本發(fā)明屬于大電流測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域，更為具體地講，涉及一種適用于氣體絕緣變電站大電流測(cè)量的電子式互感器。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的大電流測(cè)量設(shè)備是基于線圈中的電磁感應(yīng)現(xiàn)象而進(jìn)行的，例如變壓器和羅氏線圈電流變換器。另一方面，隨著制造工藝技術(shù)突破，線性磁傳感器經(jīng)歷了快速的發(fā)展。一些常用線性磁傳感器采用集成芯片的形式，這些線性傳感器主要基于霍爾效應(yīng)(霍爾效應(yīng)磁傳感器)或電子自旋產(chǎn)生磁場(chǎng)(自旋電子傳感器)。

霍爾效應(yīng)磁傳感器對(duì)所處磁場(chǎng)表現(xiàn)出低靈敏度，因此，用于電流測(cè)量時(shí)會(huì)使用磁通集中器。

自旋電子傳感器進(jìn)一步劃分為各向異性磁阻(anisotropicmagnetoresistive，amr)傳感器(簡稱arm磁傳感器)、巨磁阻(giantmagnetoresistive，gmr)傳感器(簡稱gmr磁傳感器)和隧穿磁阻效應(yīng)(tunnelmagnetoresistive,tmr)傳感器(tmr磁傳感器)。amr磁傳感器只能檢測(cè)到小于10gs的弱磁場(chǎng)。當(dāng)處于強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)，amr磁傳感器的磁疇會(huì)發(fā)生紊亂，產(chǎn)生非定向效應(yīng)。為了避免這一現(xiàn)象，需要一個(gè)置位復(fù)位脈沖來校準(zhǔn)傳感器。gmr磁傳感器的輸出靈敏度隨溫度變化而改變。因此，gmr磁傳感器輸出有較大溫度漂移，需要額外處理。并且由于輸出具有單極性，對(duì)雙極性磁場(chǎng)，gmr磁傳感器輸出結(jié)果需要相應(yīng)處理。同上述傳感器相比，近來商業(yè)化tmr磁傳感器，其輸出線性測(cè)量范圍內(nèi)更大，固有噪聲更小，在一定溫度范圍內(nèi)無靈敏度變化，并且可以工作在雙極性模式下。這些特性推廣了tmr磁傳感器在大電流測(cè)量中的應(yīng)用。

根據(jù)畢奧-薩伐爾定律，與載流導(dǎo)體距離已知的磁場(chǎng)大小與電流呈線性正比。磁場(chǎng)中心與載流導(dǎo)體軸心同軸，并在所有方向上沿徑向向外分布。這一定律支撐了tmr磁傳感器在與測(cè)量點(diǎn)距離已知的載流導(dǎo)體，如母線中非接觸式大電流測(cè)量的應(yīng)用。大電流測(cè)量應(yīng)用場(chǎng)景包括氣體絕緣變電站中氣體絕緣開關(guān)設(shè)備，在氣體絕緣開關(guān)設(shè)備中，載流導(dǎo)體密封在金屬管和套管樹中。另一應(yīng)用場(chǎng)景是電爐變壓器。這是一種針對(duì)用于鋼鐵冶煉的電爐的特殊變壓器，安裝在電爐和電網(wǎng)之間，同樣需要測(cè)量大電流。其他一些應(yīng)用場(chǎng)景包括安裝在變電站配電柜的高壓斷路器。對(duì)于以上載流導(dǎo)體來講，在整個(gè)操作壽命年限內(nèi)，載流導(dǎo)體的位置是固定的。因此，tmr磁傳感器可以通過安裝在固定距離以測(cè)量磁通密度，并根據(jù)畢奧-薩伐爾定律計(jì)算電流，然而，由于在電力系統(tǒng)中，大電流如果太大，會(huì)超過其所能測(cè)量的磁場(chǎng)動(dòng)態(tài)范圍，而無法進(jìn)行正常的測(cè)量。

同時(shí)，在實(shí)際應(yīng)用中，外部噪聲會(huì)對(duì)tmr磁傳感器產(chǎn)生影響，因而，需要磁場(chǎng)屏蔽來保護(hù)tmr磁傳感器免受影響。發(fā)表在ieeetransactionsonelectromagneticcompatibility,vol.38,no.3,august1996，作者為yapingdu,t.c.cheng,a.s.farag的一篇名為“principlesofpower-frequencymagneticfieldshieldingwithflatsheetsinasourceoflongconductors”的研究通過理論分析解釋了磁場(chǎng)屏蔽的一般原則。在這篇論文中，實(shí)驗(yàn)使用二維模型的多層屏蔽。對(duì)趨膚深度、相對(duì)磁導(dǎo)率和屏蔽位置等參數(shù)進(jìn)行了研究。結(jié)論是，屏蔽層的位置和相對(duì)于測(cè)量點(diǎn)的距離對(duì)屏蔽效能有重要影響，并且高磁導(dǎo)率金屬做為屏蔽材料十分有效。另一篇發(fā)表在ieeetransactionsonmagnetics,vol.34,no.3,may1998，作者為karimwassef,vasundarav.varadan,vijayk.varadan的名為“magneticfieldshieldingconceptsforpowertransmissionlines”的文章闡述了通過有限元分析法證實(shí)的一種帶有缺口的彎曲磁場(chǎng)屏蔽材料的有效性，同時(shí)，這篇論文分析了不同大小缺口對(duì)屏蔽效能的影響。通過基于有限元分析法的仿真實(shí)驗(yàn)，該篇論文指出，增大缺口能提升屏蔽效能，并且缺口方向應(yīng)與噪聲方向相反。

在1998年05月26日授權(quán)并公布的、專利號(hào)為5757183、名稱為“devicetoshieldamagneticfieldinagivenplane”的美國專利展示了一種在給定平面屏蔽磁場(chǎng)的裝置。該裝置提供了一種簡單的磁場(chǎng)屏蔽結(jié)構(gòu)，它由n層高磁導(dǎo)率的磁性材料環(huán)形圈和n-1層非磁性材料構(gòu)成，磁傳感器固定在環(huán)中心共同所在軸線上。但是，該專利沒有當(dāng)測(cè)量發(fā)生在屏蔽層內(nèi)時(shí)其屏蔽效能評(píng)估方法的有效研究。

上述現(xiàn)有技術(shù)中，盡管提出了將tmr磁傳感器應(yīng)用于大電流測(cè)量，并給出了采用多層屏蔽以及帶缺口的彎曲磁場(chǎng)屏蔽的方式來屏蔽外部磁場(chǎng)干擾的研究成果。然而，在實(shí)際應(yīng)用于作為大電流測(cè)量的電子式互感器時(shí)，如何設(shè)計(jì)屏蔽層結(jié)構(gòu)以及屏蔽外部磁場(chǎng)干擾同時(shí)削弱了固定導(dǎo)體的磁場(chǎng)，以提高tmr磁場(chǎng)傳感器的動(dòng)態(tài)測(cè)量范圍是需要解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種適用于氣體絕緣變電站大電流測(cè)量的電子式互感器，在屏蔽外部磁場(chǎng)干擾同時(shí)削弱了載流導(dǎo)體的磁場(chǎng)，以提高tmr磁場(chǎng)傳感器的動(dòng)態(tài)測(cè)量范圍。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明適用于氣體絕緣變電站大電流測(cè)量的電子式互感器，包括：

一tmr磁傳感器，位于載流導(dǎo)體徑向距離為l的測(cè)量點(diǎn)位置，用于測(cè)量載流導(dǎo)體產(chǎn)生磁場(chǎng)在測(cè)量點(diǎn)位置的磁通密度b，并輸出相應(yīng)的傳感電壓u給放大電路；

放大電路，用于將傳感電壓u進(jìn)行放大后，作為電子式互感器的輸出；

其特征在于，還包括：

一屏蔽層結(jié)構(gòu)，該屏蔽結(jié)構(gòu)為三層屏蔽層，每層屏蔽層為一平行于載流導(dǎo)體軸向的平面高磁導(dǎo)率材料向載流導(dǎo)體彎曲而成的瓦狀結(jié)構(gòu)，彎曲的截面為圓弧形狀；其中，最外層屏蔽層的截面圓弧所在圓的半徑大于中間層屏蔽層以及最內(nèi)層屏蔽層的截面圓弧所在圓的半徑，最外層屏蔽層的截面圓弧弦長大于中間層屏蔽層以及最內(nèi)層屏蔽層的截面圓弧弦長，且中間層屏蔽層以及最內(nèi)層屏蔽層位于最外層屏蔽層的截面圓弧及弦構(gòu)成的區(qū)域內(nèi)；最外層屏蔽層的寬邊(沿載流導(dǎo)體方向)長度大于中間層屏蔽層以及最內(nèi)層屏蔽層的寬邊長度；

所述三層屏蔽層的截面圓弧中心的連線指向載流導(dǎo)體，所述tmr磁傳感器與放大電路安裝在同一印制電路板上，并位于最內(nèi)層屏蔽層的截面圓弧及其弦構(gòu)成的區(qū)域內(nèi)。

本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的。

本發(fā)明適用于氣體絕緣變電站大電流測(cè)量的電子式互感器，采用tmr磁傳感器，通過最外層的尺寸大于中間層屏蔽層以及最內(nèi)層屏蔽層的尺寸，tmr磁傳感器與放大電路安裝在同一印制電路板上，并位于最內(nèi)層屏蔽層的截面圓弧及其弦構(gòu)成的區(qū)域內(nèi)的這樣三層屏蔽層的屏蔽層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得高磁導(dǎo)率材料的三層屏蔽層很好地屏蔽了外部磁場(chǎng)干擾同時(shí)削弱了載流導(dǎo)體的磁場(chǎng)，提高了tmr磁場(chǎng)傳感器的動(dòng)態(tài)測(cè)量范圍。同時(shí)，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了非接觸式測(cè)量已知距離的固定載流導(dǎo)體大電流，并具有測(cè)量范圍寬，結(jié)果準(zhǔn)確，安裝簡易，成本低等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)采用tmr磁場(chǎng)傳感器，放大電路簡單，沒有傳統(tǒng)電流測(cè)量裝置的復(fù)雜電路帶來的各種問題。例如，羅氏線圈電流變換器的集成器件老化引起的結(jié)果偏差。

附圖說明

圖1是本發(fā)明適用于氣體絕緣變電站大電流測(cè)量的電子式互感器的一種具體實(shí)施方式結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1放大電路的電路原理示意圖；

圖3是本發(fā)明一具體實(shí)例進(jìn)行測(cè)試示意圖；

圖4是噪聲源放置在不銹鋼外殼外部五個(gè)不同位置示意圖；

圖5是當(dāng)強(qiáng)磁噪聲位于位置1時(shí)在仿真軟件得到的磁場(chǎng)分布圖；

圖6現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果不同位置時(shí)磁場(chǎng)強(qiáng)度曲線圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行描述，以便本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明。需要特別提醒注意的是，在以下的描述中，當(dāng)已知功能和設(shè)計(jì)的詳細(xì)描述也許會(huì)淡化本發(fā)明的主要內(nèi)容時(shí)，這些描述在這里將被忽略。

圖1是本發(fā)明適用于氣體絕緣變電站大電流測(cè)量的電子式互感器的一種具體實(shí)施方式結(jié)構(gòu)示意圖。

在本實(shí)施例中，如圖1所示，本發(fā)明適用于氣體絕緣變電站大電流測(cè)量的電子式互感器包括tmr磁傳感器1、放大電路2以及屏蔽層結(jié)構(gòu)3。

tmr磁傳感器1位于載流導(dǎo)體4徑向距離為l的測(cè)量點(diǎn)位置，用于測(cè)量載流導(dǎo)體4產(chǎn)生磁場(chǎng)在測(cè)量點(diǎn)位置的磁通密度b，并輸出相應(yīng)的傳感電壓u給放大電路2。放大電路2將傳感電壓u進(jìn)行放大后作為電子式互感器的輸出。

所述tmr磁傳感器1與放大電路2安裝在同一印制電路板上，并位于最內(nèi)層屏蔽層301的截面圓弧及其弦構(gòu)成的區(qū)域內(nèi)。

屏蔽層結(jié)構(gòu)3為三層屏蔽層301、302、303，每層屏蔽層301、302、303為一平行于載流導(dǎo)體4軸向的平面高磁導(dǎo)率材料向載流導(dǎo)體4彎曲而成的瓦狀結(jié)構(gòu)，彎曲的截面為圓弧形狀。需要說明的是，這里描述彎曲的截面為圓弧形狀，也可以為近似的圓弧，二者是等同的。其中，最外層屏蔽層303的截面圓弧所在圓的半徑大于中間層屏蔽層302以及最內(nèi)層屏蔽層301的截面圓弧所在圓的半徑(對(duì)于近似的圓弧形狀，也就是最外層屏蔽層303的彎曲程度小于中間層屏蔽層302以及最內(nèi)層屏蔽層301的彎曲程度)，最外層屏蔽層303的截面圓弧弦長大于中間層屏蔽層302以及最內(nèi)層屏蔽層301的截面圓弧弦長，且中間層屏蔽層302以及最內(nèi)層屏蔽層301位于最外層屏蔽層303的截面圓弧及弦構(gòu)成的區(qū)域內(nèi)；最外層屏蔽層303的寬邊(沿載流導(dǎo)體方向)長度大于中間層屏蔽層302以及最內(nèi)層301屏蔽層的寬邊長度。所述三層屏蔽層301、302、303的截面圓弧中心的連線指向載流導(dǎo)體4。

在本實(shí)施例中，如圖1所示，所述tmr磁傳感器同時(shí)位于述三層屏蔽層301、302、303的截面圓弧中心的連線上。

在本實(shí)施例中，如圖1所示，中間層屏蔽層302與最內(nèi)層屏蔽層301的結(jié)構(gòu)以及尺寸完全相同，最外層屏蔽層與中間層屏蔽層302以及最內(nèi)層屏蔽層301的表面積比為4:1，典型的為最外層屏蔽層303截面圓弧為中間層屏蔽層302以及最內(nèi)層屏蔽層301截面圓弧的長度比例為1.6:1、最外層屏蔽層303為中間層屏蔽層302以及最內(nèi)層屏蔽層301的寬邊長度比例為2.5:1。最外層屏蔽層303中心點(diǎn)到中間層屏蔽層302中心點(diǎn)的距離與中間層屏蔽層302中心點(diǎn)到最內(nèi)層屏蔽層301中心點(diǎn)的距離比例為12：7。

在本實(shí)施例中，屏蔽層結(jié)構(gòu)的三層屏蔽層采用的高磁導(dǎo)率材料為鎳合金材料，載流導(dǎo)體軸線與最外層屏蔽層的寬邊所在軸線同軸。

本發(fā)明tmr磁傳感器可以實(shí)現(xiàn)在已知距離時(shí)高精度非接觸電流測(cè)量，應(yīng)用場(chǎng)景包括幾類固定的大電流載流導(dǎo)體，比如氣體絕緣開關(guān)設(shè)備和母線。

本發(fā)明中屏蔽層結(jié)構(gòu)的目的是保護(hù)測(cè)量區(qū)域免受外部磁場(chǎng)干擾。它通過減少外部磁場(chǎng)的影響至可忽略的水平以確保精確測(cè)量。除了保護(hù)傳感器免受外部干擾，本發(fā)明中屏蔽層結(jié)構(gòu)還能吸收被測(cè)導(dǎo)體產(chǎn)生的磁場(chǎng)。這一特性使得tmr磁傳感器可以用于測(cè)量幾百安培導(dǎo)到千安培的電流。

圖2是圖1放大電路的電路原理示意圖。

在本實(shí)施例中，本發(fā)明中的放大電路采用儀器放大器，儀器放大器是一個(gè)特殊的差動(dòng)放大器，具有超高輸入阻抗，極其良好的cmrr，低輸入偏移，低輸出阻抗，能放大那些在共模電壓下的信號(hào)。tmr磁傳感器的差分輸出送入儀器放大器的正負(fù)輸入端，通過增益電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得tmr磁傳感器的差分輸出放大至合適水平，然后作為電子式互感器的輸出。

實(shí)例

1、有限元分析方法

在本實(shí)例中，采用基于tmr效應(yīng)的傳感器。上述實(shí)例的應(yīng)用場(chǎng)景的頻率低于100khz，本具體實(shí)例的有效測(cè)量范圍是50hz工頻下100-1000a峰峰值電流。

在本實(shí)例中，tmr傳感器固定在與最內(nèi)層屏蔽一段距離的位置，位于最內(nèi)層屏蔽層內(nèi)側(cè)面中心位置，距離根據(jù)具體的設(shè)計(jì)確定。

如圖1所示，在該實(shí)例中，采用了鎳合金屏蔽層，該屏蔽層位于磁阻效應(yīng)傳感器附近。在具體實(shí)例中，測(cè)試了三層高磁導(dǎo)率鎳合金構(gòu)成的屏蔽層結(jié)構(gòu)的磁屏蔽效應(yīng)。

為確保磁屏蔽的有效性，上述實(shí)例首先在電磁場(chǎng)仿真分析軟件ansysmaxwell16.0中通過有限元分析法驗(yàn)證。為了與實(shí)際產(chǎn)品一致，模型在軟件的“空氣”條件下測(cè)試，該條件下有為50mt的典型地球磁通。磁通方向?yàn)橹苯亲鴺?biāo)系中全部三個(gè)方向。

為了驗(yàn)證該模型的有效性，測(cè)試了一段長度的氣體絕緣開關(guān)設(shè)備的情形。在氣體絕緣開關(guān)設(shè)備中，一般使用羅氏線圈電流測(cè)量方法。仿真實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)了一種由不銹鋼材質(zhì)制作的外殼，大電流載流導(dǎo)體安裝在外殼中心處。如圖3所示，由一種特別定制的變壓器在調(diào)壓器的電壓輸出下產(chǎn)生大電流給測(cè)量裝置，測(cè)量裝置包括本發(fā)明適用于氣體絕緣變電站大電流測(cè)量的電子式互感器，大電流最終加載到載流導(dǎo)體。同時(shí)，采用鉗形電流表(簡稱鉗形表)進(jìn)行測(cè)量，鉗形表輸出以及傳感器輸出送入到示波器中進(jìn)行觀察。在強(qiáng)磁場(chǎng)干擾情況下，tmr傳感器輸出表現(xiàn)出線性。

本發(fā)明可以應(yīng)用在空氣絕緣開關(guān)設(shè)備等應(yīng)用環(huán)境中。在這類環(huán)境，強(qiáng)磁場(chǎng)干擾無法避免。非工頻信號(hào)可以通過信號(hào)處理技術(shù)過濾掉。但是當(dāng)信號(hào)中混有與被測(cè)電流相同頻率的磁場(chǎng)干擾時(shí)，被測(cè)磁場(chǎng)將會(huì)受到影響。為了驗(yàn)證上述屏蔽結(jié)構(gòu)對(duì)于外部干擾的屏蔽性能，本實(shí)例使用了一種強(qiáng)磁材料ndfe35模擬來自不銹鋼外殼外部不同點(diǎn)的干擾?？紤]到外部干擾來自不同方向，在仿真實(shí)驗(yàn)中，采用相對(duì)磁導(dǎo)率為1.0998的ndfe35。其臨界值位0.28t。如圖4所示，噪聲源放置在不銹鋼外殼外部五個(gè)不同位置。根據(jù)對(duì)稱性，當(dāng)噪聲來自另一側(cè)時(shí)，影響效果相同。

圖5是當(dāng)強(qiáng)磁噪聲位于位置1時(shí)，通過有限元分析方法得到的結(jié)果。我們可以看到其屏蔽效能，測(cè)量區(qū)域沒有受到噪聲影響。表1是當(dāng)噪聲源處于不同位置時(shí)的磁場(chǎng)測(cè)量結(jié)果。

表1

如上所述，屏蔽層結(jié)構(gòu)不僅能削弱外部磁噪聲到可以忽略的水平，而且可以在某種程度上衰減內(nèi)部磁場(chǎng)。這種來自內(nèi)部導(dǎo)體的磁場(chǎng)的衰減程度可以通過以下參數(shù)分析：

式中，bs是當(dāng)有屏蔽層結(jié)構(gòu)時(shí)的磁通密度，bu是沒有屏蔽層結(jié)構(gòu)時(shí)的磁通密度。參數(shù)df(dampingfactor,衰減因子)可以用來決定在測(cè)量裝置中選擇合適的tmr傳感器。從表1可以得出結(jié)論，通過比較帶有屏蔽層結(jié)構(gòu)和無屏蔽層結(jié)構(gòu)情況下的標(biāo)準(zhǔn)偏差，屏蔽層結(jié)構(gòu)對(duì)于tmr磁傳感器免受外部干擾是有效可行的。總的來講，屏蔽層結(jié)構(gòu)承擔(dān)了兩項(xiàng)任務(wù)。其一是保護(hù)磁傳感器不受外部干擾影響。其二是削弱了來自內(nèi)部載流導(dǎo)體的磁場(chǎng)，如表1中，在無干擾即噪聲情況下，100a大電流情況下，削弱了載流導(dǎo)體的磁場(chǎng)50％，1000a大電流情況下，削弱了載流導(dǎo)體的磁場(chǎng)37％，這樣提高tmr磁場(chǎng)傳感器的動(dòng)態(tài)測(cè)量范圍。

基于表1，設(shè)測(cè)量誤差率為(b1-b0)/b0×％，通過計(jì)算測(cè)量誤差率來分析屏蔽層結(jié)構(gòu)對(duì)于外部干擾的有效性。計(jì)算結(jié)果如表2。結(jié)果證明，沒有屏蔽層結(jié)構(gòu)時(shí)，磁噪聲增大了測(cè)量誤差率。對(duì)于最嚴(yán)重的測(cè)試情形，即磁噪聲源在位置1時(shí)，誤差率高達(dá)14.25％，然而帶有屏蔽層，誤差率小于3％。

表2

2、現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)

通過現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)再次證實(shí)有限元分析法的結(jié)果?，F(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)原理圖如圖3所示。對(duì)于實(shí)驗(yàn)，所有實(shí)體參數(shù)和環(huán)境參數(shù)均與有限元分析法中一致。

變壓器將工頻電壓電流轉(zhuǎn)變成大電流低電壓。接著，一根導(dǎo)線與變壓器輸出終端短接產(chǎn)生大電流。載流導(dǎo)線固定在外殼正中，并且與變壓器二次側(cè)相連。調(diào)壓器與變壓器一次側(cè)相連以調(diào)節(jié)變壓器輸出電流。

實(shí)驗(yàn)步驟如下：

(1)、在無噪聲情況下測(cè)量載流導(dǎo)體電流為100a時(shí)磁場(chǎng)強(qiáng)度；

(2)、在有噪聲情況下測(cè)量導(dǎo)體電流為100a時(shí)五個(gè)不同位置時(shí)的磁場(chǎng)強(qiáng)度。噪聲源可選用磁場(chǎng)強(qiáng)度為0.28t的ndfe35材料。

(3)、利用調(diào)壓器每次增加100a，重復(fù)步驟2。

最終實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖6所示，對(duì)于每一種情形，從100a到1000a的曲線斜率都較為一致。本發(fā)明不局限于氣體絕緣開關(guān)設(shè)備中工頻下的電流測(cè)量。由于tmr傳感器頻響范圍達(dá)到幾兆赫茲，可利用具有相似特性的儀表放大器在其他頻率下的測(cè)量。

通過上述設(shè)計(jì)，本發(fā)明對(duì)于干擾最嚴(yán)重的情形，即在上述測(cè)量裝置附近有高達(dá)0.28t的磁場(chǎng)干擾，測(cè)量導(dǎo)體電流達(dá)到1000a時(shí)，傳感器輸出誤差小于3％。

本發(fā)明提出的具有屏蔽結(jié)構(gòu)磁傳感器測(cè)量電流裝置，具有以下有益效果：

本發(fā)明適用于氣體絕緣變電站大電流測(cè)量的電子式互感器實(shí)現(xiàn)了非接觸式測(cè)量已知距離的固定載流導(dǎo)體大電流，其高磁導(dǎo)率屏蔽層結(jié)構(gòu)屏蔽外部磁場(chǎng)干擾同時(shí)削弱了固定導(dǎo)體的磁場(chǎng)，提高了tmr磁場(chǎng)傳感器的動(dòng)態(tài)測(cè)量范圍；同時(shí)，具有測(cè)量范圍寬，結(jié)果準(zhǔn)確，安裝簡易，成本低等優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于放大電路可以簡單儀器放大器來實(shí)現(xiàn)，沒有傳統(tǒng)大電流測(cè)量電子式互感器的復(fù)雜電路帶來的各種問題。例如，羅氏線圈電流變換器的集成器件老化引起的結(jié)果偏差。

盡管上面對(duì)本發(fā)明說明性的具體實(shí)施方式進(jìn)行了描述，以便于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員理解本發(fā)明，但應(yīng)該清楚，本發(fā)明不限于具體實(shí)施方式的范圍，對(duì)本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，只要各種變化在所附的權(quán)利要求限定和確定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，這些變化是顯而易見的，一切利用本發(fā)明構(gòu)思的發(fā)明創(chuàng)造均在保護(hù)之列。