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支持單位和多位故障注入的SRAM型FPGA評(píng)估方法與流程

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支持單位和多位故障注入的SRAM型FPGA評(píng)估方法與流程

本發(fā)明涉及故障注入的sram型fpga評(píng)估方法。



背景技術(shù):

sram(staticrandomaccessmemory)型fpga(fieldprogrammablegatearray)具有高性能、短開(kāi)發(fā)周期、高密度和可重復(fù)配置等優(yōu)點(diǎn),在最近幾十年中越來(lái)越被廣泛應(yīng)用。與asic(applicationspecificintegratedcircuit)不同的是,sram型fpga可以被在線配置或重配置。但是sram型fpga對(duì)單粒子翻轉(zhuǎn)(singleeventupset,seu)的高敏感性使得其在空間應(yīng)用上面臨著極大的挑戰(zhàn)。sram型fpga中分布著大量的存儲(chǔ)單元,這些存儲(chǔ)單元對(duì)seu有著高敏感性。在sram型fpga中,配置存儲(chǔ)器(configurationmemory)在總的存儲(chǔ)單元中占據(jù)了絕大多數(shù)。配置存儲(chǔ)器是由一列列的幀組成的,配置存儲(chǔ)器按陣列分布,用于存儲(chǔ)控制sram型fpga行為的比特流文件,每一列組成一個(gè)幀單元,如圖1所示。把存儲(chǔ)單元發(fā)生一次翻轉(zhuǎn)稱為故障,把待測(cè)電路輸出結(jié)果與黃金輸出結(jié)果不同稱為一次錯(cuò)誤。發(fā)生在sram型fpga中的seu可以分為兩類:瞬時(shí)故障和永久故障。發(fā)生在觸發(fā)器的翻轉(zhuǎn),只在當(dāng)前時(shí)鐘產(chǎn)生故障,下一個(gè)時(shí)鐘來(lái)臨的時(shí)候,正確的值即被寫(xiě)入,所以此種類型故障為瞬時(shí)故障。發(fā)生在配置存儲(chǔ)器中的故障,除非對(duì)配置存儲(chǔ)器進(jìn)行重新配置,否則這個(gè)故障將會(huì)一直留在其中,此種故障為永久故障。但是對(duì)于一個(gè)設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),并不是所有的配置位的翻轉(zhuǎn)都會(huì)對(duì)設(shè)計(jì)產(chǎn)生影響,也就是說(shuō)當(dāng)配置存儲(chǔ)器中發(fā)生seu時(shí),這個(gè)翻轉(zhuǎn)并不一定會(huì)改變最后的輸出,使電路的功能發(fā)生錯(cuò)誤。因此評(píng)估一個(gè)sram型fpga中的設(shè)計(jì)對(duì)seu的敏感性變得非常重要。隨著特征尺寸的減小,sram型fpga對(duì)seu的敏感性越來(lái)越大,因此研究sram型fpga中的seu累積效應(yīng)變得重要起來(lái)。

評(píng)估sram型fpga中的設(shè)計(jì)對(duì)seu的敏感性方式為:故障注入;故障注入能夠模擬實(shí)際粒子對(duì)sram型fpga的seu效應(yīng),并且能夠精準(zhǔn)的定位,對(duì)于研究sram型fpga的輻射敏感性有很大的幫助;

故障注入對(duì)sram型fpga的評(píng)估方法有2種:采用單位故障對(duì)sram型fpga進(jìn)行評(píng)估;采用多位故障累積對(duì)sram型fpga進(jìn)行評(píng)估;無(wú)法同時(shí)采用單位故障和多位故障累積對(duì)sram型fpga故障注入平臺(tái)進(jìn)行評(píng)估,無(wú)法準(zhǔn)確得出seu的累積對(duì)sram型fpga敏感性的影響。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法同時(shí)采用單位故障和多位故障累積對(duì)sram型fpga故障注入平臺(tái)進(jìn)行評(píng)估,無(wú)法準(zhǔn)確得出seu的累積對(duì)sram型fpga敏感性的影響的問(wèn)題,而提出支持單位和多位故障注入的sram型fpga評(píng)估方法。

支持單位和多位故障注入的sram型fpga評(píng)估方法具體過(guò)程為:

步驟一、向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障;

sram(staticrandomaccessmemory)為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,fpga(fieldprogrammablegatearray)為現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列;

步驟二、向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障后,檢驗(yàn)待測(cè)電路輸出狀態(tài),判斷待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤,記錄下來(lái);

步驟三、判斷待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤后進(jìn)入修復(fù)故障流程;

步驟四、修復(fù)故障流程結(jié)束后,檢驗(yàn)修復(fù)故障是否成功,得到單位故障模式軟錯(cuò)誤率;

步驟五、向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障;

步驟六、向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障后,檢驗(yàn)待測(cè)電路輸出狀態(tài),判斷待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤,并記錄下來(lái);若沒(méi)有錯(cuò)誤發(fā)生,回到步驟五,若有錯(cuò)誤發(fā)生,進(jìn)入步驟七;

步驟七、步驟六待測(cè)電路有錯(cuò)誤發(fā)生后進(jìn)入修復(fù)故障流程;

步驟八、修復(fù)故障流程結(jié)束后,檢驗(yàn)修復(fù)故障是否成功,得到多位故障累積模式軟錯(cuò)誤率;

步驟九、比較步驟四得到的單位故障模式軟錯(cuò)誤率和步驟八得到的多位故障累積模式軟錯(cuò)誤率,得出seu的累積對(duì)sram型fpga敏感性的影響;

seu(singleeventupset)為單粒子翻轉(zhuǎn)。

本發(fā)明的有益效果為:

本發(fā)明通過(guò)合理的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和布局約束,設(shè)計(jì)了一個(gè)可以實(shí)現(xiàn)兩種評(píng)估方法的sram型fpga的故障注入平臺(tái)。該平臺(tái)能夠評(píng)估待測(cè)電路在sram型fpga中的敏感性,同時(shí)采用單位故障和多位故障累積對(duì)sram型fpga故障注入平臺(tái)進(jìn)行評(píng)估,兩種評(píng)估方法分別為單位故障錯(cuò)誤率和多位故障累積錯(cuò)誤率。每種方法都能體現(xiàn)出設(shè)計(jì)的敏感性大小,并且對(duì)比了兩種方法的數(shù)據(jù),準(zhǔn)確得出seu的累積對(duì)sram型fpga敏感性的影響;得出了seu的累積會(huì)增加sram型fpga對(duì)seu的敏感性的結(jié)論。

單位故障處理方式為:向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入單位故障,檢驗(yàn)待測(cè)電路輸出狀態(tài),判斷待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤,進(jìn)入修復(fù)故障流程,判斷檢驗(yàn)修復(fù)故障是否成功,得到單位故障模式軟錯(cuò)誤率;

多位故障處理方式為:向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中依次注入一位故障并檢驗(yàn)待測(cè)電路輸出狀態(tài),直到待測(cè)電路發(fā)生錯(cuò)誤,記錄下來(lái),有錯(cuò)誤發(fā)生時(shí)進(jìn)入修復(fù)故障流程;檢驗(yàn)修復(fù)故障是否成功,得到多位故障累積模式軟錯(cuò)誤率;

比較單位故障模式軟錯(cuò)誤率和多位故障累積模式軟錯(cuò)誤率,準(zhǔn)確得出seu的累積對(duì)sram型fpga敏感性的影響。

解決了現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法同時(shí)采用單位故障和多位故障累積對(duì)sram型fpga故障注入平臺(tái)進(jìn)行評(píng)估,無(wú)法準(zhǔn)確得出seu的累積對(duì)sram型fpga敏感性的影響的問(wèn)題的問(wèn)題。

如表1所示,當(dāng)電路名稱為c7552時(shí),單位故障模式下平均產(chǎn)生一次錯(cuò)誤需注入故障次數(shù)為1503,多位故障累積模式下平均產(chǎn)生一次錯(cuò)誤需注入故障次數(shù)為1468;當(dāng)電路名稱為c1908時(shí),單位故障模式下平均產(chǎn)生一次錯(cuò)誤需注入故障次數(shù)為10650,多位故障累積模式下平均產(chǎn)生一次錯(cuò)誤需注入故障次數(shù)為10196;可以看出,多位故障累積模式下的平均產(chǎn)生一次錯(cuò)誤需注入故障次數(shù)要小于單位故障模式,說(shuō)明seu的累積會(huì)增加sram型fpga對(duì)seu的敏感性。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明配置存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)圖,dsp為數(shù)字信號(hào)處理,ram為隨機(jī)存儲(chǔ)器;

圖2為本發(fā)明故障注入平臺(tái)結(jié)構(gòu)圖;

圖3為本發(fā)明故障注入器中狀態(tài)機(jī)轉(zhuǎn)換圖,條件1為多位模式進(jìn)行修復(fù),條件2為單位模式修復(fù)成功或多位模式修復(fù)成功或多位模式產(chǎn)生錯(cuò)誤或多位模式積累故障,條件3為單位模式進(jìn)行修復(fù),條件4為多位模式修復(fù)完成或多位模式積累故障或單位模式,條件5為單位模式修復(fù)失敗或多位模式修復(fù)失敗。

具體實(shí)施方式

具體實(shí)施方式一:本實(shí)施方式的支持單位和多位故障注入的sram型fpga評(píng)估方法具體過(guò)程為:

本發(fā)明使用的fpga開(kāi)發(fā)板為xilinx公司的ml605,fpga型號(hào)為virtex-6xc6vlx240t-1ffg1156。本發(fā)明有兩種故障注入模式:?jiǎn)挝还收夏J胶投辔还收侠鄯e模式。單位故障模式原理是每次只注入一個(gè)故障,記錄下待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤,然后進(jìn)行修復(fù),修復(fù)到無(wú)故障狀態(tài),重復(fù)多次,記錄故障注入次數(shù)和電路發(fā)生錯(cuò)誤次數(shù),最后統(tǒng)計(jì)平均多少次故障導(dǎo)致發(fā)生一次錯(cuò)誤。多位故障累積模式原來(lái)是先注入一個(gè)故障,觀察待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤,如果沒(méi)有發(fā)生錯(cuò)誤,再注入一個(gè)故障,一次類推,直到待測(cè)電路產(chǎn)生錯(cuò)誤為止,并記錄下一共注入多少個(gè)故障,然后進(jìn)行修復(fù),修復(fù)到無(wú)故障狀態(tài),重復(fù)多次,最后去統(tǒng)計(jì)平均累積多少次故障導(dǎo)致發(fā)生一次錯(cuò)誤。

本發(fā)明設(shè)計(jì)的故障注入平臺(tái)結(jié)構(gòu)如圖2所示,主要包括故障注入器,地址管理器,待測(cè)電路,待測(cè)電路的黃金輸入輸出和比較器。

待測(cè)電路為要測(cè)試敏感性的電路。本發(fā)明要測(cè)試的是由配置存儲(chǔ)器引起的永久故障,所以可以不考慮觸發(fā)器的翻轉(zhuǎn),因此選擇iscas85基準(zhǔn)電路來(lái)進(jìn)行測(cè)試。

待測(cè)電路的黃金輸入輸出存儲(chǔ)的是待測(cè)電路的輸入和黃金輸出,其中輸入是由自動(dòng)測(cè)試生成器atalanta生成的,滿足電路最大錯(cuò)誤覆蓋率。

比較器用來(lái)比較電路的輸出結(jié)果和黃金結(jié)果是否相同,若相同說(shuō)明沒(méi)有錯(cuò)誤發(fā)生,若不相同說(shuō)明有錯(cuò)誤發(fā)生。每次比較結(jié)果的時(shí)候,都要把所有的測(cè)試運(yùn)行一遍,只要有一個(gè)的結(jié)果不相同,即判定有錯(cuò)誤發(fā)生。

地址管理器主要有兩個(gè)功能,第一個(gè)是負(fù)責(zé)隨機(jī)生成要翻轉(zhuǎn)的幀地址,第二個(gè)是記錄多位累積故障模式下的累積地址。第一個(gè)功能采用線性反饋移位寄存器來(lái)實(shí)現(xiàn),將線性反饋移位寄存器的輸出分成五部分:其中三部分組成幀的32位地址,另外兩部分為每幀的字地址和每字的位地址。所生成的地址用于單位故障模式和多位故障模式下所要翻轉(zhuǎn)的位置。第二個(gè)功能采用fpga內(nèi)部的塊ram(blockrandomaccessmemory,bram)來(lái)實(shí)現(xiàn),用于存儲(chǔ)多位故障模式下產(chǎn)生每一次錯(cuò)誤所累積的地址,然后按照這些地址來(lái)進(jìn)行修復(fù),完成電路修復(fù)流程。

故障注入器是故障注入平臺(tái)的最重要的組成部分,用于對(duì)輸入的控制,對(duì)比較器的控制,對(duì)故障注入狀態(tài)機(jī)的控制,以及對(duì)一些信號(hào)的提取和控制。對(duì)輸入的控制的意義是要在每一次故障注入的時(shí)候?qū)⑺休斎脒\(yùn)行一遍。對(duì)比較器的控制的意義是將所有的輸入所對(duì)應(yīng)的輸出都與黃金輸出進(jìn)行對(duì)比,將得到的結(jié)果是否有錯(cuò)誤發(fā)生反饋到故障注入器中。故障注入采用一個(gè)狀態(tài)機(jī)去控制,如圖3所示,條件1為多位模式進(jìn)行修復(fù),條件2為單位模式修復(fù)成功或多位模式修復(fù)成功或多位模式產(chǎn)生錯(cuò)誤或多位模式積累故障,條件3為單位模式進(jìn)行修復(fù),條件4為多位模式修復(fù)完成或多位模式積累故障或單位模式,條件5為單位模式修復(fù)失敗或多位模式修復(fù)失敗。單位故障模式和多位故障累積模式都在一個(gè)狀態(tài)機(jī)中去控制。下面分別介紹單位故障模式和多位故障累積模式的運(yùn)行流程。

步驟一、向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障;

sram(staticrandomaccessmemory)為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,fpga(fieldprogrammablegatearray)為現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列;

步驟二、向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障后,檢驗(yàn)待測(cè)電路輸出狀態(tài),判斷待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤,記錄下來(lái);

步驟三、判斷待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤后進(jìn)入修復(fù)故障流程;

步驟四、修復(fù)故障流程結(jié)束后,檢驗(yàn)修復(fù)故障是否成功,得到單位故障模式軟錯(cuò)誤率;

步驟五、向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障;

步驟六、向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障后,檢驗(yàn)待測(cè)電路輸出狀態(tài),判斷待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤,并記錄下來(lái);若沒(méi)有錯(cuò)誤發(fā)生,回到步驟五,若有錯(cuò)誤發(fā)生,進(jìn)入步驟七;

多位故障注入的過(guò)程,也是每次只注入一次故障,但是注入以后先不修復(fù),依次注入,直到待測(cè)電路產(chǎn)生錯(cuò)誤,才進(jìn)行修復(fù),修復(fù)之前所有的故障;

步驟七、步驟六待測(cè)電路有錯(cuò)誤發(fā)生后進(jìn)入修復(fù)故障流程;

步驟八、修復(fù)故障流程結(jié)束后,檢驗(yàn)修復(fù)故障是否成功,得到多位故障累積模式軟錯(cuò)誤率;

步驟九、比較步驟四得到的單位故障模式軟錯(cuò)誤率和步驟八得到的多位故障累積模式軟錯(cuò)誤率,得出seu的累積對(duì)sram型fpga敏感性的影響;

seu(singleeventupset)為單粒子翻轉(zhuǎn)。

具體實(shí)施方式二:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一不同的是:所述步驟一中向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障;具體過(guò)程為:

根據(jù)地址管理器隨機(jī)產(chǎn)生的地址將一幀從sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中回讀出來(lái),進(jìn)入幀單位翻轉(zhuǎn)狀態(tài),根據(jù)地址管理器隨機(jī)產(chǎn)生的地址將幀中的一位進(jìn)行翻轉(zhuǎn),模擬seu,然后進(jìn)入回寫(xiě)狀態(tài),將翻轉(zhuǎn)后的幀寫(xiě)入到sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中。

其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施方式一相同。

具體實(shí)施方式三:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一或二不同的是:所述步驟二中向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障后,檢驗(yàn)待測(cè)電路輸出狀態(tài),判斷待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤,記錄下來(lái);具體過(guò)程為:

比較待測(cè)電路的輸出和黃金輸出是否相同,若相同說(shuō)明待測(cè)電路沒(méi)有錯(cuò)誤發(fā)生,若不相同說(shuō)明待測(cè)電路有錯(cuò)誤發(fā)生;

比較待測(cè)電路的輸出和黃金輸出是否相同時(shí),把待測(cè)電路所有的輸入運(yùn)行一遍,只要有一個(gè)待測(cè)電路的輸出與黃金輸出不相同,即判定待測(cè)電路有錯(cuò)誤發(fā)生;

待測(cè)電路的黃金輸入輸出存儲(chǔ)的是待測(cè)電路的輸入和黃金輸出,其中待測(cè)電路的輸入是由自動(dòng)測(cè)試向量生成器atalanta生成的,滿足電路最大錯(cuò)誤覆蓋率。

黃金輸出是待測(cè)電路事先根據(jù)輸入運(yùn)行一遍得到的正確的輸出。

其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施方式一或二相同。

具體實(shí)施方式四:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至三之一不同的是:所述步驟三中判斷待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤后進(jìn)入修復(fù)故障流程;具體過(guò)程為:

進(jìn)入幀單位翻轉(zhuǎn)狀態(tài),將步驟一中幀翻轉(zhuǎn)后的一位再翻轉(zhuǎn)回來(lái),成為一個(gè)正確的幀,進(jìn)入回寫(xiě)狀態(tài),將這個(gè)正確的幀回寫(xiě)到sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中。

其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施方式一至三之一相同。

具體實(shí)施方式五:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至四之一不同的是:所述步驟四中修復(fù)故障流程結(jié)束后,檢驗(yàn)修復(fù)故障是否成功,得到單位故障模式軟錯(cuò)誤率;具體過(guò)程為:

檢驗(yàn)待測(cè)電路輸出狀態(tài),比較待測(cè)電路的輸出和黃金輸出是否相同,若相同說(shuō)明待測(cè)電路修復(fù)成功,執(zhí)行步驟一;若不相同說(shuō)明待測(cè)電路修復(fù)失敗,則進(jìn)入結(jié)束狀態(tài),得到單位故障模式軟錯(cuò)誤率;

比較待測(cè)電路的輸出和黃金輸出是否相同時(shí),把待測(cè)電路所有的輸入運(yùn)行一遍,只要有一個(gè)待測(cè)電路的輸出與黃金輸出不相同,即判定待測(cè)電路修復(fù)失敗。

其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施方式一至四之一相同。

具體實(shí)施方式六:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至五之一不同的是:所述步驟五中向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障;具體過(guò)程為:

根據(jù)地址管理器隨機(jī)產(chǎn)生的地址將一幀從sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中回讀出來(lái),進(jìn)入幀單位翻轉(zhuǎn)狀態(tài),根據(jù)地址管理器隨機(jī)產(chǎn)生的地址將幀中的一位進(jìn)行翻轉(zhuǎn),模擬seu,然后進(jìn)入回寫(xiě)狀態(tài),將翻轉(zhuǎn)后的幀寫(xiě)入到sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中。

其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施方式一至五之一相同。

具體實(shí)施方式七:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至六之一不同的是:所述步驟六中向sram型fpga的配置存儲(chǔ)器中注入一位故障后,檢驗(yàn)待測(cè)電路輸出狀態(tài),判斷待測(cè)電路是否發(fā)生錯(cuò)誤,并記錄下來(lái);若沒(méi)有錯(cuò)誤發(fā)生,回到步驟五,若有錯(cuò)誤發(fā)生,進(jìn)入步驟七;具體過(guò)程為:

比較待測(cè)電路的輸出和黃金輸出是否相同,若相同說(shuō)明待測(cè)電路沒(méi)有錯(cuò)誤發(fā)生,執(zhí)行步驟五;若不相同說(shuō)明待測(cè)電路有錯(cuò)誤發(fā)生;進(jìn)入步驟七;

比較待測(cè)電路的輸出和黃金輸出是否相同時(shí),把待測(cè)電路所有的輸入運(yùn)行一遍,只要有一個(gè)待測(cè)電路的輸出與黃金輸出不相同,即判定有錯(cuò)誤發(fā)生。

其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施方式一至六之一相同。

具體實(shí)施方式八:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至七之一不同的是:所述步驟七中步驟六待測(cè)電路有錯(cuò)誤發(fā)生后進(jìn)入修復(fù)故障流程;具體過(guò)程為:

進(jìn)入回讀狀態(tài),根據(jù)地址管理器記錄的多位故障累積模式的地址,進(jìn)入到幀單位翻轉(zhuǎn)狀態(tài),將步驟五中幀翻轉(zhuǎn)后的一位再翻轉(zhuǎn)回來(lái),成為一個(gè)正確的幀,進(jìn)入回寫(xiě)狀態(tài),完成一位故障的修復(fù),然后回到回讀狀態(tài),重復(fù)一位故障的修復(fù),直到將地址管理器記錄的該次多位故障累積模式的所有故障都修復(fù)完成。

其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施方式一至七之一相同。

具體實(shí)施方式九:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至八之一不同的是:所述步驟八中修復(fù)故障流程結(jié)束后,檢驗(yàn)修復(fù)故障是否成功,得到多位故障累積模式軟錯(cuò)誤率;具體過(guò)程為:

檢驗(yàn)待測(cè)電路輸出狀態(tài),比較電路的輸出和黃金輸出是否相同,若相同說(shuō)明待測(cè)電路修復(fù)成功,執(zhí)行步驟五;若不相同說(shuō)明待測(cè)電路修復(fù)失敗,則進(jìn)入結(jié)束狀態(tài),得到多位故障累積模式軟錯(cuò)誤率;

比較待測(cè)電路的輸出和黃金輸出是否相同時(shí),把待測(cè)電路所有的輸入運(yùn)行一遍,只要有一個(gè)待測(cè)電路的輸出與黃金輸出不相同,即判定待測(cè)電路修復(fù)失敗。

其它步驟及參數(shù)與具體實(shí)施方式一至八之一相同。

采用以下實(shí)施例驗(yàn)證本發(fā)明的有益效果:

實(shí)施例一:

本實(shí)施例支持單位和多位故障注入的sram型fpga評(píng)估方法具體是按照以下步驟制備的:

表1故障注入平均產(chǎn)生一次錯(cuò)誤需注入故障次數(shù)

本發(fā)明主要對(duì)下列電路進(jìn)行了測(cè)試:c7552,c6288,c5315,c3540,c2670,c1908。測(cè)試結(jié)果如表1所示,第一行為測(cè)試電路名稱,第二行為單位故障模式下平均產(chǎn)生一次錯(cuò)誤需注入故障次數(shù),第三行為多位故障累積模式下平均產(chǎn)生一次錯(cuò)誤需注入故障次數(shù)。

由表1中數(shù)據(jù)可以看出,多位故障累積模式下的平均產(chǎn)生一次錯(cuò)誤需注入故障次數(shù)要小于單位故障模式,說(shuō)明seu的累積會(huì)增加sram型fpga對(duì)seu的敏感性。

為了研究單位故障率與多位故障累積效應(yīng)之間的關(guān)系,本發(fā)明提出一種故障注入方法,能夠同時(shí)對(duì)單位故障錯(cuò)誤率或多位故障積累效應(yīng)進(jìn)行評(píng)估,用戶可以選擇本次故障注入選擇哪種模式。因?yàn)橛脩粼O(shè)計(jì)電路已經(jīng)被配置完成,其在器件中的位置將不再改變,因此得到的單位故障錯(cuò)誤率的評(píng)估數(shù)據(jù)和多位故障積累效應(yīng)的評(píng)估數(shù)據(jù)都是有效的,并且具有可比性。

狀態(tài)機(jī)代碼:

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本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例,在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下,本領(lǐng)域技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形,但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

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