖中未畫出)，N型接頭的接地線與接地板1連接。

在本實(shí)施例中，電容環(huán)4由聚四氟乙烯材料制成，其內(nèi)徑與天線3底面的直徑相同，三條金屬柱5以電容環(huán)4為中心圓周布置，天線3垂直設(shè)置在絕緣柱2上，天線3高度為60mm，天線3底面直徑為90mm，電容環(huán)4內(nèi)徑與天線3底面直徑相同，為90mm，電容環(huán)4外徑為110mm，電容環(huán)4厚度為2mm，金屬柱5與接地板1之間形成的銳角角度為60°，金屬柱5直徑為2mm，接地板1由金屬材料制成。

以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，故不能以此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即依本實(shí)用新型申請專利范圍及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專利涵蓋的范圍內(nèi)。